JP2003197973A - 発光ダイオードおよびｌｅｄ表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】外光の反射光を抑制可能または所望の波長域の
光を放射可能な発光ダイオードおよびＬＥＤ表示装置を
提供する。 【解決手段】発光ダイオード１は、樹脂４の外面に形成
された樹脂４の屈折率よりも大きい屈折率を有する第１
の塗布膜５ａおよび第１の塗布膜５ａの外面に形成され
た第１の塗布膜５ａの屈折率よりも大きい屈折率を有す
る第２の塗布膜５ｂを有してなり、第２の塗布膜５ｂ側
から樹脂４内に入射する外光を搭載部材３側に導光させ
ないように第１および第２の塗布膜５ａ，５ｂによりそ
れぞれ屈折させている塗布膜体５とを具備する。
光を放射可能な発光ダイオードおよびＬＥＤ表示装置を
提供する。 【解決手段】発光ダイオード１は、樹脂４の外面に形成
された樹脂４の屈折率よりも大きい屈折率を有する第１
の塗布膜５ａおよび第１の塗布膜５ａの外面に形成され
た第１の塗布膜５ａの屈折率よりも大きい屈折率を有す
る第２の塗布膜５ｂを有してなり、第２の塗布膜５ｂ側
から樹脂４内に入射する外光を搭載部材３側に導光させ
ないように第１および第２の塗布膜５ａ，５ｂによりそ
れぞれ屈折させている塗布膜体５とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外光によるぎらつ
きを抑制可能または所望の波長域の光を放射可能な発光
ダイオードおよびＬＥＤ表示装置に関する。
きを抑制可能または所望の波長域の光を放射可能な発光
ダイオードおよびＬＥＤ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ表示装置は、外光が発光ダイオー
ドで反射すると、各発光ダイオードから反射された反射
光の干渉によるぎらつきが発生する。この結果、表示画
像を識別しにくくなり、画像品質の低下を招いていた。
この問題を解決すべく、外光の反射光を抑制した発光ダ
イオードが例えば特開２０００−１５０９６５号（従来
技術１）に開示されており、その発光ダイオードの構成
は図５に示すとおりである。
ドで反射すると、各発光ダイオードから反射された反射
光の干渉によるぎらつきが発生する。この結果、表示画
像を識別しにくくなり、画像品質の低下を招いていた。
この問題を解決すべく、外光の反射光を抑制した発光ダ
イオードが例えば特開２０００−１５０９６５号（従来
技術１）に開示されており、その発光ダイオードの構成
は図５に示すとおりである。
【０００３】図５に示す発光ダイオード５０は、半導体
発光素子５１と、半導体発光素子５１を搭載して電気的
に導通させる搭載導通部材５２と、半導体発光素子５１
および搭載導通部材５２を被覆している樹脂ヘッド５３
とを備え、樹脂ヘッド５３は、半導体発光素子５１自身
の発光層からの光に対する屈折率よりも小さい内皮層５
４と、内皮層５４の表面を被膜しかつ内皮層５４の光の
屈折率よりも小さい外皮層５５とを含み、外皮層５５と
内皮層５４との間の光の屈折率の差の大きさを、外光を
外皮層５５から内皮層５４側に向けて取り込み可能な関
係としたものである。これにより、外光は、外皮層５５
から内皮層５４側に向けて取り込まれるので、樹脂ヘッ
ド５３の外面からの光反射が抑制される。
発光素子５１と、半導体発光素子５１を搭載して電気的
に導通させる搭載導通部材５２と、半導体発光素子５１
および搭載導通部材５２を被覆している樹脂ヘッド５３
とを備え、樹脂ヘッド５３は、半導体発光素子５１自身
の発光層からの光に対する屈折率よりも小さい内皮層５
４と、内皮層５４の表面を被膜しかつ内皮層５４の光の
屈折率よりも小さい外皮層５５とを含み、外皮層５５と
内皮層５４との間の光の屈折率の差の大きさを、外光を
外皮層５５から内皮層５４側に向けて取り込み可能な関
係としたものである。これにより、外光は、外皮層５５
から内皮層５４側に向けて取り込まれるので、樹脂ヘッ
ド５３の外面からの光反射が抑制される。
【０００４】また、発光ダイオード自身の輝度を高めれ
ば、外光の反射光による画像品質の低下を抑制可能であ
る。例えば、半導体発光素子からの光束の損失を抑え、
樹脂ヘッドの外部へ有効に導出することである。そし
て、この種の発光ダイオードは、例えば特開２００１−
２０３３９２号公報（従来技術２）または特開２００１
−２０３３９３号公報（従来技術３）に提案されてお
り、その構成をそれぞれ図６，図７に示す。
ば、外光の反射光による画像品質の低下を抑制可能であ
る。例えば、半導体発光素子からの光束の損失を抑え、
樹脂ヘッドの外部へ有効に導出することである。そし
て、この種の発光ダイオードは、例えば特開２００１−
２０３３９２号公報（従来技術２）または特開２００１
−２０３３９３号公報（従来技術３）に提案されてお
り、その構成をそれぞれ図６，図７に示す。
【０００５】図６に示す発光ダイオード５６は、発光素
