KR20110107618A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기 질화물 반도체 발광소자는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되고, 상면에 형성된 요철패턴과, 상기 요철패턴의 표면에 형성된 다수의 돌기를 갖는 n형 반도체층;을 포함한다.

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 {NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히, 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체 발광소자의 광효율은 내부양자 효율(internal quantum efficiedncy)과 광추출 효율(light extraction efficiency, 또는 "외부양자효율"이라고도 함)에 의해 결정된다. 특히, 광추출 효율은 발광소자의 광학적 인자, 즉 각 구조물의 굴절률 및/또는 계면의 평활도(flatness) 등에 의해 결정된다.
이러한 광추출 효율 측면에서 질화물 반도체 발광소자는 근본적인 제한사항이 있다. 즉, 질화물 반도체 발광소자를 구성하는 질화물 반도체층은 외부대기나 기판에 비해 큰 굴절률을 가지므로, 빛의 방출가능한 입사각범위를 결정하는 임계각이 작아지고, 그 결과, 활성층으로부터 발생된 광의 상당부분은 내부 전반사되어 실질적으로 원하지 않는 방향으로 전파되거나 전반사과정에서 손실되어 광추출 효율이 낮을 수 밖에 없다. 이러한 낮은 광추출 효율을 개선하기 위해, 일반적으로 성장면 또는 사파이어 제거한 면에 요철구조를 만드는 것이 널리 이용되고 있다. 하지만, 요철구조를 형성할 수 있는 면이 제한되므로, 이러한 요철구조를 적용함으로써 얻어질 수 있는 광추출 효율의 개선효과가 충분하지 않다는 문제가 있다. 따라서, 당 기술분야에서는 광추출 효율의 개선효과를 극대화할 수 있는 새로운 방안이 요구되어 왔다.
상술한 종래의 문제점을 해소하기 위해서, 본 발명은 요철패턴의 표면적을 더욱 넓혀 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면은, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 반도체층; 상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되고, 상면에 형성된 요철패턴과, 상기 요철패턴의 표면에 형성된 다수의 돌기를 갖는 n형 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
이 경우, 상기 n형 반도체층은 GaN으로 이루어지며, 상기 요철패턴의 표면은 Ga-면이며, 상기 요철패턴은 피라미드 형상이며, 상기 요철패턴의 표면은 {10-1-1}면일 수 있다. 또한, 상기 요철패턴은 스트라이프 패턴일 수 있으며, 상기 다수의 돌기는 {1-100}면을 갖는 것이며, 상기 요철패턴의 식각깊이는 1 ~ 1.5 ㎛ 일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은, 성장용 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 p형 반도체층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계; 상기 성장용 기판을 제거하고, 상기 성장용 기판이 제거된 n형 반도체층의 노출면에 요철패턴을 형성하는 단계; 및 상기 요철패턴의 표면을 습식식각하여 다수의 돌기를 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 제공한다.
이 경우, 상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 건식식각에 의해 수행되는 것이며, 상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 상기 n형 반도체층의 노출면을 건식식각하여 스트라이프 패턴을 형성하는 단계인 것이다. 또한, 상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 습식식각에 의해 수행되는 것이며, 상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 상기 n형 반도체층의 노출면을 습식식각하여 {10-1-1}면을 갖는 피라미드 형상의 요철패턴을 형성하는 단계인 것이다.
또한, 상기 n형 반도체층은 GaN으로 이루어지며, 상기 성장용 기판이 제거된 n형 반도체층의 노출면은 N-면이며, 상기 다수의 돌기를 형성하는 단계는, 상기 요철패턴의 표면을 건식식각하여 결정손상 영역을 형성하는 단계; 상기 결정손상 영역에 레이저를 조사하여 상기 N-면이 Ga-면으로 변환된 극성변환 영역을 형성하는 단계; 및 상기 극성변환 영역을 습식식각하여 상기 다수의 돌기를 형성하는 단계;를 포함하는 것이며, 상기 결정손상 영역의 깊이는 10 ~ 100 nm 일 수 있으며, 상기 다수의 돌기는 {1-100}면을 갖는 것이다.
본 발명에 따르면, 표면에 다수의 돌기를 구비한 요철패턴을 발광면의 상면에 형성함으로써, 표면적의 증가를 통한 광방출면의 증가와 광학적 구조를 통한 광방출량의 증가에 의해 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 제1 실시형태의 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정별 측단면도이다.
도 9는 도 4의 공정 중 습식식각 방법을 이용할 경우의 요철패턴을 나타낸 SEM 사진이다.
