JP5434872B2 - Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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11:バッファ層
12:埋め込み層
13:n型層
14:発光層
15:p型層
16:透明電極
17:n電極
18:p電極
19:凸部
Claims (2)
- 凹凸加工されたc面を主面とするサファイア基板上に、バッファ層を介してIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層を順に積層するIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記サファイア基板の前記凹凸は、前記主面上に形成された角錐台又は円錐台形状の凸部であって、高さが1.2〜2μmとし、前記主面に対する側面の傾斜角度が40〜80°、間隔が2〜8μmの周期的に配列されたドット状の凸部を有し、
前記バッファ層上に、Siが、濃度、1×10 17 〜1×10 20 /cm 3 にドープされたGaNからなり、前記凹凸を埋め込んで表面を平坦化する、前記凸部の上面から前記表面までの厚さが1〜3μmの埋め込み層を、前記n型層形成時の温度よりも20〜80℃低い温度で形成して、前記埋め込み層の縦方向成長を促進することにより、前記n型層において転位の集中による大きなピットの発生を抑制し、
前記埋め込み層上に、前記n型層を1000〜1200℃の温度で形成する、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記バッファ層は、AlNであることを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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