子部５７を封止した発光ダイオードであって、発光素子
部５７との間に隙間が形成されないように、少なくとも
エポキシ樹脂５８よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ
高屈折材料ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒ
ｂｏｎ）５９で発光素子部５７を囲み、外側にいくに従
い材料の屈折率を低くすることで、連続的もしくは段階
的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜６０を形成し
たものである。これにより、発光素子部５７を形成して
いる屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部５７に接
している材質の屈折率との差を小さくできるので、半導
体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
り、発光素子部５７から出てくる光を有効に外部に導く
ことができて、全光束量が向上するものである。
子部５７を封止した発光ダイオードであって、発光素子
部５７との間に隙間が形成されないように、少なくとも
エポキシ樹脂５８よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ
高屈折材料ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒ
ｂｏｎ）５９で発光素子部５７を囲み、外側にいくに従
い材料の屈折率を低くすることで、連続的もしくは段階
的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜６０を形成し
たものである。これにより、発光素子部５７を形成して
いる屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部５７に接
している材質の屈折率との差を小さくできるので、半導
体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
り、発光素子部５７から出てくる光を有効に外部に導く
ことができて、全光束量が向上するものである。
【０００６】また、図７に示す発光ダイオード６１は、
発光素子部６２と封止層６３との間に位置する発光素子
部６２の表面を封止層６３よりも屈折率の大なる薄膜６
４で被覆し、この薄膜６４の表面に凹凸または丸みを帯
びた起伏を形成したものである。これにより、発光素子
部６２を形成している屈折率が非常に大きな半導体と、
封止層６３の封止材料の屈折率との差を小さくでき、半
導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
る。また、一度薄膜６４へ入った光は表面の凹凸によ
り、再度表面での全反射が起こりにくくなっているた
め、発光素子部６２から出てくる光を有効に外部に導く
ことができ、光の取出し効率が改善できる。また、薄膜
６４は反射防止膜としての機能も有しているため表面反
射も抑えられることにより光の取出し効率が改善される
ものである。なお、図中、６５は半導体透過層、６６は
発光層である。
発光素子部６２と封止層６３との間に位置する発光素子
部６２の表面を封止層６３よりも屈折率の大なる薄膜６
４で被覆し、この薄膜６４の表面に凹凸または丸みを帯
びた起伏を形成したものである。これにより、発光素子
部６２を形成している屈折率が非常に大きな半導体と、
封止層６３の封止材料の屈折率との差を小さくでき、半
導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくな
る。また、一度薄膜６４へ入った光は表面の凹凸によ
り、再度表面での全反射が起こりにくくなっているた
め、発光素子部６２から出てくる光を有効に外部に導く
ことができ、光の取出し効率が改善できる。また、薄膜
６４は反射防止膜としての機能も有しているため表面反
射も抑えられることにより光の取出し効率が改善される
ものである。なお、図中、６５は半導体透過層、６６は
発光層である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来技術１は、外皮層
５５から内皮層５４側に向けて取り込まれた外光が半導
体発光素子５１または搭載導通部材５２に反射して、再
び樹脂ヘッド５３の外面から出射されるので、光干渉に
よるぎらつきが生じるという欠点を有する。
５５から内皮層５４側に向けて取り込まれた外光が半導
体発光素子５１または搭載導通部材５２に反射して、再
び樹脂ヘッド５３の外面から出射されるので、光干渉に
よるぎらつきが生じるという欠点を有する。
【０００８】また、従来技術２または従来技術３は、特
定の波長域の光について言及しておらず、半導体内部か
ら外へ出る光の波長域が広く、光干渉によるぎらつきが