도 10은 도 7의 공정 결과를 나타낸 SEM 사진이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시형태의 질화물 반도체 발광소자(100)는 도전성 기판(150) 상에 차례로 적층된 p형 반도체층(140), 활성층(130) 및 n형 반도체층(120)을 포함한다. 그리고, 상기 질화물 반도체 발광소자(100)는 n형 반도체층(120)에 접속된 n형 전극(160)을 포함한다. 여기서, n형 반도체층(120)은 상면에 형성된 요철패턴(P)을 구비하며, 상기 요철패턴(p)의 표면에는 다수의 돌기가 형성되어 있다.
상기 도전성 기판(150)은 p형 전극 역할과 함께 레이저 리프트 오프 등의 공정에서 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행한다. 이러한 도전성 기판(150)은 Si, Cu, Ni, Au, W, Ti 등의 물질 또는 이들 중 선택된 금속 물질들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 선택된 물질에 따라, 도금 또는 본딩 접합 등의 방법으로 형성될 수 있다.
그리고, n형 반도체층(120) 및 p형 반도체층(140)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖고, 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다. 상기 n형 및 p형 반도체층(120, 140)은 질화물 반도체층 성장에 관하여 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예컨대, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이드라이드 기상증착법(HVPE) 등이 이에 해당한다. 이러한 n형 반도체층(120)은 N-face의 노출된 상면과 도전성 기판(150)과 접하고 있는 Ga-face의 하면을 갖는다.
그리고, 도시하지는 않았지만, 기판(110)과 n형 반도체층(120) 사이의 격자부정합을 완화하기 위해 버퍼층(미도시)이 기판(110) 상에 형성될 수 있으며, 이러한 버퍼층은 III-V족 질화물계 화합물 반도체로 이루어진 n형 물질층 또는 언도프(undoped) 물질층으로서, AlN 또는 n-GaN을 포함하는 저온핵성장층일 수 있다.
그리고, 활성층(130)은 전자-정공의 캐리어 재결합에 의해 광방출이 일어나는 물질층으로서, 복수개의 양자우물층과 양자장벽층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well: MQW)를 갖는 GaN 계열의 III-V족 질화물계 화합물 반도체층이 바람직하며, 그 중에서도 양자장벽층은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1, 0<y≤1, 0<x+y≤1)으로 이루어질 수 있으며, 양자우물층은 InzGa(1-z)N(0≤z≤1)으로 이루어질 수 있다. 이때, 양자장벽층은 p형 반도체층(140)으로부터 주입되는 정공이 터널링가능한 두께를 갖는 초격자구조로 이루어질 수 있다.
본 실시형태에서, n형 반도체층(120)의 상면에는 요철패턴(P)이 형성되며, 요철패턴(P)의 표면은 Ga-face이다. 상기 요철패턴(P)은 피라미드 형상을 가지며, 2차원 배열의 도트 패턴으로 형성될 수 있다. 이러한 도트 패턴은 불규칙한 배열을 가질 수 있다. 또한, 상기 요철패턴(P)은 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다. 이러한 요철패턴(P)의 배열 형태는 식각공정에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 습식식각 공정을 이용할 경우, n형 반도체층(120)의 상면, 즉, N-face 질화갈륨이 수산화칼륨 수용액에 노출되어 결정학적으로 안정한 면인 {10-1-1}면을 드러내며 헥사고날 콘(hexgonal cone) 형태로 식각된다. 따라서 피라미드 형상의 도트 패턴이 형성된다. 한편, 건식식각 공정을 이용할 경우, n형 반도체층(120)의 상면에 원하는 패턴으로 건식식각하는 것에 의해 스트라이프 패턴뿐만 아니라 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 요철패턴(P)은 광방출면의 표면적을 증가시킬 수 있도록 비교적 큰 사이즈로 형성되며, 이러한 사이즈는 표면적의 증가와 함께 광학적 측면을 고려하여 결정된다. 이 두 조건을 만족할 수 있도록 요철패턴(P)은 1 ~ 1.5 ㎛의 식각 깊이를 갖도록 형성된다. 또한, 요철패턴(P)은 표면적을 충분히 증가시키기 위해서 적절한 간격을 가질 수도 있다.
그리고, 요철패턴(P)의 표면에는 다수의 돌기가 형성된다. 상기 다수의 돌기는 습식에칭공정에 의해 형성될 수 있으며, {1-100}면을 갖는다. 이러한 다수의 돌기는 요철패턴(P)에 비해 미세한 구조로서, 활성층(130)으로부터 발생된 광을 표면에서 산란시켜 효과적으로 외부로 방출시킴으로써 광추출 효율을 개선시킬 수 있다. 즉, 다수의 돌기는 요철패턴(P)에 의해 증가된 표면에 형성되므로, 전체적으로 광추출 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 표면에 다수의 돌기를 구비한 요철패턴을 발광면의 상면에 형성함으로써, 우선, 발광면의 표면적을 증가시킬 수 있으며, 또한, 질화갈륨과 패키지 형광체 또는 공기와의 굴절률 차이로 인해 생기는 활성층에서 형성된 빛이 계면에서 전반사되어 다시 소자 안으로 들어가는 경우를 감소시킬 수 있다. 이를 통해 외부로 방출되는 총 광량을 증가시킬 수 있다. 즉, 본 발명은 표면적의 증가를 통한 광방출면의 증가와 광학적 구조를 통한 광방출량의 증가에 의해 광추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 8은 도 1에 도시된 제1 실시형태의 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법을 설명하기 위한 공정별 측단면도이다.
