KR101018106B1 - 역 메사 구조의 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물에 상기 기판을 노출시키는 홈을 형성하여 상기 발광구조물을 복수의 영역으로 분할하는 단계; 상기 발광구조물의 각 분할영역 중 상기 홈과 접하는 영역이 상기 기판과 분리되도록 상기 각 분할영역 중 상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계; 및 상기 각 분할영역의 주위를 따라 경사진 결정면이 형성되도록 상기 기판과의 계면영역으로부터 얻어진 분리된 영역에 습식 식각을 적용하는 단계를 포함하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.

본 발명의 제조방법에 의해 제조된 역 메사 구조의 질화물 반도체 발광소자는 종래의 메사 구조를 갖는 발광 소자에 비해 활성층 면적이 넓어 활성층에서 발생되는 광량이 많고, 측면이 경사면으로 형성되어 광추출효율이 우수하다.

GaN발광소자, 칩구조, 역메사

Description

역 메사 구조의 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING GaN LIGHT EMITTING DIODE HAVING INVERSED MESA STRUCTURE}

본 발명은 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 활성층 면적이 넓고, 광 추출 효율이 우수한 역 메사 구조의 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

발광 소자(Light Emitting Diode, LED)는 반도체의 p-n 접합 구조에 의해 광을 발생시키는 소자를 말하며, 일반적으로 광을 발산할 수 있는 활성층이 p형 반도체층과 n형 반도체 사이에 위치하도록 형성된다.

한편, 종래의 발광 소자의 경우, 반도체층의 굴절율이 대체로 에폭시 또는 공기층과 같은 외부 환경에 비해 높기 때문에, 소자 내부에서 전반사가 일어나기 쉽고, 그 결과 활성층에서 발생하는 광이 외부로 추출되지 못하고, 소자 내부에 머물게 되어 광추출 효율이 매우 나쁘다는 문제점이 있었다.

특히 GaN를 기본으로 하는 질화물 반도체 소자의 경우, p-GaN의 낮은 전도도 때문에 효율적인 전류 확산을 위해 p-반도체층 상층에 일정한 두께의 전도막을 형성하게 되는데, 이러한 전도막에 의해 광자가 흡수되면서 광효율이 더욱 저하된다. 또한, GaN 반도체에서 일반적으로 기판으로 사용되는 사파이어는 전기적 절연체이기 때문에, n-GaN에 접촉 전극을 소자 뒷면에 형성할 수 없고, 그 결과, 소자의 일부를 식각하여 n-GaN가 노출되도록 하여 전극을 형성하는데, 이러한 제작 기법으로 인해 발광 소자 형태의 변형이 극히 제한적이며, 표면 격자를 형성하는 방법과 같이 AlGaInAs계, AlGaInP계 등의 다른 반도체 소자에서 주로 사용되는 광추출효율의 향상법을 사용하기 어렵다는 문제점이 있다.

현재 GaN 발광 소자에서 광 효율을 향상시키기 위해 주로 이용되는 방법으로는, p형 반도체층의 표면 거칠기를 높이거나 p형 반도체 층의 표면에 물결 무늬를 형성하는 방법이 있다. 그러나 이 방법의 경우 광자가 p형 반도체 층의 표면에 도달하는 경우에만 효과가 있고, 측벽 쪽에서 반사되는 광자에는 영향을 미치지 못하기 때문에, 광추출효율 향상에 한계가 있다.

