JP5249856B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
以下、本実施形態の発光装置について図1および図2に基づいて説明する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであり、実施形態1にて説明したベース基板20と中間層基板30との積層体に対応する部分が、図3に示すように1枚のシリコン基板20aを用いて形成されている点などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、図4に示すように、蛍光体キャップ6が、下面開口した六角錘状の形状に形成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態1と略同じであって、図5および図6に示すように、実装基板2に発光色が互いに異なる複数種(ここでは、4種類)のLEDチップ1が実装されて当該複数種のLEDチップ1により発光部が構成されており、光検出部形成基板40の光検出部4が、各LEDチップ1から放射される光を各別に検出できるようにLEDチップ1と同じ数だけ設けられている点(つまり、LEDチップ1と光検出部4との組が複数組ある点)などが相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態の発光装置の基本構成は実施形態3と略同じであって、図7に示すように、LEDチップ1を駆動する駆動回路部8と、光検出部4の出力が予め設定された目標値に保たれるように駆動回路部8からLEDチップ1へ供給される電流を制御する制御回路部9とが実装基板2に集積化されている点が相違する。なお、実施形態3と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
2 実装基板
2b 壁部
2c 庇部
4 光検出部
6 蛍光体キャップ
8 駆動回路部
9 制御回路部
11 錐体
11a 下面
12 LED薄膜部
14 n形窒化物半導体層
15 発光層
16 p形窒化物半導体層
17 アノード電極
18 カソード電極
20a 第1のシリコン基板
24 貫通孔配線
27a,27b,27c,27d 外部接続用電極
30a 第2のシリコン基板
34 貫通孔配線
40a 第3のシリコン基板
70a 第4のシリコン基板
74 貫通孔配線
75 外部接続用電極
Claims (6)
- 少なくとも1個のLEDチップからなる発光部と、当該発光部が一表面側に実装された実装基板とを備え、LEDチップは、n形窒化物半導体層とp形窒化物半導体層とを有するLED薄膜部、n形窒化物半導体層に電気的に接続されたカソード電極およびp形窒化物半導体層に電気的に接続されたアノード電極がZnO結晶からなる六角錘状の錐体の下面側に形成されてなり、当該錐体よりもLED薄膜部が実装基板の前記一表面に近くなる形で実装基板に実装されてなり、実装基板は、前記一表面からLEDチップのLED薄膜部および錐体の下部を囲む形で突出した壁部から錐体の下部へ向かって張り出した庇部を有し、該庇部に、LEDチップから放射される光を検出する光検出部が設けられてなることを特徴とする発光装置。
- 前記実装基板は、前記一表面側とは反対の他表面側の複数の外部接続用電極と前記LEDチップおよび前記光検出部それぞれとを電気的に接続する複数の貫通孔配線が形成されてなることを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記実装基板は、複数のシリコン基板を用いて形成され、前記光検出部がフォトダイオードからなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の発光装置。
- 前記LEDチップを駆動する駆動回路部と、前記光検出部の出力が予め設定された目標値に保たれるように駆動回路部から前記LEDチップへ供給される電流を制御する制御回路部とが実装基板に集積化されてなることを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記LEDチップから放射される光によって励起されて前記LEDチップよりも長波長の光を放射する蛍光体を含有した透光性材料により形成され前記実装基板との間に前記LEDチップを囲む形で配置された蛍光体キャップを備え、蛍光体キャップは、下面開口した六角錘状の形状に形成されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記発光部は、発光色が異なる複数種の前記LEDチップからなり、前記光検出部は、各発光色の前記LEDチップそれぞれから放射される光を各別に検出するように複数設けられてなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の発光装置。
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