먼저, 도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)을 순차 적층하여 발광구조물을 형성한다. 여기서, 기판(110)은 질화물 반도체층의 성장을 위해 제공되는 성장용 기판으로서, 고저항성 기판이며 주로 사파이어 기판을 사용할 수 있다. 사파이어 기판은 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a축 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 하지만, 본 실시예에서 기판(110)은 사파이어 기판으로 제한되는 것은 아니며, 사파이어 기판 대신 SiC, Si, GaN, AlN 등으로 이루어진 기판도 사용 가능하다.
이어서, 도 3을 참조하면, p형 반도체층(140)의 상면에 도전성 기판(150)을 형성한다. 도시하지는 않았지만, p형 반도체층(140)과 도전성 기판(150) 사이에 고반사성 오믹컨택층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 그런 다음, 도전성 기판(150)이 형성된 구조물로부터 성장용 기판(110)을 리프트오프(Lift Off) 공정 등을 이용하여 분리한다. 이때, 리프트 오프 공정으로는 레이저 리프트오프(LLO) 공정, 기계적 또는 화학적 리프트오프 공정 등을 이용할 수 있다.
그 다음에, 도 4를 참조하면, n형 반도체층(120)의 상면에 요철패턴(P)을 형성한다. 이때, 본 요철패턴(P)은 플라즈마를 이용한 이방성 건식식각 방법에 의해 형성될 수 있으며, 이 경우, n형 반도체층(120)의 선택적 식각에 의해 스트라이프 패턴을 갖는 요철패턴(P)이 형성될 수 있다.
또한, 수직구조 질화물 반도체 발광소자에서는 Ga-face의 발광면을 갖는 에피 업(Epi-Up) 발광소자보다 상대적으로 습식식각이 용이한 표면(N-face)이 발광면으로 드러나 있어 습식식각 방법에 의해 요철패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
이러한 습식식각 방법을 이용할 경우, 주로 수산화칼륨 수용액으로 습식식각하여 불규칙한 요철패턴을 형성하며 PEC(Photo-Enhanced Chemical wet etching)을 사용하여 속도를 높이기도 한다. 즉, n형 반도체층(120)의 N-face이 수산화칼륨 수용액에 노출되어 결정학적으로 안정한 면인 {10-1-1}면을 드러내며 헥사고날 콘(hexgonal cone) 형태로 식각되어 요철패턴(P)이 형성될 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하면, 요철패턴(P)의 표면에 결정손상 영역(121)을 형성한다. 상기 결정손상 영역(121)은 요철패턴(P)의 표면을 건식식각하는 것에 형성되며, 상기 건식식각 방법은 ICP(Inductively Coupled Plasma)를 이용한 건식식각 방법을 이용할 수 있다. 그리고, 결정손상 영역(121)은 다수의 돌기를 형성하기 위해서 10 ~ 100 nm의 깊이로 형성되어야 한다. 결정손상 영역(121)이 너무 얇으면 이후 습식식각에 의해 다수의 돌기가 형성되지 못한다.
그 다음에, 도 6을 참조하면, 결정손상 영역(121)에 레이저를 조사하여 극성변환 영역(123)을 형성한다. 상기 결정손상 영역(121)의 표면은 N-face 이므로, 다수의 돌기를 형성하기 위해서 결정손상 영역(121)의 표면에 레이저를 조사하여 Ga-face로 변환한다. 이는 결정손상 영역(121)의 불안정한 결정구조가 에너지를 흡수하여 안정화되면서 Ga-face로 변환되는 것에 의해 가능하다. 이때, 레이저의 에너지가 너무 낮으면 극성변환이 이루어지지 않으며, 에너지가 너무 높으면 n형 반도체층(120)의 결정손상 영역(121)의 표면이 식각되므로 적절한 강도의 레이저를 조사하는 것이 중요하다. 바람직하게는, 레이저의 에너지가 300~500mJ/cm2 일 수 있다.
이어서, 도 7을 참조하면, 극성변환 영역(123)이 형성된 요철패턴(P)에 대해 습식식각공정을 실시하여 다수의 돌기(125)를 형성한다. 상기 다수의 돌기(125)의 방향 및 구조는 식각되는 층의 결정방향에 의해 결정되며, 본 발명에서는 육각기둥 형태의 결정면 {1-100}이 노출된 구조를 가지며, 광산란 효과를 갖는 미세한 구조이다. 본 습식식각공정은 다수의 돌기(125)를 얻기 위해 KOH와 같은 식각액을 이용하며 적절한 시간 동안 실시된다.
그 다음에, 도 8을 참조하면, 노출된 n형 반도체층(120) 상에 n형 전극(160)을 형성한다. n형 전극(160)은 APCVD, LPCVD, PECVD 등을 이용한 금속박막증착 등으로 형성될 수 있으며, Ni/Au 등으로 이루어진 물질이 채용될 수 있다.
도 9는 도 4의 공정 중 습식식각 방법을 이용할 경우의 요철패턴을 나타낸 SEM 사진이다. 도 9를 참조하면, n형 반도체층(120)의 N-face이 습식식각용액에 노출되어 결정학적으로 안정한 면인 {10-1-1}면을 드러내며 헥사고날 콘(hexgonal cone) 형태로 식각된다.
도 10은 도 7의 공정 결과를 나타낸 SEM 사진이다. 여기서, 요철패턴(P)은 스트라이프 패턴으로 형성된 경우에 대해서 설명한다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 피라미드 형상과 같이 다양한 패턴으로 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 질화물 반도체 발광소자에서 n형 반도체층(120)의 요철패턴(P)에 형성된 극성변환 영역(123)은 Ga-face을 갖는 질화갈륨으로 형성된다. 이러한 Ga-face을 갖는 질화갈륨의 경우, 습식식각공정에 의해 표면에 측벽이 노출되면서 육각기둥 형태의 결정면 {1-100}을 갖는 다수의 돌기가 형성된다.
도 11은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 측단면도이다. 여기서, 도 10에 도시된 제2 실시형태의 질화물 반도체 발광소자(200)는 그 구성이 실질적으로 도 1의 질화물 반도체 발광소자(100)와 동일하다. 다만, n형 전극(260)이 형성된 면에는 요철패턴이 형성되지 않은 점에서 차이가 있으므로, 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 달라지는 구성에 대해서만 설명한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시형태의 질화물 반도체 발광소자(200)는 도전성 기판(250) 상에 차례로 적층된 p형 반도체층(240), 활성층(230) 및 n형 반도체층(220)을 포함한다. 그리고, 상기 질화물 반도체 발광소자(200)는 n형 반도체층(220)에 접속된 n형 전극(260)을 포함한다. 여기서, n형 반도체층(220)은 상면에 형성된 요철패턴(P)을 구비하며, 상기 요철패턴(p)의 표면에는 다수의 돌기가 형성되어 있다. 이때, n형 반도체층(220)은 n형 전극(260)이 형성될 영역을 제외한 상면에 요철패턴(P)을 형성한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100, 200: 반도체 발광소자 110: 기판
120, 220: n형 반도체층 125: 돌기
130, 230: 활성층 140, 240: p형 반도체층
150, 250: 도전성 기판 160, 260: n형 전극

Claims (16)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 형성된 p형 반도체층;
    상기 p형 반도체층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성되고, 상면에 형성된 요철패턴과, 상기 요철패턴의 표면에 형성된 다수의 돌기를 갖는 n형 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 n형 반도체층은 GaN으로 이루어지며, 상기 요철패턴의 표면은 Ga-면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요철패턴은 피라미드 형상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 요철패턴의 표면은 {10-1-1}면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 요철패턴은 스트라이프 패턴인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 {1-100}면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 요철패턴의 식각깊이는 1 ~ 1.5 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 성장용 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 p형 반도체층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;
    상기 성장용 기판을 제거하고, 상기 성장용 기판이 제거된 n형 반도체층의 노출면에 요철패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 요철패턴의 표면을 습식식각하여 다수의 돌기를 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 건식식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 상기 n형 반도체층의 노출면을 건식식각하여 스트라이프 패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 습식식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 요철패턴을 형성하는 단계는, 상기 n형 반도체층의 노출면을 습식식각하여 {10-1-1}면을 갖는 피라미드 형상의 요철패턴을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 n형 반도체층은 GaN으로 이루어지며, 상기 성장용 기판이 제거된 n형 반도체층의 노출면은 N-면인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  14. 제13에 있어서,
    상기 다수의 돌기를 형성하는 단계는, 상기 요철패턴의 표면을 건식식각하여 결정손상 영역을 형성하는 단계;
    상기 결정손상 영역에 레이저를 조사하여 상기 N-면이 Ga-면으로 변환된 극성변환 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 극성변환 영역을 습식식각하여 상기 다수의 돌기를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 결정손상 영역의 깊이는 10 ~ 100 nm 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 다수의 돌기는 {1-100}면을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
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