GaN 발광 소자의 광추출효율을 향상시키기 위한 또 다른 방법으로, 발광소자의 측벽을 메사 형태로 형성하여, 표면에서 측벽면에서 전반사된 광자들을 추출하는 방법이 있다. 이 방법에 의하면, 표면에서 전반사된 광자를 경사면을 통해 재반사시킴으로써 효과적으로 추출할 수 있기 때문에, 광추출효율을 향상시킬 수 있다. 그러나 발광 소자의 측벽을 메사 형태로 형성할 경우, 광 추출 효율은 향상되나, 그 구조로 인해 활성층의 면적이 줄어들기 때문에, 활성층에서 발생하는 광량 자체가 줄어든다는 문제점이 있다. 따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위해 경사면을 역메사 구조로 형성하는 것이 제안되었다. 그러나, GaN 반도체의 경우, 습식 식각법으로는 식각이 어렵기 때문에 일반적으로 건식 식각에 의해 가공해야 하는데, 건식 식각법을 이용할 경우 역-메사 구조를 형성하기 어려우며, 플라즈마에 의해 측벽이 손상되기 쉽다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 습식 식각을 이용해 플라즈마에 의한 측면 손실을 최소화하고, 동일 칩 사이즈에서 활성층의 면적을 극대화할 수 있는 역 메사 구조를 갖는, 광 효율이 우수한 질화물 반도체 발광 소자의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

이를 위해 본 발명은 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물에 상기 기판을 노출시키는 홈을 형성하여 상기 발광구조물을 복수의 영역으로 분할하는 단계; 상기 발광구조물의 각 분할영역 중 상기 홈과 접하는 영역이 상기 기판과 분리되도록 상기 각 분할영역 중 상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계; 및 상기 각 분할영역의 주위를 따라 경사진 결정면이 형성되도록 상기 기판과의 계면영역으로부터 얻어진 분리된 영역에 습식 식각을 적용하는 단계를 포함하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.

이때 상기 발광구조물을 분할하는 단계는, 건식식각공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 습식 식각에 의해 형성되는 경사진 결정면은 상기 건식식각이 적용된 손상된 표면이 제거되도록 상기 각 분할영역의 측면을 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 건식식각공정은 반응 이온 식각법, 축전 결합형 플라즈마 식각법, 유도 결합형 플라즈마 식각법 또는 전자 공명 플라즈마 식각법으로 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 발광구조물을 분할하는 단계는, 상기 발광구조물을 개별 소자크기로 분할하는 단계인 것이 바람직하다.

또한, 상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계는, 레이저 조사에 의해 수행되는 것이 바람직하다.

이때 상기 분할영역 중 상기 기판과 분리된 면은 N 극성면인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 두께는 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 두께보다 큰 것이 바람직하다.

또한, 상기 발광구조물을 형성하는 단계는, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 층을 성장하기 전에 언도프 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 레이저 조사에 의해 제거되는 두께는, 0.1∼3㎛ 범위이고, 폭은, 상기 홈으로부터 거리가 상기 분할영역의 전체 폭의 5∼30% 범위에 해당하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 레이저 조사에 의해 제거되는 폭은, 상기 홈으로부터 거리가 5∼15㎛ 범위인 것이 바람직하다.

또한, 상기 선택적인 제거에 사용되는 레이저의 출력은, 400∼1200mJ/㎠범위인 것이 바람직하다.

한편, 상기 습식식각에 의해 형성되는 경사진 결정면은, (10-1-1)인 것이 바람직하며, 상기 발광구조물은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체인 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판은 사파이어, SiC, Si, MgAl₂O₄, MgO, LiAlO₂ 및 LiGaO₂로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어질 수 있다.

본 발명의 제조 방법을 이용하면 소자의 측면에 일정한 경사면이 형성되며, 이 경우, p 반도체층의 표면에서 전반사된 광자 중 일부가 측면에서 재반사되면서 외부로 추출되기 때문에 광추출효율이 증가한다.

또한, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 역 메사 구조의 발광 소자가 제조되며, 이 경우 활성층 면적이 종래의 메사 구조를 갖는 발광 소자에 비해 넓고, 그 결과 활성층에서 발생하는 광량이 증가하게 된다.

또한, 본 발명의 방법을 이용하면, 건식 식각을 통해 손상된 표면이 습식 식각을 통해 식각되면서 제거되기 때문에, 플라즈마에 의한 손상을 개선할 수 있다는 장점이 있다.