生じるおそれがあるとともに、特定の波長域の光を取出
すことができず、表示画像としての輝度が向上できない
という欠点を有する。
定の波長域の光について言及しておらず、半導体内部か
ら外へ出る光の波長域が広く、光干渉によるぎらつきが
生じるおそれがあるとともに、特定の波長域の光を取出
すことができず、表示画像としての輝度が向上できない
という欠点を有する。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、外光の反射光を抑制可能または所望の波長域の光を
放射可能な発光ダイオードおよびＬＥＤ表示装置を提供
することを目的とする。
で、外光の反射光を抑制可能または所望の波長域の光を
放射可能な発光ダイオードおよびＬＥＤ表示装置を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発光ダ
イオードの発明は、光を発光する半導体発光素子と；こ
の半導体発光素子を搭載する光反射性の搭載部材と；半
導体発光素子により発光する光を透過する材料からな
り、少なくとも半導体発光素子および搭載部材を被覆す
る樹脂と；樹脂の外面に形成された樹脂の屈折率よりも
大きい屈折率を有する第１の塗布膜および第１の塗布膜
の外面に形成された第１の塗布膜の屈折率よりも大きい
屈折率を有する第２の塗布膜を有してなり、第２の塗布
膜側から樹脂内に入射する外光を搭載部材側に導光させ
ないように第１および第２の塗布膜によりそれぞれ屈折
させている塗布膜体と；を具備していることを特徴とす
る。
イオードの発明は、光を発光する半導体発光素子と；こ
の半導体発光素子を搭載する光反射性の搭載部材と；半
導体発光素子により発光する光を透過する材料からな
り、少なくとも半導体発光素子および搭載部材を被覆す
る樹脂と；樹脂の外面に形成された樹脂の屈折率よりも
大きい屈折率を有する第１の塗布膜および第１の塗布膜
の外面に形成された第１の塗布膜の屈折率よりも大きい
屈折率を有する第２の塗布膜を有してなり、第２の塗布
膜側から樹脂内に入射する外光を搭載部材側に導光させ
ないように第１および第２の塗布膜によりそれぞれ屈折
させている塗布膜体と；を具備していることを特徴とす
る。
【００１１】樹脂の屈折率よりも第１の塗布膜の屈折率
を大きくし、第１の塗布膜の屈折率よりも第２の塗布膜
の屈折率を大きくすることにより、外光は、第２の塗布
膜の外面、第１の塗布膜および第２の塗布膜の境界、第
２の塗布膜および樹脂の境界において、樹脂の外側方向
に屈折される。
を大きくし、第１の塗布膜の屈折率よりも第２の塗布膜
の屈折率を大きくすることにより、外光は、第２の塗布
膜の外面、第１の塗布膜および第２の塗布膜の境界、第
２の塗布膜および樹脂の境界において、樹脂の外側方向
に屈折される。
【００１２】本発明によれば、第２の塗布膜側から樹脂
内に入射する外光は、搭載部材側に導光されないよう
に、第１および第２の塗布膜により樹脂の外側方向に屈
折させるようにしているので、入射する外光の一部は、
第１および第２の塗布膜により外方に反射され、搭載部
材に導光されて搭載部材で反射される外光の割合が少な
くなる。また、搭載部材に導光され搭載部材で反射され
る外光は、第１の塗布膜により樹脂内に反射される。し
たがって、発光ダイオードは、光反射性の搭載部材で反
射されて外方に出射される外光の反射光が抑制されるの
で、反射光によるぎらつきが抑制される。
内に入射する外光は、搭載部材側に導光されないよう
に、第１および第２の塗布膜により樹脂の外側方向に屈
折させるようにしているので、入射する外光の一部は、
第１および第２の塗布膜により外方に反射され、搭載部
材に導光されて搭載部材で反射される外光の割合が少な
くなる。また、搭載部材に導光され搭載部材で反射され
る外光は、第１の塗布膜により樹脂内に反射される。し
たがって、発光ダイオードは、光反射性の搭載部材で反
射されて外方に出射される外光の反射光が抑制されるの
で、反射光によるぎらつきが抑制される。
【００１３】請求項２に記載の発光ダイオードの発明
は、光を発光する半導体発光素子と；この半導体発光素
子を搭載する光反射性の搭載部材と；半導体発光素子に
より発光する光を透過する材料からなり、少なくとも半
導体発光素子および搭載部材を被覆する樹脂と；樹脂の
外面に形成された第１の塗布膜および第１の塗布膜の外
面に形成された第２の塗布膜からなり、半導体発光素子
により発光した光のうち、所望の波長域の光を透過させ
るように第１および第２の塗布膜の膜厚がそれぞれ設定
されている塗布膜体と；を具備していることを特徴とす
る。
は、光を発光する半導体発光素子と；この半導体発光素
子を搭載する光反射性の搭載部材と；半導体発光素子に
より発光する光を透過する材料からなり、少なくとも半
導体発光素子および搭載部材を被覆する樹脂と；樹脂の
外面に形成された第１の塗布膜および第１の塗布膜の外
面に形成された第２の塗布膜からなり、半導体発光素子
により発光した光のうち、所望の波長域の光を透過させ
