CN103097113A - 制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤；在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤；在p型电极上形成导电基板的步骤；通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤；在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤；通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤；将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。
Description
技术领域
本发明涉及制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管。
背景技术
氮化镓基（GaN基）白色发光二极管（LED）的能量转换效率高、寿命长、发射光方向性强、工作电压低、预热时间短且操作电路简单。而且，GaN基白色LED耐受外部冲击和振动，以实现具有各种类型封装的高级光学系统。因而，在不久的将来，GaN基白色LED会改变例如白炽灯、荧光灯和汞灯这样的固态照明的户外光源。为了实现作为户外荧光灯和汞灯的替代品的白色光源的GaN基白色LED，GaN基白色LED必须以低功耗发射高能效输出光并具有出色的热稳定性。广泛使用的横向型（lateral type）GaN基LED具有相对较低的制造成本和相对简单的制造工艺。然而，因为它们具有高的施加电流和低的光输出，所以它们不适于用作户外光源。垂直型LED可以解决横向型LED的限制，并且可以容易地应用于在大面积内具有高的光输出的高性能LED。与户外横向型器件相比，垂直型LED具有许多优点。因为垂直型LED具有低的电流扩散电阻并获得均匀的电流传播，所以垂直型LED具有低的工作电压和高的光输出。垂直型LED具有显著提高的长寿命和高的光输出，因为热容易通过具有较好的热导率的金属或半导体基板传到外部。因为垂直型LED具有横向型LED的约三倍或四倍的最大施加电流，所以垂直型LED可以广泛地用作照明用白色光源。例如NICHIA CHEMICAL CO.,LTD,JAPAN,PHILIPS LUMILEDS LIGHTINGCOMPANY，USA和OSRAM,GERMANY以及SEOUL SEMICONDUCTOR CO.,LTD,SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO.,LTD和LG INNOTEK CO.,LTD,Korea这样的领先的LED公司正在针对商业化和提高的性能积极地进行GaN基垂直型LED的研发。
在GaN基垂直型LED的制造过程中通过在器件的顶层上放置n型半导体层，可以显著地改进器件的光输出。在半导体层具有光滑表面的情况下，利用半导体和空气之间的折射率差（n型半导体层的折射率是2.4或更小，而空气的折射率是1）在空气和半导体层之间的界面处发生全反射。因为从有源层发出光（即，发光层不向外发射），所以器件可能没有高度提取的光输出。因而，需要通过人工地改变半导体表面以防止全反射来将导向半导体内部的光的损耗最小化。
为此，在现有技术中，将例如二氧化硅（SiO2）纳米球或聚苯乙烯纳米球的纳米结构直接涂覆在半导体层上以形成在半导体层的表面上具有半球形的纳米结构，接着通过利用干法刻蚀处理在半导体层上生长这种半球形的纳米结构，以提高LED的光提取效率。然而，在根据现有技术的上述方法中，当纳米结构被涂覆或刻蚀时，再生性会恶化，并且制造成本会增大。因而，难以制造大尺寸LED。
发明内容
技术问题
本发明提供了一种制造可以有效并经济地形成的、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法，制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模块的发光二极管。
而且，本发明提供了一种制造可以有效并精确地形成、用于增强光提取效率的纳米图案而无需利用额外的湿法刻蚀和干法刻蚀处理的纳米压印发光二极管结构的方法。
而且，本发明提供了一种可以有效地形成大面积的纳米图案并降低了成本并简化了工艺的制造纳米压印发光二极管系统的方法。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供了一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括：在半导体基板上涂覆纳米结构；利用纳米结构作为掩模通过干法刻蚀处理在半导体基板上形成半球形的纳米图案；以纳米压印的方式将形成在半导体基板的半球形的纳米图案转印到纳米压印模具上；将上面转印了半球形纳米图案的纳米压印模具与半导体基板分离开。
对涂覆在半导体基板上的各个纳米结构的尺寸和干法刻蚀时间中至少之一进行调整，以调整半球形的纳米图案的尺寸。
涂覆在半导体基板上的各个纳米结构具有约100nm至约2000nm的尺寸。
涂覆在半导体基板上的纳米结构具有彼此不同的尺寸。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层；在所述p型氮化物半导体层上形成p型电极；在所述p型电极上形成导电基板；去除所述临时基板以露出所述n型氮化物半导体层；在所述n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层；将通过根据本发明的方法制造的纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在纳米压印模具上的半球形的纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上；将纳米压印模具与具有半球形的纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开；并且刻蚀具有半球形的纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分以形成n型电极。