일반적으로 GaN 반도체 박막층은 성장하면서 아랫쪽에는 N이 풍부한 N 극성면이 형성되고, 윗쪽에는 Ga이 풍부한 Ga 극성면이 형성된다. 이중 상기 Ga 극성면은 습식 식각 속도가 매우 느리기 때문에, 일반적으로 GaN 반도체층은 건식 식각으로 패터닝(patterning)이 이루어지고 있다. 그러나 N 극성면은 Ga 극성면에 비해 안정성이 떨어지기 때문에, 수산화칼륨, 인산, 황산 등의 식각 용액을 통한 습식 식각이 가능하다.

한편, 일반적으로 GaN 반도체층은 육각결정구조로 성장되는데, 결정면 중 면지수가 (10-1-1)인 면이 가장 안정하며, 이 면은 수평 방향에 대하여 약 128°의 경사각도를 가진다.

본 발명자들은 상기와 같은 점들에 착안, Ga극성면과 N극성면의 습식 식각 속도의 차이 및 반도체의 결정 구조를 이용하여 습식 식각법으로 역메사 구조의 질 화물 반도체 발광 소자를 제조하는 방법을 발명하였다.

본 발명의 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계; 상기 발광구조물에 상기 기판을 노출시키는 홈을 형성하여 상기 발광구조물을 복수의 영역으로 분할하는 단계; 상기 발광구조물의 각 분할영역 중 상기 홈과 접하는 영역이 상기 기판과 분리되도록 상기 각 분할영역 중 상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계; 및 상기 각 분할영역의 주위를 따라 경사진 결정면이 형성되도록 상기 기판과의 계면영역으로부터 얻어진 분리된 영역에 습식 식각을 적용하는 단계를 포함하여 이루어진다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

도 1에는 본 발명의 역 MESA 구조의 질화갈륨 발광 소자의 제조 방법의 일 실시예가 도시되어 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 질화갈륨계 발광 소자의 제조 방법은 발광 구조물 형성단계(a), 발광구조물을 분할하는 단계(b), 기판과의 계면을 선택적으로 제거하는 단계(c) 및 습식 식각 단계(d)를 포함하여 이루어진다.

(1) 발광 구조물 형성단계(a)

먼저, 기판(10) 상에 제1도전형 질화물 반도체층(20), 활성층(30) 및 제2도전형 질화물 반도체층(30)을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성한다.

이때 상기 기판(10)은 사파이어, SiC, Si, MgAl₂O₄, MgO, LiAlO₂ 및 LiGaO₂로 구성된 그룹에서 선택된 물질로 이루어질 수 있으며, 이중에서도 특히 사파이어 기판인 것이 바람직하다.

또한, 발광구조물은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체인 것이 바람직하며, 보다 구체적으로는, 상기 제1도전형 질화물 반도체층(20)은 n형 질화갈륨 반도체층이고, 제2도전형 반도체층(40)은 p형 질화갈륨 반도체층인 것이 특히 바람직하다. 또한, 상기 활성층(20)은 InGaN층 또는 AlGaN층으로 형성하는 것이 바람직하며, 다중양자우물(multi-quantum well, 이하 'MQW'라 함) 또는 단일양자우물 중 어느 하나의 구조로 형성될 수 있다.

한편, 본 발명의 발광구조물에서 상기 제1도전형 질화물 반도체층의 두께는 상기 제2도전형 질화물 반도체층의 두께보다 큰 것이 바람직한데, 이는 역메사구조를 형성하였을 때, 제1도전형 질화물 반도체층의 두께가 두꺼운 경우에 활성층의 면적이 보다 넓게 형성되기 때문이다.

한편, 상기 발광 구조물 형성 단계는 당해 기술 분야에 잘 알려진 반도체층 형성 방법, 예를 들면, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 등의 방법을 통해 이루어질 수 있다.

한편, 상기 발광구조물 형성단계에서는 필요에 따라, 기판(10) 상에 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하기 전에 기판과 반도체층의 격자 부정합을 시정하기 위한 버퍼층(미도시)을 형성할 수 있다.

