JP5343225B2 - Ii−vi族またはiii−v族化合物系半導体発光素子用エピタキシャルウエハ、および、その製造方法 - Google Patents
Ii−vi族またはiii−v族化合物系半導体発光素子用エピタキシャルウエハ、および、その製造方法 Download PDFInfo
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Appl.Phys.Lett.84,855(2004)Fig.3
前記複数の多角形凹凸が、前記ウルツ鉱結晶体のm面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線を有することを特徴とする。
この工程では複数のGaN系半導体層の積層を形成する。たとえば、図2に示すように、C面サファイア基板9上に、有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)により、C軸方向に沿ってエピタキシャル成長されたウルツ鉱結晶体(AlxInyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1))からなる、n型半導体層11、活性層13、p型半導体層15を積層してGaN系LED構造のエピタキシャル層17を形成する。
その後、たとえば、電子ビーム蒸着により、図3に示すように、p型半導体層15表面に、Ag、Ti、Pt、Auなどの積層構造のp電極層19を形成する。p電極層19は、抵抗加熱蒸着、反応性スパッタリングによっても形成してもよく、また、この上に後述の導電性接合層の金属拡散防止用にTaNまたはTiWからなるバリア層を形成してもよい。更に、AlやAgなどの銀白色系の反射ミラーとして働く反射膜(図示せず)を蒸着法などでp電極層19上に積層してもよい。反射膜は、活性層13で発生した光を反射させて活性層13へ戻し取り出すために設けられる。さらに、この上に、後述の貼り合わせ工程のための導電性接合層を積層することができる。
この工程では、複数の半導体層からなるエピタキシャル層17のn型半導体層11の−C面を露出させる。
この工程では、例えば、導電性接合層であるソルダ層25にて共晶接合することにより、シリコンからなる導電性支持基板21をエピタキシャル層17(p型半導体層15上のp電極層19)に貼り合わせる。
この工程では、例えば、レーザリフトオフ法などの公知の手法を用いることにより、サファイア基板9が、導電性支持基板21と一体となったエピタキシャル層17から剥離される。
この工程では、n型半導体層11の最表面の−C面(N面)に複数の多角形凹凸からなる隆起面を形成する。そして、この隆起面における複数の多角形凹凸を、ウルツ鉱結晶体のm面に垂直な方向(m軸方向)以外に伸長する複数の稜線を有するように形成する。m面方向とはm面に沿った方向すなわちm軸に垂直な方向を意味する。m面方向は、結晶が割れやすい(壁開が進行しやすい)。
隆起形成方法の第一例としては、図7に示すように、n型半導体層11上に複数の多角形凹凸のレジストPRのパターニングを行い、次に、図8に示すように、ドライエッチングによって、n型半導体層11に隆起面PFを形成する。
他方、第2の隆起形成方法としては、図12に示すように、酸溶液によるウエットエッチングによって、n型半導体層11上に隆起面PFを形成する。
隆起工程後の粗面化工程では、アルカリ溶液(KOH(水酸化カリウム)、NaOH(水酸化ナトリウム)、NH4OH(アンモニア)、(CH3)4NOH(水酸化テトラメチルアンモニウム:TMAH)の溶液など)による所定濃度、温度条件のウエットエッチングによって、−C面(N面)に数十nm〜数μmの微細な複数の突起のある隆起面を形成する。ここで、低温で処理するためにアルカリ溶液中のウエハ隆起面に紫外線を照射して電気化学的エッチングを施すこともできる。
ウェットエッチング処理後、洗浄および乾燥が行われ、図16に示すように、n型半導体層11上の突起のある隆起面PF上の一部にレジストによりn電極パターンを形成し、例えば、電子ビーム蒸着などによりTi、Alなど所定電極材料を蒸着してリフトオフすることにより、所定形状のn電極27を形成する。その後、例えば、所定条件で熱処理アロイ化して、オーミックコンタクト生成する。
次に、図17に示すように、n電極27上に、レジストによりパッド電極パターンを形成し、例えば、電子ビーム蒸着により、例えば、Ti、Auなど所定電極材料を蒸着してリフトオフすることにより電極パッド29を形成する。
次に、図18に示すように、メサエッチングを行ってエピタキシャル層17の積層方向に沿ってチップ分離溝のダイシングストリートSTRを形成する。メサエッチングは、Cl2ガスもしくはBCl3ガスなどの塩素を含むガスなどを使用して行う。メサエッチングは、半導体層を通過し、Siの導電性支持基板21が露出するところまで行う。
13 活性層
15 p型半導体層
17 エピタキシャル層
19 p電極層
21 導電性支持基板
23 外側p電極層
25 ソルダ層
27 n電極
29 電極パッド
PY 六角錐状突起
PF 隆起面
Claims (11)
- II−VI族またはIII−V族化合物系半導体からなる複数の半導体層がエピタキシャル成長され積層されたエピタキシャル層を含む発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法であって、