るように第１および第２の塗布膜の膜厚がそれぞれ設定
されている塗布膜体と；を具備していることを特徴とす
る。
【００１４】第１および第２の塗布膜の膜厚は、波長＊
屈折率／４を用いて算出できる。例えば、所望の波長域
の光として、赤色光は６４４ｎｍ、黄緑光は５７４ｎｍ
が前記式に入力される。
屈折率／４を用いて算出できる。例えば、所望の波長域
の光として、赤色光は６４４ｎｍ、黄緑光は５７４ｎｍ
が前記式に入力される。
【００１５】本発明によれば、所望の波長域の光を透過
させるように第１および第２の塗布膜の膜厚をそれぞれ
設定するので、半導体発光素子により発光した光のう
ち、所望の波長域の光が得られ、その輝度が向上され
る。
させるように第１および第２の塗布膜の膜厚をそれぞれ
設定するので、半導体発光素子により発光した光のう
ち、所望の波長域の光が得られ、その輝度が向上され
る。
【００１６】請求項３に記載の発光ダイオードの発明
は、請求項１または２記載の発光ダイオードにおいて、
第２の塗布膜は光触媒膜からなり、第１の塗布膜は光触
媒膜による樹脂の侵食を防止する下地膜であることを特
徴とする。
は、請求項１または２記載の発光ダイオードにおいて、
第２の塗布膜は光触媒膜からなり、第１の塗布膜は光触
媒膜による樹脂の侵食を防止する下地膜であることを特
徴とする。
【００１７】本発明によれば、第２の塗布膜は光触媒膜
からなるので、第２の塗布膜の外面での汚れ等が防止さ
れ、発光ダイオードから放射される光の減少が防止さ
れ、第１の塗布膜は光触媒膜による樹脂の侵食を防止す
る下地膜であるので、発光ダイオードの寿命が向上され
る。
からなるので、第２の塗布膜の外面での汚れ等が防止さ
れ、発光ダイオードから放射される光の減少が防止さ
れ、第１の塗布膜は光触媒膜による樹脂の侵食を防止す
る下地膜であるので、発光ダイオードの寿命が向上され
る。
【００１８】請求項４に記載のＬＥＤ表示装置の発明
は、請求項１ないし３いずれか一記載の発光ダイオード
と；この発光ダイオードを縦横に複数配列しているＬＥ
Ｄ表示装置本体と；ＬＥＤ表示装置本体に配列された発
光ダイオードを点灯させる点灯装置と；を具備している
ことを特徴とする。
は、請求項１ないし３いずれか一記載の発光ダイオード
と；この発光ダイオードを縦横に複数配列しているＬＥ
Ｄ表示装置本体と；ＬＥＤ表示装置本体に配列された発
光ダイオードを点灯させる点灯装置と；を具備している
ことを特徴とする。
【００１９】本発明によれば、外光の反射光が抑制され
ることにより、または所望の波長域の光が放射されて発
光ダイオードの輝度が向上されることにより、表示内容
を視認しやすいＬＥＤ表示装置が提供される。
ることにより、または所望の波長域の光が放射されて発
光ダイオードの輝度が向上されることにより、表示内容
を視認しやすいＬＥＤ表示装置が提供される。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。まず、本発明の第１の
実施形態について説明する。
いて、図面を参照して説明する。まず、本発明の第１の
実施形態について説明する。
【００２１】図１は、本発明の第１の実施形態を示す発
光ダイオードの概略断面図である。発光ダイオード１
は、半導体発光素子２、搭載部材３、樹脂４および塗布
膜体５を有して構成されている。
光ダイオードの概略断面図である。発光ダイオード１
は、半導体発光素子２、搭載部材３、樹脂４および塗布
膜体５を有して構成されている。
【００２２】半導体発光素子２は、絶縁性の基板上に積
層されたｐ型層およびｎ型層のそれぞれの表面に図示し
ない一対の電極が形成されており、この電極は、ワイヤ
６ａ，６ｂによって一対のリード７ａ，７ｂに電気的に
接続されている。そして、ｐ型層とｎ型層との間のｐ−
ｎ接合域を発光層として光を発光するように構成されて
いる。
層されたｐ型層およびｎ型層のそれぞれの表面に図示し
ない一対の電極が形成されており、この電極は、ワイヤ
６ａ，６ｂによって一対のリード７ａ，７ｂに電気的に
接続されている。そして、ｐ型層とｎ型層との間のｐ−
ｎ接合域を発光層として光を発光するように構成されて
いる。
【００２３】搭載部材３は、リード７ａと一体的に形成
されたものであり、すり鉢状の内側に半導体発光素子２
を搭載している。そして、すり鉢状の内側は、半導体発
光素子２により発光する光を前方に反射させるように、
反射鏡に形成されている。すなわち、搭載部材３は、光
反射性を有している。
されたものであり、すり鉢状の内側に半導体発光素子２
を搭載している。そして、すり鉢状の内側は、半導体発
光素子２により発光する光を前方に反射させるように、
反射鏡に形成されている。すなわち、搭載部材３は、光
反射性を有している。
【００２４】樹脂４は、半導体発光素子２により発光す
る光を透過するエポキシ樹脂であり、半導体発光素子
２、搭載部材３およびリード７ａ，７ｂの一部を被覆し
てほぼ弾頭状に形成されている。
