KR101426433B1 - 반도체 발광소자를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체 발광소자를 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계; 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및 반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 발광소자를 제조하는 방법{MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 봉지부 및 외부 전극 역할을 하는 금속 기판을 일체화한 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 도전막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 버퍼층(200)은 생략될 수 있다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901), 전극막(902) 및 전극막(903)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 제2 반도체층(500)에 제1 반도체층(300)으로 빛을 반사시키기 위한 금속 반사막(910)이 형성되어 있고, 지지 기판(930) 측에 전극(940)이 형성되어 있다. 금속 반사막(910)과 지지 기판(930)은 웨이퍼 본딩층(920)에 의해 결합된다. 제1 반도체층(300)에는 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있다.
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 플립 칩의 형태로, 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 반사막(950)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800)이 형성되어 있으며, 기판(100) 및 반도체층(300,400,500)을 둘러싸도록 봉지제(1000)가 형성되어 있다. 반사막(950)은 도 2에서와 같이 금속층으로 이루어질 수 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이, SiO2/TiO2로 된 DBR(Distributed Bragg Reflector)과 같은 절연체 반사막으로 이루어질 수 있다. 반도체 발광소자는 전기 배선(820,960)이 구비된 PCB(1200; Printed Circuit Board)에 도전 접착제(830,970)를 통해 장착된다. 봉지제(1000)에는 주로 형광체가 함유된다. 여기서 반도체 발광소자는 봉지제(1000)를 포함하므로, 구분을 위해, 봉지제(1000)를 제외한 반도체 발광소자 부분을 반도체 발광소자 칩이라 부를 수 있다. 이러한 방법으로 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 발광소자 칩에 봉지제(1000)가 도포될 수 있다.
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 필름 또는 플레이트로 된 장착면(10) 위에, 반도체 발광소자 칩(20)이 놓인다. 다음으로, 격벽(82; Partition)과 개구부(81)가 구비된 스텐실 마스크(80)를, 반도체 발광소자 칩(20)이 노출되도록 장착면(10) 위에 놓는다. 다음으로, 봉지제(40)를 개구부(81)에 투입한 다음, 일정 시간 봉지제(40)를 경화한 후, 스텐실 마스크(80)를 장착면(10)으로부터 분리한다. 스텐실 마스크(80)는 주로 금속 재질로 이루어진다.
도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 도시된 반도체 발광소자 칩(1)가 장착된 패키지를 도시하고 있다. 패키지는 리드 프레임(4,5), 리드 프레임(4,5)을 고정하고 오목부(7)를 형성하는 몰드(6)를 구비한다. 반도체 발광소자(1; 반도체 발광소자 칩)가 리드 프레임(4)에 장착되어 있으며, 반도체 발광소자 칩(1)을 덮도록 봉지제(1000)가 오목부(7)를 채우고 있다. 주로 봉지제(1000)는 형광체를 포함한다. 이 경우에, 기판(100)이 아래에 놓이게 되며, 기판(100)의 두께가 80~150um에 이르게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 이보다 높은 위치에 놓이게 되어, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광할 수 있게 되며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기할 수 있게 된다. 그러나 도 2에 도시된 반도체 발광소자가 패키지에 장착되는 경우에, 기판(100)이 위를 향하게 되므로, 빛을 생성하는 활성층(400)이 패키지 바닥으로부터 20um를 넘지 않는 범위 내에 위치하게 되며, 오목부(7) 내에서 빛을 전체적으로 고르게 발광하기가 쉽지 않으며, 봉지제(1000)에 형광체가 구비되는 경우에 이 형광체를 잘 여기하기가 쉽지 않게 된다. 따라서 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩이 사용되는 경우에, 도 8에서와 같이 디스펜서를 이용한 봉지제의 형성보다는 도 4에서와 같이 봉지제(1000)가 반도체 발광소자 칩을 균일하게 덮을 수 있는 방안이 고려되어야 한다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계; 반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및 반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6 및 도 7은 미국 등록특허공보 제6,650,044호에 도시된 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9 내지 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 15는 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 17은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 18은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 9 내지 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 9에 나타낸 것과 같이, 금속 재질의 플레이트(10)를 준비한다. 다수의 반도체 발광소자를 한 번의 공정에서 제조하기 위해, 플레이트(10)는 복수의 홈(15)을 구비하며, 따라서 플레이트(10)의 상면(16)은 다수의 영역으로 분할된다. 홈(15)은 습식 식각 또는 건식 식각을 통한 제거방식이나, 블레이드 또는 와이어를 사용한 기계적 절단방식을 통해 일정 깊이를 가지도록 형성될 수 있다. 플레이트(10)의 재질은 도전성 금속 또는 전도성 반도체라면 특별한 제한이 없으며, 이러한 재료로 W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si 등과 같은 재료 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 형태를 들 수 있으며, 전기 전도성, 열 전도성, 반사율 등을 고려했을 때, Al을 적합한 예로 들 수 있다.
