KR20100054594A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20100054594A
KR20100054594A KR1020080113572A KR20080113572A KR20100054594A KR 20100054594 A KR20100054594 A KR 20100054594A KR 1020080113572 A KR1020080113572 A KR 1020080113572A KR 20080113572 A KR20080113572 A KR 20080113572A KR 20100054594 A KR20100054594 A KR 20100054594A
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nitride semiconductor
light emitting
semiconductor layer
emitting device
type nitride
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KR1020080113572A
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성연준
이정욱
사공탄
정수진
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삼성엘이디 주식회사
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본 발명은 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은, n형 질화물 반도체층과, p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 활성층 및 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 중 적어도 하나의 외부 면 상에 형성되며, 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 외부 광 추출효율 향상을 위한 요철 구조의 형상을 최적화함으로써 발광 효율이 향상될 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
질화물, LED, 요철, 광 추출효율, 건식 식각, 습식 식각

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Nitride Semiconductor Light Emitting Device and Manufacturing Method of The Same}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 요철 구조의 형상을 개선함으로써 외부 광 추출효율이 향상될 수 있는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광통신기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드(light emitting diode:LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode: LD)에 널리 사용되고 있다. 이러한 질화물 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합원리를 이용하는 청색 및 녹색을 포함하는 다양한 광의 방출하는 활성층을 갖는 발광소자로서 제공될 수 있다.
이러한 질화물 발광소자(LED)가 개발된 후에, 많은 기술적 발전을 이루어져 그 활용 범위가 확대되어 일반 조명 및 전장용 광원으로 많은 연구가 되고 있다. 특히, 종래에는 질화물 발광소자는 주로 저전류/저출력의 모바일 제품에 적용되는 부품으로 사용되었으나, 최근에는 점차 그 활용범위가 고전류/고출력 분야로 확대 되고 있다.
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 일반적인 질화물 반도체 발광소자(10)는 n형 질화물 반도체층(11), 활성층(12) 및 p형 질화물 반도체층(13)을 포함하며, 상기 p형 질화물 반도체층(13)에는 p형 전극 및 광 반사 기능을 아는 도전성 기판(14)이 형성된다. 이 경우, n형 질화물 반도체층(11)에 형성되는 n형 전극은 따로 도시하지 않았다. 상기 n형 질화물 반도체층(11)의 외부 면에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 상기 요철 구조는 KOH 등의 용액을 이용하여 습식 식각으로 형성될 수 있다. 이 경우, n형 질화물 반도체층(11)에 요철 구조를 형성하는 것은 공기와 상기 n형 질화물 반도체층(11)의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사를 줄이기 위한 것이다.
본 발명은 일 목적은 외부 광 추출효율 향상을 위한 요철 구조의 형상을 최적화함으로써 발광 효율이 향상될 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
n형 질화물 반도체층과, p형 질화물 반도체층과, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 활성층 및 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 중 적어도 하나의 외부 면 상에 형성되며, 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조를 이루는 면에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조가 형성된 상기 n형 질화물 반도체층 또는 p형 질화물 반도체층의 외부 면에서 상기 요철 구조를 제외한 영역에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조는 내부에 높이 방향으로 형성된 관통 영역을 갖는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 요철 구조와 상기 관통 영역은 밑면의 형상이 서로 동일할 수 있다. 이와 달리, 상기 요철 구조와 상기 관통 영역은 밑면의 형상이 서로 상이할 수도 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조는 상기 n형 질화물 반도체층 또는 p형 질화물 반도체층과 일체 구조일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조의 높이 방향은 상기 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 적층 방향이리 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조의 높이는 1 ~ 3㎛일 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면은,
질화물 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 도전성 지지기판을 형성하는 단계와, 상기 질화물 단결정 성장용 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계 및
상기 제1 도전형 질화물 반도체층에서 상기 질화물 단결정 성장용 기판이 제거된 면 상에 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조를 형성하는 단계는 건식 식각 공정에 의해 실행될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 요철 구조를 이루는 면에 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 미세 패턴을 형성하는 단계는 습식 식각 공정에 의해 실행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 측면은,
질화물 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층 중 적어도 하나의 외부 면 상에 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 외부 광 추출효율 향상을 위한 요철 구조의 형상을 최적화함으로써 발광 효율이 향상될 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2에서 요철 구조를 확대하여 나타낸 사시도이다. 또한, 도 4는 요철 구조의 다양한 형상을 예시하여 나타낸 것이다.
