JP2013539419A - ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード - Google Patents
ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013539419A JP2013539419A JP2013521726A JP2013521726A JP2013539419A JP 2013539419 A JP2013539419 A JP 2013539419A JP 2013521726 A JP2013521726 A JP 2013521726A JP 2013521726 A JP2013521726 A JP 2013521726A JP 2013539419 A JP2013539419 A JP 2013539419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting diode
- manufacturing
- nanoimprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Abstract
本発明による発光ダイオードの製造方法は、仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップと、p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、p型電極上に導電性基板を形成するステップ、仮基板を除去して、n型窒化物半導体層を露出させるステップと、n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、ナノインプリントモールドをナノインプリントレジスト層に加圧し、ナノパターンをナノインプリントレジスト層に転写するステップと、ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層からナノインプリントモールドを分離するステップと、ナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてn型電極を形成するステップと、を含んで構成される。
本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。
Description
また、本発明は、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードを提供することを技術的課題とする。
さらに、本発明は、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供することを技術的課題とする。
本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさと前記乾式エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節して、前記半球状のナノパターンの大きさを調節することを特徴とする。
Claims (17)
- ナノインプリントモールドの製造方法において、
半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップ;
前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップ;
前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップ;及び、
前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップを含む、ナノインプリントモールドの製造方法。 - 前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさと前記乾式エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節して、前記半球状のナノパターンの大きさを調節することを特徴とする、請求項1に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
- 前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、100nm以上2000nm以下であることを特徴とする、請求項2に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
- 前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、互いに異なることを特徴とする、請求項2に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
- 発光ダイオードの製造方法において、
仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;
前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップ;
前記p型電極上に導電性基板を形成するステップ;
前記仮基板を除去して、前記n型窒化物半導体層を露出させるステップ;
前記n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;
請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、n型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。 - さらに、前記n型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第1の屈折率調節層と第2の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第1の屈折率調節層は、前記n型窒化物半導体層上に形成され、前記第1の屈折率調節層の屈折率は、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、
前記第2の屈折率調節層は、前記第1の屈折率調節層上に形成され、前記第2の屈折率調節層の屈折率は、前記第1の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記第1の屈折率調節層は、ZnO、Al−doped ZnO、In−doped ZnO、Ga−doped ZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX及びITOからなる群より選択された1種以上を含むことを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2の屈折率調節層は、MgO系酸化物であることを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2の屈折率調節層を構成するMgO系酸化物は、MgOに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記n型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記n型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項5乃至12のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 発光ダイオードの製造方法において、
入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;
前記p型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記n型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記n型窒化物半導体層の一部を露出させるステップ;
前記p型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップ;
前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;
請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてp型電極を形成し、前記n型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。 - 前記透明電極が、ITOであることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記p型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項14乃至16のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100139089A KR101215299B1 (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
KR10-2010-0139089 | 2010-12-30 | ||
PCT/KR2011/008157 WO2012091270A1 (ko) | 2010-12-30 | 2011-10-28 | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013539419A true JP2013539419A (ja) | 2013-10-24 |
JP5632081B2 JP5632081B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=46383315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013521726A Expired - Fee Related JP5632081B2 (ja) | 2010-12-30 | 2011-10-28 | ナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8957449B2 (ja) |
EP (1) | EP2660036A4 (ja) |
JP (1) | JP5632081B2 (ja) |
KR (1) | KR101215299B1 (ja) |
CN (1) | CN103097113B (ja) |
WO (1) | WO2012091270A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017514164A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-01 | イントリー株式会社Intree Co., Ltd. | ナノ構造のパターンを備えた光透過性導電体を製造するためのフォトマスク及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140100115A (ko) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
CN104241455A (zh) * | 2013-06-11 | 2014-12-24 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led芯片及其制造方法 |
KR101535852B1 (ko) * | 2014-02-11 | 2015-07-13 | 포항공과대학교 산학협력단 | 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드 |
KR20160092635A (ko) | 2015-01-28 | 2016-08-05 | 포항공과대학교 산학협력단 | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
CN111933769B (zh) * | 2020-08-19 | 2023-04-07 | 广东技术师范大学 | 一种周期性的折射率分层渐变的纳米结构led的制备方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268601A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
WO2006112680A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Theleds Co., Ltd. | Light emitting element and a manufacturing method thereof |
JP2007019318A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2007193249A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成形部品の製造方法 |
KR100762004B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-09-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 발광 다이오드 소자의 제조방법 |
JP2008168610A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノ構造体を有する光学素子用成形型、ナノ構造体用成形型、その製造方法および光学素子 |
JP2008294306A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2010044368A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-02-25 | Skc Haas Display Films Co Ltd | 光方向変換物品 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1510765A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-07-07 | 炬鑫科技股份有限公司 | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 |