折射率调整层形成在n型氮化物半导体层和纳米压印抗蚀剂层之间，其中，折射率调整层的折射率可以小于n型氮化物半导体层的折射率并大于纳米压印抗蚀剂层的折射率。
通过顺序地层叠第一折射率调整层和第二折射率调整层可以形成所述折射率调整层，其中，所述第一折射率调整层和所述第二折射率调整层通过彼此不同的折射率来折射从所述发光层发出的光。
第一折射率调整层可以形成在n型氮化物半导体层上，并且可以具有小于n型氮化物半导体层的折射率的折射率，并且，第二折射率调整层可以形成在所述第一折射率调整层上，并且可以具有小于所述第一折射率调整层的折射率并大于所述纳米压印层的折射率的折射率。
所述第一折射率调整层可以包括从由ZnO、掺杂有Al的ZnO、掺杂有In的ZnO、掺杂有Ga的ZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX和ITO组成的组中选出的至少之一。
所述第二折射率调整层可以包括MgO基氧化物。
形成第二折射率调整层的MgO基氧化物可以是通过在MgO中添加其它元素而形成的多元化合物。
通过在具有所述纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层可以被刻蚀以露出所述n型氮化物半导体层之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料可以形成所述n型电极。
根据本发明的另一方面，提供了由根据本发明的另一方面的方法所制造的发光二极管。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：在基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层，其中，所述基板上形成有对入射光进行散射和反射的图案；对所述p型氮化物半导体层、所述发光层和所述n型氮化物半导体层的一部分进行台面刻蚀，以露出n型氮化物半导体层的一部分；在所述p型氮化物半导体层上形成透明电极；在所述透明电极上形成纳米压印抗蚀剂层；将通过根据本发明的方法制造的纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在纳米压印模具上的半球形的纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上；将纳米压印模具与具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离；并且对具有半球形的纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分进行刻蚀，以形成p型电极并在所述n型氮化物半导体层上形成n型电极。
透明电极可以包括铟锡氧化物（ITO）。
通过在具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分被刻蚀以露出所述透明电极之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料可以形成所述p型电极。
根据本发明的另一方面，提供了由根据本发明的另一方面的方法所制造的发光二极管。
有益效果
根据本发明，制造可以有效地并经济地形成的、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法，制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模块的发光二极管是可行的。
而且，本发明考虑到可以有效地并精确地形成用于增强光提取效率的纳米图案而无需执行附加的湿法刻蚀和干法刻蚀处理的制造纳米压印模块的方法。
而且，本发明考虑到可以有效地形成具有大面积的纳米图案、并降低了成本并简化了工艺的制造纳米压印模块的方法。
附图说明
图1是例示了在现有技术发光二极管中由于因氮化物半导体层和空气之间的不同折射率在界面处产生的全内反射而减小的光提取效率的图。
图2是例示了根据本发明实施方式的通过在光路中形成半球形的纳米图案来提高发光二极管的光提取效率的示意图。
图3至图8是例示了根据本发明实施方式的纳米压印模具的制造方法的图。
图9是例示了在根据本发明实施方式半导体基板上施加的纳米结构的照片的图。
图10至图18是例示了根据本发明第一实施方式的制造发光二极管的方法的图。
图19至图25是例示了根据本发明第二实施方式的制造发光二极管的方法的图。
具体实施方式
将参照图1和图2并在与现有技术的比较之下描述根据本发明的提高光提取效率的效果。
图1是例示了在现有技术发光二极管中由于因氮化物半导体层和空气之间的不同的折射率在界面处产生的全内反射而减小的光提取效率的图。
参照图1，在半导体基板具有光滑表面的情况下，因为氮化镓半导体基板的折射率是约2.5而空气的折射率是1，所以由于两层之间大的折射率差，针对全反射的临界角仅为23.5。因而，在半导体内发出的光不限于发射到外部，而是在内部被消散从而降低了光提取效率。
图2是例示了根据本发明实施方式的通过在光路中形成半球形的纳米图案来提高发光二极管的光提取效率的示意图。
参照图2，当半球形的纳米结构形成在半导体表面上时，因为针对所有发光方向的临界角不存在，所以内部光可以大量地释放到外部，以显著地提高发光二极管的光提取效率。
下面将具体地参照本发明的实施方式，在附图中例示了其示例。
图3至图8是例示了根据本发明实施方式的纳米压印模具的制造方法的示意图。
参照图3至图8，根据本发明实施方式的制造纳米压印模具的方法包括：在半导体基板40上涂覆纳米结构50的处理；利用纳米结构50作为掩模通过干法刻蚀处理在半导体基板40上形成半球形的纳米图案的处理；利用纳米压印方法将形成在半导体基板40上的半球形纳米图案转印到纳米压印模具60上的处理；以及将上面转印了半球形纳米图案的纳米压印模具60与半导体基板40分离开的处理。
参照图3，纳米结构50被涂覆在半导体基板40上。半导体基板40可以由从由Si、Ge、SiC、SiXGe1-X和GaN基半导体组成的组中选出的至少之一来形成。各纳米结构50可以由SiO2或聚苯乙烯粉末形成。
参照图4至图6，利用涂覆在半导体基板40上的纳米结构50作为掩模通过干法刻蚀处理在半导体基板40上形成半球形的纳米图案。图6例示了在执行了曝光和显影处理之后形成在半导体基板40上的半球形的纳米图案。尽管在下文进行了描述，但是利用具有半球形纳米图案的半导体基板40作为主模板来形成用于纳米压印的聚合物模具（即，纳米压印模具60）。
参照图7，通过纳米压印方法将形成在半导体基板40上的半球形纳米图案转印到纳米压印模具60上。
参照图8，将上面转印了半球形纳米图案的纳米压印模具60与半导体基板40分离开。
结果，可以制造出上面形成有半球形纳米图案的纳米压印模具60。纳米压印模具60被用作在下面描述的发光二极管的制造工艺中用于形成纳米图案的主模板。
通过调整涂覆在半导体基板40上的纳米结构50的尺寸和干法刻蚀时间中的至少之一可以调整半球形的纳米图案的尺寸。
图9是利用电子显微镜拍摄的涂覆在半导体基板40上的纳米结构50的图片。图9A例示了大小约250nm的纳米结构，图9B例示了大小约500nm的纳米结构，图9C例示了大小约1000nm的纳米结构。如上所述，可以调整涂覆在半导体基板上的纳米结构的尺寸，以容易并有效地调整转印至纳米压印模具上的半球形纳米图案的尺寸。
而且，由于在干法刻蚀处理中将纳米结构50用作掩模，所以考虑到纳米结构50的尺寸影响了半球形纳米图案的尺寸，涂覆在半导体基板40上的纳米结构50可以具有约100nm至约2000nm的尺寸。
而且，涂覆在半导体基板40上的纳米结构50可以具有彼此不同的尺寸以形成具有不规则尺寸的半球形纳米图案。
图10至图18是例示了根据本发明第一实施方式的制造发光二极管的方法的图。
参照图10至图18，根据本发明第一实施方式的制造发光二极管的方法包括：在临时基板100上形成n型氮化物半导体层110、发光层120和p型氮化物半导体层130的处理；在p型氮化物半导体层130上形成p型电极140的处理；在p型电极140上形成导电基板150的处理；通过去除n型氮化物半导体层110来露出n型氮化物半导体层110的处理；在n型氮化物半导体层110上形成纳米压印抗蚀剂层160的处理；通过将由根据本发明的制造纳米压印模具的方法形成的纳米压印模具30按压在纳米压印抗蚀剂层160上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层160上的处理；从具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160上分离纳米压印模具30的处理；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160的一部分来形成n型电极170的处理。
参照图10，n型氮化物半导体层110、发光层120和p型氮化物半导体层130顺序地形成在n型氮化物半导体层110上。
参照图11，p型电极140形成在p型氮化物半导体层130上，并且导电基板150形成在p型电极140上。p型电极140也执行对来自发光层120的光进行反射的功能。
参照图12，通过去除临时基板100将n型氮化物半导体层110曝露在外。
参照图13，通过例如旋涂的方法将纳米压印抗蚀剂层160形成在n型氮化物半导体层110上。
参照图14至图15，将由根据本发明实施方式的制造纳米压印模具的上述方法所制造的纳米压印模具60按压到纳米压印抗蚀剂层160上，以将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层160上。接着，UV线和热被施加到经转印的纳米压印抗蚀剂层160，以将具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160固化。
参照图16，将纳米压印模具60与具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160分离开。
参照图17，对具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160的一部分进行刻蚀，以露出n型氮化物半导体层110，接着形成n型电极170。例如，n型电极170刻蚀具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层160的一部分，以露出n型氮化物半导体层110，接着可通过去除导电材料而形成在经刻蚀的区域上。
而且，本发明的第一实施方式可以包括另外地形成用于增强光提取效率的折射率调整层180的处理。
也就是说，参照图18，在形成纳米压印抗蚀剂层160之前，在n型氮化物半导体层110和纳米压印抗蚀剂层160之间形成折射率调整层180，其具有比n型氮化物半导体层110的折射率更低并且比纳米压印抗蚀剂层160的折射率更高的折射率。
通过层叠第一折射率调整层181和第二折射率调整层182来顺序地形成折射率调整层180，第一折射率调整层181和第二折射率调整层182反射从发光层120发出的光，并且具有相同的折射率。
第一折射率调整层181形成在n型氮化物半导体层110上，使得第一折射率调整层181的折射率低于n型氮化物半导体层110的折射率，第二折射率调整层182形成在第一折射率调整层181上，使得第二折射率调整层182的折射率低于第一折射率调整层181的折射率并且高于纳米压印抗蚀剂层160的折射率。第一折射率调整层181和第二折射率调整层182具有在n型氮化物半导体层110和纳米压印抗蚀剂层160之间的中间折射率，以执行缓冲层的功能，从而进一步增强光提取效率。
例如，第一折射率调整层181可以包括从由ZnO、掺Al的ZnO、掺In的ZnO、掺Ga的ZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX和ITO组成的组中选出的至少一个，并且第二折射率调整层182可以包括MgO基氧化物。形成第二折射率调整层182的MgO基氧化物可以是通过在MgO中添加其它元素而形成的多元化合物（multinary compound）。从第一折射率调整层181和第二折射率调整层182选出的所有材料都具有在n型氮化物半导体层110的折射率和纳米压印抗蚀剂层160的折射率之间的折射率。
如以上具体描述的，本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成的、用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模块的发光二极管。
而且，本发明得到了一种可以有效地并精确地形成用于增强光提取效率的纳米图案而无需利用附加的湿法刻蚀和干法刻蚀处理的制造纳米压印模块的方法。
而且，本发明得到了一种可以有效地形成具有大面积纳米图案、并降低了成本并简化了工艺的制造纳米压印模块的方法。
更具体来讲，作为利用纳米压印大面积来形成半球形纳米结构的处理的本发明的技术可以直接适用于发光二极管的制造工艺。此外，本发明的技术可以适用于垂直型或横向型发光二极管。根据本发明的技术，制造工艺可以变得更简单，并且可以彻底地改善发光二极管的光输出。本发明涉及在利用白光GaN基LED的固态照明时代中所欢迎的节能经济友好型技术。
实现本发明的方式
图19至图25是例示了根据本发明第二实施方式的制造发光二极管的方法的图。
参照图19至图25，根据第二实施方式的制造发光二极管的方法包括：在具有用于通过散射来反射光的图案的半导体基板200上形成n型氮化物半导体层210、发光层220和p型氮化物半导体层230的处理；通过对p型氮化物半导体层230、发光层220和p型氮化物半导体层230的一部分进行台面刻蚀（mesa-etching）来露出n型氮化物半导体层210的一部分的处理；在p型氮化物半导体层230上形成透明电极层240的处理；在透明电极层240上形成纳米压印抗蚀剂层250的处理；通过将由根据本发明的制造纳米压印模块的方法形成的纳米压印抗蚀剂层250按压在纳米压印抗蚀剂层250上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层250上的处理；从具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250上分离纳米压印模具60的处理；以及通过对具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250进行刻蚀来形成p型电极260并且在n型氮化物半导体层210上形成n型电极270的处理。
参照图19，n型氮化物半导体层210、发光层220和p型氮化物半导体层230顺序地形成在具有用于反射入射光的纳米图案的基板200上。基板200可以是由蓝宝石（Al2O3）形成的基板，并且形成在基板200上的纳米图案执行通过从发光层220散射来反射发射光的功能。
参照图20，通过对p型氮化物半导体层230、发光层220和n型氮化物半导体层210的一部分进行台面刻蚀来露出n型氮化物半导体层210的一部分。
参照图21，通过台面刻蚀在p型氮化物半导体层230上形成了透明电极层240，并且通过例如旋涂的方法在透明电极层240上形成纳米压印抗蚀剂层250。透明电极层240可以包括铟锡氧化物（ITO）。
参照图22和图23，将由根据本发明实施方式的制造纳米压印模具的上述方法所制造的纳米压印模具60按压到纳米压印抗蚀剂层250上，以将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层250上。接着，UV线和热被施加到经转印的纳米压印抗蚀剂层250，以将具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250固化。
然后，参照图24，将纳米压印模具60与具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250分离开。
参照图25，对具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250的一部分进行刻蚀，以露出n型氮化物半导体层210，接着，在p型电极260的部分上形成p型电极260，并且在n型氮化物半导体层210上形成n型电极270。例如，n型电极270刻蚀具有半球形纳米图案的纳米压印抗蚀剂层250的一部分，以露出透明电极层240，接着可以通过去除导电材料而形成在经刻蚀的区域上，并且n型电极270形成在台面刻蚀之后所剩余的n型氮化物半导体层210上。
如上所述，尽管参照附图描述了本发明的优选实施方式，但是本发明不限于特定的实施方式。而且，本领域技术人员应理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行形式上和细节上的各种改变和仿制。
Claims (17)
1.一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括以下步骤：
在半导体基板上涂覆纳米结构；
利用所述纳米结构作为掩模通过干法刻蚀处理在所述半导体基板上形成半球形的纳米图案；
以纳米压印的方式将形成在所述半导体基板上的所述半球形的纳米图案转印到纳米压印模具上；