우선, 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는, n형 질화물 반도체층(101), 활성층(102), p형 질화물 반도체층(103), 도전성 기판(104) 및 n형 전극(105)을 구비하는 구조이다.
상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(101, 103)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑 된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn, Be 등이 대표적이다. 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(101, 103)은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, HVPE 공정 등으로 성장될 수 있다.
상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(101, 103) 사이에 형성된 활성층(102)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 인듐 함량에 따라 밴드갭 에너지가 조절되도록 InxGa1-xN(0≤x≤1)으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 활성층(102)은 양자장벽층과 양자우물층이 서로 교대로 적층 된 다중 양자우물(MQW) 구조로 이루어질 수 있다.
상기 도전성 기판(104)은 p형 전극 역할과 함께 후술할 레이저 리프트 오프 공정에서 발광구조물, 즉, n형 반도체층(101), 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)을 지지하는 지지체의 역할을 수행한다. 이 경우, 상기 도전성 기판(104)은 Si, Cu, Ni, Au, W, Ti 등의 물질로 이루어질 수 있으며, 선택된 물질에 따라, 도금 또는 본딩 접합 등의 방법으로 형성될 수 있다. 한편, 따로 도시하지는 않았으나, 상기 p형 질화물 반도체층(103)과 도전성 기판(104) 사이에는 오믹컨택 기능과 광 반사 기능을 수행하는 반사금속층이 개재될 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(100)는 이종 극성의 전극이 적층 방향에 나란히 위치한 수직 전극 구조를 갖는다. 다만, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 수평 전극 구조에도 본 발명은 응용될 수 있다.
활성층(102)에서 방출된 빛이 상기 n형 질화물 반도체층(101)과 외부와의 계면에서 전반사되는 비율이 줄어들도록 상기 n형 질화물 반도체층(101)의 외부 면에는 요철 구조(P)가 형성된다. 상기 요철 구조(P)는 원기둥 형상을 갖되 그 내부가 높이 방향으로 일부 제거된 형상을 가지며, 도 3에 도시된 바와 같이, 제거된 영역이 늘어나면서 높이 방향으로 형성된 관통 영역을 구비할 수 있다. 본 실시 형태에서와 같이, 요철 구조(P)의 내부에 일부 제거 영역 또는 관통 영역을 형성할 경우, 요철 구조(P)가 차지하는 면적의 증가, 즉, 빛이 산란될 수 있는 영역(scattering site)이 증가되는 효과를 가져올 수 있다.
상기 요철 구조(P)의 광 산란 기능이 적절히 발휘될 수 있도록 그 두께(t)는 약 1 ~ 3㎛가 됨이 바람직하다. 한편, 상기 n형 질화물 반도체층(101)과 일체 구조일 수 있으며, 상기 n형 질화물 반도체층(101)을 건식 식각 등의 공정으로 일부 제거함으로써 얻어질 수 있다. 이와 달리, 상기 요철 구조(P)는 상기 n형 질화물 반도체층(101)과 다른 물질, 예컨대, 실리콘 산화물이나 실리콘 질화물 등으로 이루어질 수 있으며, 상기 n형 질화물 반도체층(101) 위에 별도로 증착 등으로 형성될 수 있다.
상기 요철 구조(P)의 형상을 도 3에 나타난 형상과 같이 원기둥 외에도 다양하게 변형될 수 있다. 즉, 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 도우넛 형상(P1), 사각 기둥 형상(P2)도 채용이 가능하다. 또한, 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 외형은 삼각기둥이되 내부의 관통 영역은 원기둥인 형상(P3)처럼, 요철 구조 전체의 밑면과 관통 영역의 밑면 형상이 서로 상이할 수도 있다. 나아가, 도시되지는 않았으나, 요철 구조의 측면이 밑면에 대하여 수직인 구조 외에 기울기를 갖고 경사지도록 형성될 수도 있을 것이다. 이러한 다양한 요철 구조의 형상과 관통 영역의 형상은 외부 광 추출 효율을 향상시키기 위해 적절히 조합되어 선택될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자(200)는, 이전 실시 형태와 같이, n형 질화물 반도체층(201), 활성층(202), p형 질화물 반도체층(203), 도전성 기판(204) 및 n형 전극(205)을 구비하는 구조이며, 상기 n형 질화물 반도체층(201)에는 내부에 관통 영역이 형성된 요철 구조가 형성된다. 이 경우, 이전 실시 형태와 같이, 상기 요철 구조의 형상은 다양하게 변형될 수 있다.
본 실시 형태의 경우, 이전 실시 형태와 달리 상기 요철 구조를 이루는 면에는 상기 요철 구조보다 크기가 작은 미세 패턴이 형성되며, 상기 요철 구조가 형성 된 상기 n형 질화물 반도체층(201)의 외부 면 중 상기 요철 구조를 제외한 영역에도 미세 패턴이 형성될 수 있다. 이러한 미세 패턴은 후술할 바와 같이, 습식 식각으로 용이하게 형성될 수 있으며, 건식 식각으로 형성될 수 있는 상기 요철 구조를 1차 패턴으로 할 때, 광 산란 영역을 더욱 향상시킬 수 있는 2차 패턴으로 칭할 수 있다. 한편, 도 5에서는 상기 미세 패턴이 상기 요철 구조의 측면에는 형성되지 않은 형상이 도시되어 있으나, 에칭 조건 또는 광 추출 효율 향상을 위한 필요에 따라 상기 요철 구조의 측면에도 미세 패턴이 형성될 수 있다.
이하, 상술한 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 설명한다.
도 6 내지 도 9는 도 5의 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
우선, 도 6에 도시된 바와 같이, 질화물 단결정 성장용 기판(106) 위에 n형 반도체층(101), 활성층(102) 및 p형 반도체층(103)을 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 공정을 이용하여 순차적으로 성장시킴으로써 발광구조물을 형성한다. 상기 질화물 단결정 성장용 기판(106)은 사파이어, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 , GaN 등의 물질로 이루어진 기판을 사용할 수 있다. 이 경우, 사파이어는 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 및 a측 방향의 격자상수가 각각 13.001Å과 4.758Å이며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경 우, 상기 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다.
다음으로, 상기 p형 반도체층(103) 상에 도전성 기판(104)을 도금 또는 서브마운트 본딩 등의 방법으로 형성한다. 이 경우, 상기 도전성 기판(104)을 형성하기 전에 반사금속층을 먼저 형성하여 둘 수도 있을 것이다. 이후, 도 7에 도시된 바와 같이, 레이저 리프트 오프 또는 화학적 리프트 오프 등의 적절한 리프트 오프 공정에 의해 상기 질화물 단결정 성장용 기판(106)을 제거한다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 반응성 이온 식각(ICP-RIE) 등과 같은 건식 식각 공정을 이용하여 상기 n형 질화물 반도체층(101)의 노출 면에 요철 구조를 형성한다. 본 단계에서 형성되는 요철 구조는 도 3에 도시된 것과 같은 1차 패턴으로서, 원하는 형상을 얻기 위해 적절한 형상의 마스크를 이용할 수 있다. 다만, 도 8에 도시된 방법과 달리, 상술한 바와 같이 요철 구조는 상기 n형 질화물 반도체층(101)을 이루는 물질과 같거나 다른 물질을 증착하여 얻어질 수도 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(101)의 요철 구조 형성 면을 KOH 용액 등으로 습식 식각하여 미세 패턴, 즉, 2차 패턴을 형성한다. 본 단계에서 형성된 미세 패턴에 의해, 광 산란 영역은 더욱 증가하여 외부 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이후, 상기 n형 질화물 반도체층(101)에 n형 전극 을 형성하여 도 4에 도시된 것과 같은 완성된 소자를 얻을 수 있다.
한편, 상술한 설명에서는 수직 전극 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자를 기준으로 하였으나, 상기 관통형 요철 구조는 수평 전극 구조에도 채용될 수 있으며, 이를 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다.
도 10 및 도 11은 관통형 요철 구조를 채용한 수평 전극 구조의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다. 우선, 도 10을 참조하면, 수평 전극 구조 질화물 반도체 발광소자(300)는 사파이어 기판과 같은 질화물 단결정 성장용 기판(301)과 그 위에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(302), 활성층(303) 및 p형 질화물 반도체층(304)을 구비한다. 상기 n형 질화물 반도체층(302)의 노출면 상에는 n형 전극(305a)이 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층(304) 상면에는 p형 전극(305b)이 형성될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 관통형 요철 구조는 상기 p형 질화물 반도체층(304) 위에 형성될 수 있으며, 도시되지는 않았으나, 상기 요철 구조를 이루는 면 및 상기 p형 질화물 반도체층(304)의 나머지 영역에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성될 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 수평 전극 구조 질화물 반도체 발광소자(400)는 이와 유사하게, 사파이어 기판과 같은 질화물 단결정 성장용 기판(401)과 그 위에 순차적으로 형성된 n형 질화물 반도체층(402), 활성층(403) 및 p형 질화물 반도체 층(404)을 구비한다. 상기 n형 질화물 반도체층(402)의 노출면 상에는 n형 전극(405a)이 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층(404) 상면에는 p형 전극(405b)이 형성될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 관통형 요철 구조는 상기 질화물 단결정 성장용 기판(401)의 하면에 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 플립칩 형태로 질화물 반도체 발광소자(400)를 실장 시에 적합하다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 요철 구조를 이루는 면 및 상기 질화물 단결정 성장용 기판(401)의 나머지 영역에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
도 1은 일반적인 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이며, 도 3은 도 2에서 요철 구조를 확대하여 나타낸 사시도이다. 또한, 도 4는 요철 구조의 다양한 형상을 예시하여 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 도 5의 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
도 10 및 도 11은 관통형 요철 구조를 채용한 수평 전극 구조의 질화물 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101: n형 질화물 반도체층 102: 활성층
103: p형 질화물 반도체층 104: 도전성 기판
105: n형 전극 106: 질화물 단결정 성장용 기판

Claims (14)

  1. n형 질화물 반도체층;
    p형 질화물 반도체층;
    상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및
    상기 n형 및 p형 질화물 반도체층 중 적어도 하나의 외부 면 상에 형성되며, 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조;
    를 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조를 이루는 면에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조가 형성된 상기 n형 질화물 반도체층 또는 p형 질화물 반도체층의 외부 면에서 상기 요철 구조를 제외한 영역에는 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조는 내부에 높이 방향으로 형성된 관통 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 요철 구조와 상기 관통 영역은 밑면의 형상이 서로 동일한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 요철 구조와 상기 관통 영역은 밑면의 형상이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조는 상기 n형 질화물 반도체층 또는 p형 질화물 반도체층과 일체 구조인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조의 높이 방향은 상기 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 적층 방향인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 요철 구조의 높이는 1 ~ 3㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 질화물 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 도전성 지지기판을 형성하는 단계;
    상기 질화물 단결정 성장용 기판을 상기 발광구조물로부터 분리하는 단계; 및
    상기 제1 도전형 질화물 반도체층에서 상기 질화물 단결정 성장용 기판이 제거된 면 상에 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 형성하는 단계;
    를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 요철 구조를 형성하는 단계는 건식 식각 공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 요철 구조를 이루는 면에 상기 요철 구조보다 작은 크기의 미세 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방 법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 미세 패턴을 형성하는 단계는 습식 식각 공정에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 질화물 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 도전형 질화물 반도체층 중 적어도 하나의 외부 면 상에 원기둥 또는 다각기둥의 내부 영역 중 적어도 일부가 높이 방향으로 제거된 형상을 갖거나 도우넛 형상을 갖는 요철 구조를 형성하는 단계;
    를 포함하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
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