る光を透過するエポキシ樹脂であり、半導体発光素子
２、搭載部材３およびリード７ａ，７ｂの一部を被覆し
てほぼ弾頭状に形成されている。
【００２５】塗布膜体５は、樹脂４の外面に形成された
第１の塗布膜５ａおよび第１の塗布膜５ａの外面に形成
された第２の塗布膜５ｂを有している。そして、第１の
塗布膜５ａは、シリコン系樹脂からなり、樹脂４（エポ
キシ樹脂）の屈折率１．６よりも大きい屈折率例えば
２．０を有している。また、第２の塗布膜５ｂは、酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなり、第１の塗布膜５ａの屈折
率２．０よりも大きい屈折率２．３を有している。第１
の塗布膜５ａおよび第２の塗布膜５ｂは、第２の塗布膜
５ｂ側から入射する外光を反射または屈折させる。
第１の塗布膜５ａおよび第１の塗布膜５ａの外面に形成
された第２の塗布膜５ｂを有している。そして、第１の
塗布膜５ａは、シリコン系樹脂からなり、樹脂４（エポ
キシ樹脂）の屈折率１．６よりも大きい屈折率例えば
２．０を有している。また、第２の塗布膜５ｂは、酸化
チタン（ＴｉＯ２）からなり、第１の塗布膜５ａの屈折
率２．０よりも大きい屈折率２．３を有している。第１
の塗布膜５ａおよび第２の塗布膜５ｂは、第２の塗布膜
５ｂ側から入射する外光を反射または屈折させる。
【００２６】そして、第２の塗布膜５ｂは、酸化チタン
（ＴｉＯ２）からなるので、光酸化膜を形成している。
これにより、第１の塗布膜５ａの外面に汚れ等が付着し
にくくなり、半導体発光素子２により発光する光は、第
１の塗布膜５ａの外面で遮断されずに放射させることが
できる。そして、第１の塗布膜５ａは、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２）による樹脂４（エポキシ樹脂）の侵食を防止す
る下地膜であり、これにより、樹脂４の劣化が防止され
て発光ダイオード１を長寿命化させることができる。
（ＴｉＯ２）からなるので、光酸化膜を形成している。
これにより、第１の塗布膜５ａの外面に汚れ等が付着し
にくくなり、半導体発光素子２により発光する光は、第
１の塗布膜５ａの外面で遮断されずに放射させることが
できる。そして、第１の塗布膜５ａは、酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２）による樹脂４（エポキシ樹脂）の侵食を防止す
る下地膜であり、これにより、樹脂４の劣化が防止され
て発光ダイオード１を長寿命化させることができる。
【００２７】次に、第１の実施形態の作用について述べ
る。
る。
【００２８】発光ダイオード１は、樹脂４、第１の塗布
膜５ａ、第２の塗布膜５ｂの順に屈折率を大きくしてい
るので、図１に示すように、前方から入射する外光のう
ち、例えば外光Ａは、第２の塗布膜５ｂまたは第１の塗
布膜５ａにより外方に反射される。また、外光Ｂは、第
２の塗布膜５ｂ，第１の塗布膜５ａおよび樹脂４により
それぞれ進行方向右側すなわち樹脂４の外側方向に屈折
されて樹脂４内に導光される。これにより、搭載部材３
の反射鏡に形成されたすり鉢状の内側に入射する外光の
割合が少なくなる。すなわち、外光を搭載部材３側に導
光させないように第１の塗布膜５ａおよび第２の塗布膜
５ｂによりそれぞれ反射または屈折させることにより、
発光ダイオード１の前方から入射する全外光のうち、搭
載部材３に入射する外光の割合が低減されている。
膜５ａ、第２の塗布膜５ｂの順に屈折率を大きくしてい
るので、図１に示すように、前方から入射する外光のう
ち、例えば外光Ａは、第２の塗布膜５ｂまたは第１の塗
布膜５ａにより外方に反射される。また、外光Ｂは、第
２の塗布膜５ｂ，第１の塗布膜５ａおよび樹脂４により
それぞれ進行方向右側すなわち樹脂４の外側方向に屈折
されて樹脂４内に導光される。これにより、搭載部材３
の反射鏡に形成されたすり鉢状の内側に入射する外光の
割合が少なくなる。すなわち、外光を搭載部材３側に導
光させないように第１の塗布膜５ａおよび第２の塗布膜
５ｂによりそれぞれ反射または屈折させることにより、
発光ダイオード１の前方から入射する全外光のうち、搭
載部材３に入射する外光の割合が低減されている。
【００２９】そして、外光Ｃのように、外光が搭載部材
３の反射鏡に形成されたすり鉢状の内側に入射すると、
第１の塗布膜５ａにより樹脂４内に反射され、反射光が
発光ダイオード１の前方に出射される割合を低減させて
いる。
３の反射鏡に形成されたすり鉢状の内側に入射すると、
第１の塗布膜５ａにより樹脂４内に反射され、反射光が
発光ダイオード１の前方に出射される割合を低減させて
いる。
【００３０】外光が搭載部材３の反射鏡で反射され、発
光ダイオード１の前方に出射される割合が多いほど、半
導体発光素子２により発光された光の発光色または隣接
する発光ダイオード１の放射光と干渉してぎらつき等が
発生する。しかし、上述のように、搭載部材３に入射す