エピタキシャル成長されたウルツ鉱結晶体のC軸方向に沿って積層される六方晶系ウルツ鉱型の複数の半導体層を形成するエピタキシャル工程と、
前記複数の半導体層の最上部に形成された半導体層の表面を−C面とする工程と、
前記−C面に複数の多角形凹凸からなる隆起面を形成する隆起工程と、
前記隆起面における前記複数の多角形凹凸の各々の差し渡しより小なる差し渡しを各々が有しかつ隣接する複数の突起を、前記隆起面に形成する粗面化工程と、を含み、
前記隆起工程は、前記隆起面を、前記ウルツ鉱結晶体のm面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線と、上部平坦面、下部平坦面および斜面を有するように形成すると共に、前記隆起面の前記半導体層のC面に対する角度が前記複数の突起の側面の前記半導体層のC面に対する角度よりも小さくなるように形成する工程を含み、
前記粗面化工程は、前記複数の突起の底面の辺がm面に沿った方向となるように形成する工程を含むことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。 - 前記隆起工程において、前記ウルツ鉱結晶体のm面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線を有するレジストパターンを用いたドライエッチングにより、前記複数の多角形凹凸の複数の稜線を形成することを特徴とする請求項1記載の発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。
- 前記隆起工程において、酸溶液を用いたウエットエッチングにより、前記複数の多角形凹凸の複数の稜線を形成することを特徴とする請求項1記載の発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。
- 前記酸溶液が、H3PO4を含むことを特徴とする請求項3記載の発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。
- 前記粗面化工程において、アルカリ溶液を用いたウエットエッチングにより、前記複数の突起を形成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1記載の発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。
- 前記アルカリ溶液が、KOH、NaOH、NH4OH、(CH3)4NOHの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項5記載の発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法。
- II−VI族またはIII−V族化合物系半導体がC軸方向に沿ってエピタキシャル成長されたウルツ鉱結晶体からなりかつ最上部に形成された表面が−C面である六方晶系ウルツ鉱型の複数の半導体層からなるエピタキシャル層を含むII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子であって、
前記−C面に形成された複数の多角形凹凸からなる隆起面を有し、
前記隆起面において、前記隆起面における前記複数の多角形凹凸の各々の差し渡しより小なる差し渡しを各々が有する複数の突起が形成され、
前記隆起面は、前記ウルツ鉱結晶体のm面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線と、上部平坦面、下部平坦面および斜面を有し、かつ、前記隆起面の前記半導体層のC面に対する角度が前記複数の突起の側面の前記半導体層のC面に対する角度よりも小さいこと、
前記複数の突起の底面の辺はm面に沿った方向にあることを特徴とするII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子。 - 前記複数の多角形凹凸が酸溶液を用いたウエットエッチングにより形成され、各々が1〜3μmの深さまたは高さと前記差し渡しとして10〜30μmを有することを特徴とする請求項7記載のII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子。
- 前記複数の多角形凹凸がレジストパターニング用いたドライエッチングにより形成され、各々が0.2〜3μmの深さまたは高さと前記差し渡しとして1〜30μmを有することを特徴とする請求項7記載のII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子。
- 前記複数の突起がアルカリ溶液を用いたウエットエッチングにより形成され、各々が0.08〜2.4μmの高さと前記差し渡しとして0.1〜3μmを有することを特徴とする請求項8または9記載のII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子。
- 前記ウルツ鉱結晶体はAlxInyGazN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で示されるIII族窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1記載のII−VI族またはIII−V族化合物系半導体発光素子。
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