KR100781660B1 - 발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판과, 기판위의 어느 한 영역에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 발광셀과, 발광셀에 형성된 전극과, 발광셀로부터 이격되어 기판위의 다른 영역에 형성되며, 기판 또는 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층 중 적어도 하나의 층을 통해 발광셀로부터 발생된 광을 내부적으로 전달받아 외부로 방출하는 발광띠를 포함하는 발광 소자를 제공한다.

본 발명에 의하면, 발광셀로부터 하부 반도체층을 통해 전달된 광을 내부 반사시키지 않고 외부로 방출시킴으로써 하부 반도체층내에서 내부 반사에 의해 발생될 수 있는 내부 광손실을 감소시켜 광추출 효율을 개선할 수 있다.

발광 다이오드, 반도체층, 포토레지스트, 발광셀, 발광띠, 요철

Description

발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DEVICE HAVING LIGHT EMITTING BAND AND THE METHOD THEREFOR}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도,

도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들.

본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광셀에서 생성된 광을 내부적으로 전달받아 외부로 방출하는 발광띠를 구비한 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드가 약 10년 동안 적용되고 개발되어 왔다. GaN 계열의 LED는 LED 기술을 상당히 변화시켰으며, 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다.

최근, 고효율 백색 LED는 형광 램프를 대체할 것으로 기대되고 있으며, 특히 백색 LED의 효율(efficiency)은 통상의 형광램프의 효율에 유사한 수준에 도달하고 있다. 그러나, LED효율은 더욱 개선될 여지가 있으며, 따라서 지속적인 효율 개선이 더욱 요구되고 있다.

LED 효율을 개선하기 위해 두 가지의 주요한 접근이 시도되고 있다. 첫째는 결정질(crystal quality) 및 에피층 구조에 의해 결정되는 내부 양자 효율(interna quantum efficiency)을 증가시키는 것이고, 둘째는 광추출 효율(light extraction efficiency)을 증가시키는 것이다.

내부 양자 효율은 현재 70~80%에 이르고 있어 개선의 여지가 많지 않으나, 광추출 효율은 개선의 여지가 많다. 광추출 효율 개선은, 내부 반사에 의한 내부 광손실을 제거하는 것이 주요한 과제가 되고 있다.

발광소자의 외부양자효율을 높이기 위하여 다양한 시도들이 이루어지고 있으며, 이들 중의 하나로 발광소자의 노출된 표면을 거칠게 하는 방법들이 제시되고 있다.

GaAs계 발광소자에 관한 미국특허 제6,504,180호는 발광소자의 노출된 표면의 적어도 일부를 거칠게 하여 외부양자효율을 높이는 기술이 개시하고 있다. GaAs 계 발광소자의 노출된 표면 중 원하는 부분을 자유롭게 거칠게 할 수 있는 이유는 GaAs가 가공이 용이한 물질특성을 가지기 때문이다.

그러나, GaN계 발광소자는 GaAs계 발광소자와 달리 노출된 표면의 가공에 있어 많은 제약을 가지며, 이러한 제약으로는 n형 층에 사파이어와 같은 기판이 구비되어 n형 층의 가공이 불가능하다는 것, p형 GaN층의 경우에 가공을 위해서는 두껍게 성장될 필요가 있는데, 두꺼운 p형 GaN층의 성장은 결정결함의 증가를 야기한다는 것 등을 들 수 있다. 따라서, GaAs계 발광소자에 적용된 기술을 GaN계 발광소자에 특단의 노력 없이 도입하기는 어려운 일이며, GaN계 발광소자의 노출된 표면을 거칠게 하여 외부양자효율을 높이기 위해서는 GaN계 발광소자 자체의 이해에 기반한 접근이 필요하다 하겠다.

나아가, 미국특허 제6,504,180호는 노출된 표면을 거칠게 하기 위하여 폴리스티렌 스피어(polystyrene spheres)를 마스크로 이용하고 있으나, 폴리스티렌 스피어를 마스크로 이용한 식각기술은 GaN계 발광소자에 적용되기 어려운 기술이다.

