KR20070111658A - 발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 기판과,상기 기판위의 어느 한 영역에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 발광셀과,상기 발광셀에 형성된 전극과,상기 발광셀로부터 이격되어 상기 기판위의 다른 영역에 적어도 하나 이상 형성되며, 상기 기판 또는 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층 중 적어도 하나의 층을 통해 상기 발광셀로부터 발생된 광을 내부적으로 전달받아 외부로 방출하는 발광띠를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광띠는 상기 발광셀과 동일 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광띠는 상기 기판위에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층이 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광띠는, 상기 발광셀에서 동일한 간격으로 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광띠는 상기 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서,상기 발광띠는 수직 단면이 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 발광셀은,그 측벽들이 상기 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자.
- 기판위에 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층을 차례대로 적층하는 제 1 단계와,상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 적층된 어느 한 영역에 발광띠를 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 상기 상부 반도체층위에 형성하는 제 2 단계와,상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 하부 반도체의 일부 또는 상기 기판을 노출시키는 제 3 단계와,상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 제 4 단계를 포함하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 제 2 단계는,상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 기판의 어느 한 영역에 형성될 발광셀의 영역과, 상기 하부 반도체층, 활성층, 상부 반도체층으로 이루어져 상기 발광셀로부터 이격되어 상기 기판의 다른 영역에 형성될 발광띠의 영역을 한정하기 위한 포토레지스트 패턴을 상기 상부 반도체층위에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 제 3 단계는,상기 발광띠가 상기 발광셀로부터 연장되어 형성되도록 상기 포토레지스트 패턴에 의해 상기 상부 반도체층, 활성층, 하부 반도체층을 식각하여 상기 하부 반도체의 일부 또는 상기 기판을 노출시키는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광소자 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 기판위에 상기 발광셀을 둘러싸서 형성되도록 패터닝된 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 식각에 의해 상기 기판의 상부면에 대하여 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지도록 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
- 청구항 12에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광띠가 상기 식각에 의해 그 수직 단면이 삼각형 형상으로 되게 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 상기 발광셀의 측벽들이 상기 기판의 상부면에 대해 경사지게 형성되어 위로 갈수록 폭이 좁아지게 하기 위한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광띠를 구비한 발광 소자 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060044733A KR100781660B1 (ko) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060044733A KR100781660B1 (ko) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070111658A true KR20070111658A (ko) | 2007-11-22 |
KR100781660B1 KR100781660B1 (ko) | 2007-12-05 |
Family
ID=39090428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20060044733A KR100781660B1 (ko) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | 발광띠를 구비한 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100781660B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009136769A3 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-03-11 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101084485B1 (ko) | 2011-06-21 | 2011-11-21 | (주)더리즈 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100598155B1 (ko) * | 2004-03-17 | 2006-07-07 | (주)옵토웨이 | 무반사 처리된 고효율 발광 다이오드 소자 |
-
2006
- 2006-05-18 KR KR20060044733A patent/KR100781660B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009136769A3 (ko) * | 2008-05-08 | 2010-03-11 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 소자 |
US8013353B2 (en) | 2008-05-08 | 2011-09-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
CN101861662B (zh) * | 2008-05-08 | 2012-06-13 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
US8395174B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-03-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light-emitting element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100781660B1 (ko) | 2007-12-05 |
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