JP2008270416A - 物体に粗面を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子を形成するための半導体ウエーハ(1)の主面(8)上にAgから成るマスク形成用被膜(10)を形成する。このマスク形成用被膜(10)に熱処理を施して凝集を生じさせる。凝集で生じたAgから成る粒状体(11)をマスクとして半導体ウエーハ(1)をドライエッチングして半導体ウエーハ(1)の主面8上に多数の凹部(12)を形成する。
【選択図】図2
Description
なお、本発明において凝集とは、被加工物体上のマスク材料が多数の粒状体(凝集体)又は塊に変化する現象を意味する。
また、請求項3に示すように、前記被加工物体は半導体から成り、前記マスクは金属から成ることが望ましい。
また、請求項4に示すように、前記被加工物体は発光させるための複数の半導体層の積層体、又は複数の半導体層と光透過性導電膜との積層体から成り、前記積層体の光を外部に取り出す面を全反射防止用の粗面にする場合に本発明を適用することことが望ましい。
被加工物体に粗面を形成する更に別の方法は、請求項5に示すように、前記被加工物体と異なる材料から成る補助層を前記被加工物体の表面上に形成する工程と、凝集する性質を有し且つ前記補助層をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を前記補助層の上に被着させてマスク形成用被膜を形成する工程と、凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク形成用被膜に施して前記マスク形成用被膜を多数の粒状体に変化させる工程と、前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記補助層の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記補助層に貫通孔を形成する工程と、前記補助層の上の前記多数の粒状体を除去する工程と、前記補助層のエッチングで除去されなかった部分をマスクとして使用して前記被加工物体をエッチングして前記被加工物体に粗面を形成する工程と、マスクとして使用した前記補助層を除去する工程とを有する。
被加工物体に粗面を形成する更に別の方法は、請求項6に示すように、前記被加工物体と異なる材料から成る補助層を前記被加工物体の表面上に形成する工程と、凝集する性質を有し且つ前記補助層をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を前記補助層の上に被着させると同時に凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク材料に施して前記マスク材料から成る多数の粒状体を前記被加工物体の所望表面上に形成する工程と、前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記補助層の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記補助層に貫通孔を形成する工程と、前記補助層の上の前記多数の粒状体を除去する工程と、前記補助層のエッチングで除去されなかった部分をマスクとして使用して前記被加工物体をエッチングして前記被加工物体に粗面を形成する工程と、マスクとして使用した前記補助層を除去する工程とを有する。
また、請求項7に示すように、前記被加工物体は半導体から成り、前記補助層はシリコン酸化物から成ことが望ましい。
なお、Agは粒状化(凝集)し易く且つ後のエッチング工程で耐エッチング性を示すので、マスク形成用被覆10の材料として好適であるが、Agの代わりにAg合金、又はAl(アルミニウム)、又はCu(銅)、又はAu(金)、又はこれらの合金、又は金属と有機又は無機物との混合物、又は別の有機又は無機の耐エッチング性マスク材料を使用してマスク形成用被膜10を形成することもできる。また、マスク材料に凝集を促進させる物質を添加することができる。また、マスク形成用被膜10を周知のスパッタリング方法、電子ビーム蒸着方法、塗布等の別の方法で形成することもできる。
この実施例では真空蒸着法でマスク形成用被膜10を形成する時の半導体ウエーハ1の温度を室温としたが、室温〜150℃位にすることもできる。また、マスク形成用被膜10を形成する時の半導体ウエーハ1の温度をマスク形成用被膜10が凝集する温度(例えば150〜500℃)とし、マスク形成用被膜10と同時にマスク材料を凝集させることができる。即ち、半導体ウエーハ1の熱処理温度をマスク材料を凝集させることができる温度に設定すると、半導体ウエーハ1に対するマスク材料(Ag)の被着と同時にマスク材料(Ag)の凝集が生じ、マスク材料から成る多数の粒状体が得られる。
図2(C)のドライエッチング後の粒状体11は、説明を簡略化するために図2(B)のドライエッチング前の粒状体11と実質的に同一の形状に示されている。しかし、粒状体11を形成するAgはドライエッチングの塩素(Cl2)ガスに対して無反応でなく、半導体ウエーハ1よりは低いレベルで反応するので、実際にはドライエッチング前と後で異なる。粒状体11の僅かな変形は半導体ウエーハ1の一方の主面8の粗面化に対して何らの問題も生じない。むしろ粒状体11の変形が半導体ウエーハ1に対する粗面化に好都合な場合がある。
(1) 全反射を抑制するために要求される半導体ウエーハ1の一方の主面8及び半導体チップ1´の一方の主面8´の凹部12及び凸部13を特別なパターンを有するマスクを使用しないで容易に形成することができる。即ち、一般に使用されている半導体製造装置の一種である成膜装置を使用して半導体ウエーハ1の一方の主面8の全体にAgから成るマスク形成用被膜10を設け、これを一般に使用されている熱処理炉を使用して凝集が生じるように熱処理するという簡単な方法でマスクとして機能する多数の粒状体11を得ることができる。従って、半導体ウエーハ1の一方の主面8の粗面化の製造コストの低減を図ることができる。
(2) マスク形成用被膜10の厚みを変えると粒状体11の大きさが変化するので、任意の大きさの粒状体11を容易に得ることができる。
(3) 粒状体11の大きさは、マスク形成用被膜10の厚みに比例的な関係を有するので、所定の厚みのマスク形成用被膜10を設けることによって所望の粗面(凹凸面)を容易に形成することができる。
(4) 凹部12を形成するためのドライエッチングの条件によって凹部12及び凸部13の形状及び寸法が変化する。従って、粒状体11の形状及び寸法とドライエッチングとの組合せによって所望の凹部12及び凸部13を容易に得ることができる。
(5) 半導体チップ1´の一方の主面8´に本発明に従って全反射防止用の凹部12及び凸部13を数十〜数百nmピッチに形成した半導体発光素子の明るさは、半導体チップの一方の主面(光取り出し面)を粗面としない従来の半導体発光素子の明るさに比べて約3倍になった。また、従来のフォトリソグラフィ技術によって数μmのピッチに凹部及び凸部を光取り出し面に形成した半導体発光素子の明るさは従来の凹凸面(粗面)を形成しない半導体発光素子の明るさの約1.8倍であった。従って、本実施例に従って形成された粗面を有する半導体発光素子は、フォトリソグラフィ技術で粗面を形成した半導体発光素子よりも優れた光取り出し効率を有する。
補助層21は半導体ウエーハ1aよりもマスク材料(Ag)の凝集が生じ易い材料から成り、例えば半導体ウエーハ1aの一方の主面8上に例えばスパッタリング法で形成されたシリコン酸化膜(SiO2膜)から成る。
(1)半導体ウエーハ1、1a、1b等の被加工物体の材料を、AlGaInP,AlGaAS,GaP,ZnO等の別の材料にすることができる。
(2) 半導体以外の被加工物体の表面に粗面を形成する場合にも本発明を適用することができる。
(3) 図4で鎖線で示すように凹部12及び凸部13を有する半導体チップ1´の一方の主面8´の上方に周知の蛍光体から成る波長変換層50を配置することができる。半導体チップ1´の一方の主面8´で光が散乱するので、蛍光体からなる波長変換層50を均一に励起することが可能になる。
(4)図6の実施例3の半導体発光装置において、半導体チップ1´の一方の主面8に凹部12と凸部13とを設ける代わりに、光透過性導電膜30の表面に凹部と凸部とを設けることができる。この場合には、図1で鎖線30aで示す例えばITOからなる光透過性導電膜を半導体ウエーハ1の一方の主面8の上に設けて光透過性導電膜を有する積層体を得、光透過性導電膜の上に例えばAgから成るマスク用被膜を設け、このマスク用被膜を凝集させて粒状体を得、これをマスクとして使用してエッチングする。
8 一方の主面
10 Agから成るマスク用被膜
11 粒状体
12 凹部
Claims (7)
- 被加工物体に粗面を形成する方法であって、
凝集する性質を有し且つ被加工物体をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を被加工物体の所望表面上に被着させることによってマスク形成用被膜を形成する工程と、
凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク形成用被膜に施して前記マスク形成用被膜を多数の粒状体に変化させる工程と、
前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記被加工物体の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記被加工物体の表面を粗面に変化させる工程と
を有していることを特徴とする物体に粗面を形成する方法。 - 被加工物体に粗面を形成する方法であって、
凝集する性質を有し且つ被加工物体をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を被加工物体の所望表面上に被着させると同時に凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク材料に施して前記マスク材料から成る多数の粒状体を前記被加工物体の所望表面上に形成する工程と、
前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記被加工物体の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記被加工物体の表面を粗面に変化させる工程と
を有していることを特徴とする物体に粗面を形成する方法。 - 前記被加工物体は半導体から成り、前記マスク材料は金属から成ることを特徴とする請求項1又は2記載の物体に粗面を形成する方法。
- 前記被加工物体は発光させるための複数の半導体層の積層体、又は複数の半導体層と光透過性導電膜との積層体から成り、前記積層体の光を外部に取り出す面を全反射防止用の粗面にすることを特徴とする請求項1又は2又は3記載の物体に粗面を形成する方法。
- 被加工物体に粗面を形成する方法であって、
前記被加工物体と異なる材料から成る補助層を前記被加工物体の表面上に形成する工程と、
凝集する性質を有し且つ前記補助層をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を前記補助層の上に被着させてマスク形成用被膜を形成する工程と、
凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク形成用被膜に施して前記マスク形成用被膜を多数の粒状体に変化させる工程と、
前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記補助層の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記補助層に貫通孔を形成する工程と、
前記補助層の上の前記多数の粒状体を除去する工程と、
前記補助層のエッチングで除去されなかった部分をマスクとして使用して前記被加工物体をエッチングして前記被加工物体に粗面を形成する工程と、
マスクとして使用した前記補助層を除去する工程と
を有していることを特徴とする物体に粗面を形成する方法。 - 被加工物体に粗面を形成する方法であって、
前記被加工物体と異なる材料から成る補助層を前記被加工物体の表面上に形成する工程と、
凝集する性質を有し且つ前記補助層をエッチングする時にマスクとして機能する性質を有するマスク材料を前記補助層の上に被着させると同時に凝集させることができる温度の熱処理を前記マスク材料に施して前記マスク材料から成る多数の粒状体を前記被加工物体の所望表面上に形成する工程と、
前記多数の粒状体をマスクとして使用して前記補助層の前記多数の粒状体で覆われていない領域をエッチングで除去して前記補助層に貫通孔を形成する工程と、
前記補助層の上の前記多数の粒状体を除去する工程と、
前記補助層のエッチングで除去されなかった部分をマスクとして使用して前記被加工物体をエッチングして前記被加工物体に粗面を形成する工程と、
マスクとして使用した前記補助層を除去する工程と
を有していることを特徴とする物体に粗面を形成する方法。 - 前記被加工物体は半導体から成り、前記補助層はシリコン酸化物から成ことを特徴とする請求項5又は6記載の物体に粗面を形成する方法。
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