GaN계 발광소자에 관한 미국특허 제6,441,403호는 활성층 위에 에피성장된 p형 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N층 또는 활성층위에 에피성장된 n형 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N층에 roughed surface가 형성된 발광소자를 개시하고 있다. 이러한 구성은 활성층 아래에 n형 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N층이 놓이는 종래의 발광소자의 구조에서 n형 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N층 위에 roughened surface를 형성하는 것이 쉽지 않음을 보여준다.

또한 대한민국 특허공개 10-2006-18989호에는 발광소자의 노출된 표면을 거 칠게 하기 위하여 금속층을 형성한 후 어닐링하여 금속층들이 미세한 알갱이들로 뭉치게 하여, 그 뭉친 알갱이들을 식각 마스크로 사용하여 건식식각을 함으로써 발광 소자의 노출된 표면을 거칠게 하고 있다.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 기술에서는 발광소자의 노출된 표면을 거칠게 하기 위한 별도의 공정들이 증가함에 따라 제조공정이 복잡해지는 단점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광소자에서 내부 반사에 의한 내부 광손실을 줄이기 위해 발광소자의 노출된 표면에 별도의 표면 처리를 수행하지 않고도 노출된 표면에서의 광추출 효율을 개선할 수 있는 발광소자를 제작하게 하는 데 있다.

이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 기판과, 기판위의 어느 한 영역에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 발광셀과, 발광셀에 형성된 전극과, 발광셀로부터 이격되어 기판위의 다른 영역에 형성되며, 기판 또는 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층 중 적어도 하나의 층을 통해 발광셀로부터 발생된 광을 내부적으로 전달받아 외부로 방출하는 발광띠를 포함하는 발광띠를 구비한 발광 소자를 제공한다.

발광띠는 발광셀과 동일 기판상에 형성되어 기판 또는 기판위에 형성된 층을 통하여 발광셀로부터 발생된 광을 전달받을 수 있다.

발광띠는, 발광셀에서 동일한 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

발광띠는 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것일 수 있다.

발광띠는 수직 단면이 삼각형 형상인 것일 수 있다.

발광셀은, 그 측벽들이 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것일 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판위에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 차례대로 적층하는 제 1 단계와, 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 적층된 어느 한 영역에 발광띠를 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 상부 반도체층위에 형성하는 제 2 단계와, 포토레지스트 패턴에 의해 하부 반도체의 일부 또는 기판을 노출시키는 제 3 단계와, 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 4 단계를 포함하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법을 제공한다.

제 2 단계는, 발광셀 및 상기 발광띠가 형성될 영역을 한정하기 위한 포토레지트 패턴을 상기 상부 반도체층위에 형성하되, 상기 발광셀은 상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 기판의 어느 한 영역에 형성되고, 상기 발광띠는 상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 발광셀로부터 이격되어 상기 기판의 다른 영역에 형성되는 것을 특징으로 한다.

제 3 단계는, 발광띠가 발광셀로부터 연장되어 형성되도록 포토레지스트 패턴에 의해 상부 반도체층, 활성층, 하부 반도체층을 식각하여 하부 반도체의 일부 또는 기판을 노출시킬 수 있다.

포토레지스트 패턴은 발광띠가 기판위에 발광셀을 둘러싸서 형성되도록 패터닝된 것일 수 있다.

포토레지스트 패턴은 발광띠가 식각에 의해 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지도록 하기 위한 형상을 가지는 것일 수 있다.

포토레지스트 패턴은 발광띠가 식각에 의해 그 수직 단면이 삼각형 형상으로 되게 하기 위한 형상을 가지는 것일 수 있다.

포토레지스트 패턴은 발광셀의 측벽들이 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지게 하기 위한 형상을 가지는 것일 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다.

따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.

도 1을 참조하면, 중앙에 발광셀(56)이 위치하고 발광셀(56)의 둘레로 이격되어 발광띠(60)가 위치하고 있다. 여기서 띠(band)는 발광셀(56)을 띠모양으로 둘 러싸고 있는 형상에 의하여 명명한 것이다. 도면에서는 발광띠(60)가 폐곡선으로 표시되어 있지만, 폐곡선에 한정되지는 않으며 발광셀(56)를 둘러싸는 형상으로 위치하면 된다. 발광띠(60)에서는 발광효율을 높이기 위해서는 발광띠(60)는 폐곡선으로 형성됨이 바람직하다.