또한, 필요에 따라 기판(10) 상에 제1도전형 질화물 반도체층을 형성하기 전에 반도체층의 결정 품질을 향상시키기 위한 언도프 질화물 반도체층(미도시)을 형성할 수도 있다. 언도프 질화물 반도체층을 형성할 경우, 결정 품질을 향상시킬 수 있을 뿐 아니라, 활성층 하부에 존재하는 반도체층의 두께가 두꺼워지면서 활성층의 면적을 넓히는데 기여할 수 있다는 장점이 있다.

(2) 발광구조물을 복수의 영역으로 분할하는 단계(b)

상기와 같은 방법을 통해 발광 구조물이 형성되면, 상기 발광 구조물에 기판을 노출시키는 홈을 형성하여, 상기 발광 구조물을 복수의 영역으로 분할한다. 본 단계는 발광 구조물을 개별 소자 크기로 분할하기 위한 것으로, 일반적으로 건식 식각 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.

상기 건식식각공정은 당해 기술 분야에서 잘 알려진 건식식각법 예를 들면, 반응 이온 식각법, 축전 결합형 플라즈마 식각법, 유도 결합형 플라즈마 식각법 또는 전자 공명 플라즈마 식각법 등으로 수행될 수 있다.

한편, 상기 홈의 폭(W₁)은 발광소자의 용도 등에 따라 달라질 수 있으나, 일반적으로 30㎛ 내지 100㎛ 정도인 것이 바람직하다.

일반적으로 건식 식각법에 사용되는 플라즈마 이온들은 직진성을 가지므로, 본 단계를 통해 분할된 발광 구조물은 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판 평면에 대하여 수직하는 측면을 갖는 형태로 형성되게 된다.

(3) 기판과의 계면 영역을 선택적으로 제거하는 단계(c)

다음으로, 상기 발광구조물의 각 분할 영역 중 상기 기판과의 계면 영역을 선택적으로 제거하여, 기판으로부터 분리시킨다.

본 단계는 후술할 습식 식각 단계에서, 식각 용액이 식각이 용이한 N극성면으로 침투할 수 있도록 하기 위한 것으로, 레이저 조사에 의해 수행되는 것이 바람직하다.

이때 상기 기판과 분리된 면은 N 극성면인 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이, GaN 반도체층의 경우, 반도체층의 하부, 즉 사파이어 기판 쪽 면에는 습식 식각이 가능한 N 극성면이 형성되고, 그 반대면에는 습식 식각이 어려운 Ga 극성면이 형성된다. 한편, 상기한 바와 같이, Ga 극성면은 습식 식각 속도가 매우 느리기 때문에, 습식 식각을 원활하게 수행하기 위해서는 N 극성면 부분이 식각 용액에 노출되도록 할 필요가 있다. 이를 위해 본 발명에서는 레이저를 조사하여 제1도전형 반도체층의 일부를 추가로 식각하는 공정을 수행한다.

상기 레이저 조사는, 도 1의 c에 도시된 바와 같이, 발광구조물이 형성되지 않는 기판(10)의 하부에서 이루어지며, 이때 조사되는 레이저는 반도체층의 밴드 갭 에너지보다는 크고, 기판의 밴드 갭 에너지보다는 작은 에너지를 갖는 것을 사용한다.

예를 들어, 반도체층으로 GaN을 사용하고, 기판으로 사파이어를 사용할 경우, GaN의 밴드 갭 에너지는 약 3.39eV 정도이며, 사파이어 기판의 경우 밴드 갭 에너지가 대략 6 eV 정도이므로, 3.5eV ~ 6eV 정도의 에너지를 갖는 레이저를 조사하는 것이 바람직하다. 상기 에너지 범위의 레이저를 조사할 경우, 조사된 에너지는 사파이어 기판에 흡수되지 않고, 사파이어 기판을 통과하여 n형 GaN층(20)에 도달하게 된다. GaN층에서는 에너지 흡수가 일어나며, 에너지를 흡수한 n형 GaN반도체층(20)은 Ga(metal)와 질소로 분해되면서 식각이 발생하게 된다.