る外光の割合を低減させることにより、反射光によるぎ
らつきが抑制される。これにより、複数の発光ダイオー
ド１による画像表示の内容は視認されやすくなる。
光ダイオード１の前方に出射される割合が多いほど、半
導体発光素子２により発光された光の発光色または隣接
する発光ダイオード１の放射光と干渉してぎらつき等が
発生する。しかし、上述のように、搭載部材３に入射す
る外光の割合を低減させることにより、反射光によるぎ
らつきが抑制される。これにより、複数の発光ダイオー
ド１による画像表示の内容は視認されやすくなる。
【００３１】そして、第２の塗布膜５ｂは、酸化チタン
（ＴｉＯ２）膜からなり、第１の塗布膜５ａは、酸化チ
タン（ＴｉＯ２）膜による樹脂４（エポキシ樹脂）の侵
食を防止する下地膜であることにより、外面に汚れ等が
付着しにくく、長寿命である発光ダイオード１を提供す
ることができる。
（ＴｉＯ２）膜からなり、第１の塗布膜５ａは、酸化チ
タン（ＴｉＯ２）膜による樹脂４（エポキシ樹脂）の侵
食を防止する下地膜であることにより、外面に汚れ等が
付着しにくく、長寿命である発光ダイオード１を提供す
ることができる。
【００３２】次に、本発明の第２の実施形態について説
明する。
明する。
【００３３】図２は、本発明の第２の実施形態を示す発
光ダイオードの概略断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して説明は省略する。
光ダイオードの概略断面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して説明は省略する。
【００３４】図２に示す発光ダイオード８は、図１に示
す発光ダイオード１において、第１の塗布膜５ａおよび
第２の塗布膜５ｂが半導体発光素子２により発光した光
のうち、所望の波長域の光を透過するようにそれぞれの
膜厚ｄ１，ｄ２を設定したものである。例えば、発光ダ
イオード８が赤色光（主波長６４４ｎｍ）を放射するも
のであるとき、第１の塗布膜５ａの膜厚ｄ１は３２２ｎ
ｍ、第２の塗布膜５ｂの膜厚ｄ２は３７０ｎｍに設定さ
れ、黄緑光（主波長５７４ｎｍ）を放射するものである
とき、膜厚ｄ１は２８７ｎｍ、膜厚ｄ２は３３０ｎｍに
設定される。
す発光ダイオード１において、第１の塗布膜５ａおよび
第２の塗布膜５ｂが半導体発光素子２により発光した光
のうち、所望の波長域の光を透過するようにそれぞれの
膜厚ｄ１，ｄ２を設定したものである。例えば、発光ダ
イオード８が赤色光（主波長６４４ｎｍ）を放射するも
のであるとき、第１の塗布膜５ａの膜厚ｄ１は３２２ｎ
ｍ、第２の塗布膜５ｂの膜厚ｄ２は３７０ｎｍに設定さ
れ、黄緑光（主波長５７４ｎｍ）を放射するものである
とき、膜厚ｄ１は２８７ｎｍ、膜厚ｄ２は３３０ｎｍに
設定される。
【００３５】半導体発光素子２により発光した光は、直
接光または搭載部材３のすり鉢状の内側に形成された反
射鏡で反射された反射光となって樹脂４の前方側に導光
される。そして、導光された光のうち、第１の塗布膜５
ａおよび第２の塗布膜５ｂにより予め設定された所望の
波長域の光、例えば赤色光または黄緑光が透過されて、
第２の塗布膜５ｂの外面より外方に放射される。
接光または搭載部材３のすり鉢状の内側に形成された反
射鏡で反射された反射光となって樹脂４の前方側に導光
される。そして、導光された光のうち、第１の塗布膜５
ａおよび第２の塗布膜５ｂにより予め設定された所望の
波長域の光、例えば赤色光または黄緑光が透過されて、
第２の塗布膜５ｂの外面より外方に放射される。
【００３６】そして、図３に示すように、発光ダイオー
ド８から狭幅の波長域の光Ｄが放射されるようになり、
広幅の波長域の光Ｅが放射されるときよりも放射光の輝
度が向上する。したがって、複数の発光ダイオード８に
よる画像表示の内容を視認しやすくすることができる。
ド８から狭幅の波長域の光Ｄが放射されるようになり、
広幅の波長域の光Ｅが放射されるときよりも放射光の輝
度が向上する。したがって、複数の発光ダイオード８に
よる画像表示の内容を視認しやすくすることができる。
【００３７】次に、本発明の第３の実施形態について説
明する。
明する。
【００３８】図４は、本発明の第３の実施形態を示すＬ
ＥＤ表示装置であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は概
略正面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。
ＥＤ表示装置であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は概
略正面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。
【００３９】図４に示すＬＥＤ表示装置９は、ビルの壁
面等の屋外に設置される大型表示装置であり、ＬＥＤ表
示装置本体１０の前面１０ａに発光ダイオード１を縦横