이와 같이 준비된 플레이트(10) 위에, 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 같이, 홈(15)을 따라 다수의 반도체 발광소자 칩(20)이 고정된다. 반도체 발광소자 칩(20)은, 도 2, 도 4 및 도 5에 예시된 형태의 플립 칩으로서, 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층(종래도면 참조), 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층(종래도면 참조), 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층(종래도면 참조), 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(21), 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(22)을 구비한다. 그리고, 반도체 발광소자 칩(20)은, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)이 하부에 위치하여 플레이트(10)의 상면(16)과 마주하도록 배치된다. 반도체 발광소자 칩(20)은 홈(15)에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 플레이트(10)의 상면(16)에서, 제1 전극(21)은 홈(15) 좌측의 플레이트(10) 상면(16)에 접합되고, 제2 전극(22)은 홈(15) 우측의 플레이트(10) 상면(16)에 접합된다. 이러한 접합은 Ag 페이스트를 이용하여 수행되거나, 유태틱 본딩(eutectic bonding) 등과 같은 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다.
다음으로, 도 11에 나타낸 것과 같이, 모든 반도체 발광소자 칩(20)을 덮도록 플레이트(10)의 상면(16) 전체에 봉지제(30)를 디스펜싱하고, 이 봉지제(30)를 경화시킨다. 봉지제(30)는 실리콘 등과 같은 액상의 투명한 수지 재료와 형광체를 포함할 수 있다.
이어서, 도 12에 나타낸 것과 같이, 플레이트(10)에 구비된 홈(15)이 플레이트(10)의 하면(17) 측으로 노출되도록 플레이트(10)의 하부를 부분적으로 제거한다. 즉, 플레이트(10)를 하면(17) 측에서 연마 및/또는 랩핑하여, 홈(15)이 플레이트(10)의 하면(17) 측으로 노출되도록 한다. 예를 들어, 플레이트(10)는 250~300um의 두께를 가질 수 있으며, 랩핑을 통해 50um 정도의 두께로 얇아질 수 있다. 이와 같이 홈(15)이 플레이트(10)의 하면(17) 측으로 노출되어 개방됨에 따라, 하나의 홈(15)을 사이에 두고 측면을 마주하는 플레이트(10)의 두 부분은 서로 전기적으로 절연된다.
이후, 도 13에 나타낸 것과 같이, 평면상에서 반도체 발광소자의 예정된 경계(A)를 따라 경화된 봉지제(30) 및 플레이트(10)를 함께 절단하여, 개별적인 반도체 발광소자로 완성된다.
이하, 상기한 바와 같은 방법으로 제조된 반도체 발광소자에 관해 설명한다.
도 14는 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.
반도체 발광소자는 금속 기판(10'), 반도체 발광소자 칩(20) 및 봉지부(30')를 포함한다.
금속 기판(10')은, 홈(15)을 구비한 플레이트(10)의 하부를 홈(15)이 노출되도록 제거하고 개별적인 반도체 발광소자의 경계를 따라 절단함으로써 형성되는 것으로서, 하방으로 개방된 홈(15)에 해당하는 틈(15')과, 틈(15')을 사이에 두고 측면을 마주하는 제1 도전부(11) 및 제2 도전부(12)를 구비하게 된다. 금속 기판(10')에서, 제1 도전부(11)와 제2 도전부(12)는 틈(15')에 의해 전기적으로 절연된다.