한편, 상기 레이저 조사에 의해 제거되는 두께(h)는 기판(10)의 표면을 기준 으로 0.1㎛ 내지 3㎛ 정도인 것이 바람직하다. 제거되는 두께(h)가 0.1㎛ 미만이면 후술할 습식 식각 단계에서, 식각 용액이 원할하게 침투하지 못하게 되고, 3㎛를 초과할 경우에는 레이저에 의한 식각 시간이 너무 길어져, 생산 효율이 떨어지게 되기 때문이다.

또한, 상기 레이저 식각에 의해 제거되는 폭(W₂)은, 발광 구조물의 높이에 따라 다소 차이가 있으나, 상기 홈으로부터 거리가 상기 분할 영역의 전체 폭의 5 ~ 30% 범위 내인 것이 바람직하며, 홈으로부터 거리가 약 5 내지 15㎛ 정도인 것이 특히 바람직하다. 레이저 식각에 의해 제거되는 폭(W₂)이 5㎛ 미만이면, 이후 습식 식각에 의해 형성되는 측벽의 경사면(50')의 기울기가 너무 작아져 광 추출 효율이 떨어지고, 15㎛ 를 초과하면, 반도체층의 면적이 너무 작아지기 때문이다.

한편, 본 발명에서는 출력이 400 내지 1200mJ/cm² 정도인 레이저를 사용하는 것이 바람직하다. 출력이 400mJ/cm² 미만이면, 식각이 제대로 일어나지 않으며, 1200mJ/cm²를 초과하면, 레이저에 의해 기판이 손상될 수 있기 때문이다.

(4) 습식 식각 단계(d)

다음으로, 상기 기판과의 계면 영역이 선택적으로 제거된 발광 구조물을 식 각 용액을 사용하여 습식 식각한다.

본 단계는 각 분할 영역의 주의를 따라 경사진 결정면이 형성되도록 하기 위한 것으로, 식각 용액으로는 수산화칼륨, 인산, 황산 또는 인산과 황산의 혼합용액 등을 사용할 수 있다.

예를 들어, GaN 반도체층의 경우, 아랫쪽에는 N이 풍부한 N 극성면이 형성되고, 윗쪽에는 Ga이 풍부한 Ga 극성면이 형성되며, N 극성면은 습식 식각 속도가 빠른데 반해, Ga 극성면은 습식 식각 속도가 매우 느리다. 따라서, 습식 식각시에 Ga 극성면에 가까운 상부쪽의 식각 속도가 N 극성면이 노출된 하부 쪽보다 느리고, 이러한 식각 속도의 차이로 인해 역 메사구조가 형성되게 된다.

이때 상기 습식 식각은 GaN 결정 구조 중 가장 안정한 면인 (10-1-1)에 도달하면 식각이 중지되게 된다. 따라서, 습식 식각에 의해 형성되는 경사진 결정면은 (10-1-1)이 되며, 상기한 바와 같이, 상기 (10-1-1) 면은 수평 방향에 대하여 약 128°를 이루고 있으므로, 습식 식각을 통해 형성된 측벽(50')은 수평면에 대하여 128°의 각도를 갖도록 형성되게 된다.

상기와 같은 방법을 통해 형성된 질화물 반도체 발광 소자는 측면이 경사면으로 이루어져 있기 때문에, 종래의 측벽이 수직 형태로 형성된 발광소자에 비해 우수한 광추출효율이 우수하다.

도 2에는 본 발명의 방법에 의해 제조된 역메사구조의 발광 소자에서의 광 추출 매카니즘이 도시되어 있다.

활성층에서 발생한 광이 임계각 이상의 각도로 p형 반도체층에 도달하게 되면, 전반사가 일어나 소자 내부로 반사되게 된다. 이때, 종래의 수직 구조의 측벽을 갖는 발광 소자의 경우, 표면에서 전반사가 일어난 광이 측면에서도 전반사될 확률이 크기 때문에, 소자 내부에서 무한 반사가 일어나면서, 광이 외부로 추출되지 못하고, 소자 내부에 갇히게 된다. 그러나, 도 2에 도시된 바와 같이, 측면이 경사면으로 형성된 경우에는 p형 반도체층 표면에서 전반사된 광(L₂)이 경사진 측면에서 반사되고(L₃), 반대편 측면에서 재반사되면서 외부로 추출(L₄)될 수 있기 때문에 광 효율이 향상된다.

또한, 본 발명의 방법을 통해 제조된 질화물 반도체 발광 소자는 경사각이 수평면에 대하여 128°인 역메사 구조를 갖는데, 이 경우, 메사구조를 갖는 발광 소자에 비해 활성층의 면적이 대략 10% 가량 증가하게 된다. 따라서, 활성층에서 발생되는 광량이 증가하며, 그 결과 동일한 사이즈의 칩에서 광 효율이 약 10% 가량 증가하게 된다.

또한, 본 발명의 제조 방법의 경우, 습식 식각을 통해 건식 식각을 통해 손상된 표면을 제거하기 때문에, 플라즈마에 의한 측면 손상을 최소화할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예를 보여주는 도면이다.

도 2는 본 발명의 방법에 의해 제조된 발광 소자의 내부에서의 광 추출 매카니즘을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (15)

1. 기판 상에 제1 도전형 질화물 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계;

   상기 발광구조물에 상기 기판을 노출시키는 홈을 형성하여 상기 발광구조물을 복수의 영역으로 분할하는 단계;

   상기 발광구조물의 각 분할영역 중 상기 홈과 접하는 영역이 상기 기판과 분리되도록 상기 각 분할영역 중 상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계; 및

   상기 각 분할영역의 주위를 따라 경사진 결정면이 형성되도록 상기 기판과의 계면영역으로부터 얻어진 분리된 영역에 습식 식각을 적용하는 단계를 포함하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 발광구조물을 분할하는 단계는, 건식식각공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
3. 제2항에 있어서,

   상기 습식 식각에 의해 형성되는 경사진 결정면은 상기 건식식각이 적용된 손상된 표면이 제거되도록 상기 각 분할영역의 측면을 형성하는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
4. 제2항에 있어서,

   상기 건식식각공정은 반응 이온 식각법, 축전 결합형 플라즈마 식각법, 유도 결합형 플라즈마 식각법 또는 전자 공명 플라즈마 식각법인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 발광구조물을 분할하는 단계는, 상기 발광구조물을 개별 소자크기로 분할하는 단계인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 기판과의 계면영역을 선택적으로 제거하는 단계는, 레이저 조사에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 분할영역 중 상기 기판과 분리된 면은 N 극성면인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
8. 제6항에 있어서,

   상기 제1 도전형 질화물 반도체층의 두께는 상기 제2 도전형 질화물 반도체층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
9. 제6항에 있어서,

   상기 발광구조물을 형성하는 단계는, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층을 성장하기 전에 언도프 질화물 반도체층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서,

    상기 레이저 조사에 의해 제거되는 두께는, 0.1∼3㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
11. 제6항에 있어서,

    상기 레이저 조사에 의해 제거되는 폭은, 상기 홈으로부터 거리가 상기 분할영역의 전체 폭의 5∼30%범위에 해당하는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
12. 제11항에 있어서,

    상기 레이저 조사에 의해 제거되는 폭은, 상기 홈으로부터 거리가 5∼15㎛ 범위에 해당하는 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
13. 제1항에 있어서,

    상기 선택적인 제거에 사용되는 레이저의 출력은, 400∼1200mJ/㎠범위인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
14. 제1항에 있어서,

    상기 습식식각에 의해 형성되는 경사진 결정면은, (10-1-1)인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
15. 제1항에 있어서,

    상기 발광구조물은 Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) 반도체인 것을 특징으로 하는 역메사구조의 질화물 반도체 발광소자 제조방법.

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