JP2018060946A - 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ - Google Patents
発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018060946A JP2018060946A JP2016198428A JP2016198428A JP2018060946A JP 2018060946 A JP2018060946 A JP 2018060946A JP 2016198428 A JP2016198428 A JP 2016198428A JP 2016198428 A JP2016198428 A JP 2016198428A JP 2018060946 A JP2018060946 A JP 2018060946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- emitting diode
- back surface
- transparent substrate
- diode chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
11 光デバイスウエーハ(ウエーハ)
13 サファイア基板
14 切削ブレード
15 積層体層
17 分割予定ライン
19 LED回路
21 透明基板
21A 透明部材
25 一体化ウエーハ
27 切断溝
29 気泡
31 発光ダイオードチップ
Claims (4)
- 発光ダイオードチップの製造方法であって、
結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
該ウエーハの裏面に各LED回路に対応して凹部又は溝を形成するウエーハ裏面加工工程と、
内部に複数の気泡が形成された透明基板を準備する透明基板準備工程と、
該ウエーハ裏面加工工程を実施した後、該透明基板の表面にウエーハの裏面を貼着して一体化ウエーハを形成する一体化工程と、
該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。 - 該ウエーハ裏面加工工程において、前記凹部又は前記溝は切削ブレード、エッチング、サンドブラスト、レーザーの何れかで形成される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 該透明基板は、透明セラミックス、光学ガラス、サファイア、透明樹脂の何れかで形成され、該一体化工程において該透明基板は透明接着剤を使用して該ウエーハに貼着される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 発光ダイオードチップであって、
表面にLED回路が形成され裏面に凹部又は溝が形成された発光ダイオードと、該発光ダイオードの裏面に貼着された透明部材とを備え、
該透明部材の内部には複数の気泡が形成されている発光ダイオードチップ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016198428A JP2018060946A (ja) | 2016-10-06 | 2016-10-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
TW106131109A TW201816871A (zh) | 2016-10-06 | 2017-09-12 | 發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片 |
KR1020170125972A KR102204764B1 (ko) | 2016-10-06 | 2017-09-28 | 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 |
CN201710938308.4A CN107919432A (zh) | 2016-10-06 | 2017-09-30 | 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016198428A JP2018060946A (ja) | 2016-10-06 | 2016-10-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018060946A true JP2018060946A (ja) | 2018-04-12 |
Family
ID=61894784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016198428A Pending JP2018060946A (ja) | 2016-10-06 | 2016-10-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018060946A (ja) |
KR (1) | KR102204764B1 (ja) |
CN (1) | CN107919432A (ja) |
TW (1) | TW201816871A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021107879A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
JP2021107878A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093728A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2007266356A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
JP2011009305A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
JP2012038889A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Koito Mfg Co Ltd | 蛍光部材および発光モジュール |
JP2012099788A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2016076685A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100959079B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2010-05-20 | 한빔 주식회사 | 열방출이 개선된 전면발광형 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법 |
WO2009017035A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Asahi Glass Co., Ltd. | 透光性基板、その製造方法、有機led素子及びその製造方法 |
KR20120107271A (ko) * | 2011-03-21 | 2012-10-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
EP2721653A4 (en) * | 2011-06-15 | 2014-11-19 | Sensor Electronic Tech Inc | DEVICE COMPRISING LARGE LARGE SCALE LIGHT EXTRACTION STRUCTURES |
JP5941306B2 (ja) | 2012-03-19 | 2016-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014175354A (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
KR101426433B1 (ko) | 2013-04-30 | 2014-08-06 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자를 제조하는 방법 |
JP2014239123A (ja) | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
EP2944620A1 (en) * | 2013-12-26 | 2015-11-18 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica glass member for wavelength conversion, and production method therefor |
-
2016
- 2016-10-06 JP JP2016198428A patent/JP2018060946A/ja active Pending
-
2017
- 2017-09-12 TW TW106131109A patent/TW201816871A/zh unknown
- 2017-09-28 KR KR1020170125972A patent/KR102204764B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-30 CN CN201710938308.4A patent/CN107919432A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005093728A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2007266356A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 発光装置およびそれを用いた照明装置 |
JP2011009305A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
JP2012038889A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Koito Mfg Co Ltd | 蛍光部材および発光モジュール |
JP2012099788A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2016076685A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021107879A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
JP2021107878A (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-29 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
JP7321652B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-08-07 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
JP7321653B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-08-07 | 株式会社ディスコ | ディスプレイパネルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201816871A (zh) | 2018-05-01 |
KR20180038379A (ko) | 2018-04-16 |
CN107919432A (zh) | 2018-04-17 |
KR102204764B1 (ko) | 2021-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018060946A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018014422A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018186171A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018029110A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018074111A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018148094A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018014421A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018060949A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018060947A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018060950A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018078142A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018060951A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018078140A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018060948A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018148096A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018078141A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018186166A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018046066A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018078144A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018186167A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129348A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129344A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018046064A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018078143A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2017224727A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161011 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210202 |