그러나, 전극 형성을 위해 발광띠(60)의 일부분이 개방된 형상으로 구현될 수 도 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 단일 기판(51)위에 발광셀(56)이 위치하고, 발광셀(56)의 둘레에 발광띠(60)가 이격되어 위치한다. 기판(51)은 절연 또는 도전성 기판일 수 있으며, 예컨대 사파이어 또는 탄화실리콘(SiC) 기판일 수 있다.

발광셀(56)은 하부 반도체층(55)과, 하부 반도체층(55)의 일영역위에 위치하는 상부 반도체층(59) 및 하부 반도체층(55)과 상부 반도체층(59) 사이에 개재된 활성층(57)을 포함한다. 여기서, 하부 반도체층(55) 및 상부 반도체층(59)은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다.

발광띠(60)는 발광셀(56)의 각 층이 기판(51)위에 형성될 때 기판(51)위에 함께 형성됨에 따라 발광셀(56)과 동일한 적층구조를 가지고 있다.

발광띠(60)는 그 수직 단면 구조가 위로 올라갈수록 좁아지는 삼각형 형상을 가지고 있다. 발광띠(60)의 수직 단면 형상은 여러가지 형태를 가질 수 있으나 발광효율을 높이기 위해서는 상부 반도체층(50)을 밑변으로 하는 삼각형 수직 단면 형상이 가장 바람직하다.

하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 활성층(57)은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정되며, 하부 반도체층(55) 및 상부 반도체층(59)은 활성층(57)에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성된다.

하부 반도체층(55) 및/또는 상부 반도체층(59)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(57)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다.

한편, 발광셀(56) 및 발광띠(60)와 기판(51) 사이에 버퍼층(53)이 개재될 수 있다. 버퍼층(53)은 기판(51)과 그 위에 형성될 하부 반도체층(55)의 격자부정합을 완화시키기 위해 채택된다. 버퍼층(53)은, 도시한 바와 같이 연속적일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하부 반도체층(55) 아래에 한정되어 위치할 수 있다.

단일 기판위에 형성된 발광셀(56)과 발광띠(60)에 의한 발광 효율 개선의 원리를 설명하도록 한다.

발광셀(56)에 형성된 전극을 통해 전류가 공급되면 활성층(57)의 양자웰에서 발광이 이루어진다. 활성층(57)에서 생성된 광은 상부 반도체층(59)을 통하여 외부로 방출된다.

또한, 활성층(57)으로 부터 생성된 광중에서 하부 반도체층(55)쪽으로 방출되는 광은 발광띠(60)를 통하여 외부로 방출되어 진다.

이때, 발광띠(60)는 그 수직 단면이 삼각형 형상으로 되어 있음에 따라 활성층(57)으로부터 생성되어 하부 반도체층으로 유입된 광은 하부 반도체층(55)의 표면에서 전반사되다가 발광띠(60)의 표면에 이르게 되면 더 이상 전반사되지 않고 발광띠(60)의 표면에서 밖으로 방출된다.

이와 같이 삼각형 형상의 수직 단면을 가지고 있는 발광띠를 통해 하부 반도체층(55)에서 전반사되던 광을 외부로 방출시킬 수 있음에 따라 하부 반도체층(55)내에서 전반사에 의해 광손실을 감소시킬수 있어 광추출 효율이 개선된다.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이고, 도 4 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광띠를 구비한 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판을 준비한다(S1).

기판(51)은 사파이어(Al₂O₃), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 스피넬(spinel), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 리튬-알루미나(LiAl₂O₃), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 산화아연(ZNO) 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(51) 상에 형성될 반도체층의 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다.

기판(51)상에 하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)을 형성한다(S2). 하부 반도체층(55)을 형성하기 전에 기판(51)과 하부 반도체층(55)사이에 버퍼층(53)을 형성할 수 도 있다.

버퍼층(53)은 기판(51)과 그 위에 형성될 반도체층(55)의 격자부정합을 완화하기 위해 형성되며, 예컨대 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 기판(51)이 도전성 기판인 경우, 버퍼층(53)은 절연층 또는 반절연층으로 형성되는 것이 바람직하며, AlN 또는 반절연 GaN로 형성될 수 있다.

하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (B, Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 하부 및 상부 반도체층(55, 59) 및 활성층(57)은 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(molecular beam epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 기술 등을 사용하여 단속적으로 또는 연속적으로 성장될 수 있다.

여기서, 하부 및 상부 반도체층은 각각 n형 및 p형, 또는 p형 및 n형이다. 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에서, n형 반도체층은 불순물로 예컨대 실리콘(Si)을 도핑하여 형성될 수 있으며, p형 반도체층은 불순물로 예컨대 마그네슘(Mg)을 도핑하여 형성될 수 있다.

도 3 및 도 5를 참조하면, 상부 반도체층(59)상에 발광셀 영역과 발광띠 영역을 한정하는 메사 패터닝 작업을 위해 포토레지스트 패턴들(63, 64)을 형성한다(S3). 포토레지스트 패턴(63, 64)들은 발광셀 영역 및 발광띠 영역들을 덮도록 형성된다.

이때, 포토레지스트 패턴(63)은 발광셀의 측벽들이 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지게 하기 위한 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.

이를 위해서는 직각의 측벽을 가지는 포토레지스트 패턴을 형성한 다음 리플로우(reflow) 공정을 통해 포토레지스트 패턴(63)의 측벽을 기판 상부에 대하여 경사지도록 형성한다.

이렇게 하면, 경사진 측벽을 가지는 포토레지스트 패턴(63)이 발광셀에 전사되어 발광셀의 측벽이 기판 상부에 대하여 경사지게 형성된다. 발광셀의 측벽이 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지게 되면 그 경사면을 통해 광추출 효율을 좀더 높일 수 있다.

포토레지스트 패턴(64)은 발광띠가 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지도록 하기 위한 형상으로 형성된다.

이를 위해서는 직각의 측벽을 가지는 포토레지스트 패턴을 형성한 다음 리플로우(reflow) 공정을 통해 포토레지스트 패턴(64)의 측벽이 기판 상부에 대하여 경사지게 형성한다. 이러한 공정을 통해 발광띠 영역을 한정하기 위한 포토레지스트 패턴(64)은 수직 단면이 삼각형 형상을 가지게 된다.

수직 단면이 삼각형 형상으로 측벽이 경사진 포토레지스트 패턴(64)을 이용하여 식각을 수행함에 따라 포토레지스트 패턴(64)의 경사진 형상이 발광띠 영역에 전사되어 발광띠는 그 측벽이 기판 상부에 대하여 경사지게 형성된다.

도 3 및 도 6을 참조하면, 전극을 형성하기 위한 하부 반도체층(55)을 노출시키기 위한 메사 에칭을 통해 하부 반도체층(55)을 노출시킨다(S4).

즉, 포토레지스트 패턴들(63, 64)을 식각마스크로 사용하여 상부 반도체층(59), 활성층(57) 및 하부 반도체층(55)의 일부를 차례로 식각하여 하부 반도체 층(55)이 노출되게 한다(S4).

이에 따라, 포토레지스트 패턴들(63,64)의 형상이 반도체층들(59, 57, 55)에 전사되어 발광셀 영역과 발광띠 영역들이 분리된다. 이때, 노출된 하부 반도체층(55)은 과식각에 의해 부분적으로 식각될 수 있다.

그 후, 포토레지스트 패턴들(63,64)을 제거하면 단일 기판(51) 상에 서로 이격된 발광셀(56)과 발광띠(63)가 형성된다(S5).

발광셀(56)과 발광띠(63) 각각은 식각되어 서로 이격된 하부 반도체층(56), 하부 반도체층(56)의 상부에 위치하는 상부 반도체층(57) 및 하부 반도체층(55)과 상부 반도체층(57) 사이에 개재된 활성층(57)을 포함하고, 하부 반도체층(56)의 일부 영역은 노출된다.

이후, 발광셀(56)의 상부 반도체층(59) 상에 투명전극층(65)을 형성한다(S6). 투명전극층(65)은 인디움 틴 산화막(ITO) 또는 Ni/Au와 같은 투명금속으로 형성된다.

또한, 하부 반도체층(55)의 노출된 영역에 전극패드(67)를 형성한다(S7). 전극패드(67)는 하부 반도체층(55)에 오믹콘택된다.

