KR101084485B1 - 질화갈륨계 반도체 발광소자 - Google Patents

질화갈륨계 반도체 발광소자 Download PDF

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Abstract

광추출효율이 높은 질화갈륨계 반도체 발광소자가 제안된다. 제안된 질화갈륨계 반도체 발광소자는 투명기판, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층이 순차적으로 형성된 투명기판, n-전극 및 p-전극을 포함하는데, n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층이 제거되어 투명기판이 노출되는 광추출부가 형성되어 있다.

Description

질화갈륨계 반도체 발광소자{GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광추출효율이 높은 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광소자(Light emitting device, LED)는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 발광다이오드와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자이다. 이러한 발광소자는 현재 조명이나 표시장치의 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광소자를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, LED를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화, 신뢰성화된 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다.
질화갈륨계 반도체 발광소자의 문제점으로 지적되는 것 중 하나는 낮은 발광 효율이다. 발광 효율은 광의 생성 효율과 소자 밖으로 방출되는 효율에 의하여 결정되는데, 발광소자의 내부양자 효율은 거의 100%에 이르지만, 실제 소자 밖으로 나오는 외부양자 효율은 매우 낮다.
외부양자 효율이 낮은 이유 중의 하나는 생성된 광이 외부로 방출되는 면에 전극이 위치하는 것이다. n형 반도체층 또는 p형 반도체층 상에는 각각 n-전극 및 p-전극이 위치한다. 전극은 외부전원과의 연결을 위한 본딩전극 및 반도체층 상에 전류를 분산시키기 위한 전극라인을 포함하는데, 일반적으로 전도성 및 비용상의 문제로 불투명한 전도성있는 물질을 이용하여 전극을 형성한다.
발광소자 내에서 생성되는 광은 캐리어 주입에 비례할 것이므로, 발광소자는 전극이 형성된 위치에 대응하는 영역에서 빛이 발생한 확률이 높다. 그러나, 불투명한 전극이 광이 진행하는 면에 위치하는 경우, 전극에 의하여 광이 흡수되거나 또는 반사되어 다시 발광소자 내부로 진행할 수 있다.
전극이 위치하지 않는 면으로 진행하는 광의 경우에는 질화갈륨계 반도체층으로부터 공기중으로 진행하면서 굴절률의 차이로 인하여 임계각보다 큰 각도로 진행하면 전반사되어 다시 발광소자 내부로 진행할 수 있다.
발광소자의 표면을 빠져나가지 못한 광은 소자 내부를 이동하다가 열로서 소실될 수 있고, 이는 발광소자의 외부광추출효율을 낮출 뿐만 아니라 발광소자의 열 발생량을 늘려 발광소자의 수명을 단축시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 광추출효율이 높은 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층이 순차적으로 형성된 투명기판; n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층의 일부가 제거되어 n-GaN층이 노출된 영역에 형성된 n-전극; p-GaN층 상에 형성된 p-전극; 및 n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층이 제거되어 투명기판이 노출된 광추출부;를 포함한다.
광추출부는 질화갈륨계 반도체 발광소자의 중심부에 위치할 수 있다.
n-전극 및 p-전극 중 적어도 하나는 폐곡선형 전극이면, 광추출부는 폐곡선 내에 존재하는 것이 바람직하다.
투명기판은 n-GaN층과의 계면에 요철이 형성된 것이 바람직하다.
광추출부의 측면은 경사면일 수 있고, 광추출부의 횡단면은 원형일 수 있다.
본 발명에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 전류흐름이 낮아 발광효율이 낮은 영역의 반도체층을 제거하여 투명기판을 노출시켜 질화갈륨계 반도체 발광소자로부터의 광을 투명기판을 통해 외부로 추출할 수 있어서 광추출효율이 증가되는 효과가 있다.
또한, 중심부의 투명기판으로부터 광을 추출하여 질화갈륨계 반도체 발광소자의 중심부분의 광량이 증가되어 방사각이 좁게되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 2는 도 1의 질화갈륨계 반도체 발광소자의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 다른실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이고, 도 2는 도 1의 질화갈륨계 반도체 발광소자의 평면도이다.
본 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)는 n-GaN층(120), 활성층(130), 및 p-GaN층(140)이 순차적으로 형성된 투명기판(110); n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)의 일부가 제거되어 n-GaN층(120)이 노출된 영역에 형성된 n-전극(150); p-GaN층(140) 상에 형성된 p-전극(160); 및 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)층이 제거되어 투명기판(110)이 노출된 광추출부(170);를 포함한다.