TWM277111U (en) * | 2004-06-18 | 2005-10-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | Vertical electrode structure for white-light LED |
KR20070063731A (ko) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 나노 패턴이 형성된 기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한발광소자 |
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100798863B1 (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-29 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
WO2008001670A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Oji Paper Co., Ltd. | Masque de gravure de film monoparticulaire et son procédé de production, procédé de production d'une structure fine avec un masque de gravure de film monoparticulaire et structure fine obtenue à l'aide du procédé de production |
US7745843B2 (en) * | 2006-09-26 | 2010-06-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
US8128393B2 (en) * | 2006-12-04 | 2012-03-06 | Liquidia Technologies, Inc. | Methods and materials for fabricating laminate nanomolds and nanoparticles therefrom |
KR100843342B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | Uv 나노 임프린트 리소그래피 수행 공정 및 장치 |
TWI462324B (zh) * | 2007-05-18 | 2014-11-21 | Delta Electronics Inc | 發光二極體裝置及其製造方法 |
TWI363435B (en) * | 2007-09-13 | 2012-05-01 | Delta Electronics Inc | Light-emitting diode apparatus and its manufacturing method |
CN101442090B (zh) * | 2007-11-21 | 2010-09-15 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管及其制造方法 |
TW200929601A (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Epistar Corp | Semiconductor device |
KR20090076327A (ko) | 2008-01-08 | 2009-07-13 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 공정을 위한 스탬프 및 이를 이용한 발광소자 제조방법 |
KR101481665B1 (ko) * | 2008-06-24 | 2015-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
KR100957570B1 (ko) | 2008-07-25 | 2010-05-11 | 이헌 | 고효율 발광 다이오드용 기판의 제조방법 |
KR20100043541A (ko) * | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 삼성전자주식회사 | 나노 임프린트용 몰드 제조방법 및 이를 이용한 광결정 제조방법 |
CN101900936A (zh) * | 2009-05-26 | 2010-12-01 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 压印模具及其制作方法 |
TW201121100A (en) * | 2009-06-09 | 2011-06-16 | Sinmat Inc | High light extraction efficiency solid state light sources |
CN101740702A (zh) * | 2009-12-02 | 2010-06-16 | 武汉华灿光电有限公司 | 基于ZnO纳米球的GaN基发光二极管表面粗化方法 |
-
2010
- 2010-12-30 KR KR1020100139089A patent/KR101215299B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-10-28 JP JP2013521726A patent/JP5632081B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 US US13/812,517 patent/US8957449B2/en active Active
- 2011-10-28 CN CN201180037337.4A patent/CN103097113B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-10-28 EP EP11854018.6A patent/EP2660036A4/en not_active Withdrawn
- 2011-10-28 WO PCT/KR2011/008157 patent/WO2012091270A1/ko active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005268601A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
WO2006112680A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Theleds Co., Ltd. | Light emitting element and a manufacturing method thereof |
JP2007019318A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2007193249A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成形部品の製造方法 |
KR100762004B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-09-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 발광 다이오드 소자의 제조방법 |
JP2008168610A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-07-24 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノ構造体を有する光学素子用成形型、ナノ構造体用成形型、その製造方法および光学素子 |
JP2008294306A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2010044368A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-02-25 | Skc Haas Display Films Co Ltd | 光方向変換物品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017514164A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-01 | イントリー株式会社Intree Co., Ltd. | ナノ構造のパターンを備えた光透過性導電体を製造するためのフォトマスク及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5632081B2 (ja) | 2014-11-26 |
EP2660036A1 (en) | 2013-11-06 |
KR101215299B1 (ko) | 2012-12-26 |
WO2012091270A1 (ko) | 2012-07-05 |
US8957449B2 (en) | 2015-02-17 |
CN103097113A (zh) | 2013-05-08 |
CN103097113B (zh) | 2016-04-20 |
US20130126929A1 (en) | 2013-05-23 |
EP2660036A4 (en) | 2016-01-20 |
KR20120077209A (ko) | 2012-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100966367B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 | |
JP5054366B2 (ja) | ナノ構造物が形成された基板の製造方法及び発光素子並びにその製造方法 | |
JP5632081B2 (ja) | ナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオード | |
KR101233062B1 (ko) | 나노 급 패턴이 형성된 고효율 질화물계 발광다이오드용 기판의 제조방법 | |
US8951820B2 (en) | Method of fabricating nano-imprint mold for a light emitting diode | |
KR20160092635A (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR20120077534A (ko) | 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR101535852B1 (ko) | 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드 | |
Zhang et al. | Highly efficient chip-scale package LED based on surface patterning | |
WO2012045222A1 (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
CN108461586B (zh) | 一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片及其制备方法 | |
WO2012040978A1 (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
Cho et al. | Light extraction efficiency improvement in GaN-based blue light emitting diode with two-dimensional nano-cavity structure | |
KR101221075B1 (ko) | 나노 임프린트를 이용한 질화갈륨계 발광 다이오드 제조방법과 이를 통해 제조된 발광 다이오드 소자 | |
KR101325641B1 (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR101286211B1 (ko) | 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자 | |
KR101383097B1 (ko) | 광추출 효율을 높인 질화갈륨계 발광다이오드 소자, 광추출 효율을 높인 유기 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
KR20140036403A (ko) | 발광 다이오드의 패턴 형성 방법 | |
KR101062282B1 (ko) | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 | |
CN109920887B (zh) | 一种发光二极管芯片及其制造方法 | |
KR20140039414A (ko) | 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR101743351B1 (ko) | 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 그 반도체 발광 소자 | |
KR20150094220A (ko) | 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 | |
KR101464282B1 (ko) | 반도체 소자 | |
Park et al. | Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with nanopatterned p-GaN by simple light coupling mask lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140916 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5632081 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |