JP2012079720A - Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】凹凸の深さが1〜2μmのc面サファイア基板10上に、バッファ層11を介してSiドープのGaNからなる埋め込み層12を形成する。この埋め込み層12によって凹凸を埋め込み、平坦な表面にする。埋め込み層12の成長温度は、その後に埋め込み層12上に形成するn型層13の成長温度(1000〜1200℃)よりも20〜80℃低い温度とする。これにより、縦方向成長が促進されるため、大きなピットの発生が抑制される。
【選択図】図1
Description
11:バッファ層
12:埋め込み層
13:n型層
14:発光層
15:p型層
16:透明電極
17:n電極
18:p電極
19:凸部
Claims (6)
- 凹凸加工されたc面を主面とするサファイア基板上に、バッファ層を介してIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層を順に積層するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記サファイア基板の凹凸の深さを1〜2μmとし、
前記バッファ層上に、III 族窒化物半導体からなり、前記凹凸を埋め込んで表面を平坦化する埋め込み層を、前記n型層形成時の温度よりも20〜80℃低い温度で形成し、
前記埋め込み層上に、前記n型層を1000〜1200℃の温度で形成する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記埋め込み層には、Siをドープすることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記埋め込み層のSi濃度は、1×1017〜1×1020/cm3 であることを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記埋め込み層の厚さは、1〜3μmとすることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記サファイア基板の凹凸側面の傾斜角度は、40〜80°とすることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記バッファ層は、AlNであることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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