투명기판(110) 상에는 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)이 순차적으로 형성되어 있다. 반도체 발광소자에 사용되는 기판으로는 사파이어 또는 스피넬(MgAl2O4)과 같은 부전도성 기판 또는 SiC, Si, ZnO, GaAs, GaN 및 Ni나 Cu와 같은 금속기판과 같은 전도성 기판이 사용될 수 있는데, 이 중 투명한 기판에는 사파이어 기판, SiC, Si, 및 GaN기판이 있다. 이 중, 반도체층과의 격자상수 일치 및 비용면에서 적절한 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)은 GaN계반도체로서 각각 도핑되는 불순물에 따라 p-GaN층 및 n-GaN층으로 구현될 수 있다. GaN계 반도체층의 형성은 공지의 성막방법, 예를 들면, 예를 들면, 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE)방법, 유기금속 기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 또는 하이드라이드 기상증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)을 이용하여 수행될 수 있다.
n-GaN층(120)의 불순물은 예를 들어, Si, Ge, Se, Te, 및 C 중 선택될 수 있다. 한편, p-GaN층(140)의 불순물은 예를 들어, Mg, Zn 및 Be 중 선택될 수 있다.
활성층(130)은 발광을 활성화시키는 층으로서, n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성하면 에너지 우물이 형성된다. 활성층(130)은 n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)이 GaN계 반도체이므로, GaN계 반도체의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖도록 In 또는 Al 함량이 조절된 InGaN계 화합물 반도체, AlGaN계 화합물 반도체 또는 AlInGaN계 화합물 반도체를 이용할 수 있다.
이 때, 활성층(130)은 그 특성상 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 장벽의 높이나 에너지 우물층의 두께, 조성, 우물의 개수를 조정하여 파장이나 양자효율을 조절할 수 있다. 예를 들어, InGaN계 화합물 반도체 및 AlGaN계 화합물 반도체에서는 In 및 Al의 함량을 조절하여 에너지 우물의 깊이를 조절할 수 있다. 또한, 2종 이상의 활성층 예를 들어, InGaN층 및 AlGaN층을 2 이상 형성하여 다중양자우물구조를 갖도록 할 수 있다.
n전극(150)은 n-GaN층(120)을 외부전원과 연결하기 위한 전극으로서 금속과 같은 전도성 물질을 포함하는데, 예를 들어 Ti를 사용할 수 있다. n전극(150)은 n-GaN층(120)과 전기적으로 연결되도록 n-GaN층(120) 상에 형성될 수 있다. 투명기판(110)이 사파이어 기판과 같은 부전도성 기판인 경우, n-GaN층(120)이 상부로 노출되지 않으므로 도 1에서와 같이 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)의 일부를 제거하여 n-GaN층(120)이 노출된 영역에 n전극(150)을 형성할 수 있다.
p전극(160)은 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에 전원을 공급하기 위하여 외부 전원과 연결되기 위한 전극으로서, 금속과 같은 전도성 물질을 사용할 수 있다. 예를 들면, p전극(160)으로 Pd, Au, Ni 또는 Cr을 사용할 수 있다. p전극(160)은 하나의 층으로 형성되거나, 각 층의 기능을 고려하여 2이상의 층으로 구현될 수 있다. 즉, p전극(160)이 2이상의 층으로 형성되는 경우, 그 중 p-GaN층(140) 측에 형성된 층은 p-GaN층(140)과의 상용성이나 부착성, 전도성등을 고려하여 적절히 선택될 수 있고, 가장 외부에 형성되는 층은 외부전원과의 연결을 위한 와이어링을 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
본 실시예의 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)는 활성층(130) 및 p-GaN층(140)층이 제거되어 투명기판(110)이 노출되어 형성된 광추출부(170)를 포함한다.
활성층(130)에서 발생한 광은 p-GaN층(140)을 통하여 외부로 방출될 수 있고, 또는 p-GaN층(140)에서 반사되어 다시 질화갈륨계 반도체 발광소자(100) 내부로 귀환할 수 있다. 내부로 귀환된 광은 내부에서 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 측면을 통하여 방출되거나 내부에 갇혀 열로서 소실될 수 있다.
질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 발광효율을 높이기 위하여는 p-GaN층(140)을 통하여 외부로 방출되는 광의 비율을 높이거나 내부로 귀환하는 광을 다시 p-GaN층(140)으로 되돌려 보내어 방출시키는 비율을 높이거나 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 측면에서 전반사되지 않고 방출되는 비율을 높여 열로써 소실되는 광량을 최소화하여야 한다. 여기서, 내부로 귀환한 광이 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 측면을 통해 방출될 수 있는데, 이런 경우에는 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 p-GaN층(140)이 위치하는 상면 및 측면 전체를 통해 광이 방출되기 때문에 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 발생하는 광의 방사각이 넓게 된다. 따라서, 동일한 양의 광을 발생시키면 광의 방사각이 넓기 때문에 광이 퍼져보이게 된다.