将上面转印了所述半球形的纳米图案的所述纳米压印模具与所述半导体基板分离开。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，对涂覆在所述半导体基板上的各个纳米结构的尺寸和干法刻蚀时间中的至少一个进行调整，以调整所述半球形的纳米图案的尺寸。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，涂覆在所述半导体基板上的各个纳米结构具有约100nm至约2000nm的尺寸。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，涂覆在所述半导体基板上的所述纳米结构具有彼此不同的尺寸。
5.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：
在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层；
在所述p型氮化物半导体层上形成p型电极；
在所述p型电极上形成导电基板；
去除所述临时基板以露出所述n型氮化物半导体层；
在所述n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层；
将通过权利要求1所述的方法制造的纳米压印模具按压在所述纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在所述纳米压印模具上的所述半球形的纳米图案转印到所述纳米压印抗蚀剂层上；
将所述纳米压印模具与具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层分离开；以及
对具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层的一部分进行刻蚀以形成n型电极。
6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述n型氮化物半导体层和所述纳米压印抗蚀剂层之间形成折射率调整层，其中，所述折射率调整层的折射率小于所述n型氮化物半导体层的折射率并大于所述纳米压印抗蚀剂层的折射率。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过顺序地层叠第一折射率调整层和第二折射率调整层来形成所述折射率调整层，其中，所述第一折射率调整层和所述第二折射率调整层通过彼此不同的折射率来折射从所述发光层发出的光。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一折射率调整层形成在所述n型氮化物半导体层上，并具有小于所述n型氮化物半导体层的折射率的折射率；并且所述第二折射率调整层形成在所述第一折射率调整层上，并具有小于所述第一折射率调整层的折射率并大于所述纳米压印层的折射率的折射率。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一折射率调整层包括从由ZnO、掺Al的ZnO、掺In的ZnO、掺Ga的ZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX和ITO组成的组中选出的至少一个。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二折射率调整层包括MgO基氧化物。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第二折射率调整层的所述MgO基氧化物是通过在MgO中添加其它元素而形成的多元化合物。
12.根据权利要求5所述的方法，其中，通过在具有所述纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层被刻蚀以露出所述n型氮化物半导体层之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料来形成所述n型电极。
13.一种通过权利要求5至12中任意一项所述的方法所制造的发光二极管。
14.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层，其中，所述基板上形成有对入射光进行散射和反射的图案；
对所述p型氮化物半导体层、所述发光层和所述n型氮化物半导体层的一部分进行台面刻蚀，以露出所述n型氮化物半导体层的一部分；
在所述p型氮化物半导体层上形成透明电极；
在所述透明电极上形成纳米压印抗蚀剂层；
将通过权利要求1所述的方法制造的纳米压印模具按压在所述纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在所述纳米压印模具上的所述半球形的纳米图案转印到所述纳米压印抗蚀剂层上；
将所述纳米压印模具与具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层分离开；以及
对具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层的一部分进行刻蚀以形成p型电极并在所述n型氮化物半导体层上形成n型电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述透明电极包括铟锡氧化物（ITO）。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，通过在具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层被刻蚀以露出所述透明电极之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料来形成所述p型电极。
17.一种通过权利要求14至16中任意一项所述的方法所制造的发光二极管。
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