に複数配列している。そして、配列された発光ダイオー
ド１の上方または下方に遮光カバー１１が設けられてい
る。そして、ＬＥＤ表示装置本体１０の背面１０ｂ側に
発光ダイオード１を点灯させる点灯装置１２を別置して
いる。
面等の屋外に設置される大型表示装置であり、ＬＥＤ表
示装置本体１０の前面１０ａに発光ダイオード１を縦横
に複数配列している。そして、配列された発光ダイオー
ド１の上方または下方に遮光カバー１１が設けられてい
る。そして、ＬＥＤ表示装置本体１０の背面１０ｂ側に
発光ダイオード１を点灯させる点灯装置１２を別置して
いる。
【００４０】発光ダイオード１が点灯装置１２により点
灯されることにより、ＬＥＤ表示装置本体１０の前面１
０ａに表示画像が形成される。そして、発光ダイオード
１は、樹脂４の外面に第１の塗布膜５ａおよび第２の塗
布膜５ｂからなる塗布膜体５が形成され、外光の反射光
によるぎらつきが抑制されているので、ＬＥＤ表示装置
９は、発光ダイオード１による画像内容を視認しやす
い。
灯されることにより、ＬＥＤ表示装置本体１０の前面１
０ａに表示画像が形成される。そして、発光ダイオード
１は、樹脂４の外面に第１の塗布膜５ａおよび第２の塗
布膜５ｂからなる塗布膜体５が形成され、外光の反射光
によるぎらつきが抑制されているので、ＬＥＤ表示装置
９は、発光ダイオード１による画像内容を視認しやす
い。
【００４１】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、樹脂内に入射
する外光は、搭載部材側に導光されないように第１およ
び第２の塗布膜により樹脂の外側方向に反射または屈折
されているので、搭載部材に導光され搭載部材で反射さ
れる外光の割合が低減され、発光ダイオードは、外光の
反射光によるぎらつきを抑制することができる。
する外光は、搭載部材側に導光されないように第１およ
び第２の塗布膜により樹脂の外側方向に反射または屈折
されているので、搭載部材に導光され搭載部材で反射さ
れる外光の割合が低減され、発光ダイオードは、外光の
反射光によるぎらつきを抑制することができる。
【００４２】請求項２の発明によれば、所望の波長域の
光を透過させるように第１および第２の塗布膜の膜厚を
それぞれ設定するので、発光ダイオードは、半導体発光
素子により発光した光のうち、所望の波長域の光を放射
して、その輝度を向上させることができる。
光を透過させるように第１および第２の塗布膜の膜厚を
それぞれ設定するので、発光ダイオードは、半導体発光
素子により発光した光のうち、所望の波長域の光を放射
して、その輝度を向上させることができる。
【００４３】請求項３の発明によれば、第２の塗布膜は
光触媒膜からなり、第１の塗布膜は光触媒膜による樹脂
の侵食を防止する下地膜であるので、第２の塗布膜の外
面での汚れ等が防止されて放射光の減少を防止すること
ができるとともに、発光ダイオードを長寿命化すること
ができる。
光触媒膜からなり、第１の塗布膜は光触媒膜による樹脂
の侵食を防止する下地膜であるので、第２の塗布膜の外
面での汚れ等が防止されて放射光の減少を防止すること
ができるとともに、発光ダイオードを長寿命化すること
ができる。
【００４４】請求項４の発明によれば、外光の反射光が
抑制されることにより、または所望の波長域の光が放射
されて発光ダイオードの輝度が向上されることにより、
表示内容を視認しやすいＬＥＤ表示装置を提供すること
ができる。
抑制されることにより、または所望の波長域の光が放射
されて発光ダイオードの輝度が向上されることにより、
表示内容を視認しやすいＬＥＤ表示装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す発光ダイオード
の概略断面図。
の概略断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す発光ダイオード
の概略断面図。
の概略断面図。
【図３】同じく、発光ダイオードの放射光の波形図。
【図４】本発明の第３の実施形態を示すＬＥＤ表示装置
であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は概略正面図。
であり、（ａ）は概略側面図、（ｂ）は概略正面図。
【図５】従来技術１の発光ダイオードを示す断面図。
【図６】従来技術２の発光ダイオードを示す断面図。
【図７】従来技術３の発光ダイオードを示し、（ａ）は
発光素子部の断面図、（ｂ）はその要部拡大図。
発光素子部の断面図、（ｂ）はその要部拡大図。
１，８…発光ダイオード
２………半導体発光素子
３………搭載部材
４………樹脂
５………塗布膜体
９………ＬＥＤ表示装置
１０……ＬＥＤ表示装置本体
１２……点灯装置
Claims (4)
- 【請求項１】 光を発光する半導体発光素子と；この半
導体発光素子を搭載する光反射性の搭載部材と；半導体
発光素子により発光する光を透過する材料からなり、少
なくとも半導体発光素子および搭載部材を被覆する樹脂