따라서, 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 광의 방사각을 좁게 하기 위하여는 상면으로 방출되는 광량을 최대화시켜야 한다. 그러나, 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 투명기판(110)의 높이와 n-GaN층(120), 활성층(130), 및 p-GaN층(140) 전체의 높이의 비율은 일반적으로 4:1 이상이다. 즉, 발광을 하는 n-GaN층(120), 활성층(130), 및 p-GaN층(140)의 높이는 투명기판(110)에 비하여 상대적으로 작다. 투명기판(110)이 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 차지하는 비율이 높기 때문에 내부로 귀환된 광이 투명기판(110)의 측면을 통하여 외부로 방출될 비율도 높다.
광추출부(170)는 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 내부에 n-GaN층(120), 활성층(130), 및 p-GaN층(140)이 제거되어 투명기판(110)이 상면으로 노출되도록 한 빈 공간을 의미한다. 광추출부(170)로 인하여 투명기판(110)이 상면으로 노출되기 때문에 도 1에서와 같이 투명기판(110)으로부터 광(화살표로 도시)이 직접적으로 상면으로 진행할 수 있다.
광추출부(170)은 투명기판(110)이 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 상면으로 노출되기만 하면 어떠한 형상으로든 형성될 수 있다. 다만, 광추출부(170)로 인하여 직접 발광에 관련된 활성층(130)이 제거되기 때문에 가능한한 n-전극(150) 및 p-전극(160)의 상호작용으로 인한 전류흐름이 적은 곳에 형성되는 것이 바람직하다. 광추출부(170)의 크기는 광추출부(170)가 형성될 곳의 전류흐름량이나, n-전극(150) 및 p-전극(160)의 상대적 위치 및 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 전체적인 크기 등을 고려하여 선택될 수 있다.
도 2에서, 광추출부(170)는 n-전극(150) 및 p-전극(160) 사이에 위치하고 있다. 특히 광추출부(170)는 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 중심부에 위치한다. 전술한 바와 같이 투명기판(110)을 통하여 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 측면으로 방출되는 광을 감소시키기 위하여는 도 2에서와 같이 광추출부(170)가 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 상면에서 보아 중심부에 위치하는 것이 바람직하다. 중심부에 위치한 광추출부(170)를 통하여 광이 방출되어 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 발생하는 광의 방사각이 좁아진다.
도 2에서, 광추출부(170)는 사각형 형상을 가지나, 이와 달리 원형 또는 삼각형 등 어떠한 형상도 가질 수 있다. 다만, 활성층(130)에서 발생한 광이 광추출부(170)를 통하여 직접 방출될 수 있으므로 광추출부(170)의 형상, 즉 횡단면이 원형인 것이 바람직하다. 이는 광추출부(170)의 횡단면이 사각형이 경우보다 원형인 경우가 광추출부(170)의 측면에서 전반사될 확률이 감소되기 때문이다.
도 3은 본 발명의 다른실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 평면도이다. 도 3에서, p-GaN층(240) 상에 p-전극(260) 및 n-전극(250)이 형성되어 있다. n-전극(250)은 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층이 일부 제거되어 상면으로 노출된 n-GaN층 상에 형성되어 있으나 도시의 편의상 n-GaN층은 생략되었다.
도 3에서, p-전극(260)은 폐곡선형 전극이다. 즉, p-전극(260)은 패드형태의 전극으로부터 전극라인이 연장되어 하나의 폐쇄루프를 형성한다. '폐곡선형'의 의미는 전극이 라인으로 형성되어 하나의 폐쇄된 루프, 즉 폐곡선을 형성하는 것을 의미한다. 이와 달리 n-전극(250)은 폐쇄되어 있지 않고 '오픈'되어 있다. n-전극(250)은 이러한 p-전극(260)을 둘러싸고 있다. p-전극(260)이 폐곡선형 전극이기 때문에 폐쇄루프 내에는 전류가 거의 흐르지 않고 n-전극(250)과의 사이에서 주로 전류가 흐르게 된다. 폐곡선형인 p-전극(260)의 내부에는 전류가 거의 흐르지 않아 p-전극(260) 내부영역의 하부에 위치하는 활성층에서는 직접적인 발광이 일어날 가능성이 작다.
따라서, 도 3에서와 같이 p-전극(260)이 폐곡선형인 경우에는 그 내부에 전류가 거의 흐르지 않기 때문에 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층을 제거하여야 하는 광추출부(270)을 형성하는 것이 바람직하다. 광추출부(270)는 질화갈륨계 반도체 발광소자의 상면 중심부에 위치하면서도 활성층의 유효면적을 최대한 확보할 수 있도록 p-전극(260) 내부에 형성되어 광추출효율을 증가시키게 된다.