반도체 발광소자 칩(20)은 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)이 하부에 위치하여 금속 기판(10')의 상면(16)과 마주하도록 배치된다. 금속 기판(10')의 상면(16)에서, 제1 전극(21)은 제1 도전부(11)와 접합되고, 제2 전극(22)은 제2 도전부(12)와 접합된다.
봉지부(30')는 반도체 발광소자 칩(20)을 투명재질의 수지와 형광체를 포함하는 봉지제(30)로 덮고, 봉지제(30)를 경화시킨 다음, 경화된 봉지제(30)를 반도체 발광소자의 경계를 따라 절단함으로써 형성된다.
플레이트(10)와 봉지제(30)의 절단은 동시에 수행되며, 따라서, 도 14에 나타낸 것과 같이, 이러한 절단에 의해 형성되는 봉지부(30')의 외측면(33)과 금속 기판(10')의 외측면(13)은 절단면으로 된 연속면을 형성하게 된다.
도 15는 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩(20)은 제1 전극(21) 및 제2 전극(22) 아래에 각각 위치하는 금속 재질의 본딩 패드(31,32)를 구비할 수 있다. 이러한 본딩 패드(31,32)를 이용하여, 반도체 발광소자 칩(20)은 유태틱 본딩 방식으로 플레이트(10)에 접합될 수도 있다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자에서, 제1 전극(21)과 금속 기판(10')의 제1 도전부(11) 사이에 본딩 패드(31)가 위치하고, 제2 전극(22)과 금속 기판(10')의 제2 도전부(12) 사이에 본딩 패드(32)가 위치하게 된다.
도 16은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(10)에 구비되는 홈(15) 내부, 즉 금속 기판(10')의 틈(15') 내부에 충진제(40)가 구비될 수 있다. 충진제(40)는 반도체 발광소자 칩(20)을 플레이트(10)에 고정하기 이전에 홈(15) 내부에 채워진다. 틈(15')은, 도 16에 나타낸 것과 같이, 완전히 충진제(40)로 채워질 수도 있고, 일부만 채워질 수도 있다. 충진제(40)는 절연 재료로 이루어져야 한다. 충진제(40)는 형광체를 함유할 수 있다. 한편, 충진제(40)는 형광체와 함께 또는 형광체를 대신하여 백색 수지를 함유할 수도 있다. 이러한 충진제(40)로 인해, 반도체 발광소자의 반사효율이 향상될 수 있다.
도 17은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(10)의 하부를 홈(15)이 노출되도록 제거한 다음 개별적인 반도체 발광소자의 경계를 따라 절단하기 이전에, 홈(15) 영역을 제외한 플레이트(10)의 하면(17)에 추가의 금속층(41,42)이 형성된다. 추가의 금속층(41,42)은 Cu 등과 같은 납땜에 적합한 금속으로 이루어질 수 있으며, 도금이나 증착 등과 같은 방법으로 형성될 수 있다. 추가의 금속층(41,42)은 이후 플레이트(10)와 봉지제(30)를 절단하는 과정에서 함께 절단된다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자에서, 제1 도전부(11)의 하면 측에 분리된 형태의 추가의 금속층(41)이 위치하게 되고, 제2 도전부(12)의 하면 측에 분리된 형태의 추가의 금속층(42)이 위치하게 된다. 이와 같은 추가의 금속층(41,42)은 반도체 발광소자를 인쇄회로기판 등에 납땜으로 고정할 때, 접합의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한다.
도 18은 본 개시에 따른 방법으로 제조된 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 칩(20')으로 도 1에 예시된 형태의 레터럴 칩이 사용되었다. 반도체 발광소자 칩(20')은 제1 전극(21') 및 제2 전극(22')이 상부에 위치하도록 배치된다. 플레이트(10) 위에 고정할 때, 반도체 발광소자 칩(20')은 홈(15)에 걸쳐서 위치하게 된다. 제1 전극(21')은 홈(15) 좌측의 플레이트(10) 상면(16)에 와이어 본딩 방식으로 연결되고, 제2 전극(22')은 홈(15) 우측의 플레이트(10) 상면(16)에 와이어 본딩 방식으로 연결된다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자에서, 제1 전극(21')은 와이어(46)에 의해 제1 도전부(11)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(22')은 와이어(47)에 의해 제2 도전부(12)에 전기적으로 연결된다. 별도로 도시하지는 않지만, 플레이트(10) 위에 고정할 때, 반도체 발광소자 칩(20')은 홈(15)에 걸치지 않도록 배치될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자 칩(20')은 제1 도전부(11) 및 제2 도전부(12) 중 어느 하나의 위에 위치하게 된다는 것만 다를 뿐, 제1 전극(21')이 와이어(46)에 의해 제1 도전부(11)에 전기적으로 연결되고, 제2 전극(22')이 와이어(47)에 의해 제2 도전부(12)에 전기적으로 연결되는 것은 동일하다.
한편, 별도로 도시하지는 않지만, 도 3에 예시된 형태의 버티컬 칩 또한 사용될 수 있다. 이 경우, 반도체 발광소자 칩은 제1 도전부(11) 또는 제2 도전부(12) 위에 위치하고, 반도체 발광소자 칩의 아래에 위치하는 하나의 전극은 제1 도전부(11) 및 제2 도전부(12) 중 어느 하나에 직접 접합되고, 반도체 발광소자 칩의 위에 위치하는 다른 하나의 전극은 제1 도전부(11) 및 제2 도전부(12) 중 나머지 하나에 와이어 본딩 방식으로 접합된다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 절단하는 단계 이전에, 홈이 플레이트의 하면 측으로 노출되도록 플레이트의 하부를 부분적으로 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(2) 고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 홈에 걸쳐서 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(3) 고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트 상면 위에 배치되어, 제1 전극은 제1 도전부에 접합되고, 제2 전극은 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(4) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극 아래에 각각 위치하는 본딩 패드를 구비하여, 유태틱 본딩 방식으로 플레이트에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(5) 고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 상부에 위치하도록 플레이트 상면에 고정되며, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 와이어 본딩 방식으로 제1 도전부 및 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(6) 봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(7) 플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(8) 충진제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(9) 충진제가 백색 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
(10) 제거하는 단계에 이어서, 제1 도전부 및 제2 도전부 아래에 각각 위치하도록 추가의 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 반도체 발광소자 칩을 균일하게 덮는 봉지부 및 외부 전극 역할을 하는 금속 기판을 일체화한 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 플립 칩 뿐만 아니라, 레터럴 칩 및 버티컬 칩을 사용한 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
본 개시에 따른 또 따른 하나의 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 의하면, 방열 성능이 우수한 반도체 발광소자를 제조할 수 있게 된다.
10: 플레이트 10': 금속 기판
11: 제1 도전부 12: 제2 도전부
15: 홈 15': 틈
20. 20': 반도체 발광소자 칩 21, 21': 제1 전극
22, 22': 제2 전극 30: 봉지제
30': 봉지부 31, 32: 본딩 패드
40: 충진제 41, 42: 추가의 금속층
46, 47: 와이어

Claims (11)

  1. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계;
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계;
    반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계;
    홈이 플레이트의 하면 측으로 노출되도록 플레이트의 하부를 부분적으로 제거하는 단계; 및
    반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 홈에 걸쳐서 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 플레이트 상면 위에 배치되어, 제1 전극은 제1 도전부에 접합되고, 제2 전극은 제2 도전부에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극 아래에 각각 위치하는 본딩 패드를 구비하여, 유태틱 본딩 방식으로 플레이트에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    고정하는 단계에서, 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 상부에 위치하도록 플레이트 상면에 고정되며, 제1 전극 및 제2 전극은 각각 와이어 본딩 방식으로 제1 도전부 및 제2 도전부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  9. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계;
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계;
    반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및
    반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하며,
    플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 형광체를 함유하는 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  10. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
    제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계;
    제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계;
    반도체 발광소자 칩을 봉지제로 덮는 단계; 및
    반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하며,
    플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 백색수지를 함유하는 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    제거하는 단계에 이어서, 제1 도전부 및 제2 도전부 아래에 각각 위치하도록 추가의 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.
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