と；樹脂の外面に形成された樹脂の屈折率よりも大きい
屈折率を有する第１の塗布膜および第１の塗布膜の外面
に形成された第１の塗布膜の屈折率よりも大きい屈折率
を有する第２の塗布膜を有してなり、第２の塗布膜側か
ら樹脂内に入射する外光を搭載部材側に導光させないよ
うに第１および第２の塗布膜によりそれぞれ屈折させて
いる塗布膜体と；を具備していることを特徴とする発光
ダイオード。 - 【請求項２】 光を発光する半導体発光素子と；この半
導体発光素子を搭載する光反射性の搭載部材と；半導体
発光素子により発光する光を透過する材料からなり、少
なくとも半導体発光素子および搭載部材を被覆する樹脂
と；樹脂の外面に形成された第１の塗布膜および第１の
塗布膜の外面に形成された第２の塗布膜からなり、半導
体発光素子により発光した光のうち、所望の波長域の光
を透過させるように第１および第２の塗布膜の膜厚がそ
れぞれ設定されている塗布膜体と；を具備していること
を特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項３】 第２の塗布膜は光触媒膜からなり、第１
の塗布膜は光触媒膜による樹脂の侵食を防止する下地膜
であることを特徴とする請求項１または２記載の発光ダ
イオード。 - 【請求項４】 請求項１ないし３いずれか一記載の発光
ダイオードと；この発光ダイオードを縦横に複数配列し
ているＬＥＤ表示装置本体と；ＬＥＤ表示装置本体に配
列された発光ダイオードを点灯させる点灯装置と；を具
備していることを特徴とするＬＥＤ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398689A JP2003197973A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 発光ダイオードおよびｌｅｄ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001398689A JP2003197973A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 発光ダイオードおよびｌｅｄ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197973A true JP2003197973A (ja) | 2003-07-11 |
Family
ID=27604006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001398689A Withdrawn JP2003197973A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 発光ダイオードおよびｌｅｄ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003197973A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005159276A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| JP2005268431A (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
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| US10505083B2 (en) | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001398689A patent/JP2003197973A/ja not_active Withdrawn
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| JP4665832B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2011-04-06 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置ならびにそれを用いる白色光源および照明装置 |
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| CN102074642A (zh) * | 2009-10-23 | 2011-05-25 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装、照明模块以及照明系统 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041221 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060110 |