투명전극층(65)은 포토레지스트 패턴들(63)을 형성하기 전, 상부 반도체층(59) 상에 형성될 수도 있다. 이때, 투명전극층(65)은 상부 반도체층과 함께 패터닝된다. 그 결과 도 3의 발광소자가 완성된다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

예를 들어, 본 발명의 일실시예에서는 발광셀 둘레에 하나의 발광띠가 형성된 것을 보여주고 있지만, 발광띠의 개수가 여러개 형성될 수 도 있다.

본 발명에 의하면, 기판위에 형성된 발광셀과 그 발광셀을 둘러싸서 발광셀로부터 생성된 광을 외부로 방출시키는 발광띠를 가지는 발광 소자가 제작될 수 있다.

발광띠는 삼각형 형상의 수직 단면을 가지고 있음에 따라 발광셀로부터 하부 반도체층을 통해 전달된 광을 내부 반사시키지 않고 외부로 방출시킴으로써 하부 반도체층내에서 내부 반사에 의해 발생될 수 있는 내부 광손실을 감소시켜 광추출 효율을 개선할 수 있다.

즉, 발광띠를 통해 방출되는 광은 만약에 발광띠가 형성되어 있지 않았다면 해당 발광소자내에서 그대로 손실되는 광에 해당한다. 이와 같이 발광소자내에서 손실될 수 있는 광을 외부로 방출시킴에 따라 광추출 효율을 높일 수 있는 것이다.

또한, 종래의 기술에서는 발광 소자의 노출된 표면을 거칠게 하기 위해 별도의 공정이 필요했던 반면에 본 발명에서는 전극을 형성할 하부 반도체층을 노출시키기 위한 메사 에칭 공정에서 포토레지스트 패턴을 형성할 때 발광띠 영역에 대한 패턴을 형성하고, 메사 에칭을 수행하면 발광셀 주위에 발광띠가 형성됨에 따라 발광띠를 형성하기 위한 별도의 공정이 전혀 추가되지 않으면서도 광추출 효율을 높일 수 있게 된다.

Claims (14)

1. 기판과,

   상기 기판위의 어느 한 영역에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 발광셀과,

   상기 발광셀에 형성된 전극과,

   상기 발광셀로부터 이격되어 상기 기판위의 다른 영역에 형성되며, 상기 기판 또는 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층 중 적어도 하나의 층을 통해 상기 발광셀로부터 발생된 광을 내부적으로 전달받아 외부로 방출하는 발광띠를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광띠는 상기 발광셀과 동일 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광띠는 상기 기판위에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광띠는, 상기 발광셀에서 동일한 간격으로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광띠는 상기 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
6. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광띠는 수직 단면이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
7. 청구항 1에 있어서, 상기 발광셀은,

   그 측벽들이 상기 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
8. 기판위에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 차례대로 적층하는 제 1 단계와,

   상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 적층된 어느 한 영역에 발광띠를 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 상기 상부 반도체층위에 형성하는 제 2 단계와,

   상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 하부 반도체의 일부 또는 상기 기판을 노출시키는 제 3 단계와,

   상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 4 단계를 포함하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
9. 청구항 8에 있어서, 상기 제 2 단계는,

   발광셀 및 상기 발광띠가 형성될 영역을 한정하기 위한 포토레지트 패턴을 상기 상부 반도체층위에 형성하되,

   상기 발광셀은 상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 기판의 어느 한 영역에 형성되고,

   상기 발광띠는 상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 발광셀로부터 이격되어 상기 기판의 다른 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
10. 청구항 9에 있어서, 상기 제 3 단계는,

    상기 발광띠가 상기 발광셀로부터 연장되어 형성되도록 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 상부 반도체층, 활성층, 하부 반도체층을 식각하여 상기 하부 반도체의 일부 또는 상기 기판을 노출시키는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
11. 청구항 9에 있어서,

    상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 기판위에 상기 발광셀을 둘러싸서 형성되도록 패터닝된 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
12. 청구항 8에 있어서,

    상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 식각에 의해 상기 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지도록 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
13. 청구항 12에 있어서,

    상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 식각에 의해 그 수직 단면이 삼각형 형상으로 되게 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
14. 청구항 9에 있어서,

    상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광셀의 측벽들이 상기 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지게 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.

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