CN204407351U - Led灯丝灯光源 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种LED灯丝灯光源，包括蓝宝石衬底，其特征是：所述蓝宝石衬底的下表面涂布荧光胶，蓝宝石衬底的上表面具有PSS反射层，在PSS反射层上依次设置缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO层和SiO2层，在ITO层和SiO2层之间设置电气连接金层，在SiO2层、ITO层和量子阱层上分别设有通孔，电气连接金层通过通孔分别连接SiO2层、ITO层和量子阱层；在所述SiO2层的上表面两端分别设置引线焊盘，两端的引线焊盘之间形成散热孔，散热孔的底部与SiO2层的上表面连通，在SiO2层的上表面涂布荧光胶。本实用新型所述LED灯丝灯光源发光均匀、性能可靠，辅以良好的散热设计，可以大电流使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光源，尤其是一种LED灯丝灯光源。
背景技术
目前用于LED灯丝灯的光源一般是由正装芯片固定于玻璃片、蓝宝石或者陶瓷上，再进行焊引线等实现电气连接，再通过双面点荧光粉工艺完成光源的封装，此种光源因芯片排布密度大、散热能力差，只能用小电流驱动，其实际使用亮度有限。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种LED灯丝灯光源，发光均匀、性能可靠，辅以良好的散热设计，可以大电流使用。
按照本实用新型提供的技术方案，所述LED灯丝灯光源，包括蓝宝石衬底，其特征是：所述蓝宝石衬底的下表面涂布荧光胶，蓝宝石衬底的上表面具有PSS反射层，在PSS反射层上依次设置缓冲层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、ITO层和SiO2层，在ITO层和SiO2层之间设置电气连接金层，在SiO2层、ITO层和量子阱层上分别设有通孔，电气连接金层通过通孔分别连接SiO2层、ITO层和量子阱层；在所述SiO2层的上表面两端分别设置引线焊盘，两端的引线焊盘之间形成散热孔，散热孔的底部与SiO2层的上表面连通，在SiO2层的上表面涂布荧光胶。
所述LED灯丝灯光源的制作方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）在蓝宝石衬底上制作PSS反射层；
（2）在PSS反射层上生长外延层，外延层依次为缓冲层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；
（3）通过光刻、显影和深沟刻蚀，在N型GaN层、量子阱层和P型GaN层上制作通孔；
（4）通过蒸镀氧化硅和氧化钛在P型GaN层上表面制作ITO层，在对应P型GaN层上通孔的位置保留通孔；
（5）在ITO层上表面通过沉积的方式制作SiO2层，并在SiO2层和ITO层之间保留电气互连区域；
（6）通过蒸镀金的方式，在SiO2层表面制作焊盘，在SiO2层和ITO层之间于电气互连区域以及通孔中形成电气连接金层；
（7）在步骤（6）得到的芯片的正反面分别通过印刷、喷涂、溅射或注射的方式涂布荧光胶，从而得到LED灯丝灯光源。
本实用新型直接将芯片设计成所需电压的高压芯片，形状为长条状，并在两端留出引线焊盘，再通过印刷、喷涂、溅射或注射的方式进行荧光粉的涂布而形成灯丝灯光源，此设计直接将蓝宝石做成光源，发光均匀、性能可靠，辅以良好的散热设计，可以大电流使用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图对本实用新型作进一步说明。
如图1所示：所述LED灯丝灯光源包括蓝宝石衬底1、缓冲层2、N型GaN层3、量子阱层4、P型GaN层5、ITO层6、SiO2层7、电气连接金层8、引线焊盘9、荧光胶10、通孔11、散热孔12等。
如图1所示，本实用新型包括蓝宝石衬底1，蓝宝石衬底1的下表面涂布荧光胶10，蓝宝石衬底1的上表面具有PSS反射层，在PSS反射层上依次设置缓冲层2、N型GaN层3、量子阱层4、P型GaN层5、ITO层6和SiO2层7，在ITO层6和SiO2层7之间设置电气连接金层8，在SiO2层7、ITO层6和量子阱层4上分别设有通孔11，电气连接金层8通过通孔11分别连接SiO2层7、ITO层6和量子阱层4，以实现多颗芯片的电气连接，构成集成高压LED芯片；在所述SiO2层7的上表面两端分别设置引线焊盘9，两端的引线焊盘9之间形成散热孔12，散热孔12的底部与SiO2层7的上表面连通，在SiO2层7 上表面通过印刷、喷涂、溅射或注射的方式直接涂布荧光胶10，形成LED灯丝灯光源；
所述荧光胶10采用荧光粉与荧光胶的混合物。
本实用新型是直接将芯片按照灯丝的尺寸规格设计成带有外接焊盘的高压芯片，并通过喷涂（或印刷）荧光粉置于其表面形成LED灯丝光源；免去了传统灯丝封装中的基板，不仅省去了封装基板连接的热阻，还降低了物料和加工成本。
所述LED灯丝灯光源的制作方法，包括以下步骤：
（1）在蓝宝石衬底上制作PSS反射层；所述PSS反射层采用现有常规技术制作，如在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，形成PSS反射层；
（2）再在PSS反射层上生长外延层，外延层依次为缓冲层2、N型GaN层3、量子阱层4和P型GaN层5；
（3）通过光刻、显影和深沟刻蚀，在N型GaN层3、量子阱层4和P型GaN层5上制作通孔11；
（4）通过蒸镀氧化硅和氧化钛在P型GaN层5上表面制作ITO层6，在对应P型GaN层5上通孔11的位置保留通孔；
（5）在ITO层6上表面通过沉积的方式制作SiO2层7，并在SiO2层7和ITO层6之间保留电气互连区域；
（6）在SiO2层7上通过蒸镀金的方式，在SiO2层7表面制作焊盘9，在SiO2层7和ITO层6之间于电气互连区域以及通孔11中形成电气连接金层8；
（7）在步骤（6）得到的芯片的正反面分别通过印刷、喷涂、溅射或注射的方式涂布荧光胶，从而得到LED灯丝灯光源。
Claims (1)
1.一种LED灯丝灯光源，包括蓝宝石衬底（1），其特征是：所述蓝宝石衬底（1）的下表面涂布荧光胶（10），蓝宝石衬底（1）的上表面具有PSS反射层，在PSS反射层上依次设置缓冲层（2）、N型GaN层（3）、量子阱层（4）、P型GaN层（5）、ITO层（6）和SiO2层（7），在ITO层（6）和SiO2层（7）之间设置电气连接金层（8），在SiO2层（7）、ITO层（6）和量子阱层（4）上分别设有通孔（11），电气连接金层（8）通过通孔（11）分别连接SiO2层（7）、ITO层（6）和量子阱层（4）；在所述SiO2层（7）的上表面两端分别设置引线焊盘（9），两端的引线焊盘（9）之间形成散热孔（12），散热孔（12）的底部与SiO2层（7）的上表面连通，在SiO2层（7）的上表面涂布荧光胶（10）。
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