도 3에서는 p-전극(260)이 폐곡선형 전극으로 도시되어 있으나, 이와 달리 n-전극이 폐곡선형 전극일 수 있고, 이 경우에는 n-전극의 폐곡선 내부에 광추출부가 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다. 도 4의 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)는 투명기판(310), n-GaN층(320), 활성층(330), p-GaN층(340), n-전극(350), p-전극(360) 및 광추출부(370)를 포함한다. 이하, 도 1 내지 도 3에서 설명한 것은 생략하기로 한다.
도 4의 투명기판(310)은 n-GaN층(320)과의 계면에서 요철(311)이 형성되어 있다. 투명기판(310)의 요철(311)은 예를 들어, 투명기판(310) 상에 사각뿔이나 반구형 마이크로 렌즈를 위치시켜 형성할 수 있다.
광추출부(370)의 하면, 즉 투명기판(310)이 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)의 상면으로 노출되는 영역에 요철(311)이 형성되면, 투명기판(310)에서 상면으로 방출되는 광이 전반사될 확률이 작아져 광추출효율이 높아진다. 따라서, 광추출부(370)로의 광추출이 더욱 용이해져서 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)에서 발생한 광의 방사각이 더욱 좁아지게 된다. 도 4에서는 투명기판(310)과 n-GaN층(320)의 계면 전체에 요철(311)이 형성되어 있으나, 광추출부(370)의 광추출효율을 높이기 위한 것이므로 투명기판(310) 중 광추출부(370)에 해당하는 표면에만 요철이 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다. 도 5의 질화갈륨계 반도체 발광소자(400)는 투명기판(410), n-GaN층(420), 활성층(430), p-GaN층(440), n-전극(450), p-전극(460) 및 광추출부(470)를 포함한다. 이하, 도 1 내지 도 4에서 설명한 것은 생략하기로 한다.
도 5에서, 광추출부(470)의 측면은 경사면(471)이다. 특히 도 5에서 광추출부(470)는 투명기판(410)에서의 너비보다 p-GaN층(440)에서의 너비가 더 넓다. 광추출부(470)의 투명기판(410)에서의 너비가 p-GaN층(440)에서의 너비보다 더 좁으므로, 경사면(471)이 없는 경우보다 활성층(430)의 유효면적이 넓어진다. 따라서, 활성층(430)에서 직접 발광하는 광량은 많아진다.
그러나, 광추출부(470)의 p-GaN층(440)에서의 너비가 넓으므로 질화갈륨계 반도체 발광소자(400)에서 발생하는 광의 방사각은 더 넓게 퍼질 수 있다. 또한, 투명기판(410)이 질화갈륨계 반도체 발광소자(400)의 상면으로 노출되는 영역이 작게 되므로 투명기판(410)을 통하여 방출되는 광량이 작게 되어 투명기판(410)에서 상면으로 방출되는 광이 작아지게 된다.
이와 반대로, 만약 광추출부의 투명기판에서의 너비보다 p-GaN층에서의 너비가 좁은 경우, 투명기판을 통하여 방출되는 광량이 많게되어 질화갈륨계 반도체 발광소자의 상면으로 진행하는 광이 많다. 다만, 진행하는 광의 입구인 p-GaN층에서의 너비가 좁게 되므로 진행하던 광이 상면으로 추출되지 못하고, 다시 광추출부 내부로 진행할 수도 있다.
따라서, 광추출부의 측면이 경사가 있는 경우, 활성층의 유효면적은 넓어지게 되므로 가능한한 활성층의 유효면적을 넓힐 필요가 있는 소면적 질화갈륨계 반도체 발광소자에서는 광추출부의 측면에 경사를 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
100, 300, 400 질화갈륨계 반도체 발광소자
110, 310, 410 투명기판
120, 320, 420 n-GaN층
130, 330, 430 활성층
140, 240, 340, 440 p-GaN층
150, 250, 350, 450 n-전극
160, 260, 360, 460 p-전극
170, 270, 370, 470 광추출부
311 요철
471 경사면

Claims (6)

  1. n-GaN층, 활성층 및 p-GaN층이 순차적으로 형성된 투명기판;
    상기 n-GaN층, 상기 활성층 및 상기 p-GaN층의 일부가 제거되어 상기 n-GaN층이 노출된 영역에 형성된 n-전극;
    상기 p-GaN층 상에 형성된 p-전극; 및
    상기 투명기판 및 상기 n-GaN층의 계면의 내부에, 상기 n-GaN층, 상기 활성층 및 상기 p-GaN층이 제거되어 상기 투명기판이 노출되어 형성된 광추출부;를 포함하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 광추출부는 상기 질화갈륨계 반도체 발광소자의 중심부에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 n-전극 및 상기 p-전극 중 적어도 하나는 폐곡선형 전극이고,
    상기 광추출부는 상기 폐곡선 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 투명기판은 상기 n-GaN층과의 계면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 광추출부의 측면은 경사면인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 광추출부의 횡단면은 원형인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
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