JP5196403B2 - サファイア基板の製造方法、および半導体装置 - Google Patents
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Description
図1に示す模式的な製造フローによって実施形態1に係るサファイア基板1の製造方法を説明する
<サファイア薄板の準備>
Al2O3のコランダム構造の単結晶からなる円盤状のサファイア薄板100を用意した。サファイア薄板100の直径は50〜300mm、厚みは0.3〜3mmである。サファイア薄板100はGaN薄板に比較してコストが圧倒的に低く、Si薄板に比較して光透過性を考慮したデバイス性能が圧倒的に優れている。また後に化合物半導体を形成する際にGaN層を成長させることとなるサファイア薄板100の一面(主面)は、a面<{11−20}面>、c面<(0001)面>、m面<{1−100}面>、若しくはr面<{1−102}面>のいずれでも良く、あるいは他の面方位の結晶面であっても良い。
サファイア薄板100の一面(主面)に金属を蒸着して金属薄膜102を該主面に形成した(工程S1)。金属は、金属そのもののコスト及び工程のコストを考慮して選べばよいが、例えばNi、Pd等を挙げることができる。金属薄膜102の厚みは、必要とする凸起の大きさやこの後の工程の条件などによって変わってくるが、1nm以上20nm以下が好ましい。ここでは金属としてNiを用い、5nmの厚みの金属薄膜102とした。
金属薄膜102が載ったサファイア薄板100を真空下あるいは窒素雰囲気下で熱処理(アニール)した(工程S2)。この熱処理によって金属薄膜102は微粒子103状態になった。図2にサファイア薄板100上に微粒子103が載っている状態を示す。
金属の微粒子103をマスクとして用いて、サファイア薄板100の主面を誘導結合プラズマ型反応性イオンエッチング(Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etching:ICP−RIE)によってエッチングを行った(工程S3)。エッチングの条件を調節することにより、金属の微粒子103が除去されるくらい十分にエッチングを行い、図1の最下部分に示す複数の凸起2,2,…が主面上にランダムに配置されたサファイア基板1を作製した。図3にこのサファイア基板1の斜視状態のSEM写真を示す。
複数の凸起2,2,…を有するサファイア基板1の主面3上に、有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:MOPVE)によってGaN層を成長させた。なお、このときSiをドープすることによりn−GaNとした。図6はGaN層10の成長の初期の状態を示す模式的な断面図であり、図7はGaN層10の厚みが凸起2の高さよりも大きくなるまでGaN層10が成長した状態を示す模式的な断面図である。
上記のサファイア基板1上のGaN層10の上に更に複数の化合物半導体層および電極を形成して、図10に示す半導体発光素子を作製した。以下にその作製について説明する。
上述のように作製した本実施形態の半導体発光素子(半導体装置)の発光出力を、OPTO-SYSTEM社製の自動プローブテスターWPSR3100を用いて測定した。比較のため、サファイア基板として主面がフラット(凸起を形成していない)な基板を用い、それ以外の構成・製法は本実施形態の半導体発光素子と同じ比較用発光素子を作製し、同じように発光出力を測定した。
実施形態2では、サファイア薄板が実施形態1と異なっており、それ以外の構成は実施形態1と同じであるので、実施形態1と異なっている部分を以下に説明する。なお本実施形態に係るサファイア基板1’は図11に示されている。
上記の実施形態は本発明の例示であって、本発明はこれらの例に限定されない。凸起2の形状は略円錐形状に限らず、例えば略半球形状などであっても構わない。上記の実施形態1又は2において、サファイア薄板を、特許文献1に開示されているような、複数本の平行溝やドーム型、円柱形、四角柱、さらには六角形の凸起が規則正しく並んだ幾何学的図形のパターンと併用してもよい。例えば、四角柱の形状の突起部頂上の平坦な部分の一面に上記実施形態の複数の凸起が設けられているものとしてもよい。
2 凸起
2’ 凸形状
3 主面
4 凸起頂部
6 凸起底部
100 サファイア薄板
102 金属薄膜
103 微粒子
Claims (8)
- サファイア薄板の一面に金属を蒸着する工程Aと、
前記工程Aの後に前記サファイア薄板を熱処理して前記金属を微粒子状態とする工程Bと、
前記微粒子状態の金属をマスクとして前記サファイア薄板の前記一面をエッチングする工程Cと
を含む、サファイア基板の製造方法。 - 前記工程Aでは、1nm以上20nm以下の厚みで前記金属を蒸着する、請求項1に記載のサファイア基板の製造方法。
- 前記工程Cでは、前記一面に複数の凸起が形成されており、
前記複数の凸起は、前記一面のランダムな位置に設けられているとともに、底部から頂部にかけて先細の形状を有しており、
前記凸起の頂部の平面の面積は、0μm2以上0.05μm2以下である、請求項1または2に記載されているサファイア基板の製造方法。 - 前記凸起の底面の長径は、100nm以上1μm以下であり、短径は50nm以上0.5μm以下であり、
前記凸起は、1×106個/cm2以上5×1010個/cm2以下の密度で配置されている、請求項3に記載されているサファイア基板の製造方法。 - 前記凸起の側面は曲面である、請求項3又は4に記載されているサファイア基板の製造方法。
- 前記凸起の高さは、100nm以上1μm以下である、請求項3から5のいずれか一つに記載されているサファイア基板の製造方法。
- 前記サファイア薄板は、前記一面に複数の凸形状がランダムな位置に設けられており、
前記凸形状は底部から頂部にかけて先細の形状を有していて、1×105個/cm2以上5×107個/cm2以下の密度で配置されており、
前記凸形状の頂部の平面の面積は0よりも大きく10μm2以下であり、
前記凸形状の底面の長径は1μm以上50μm以下であり、短径は100nm以上10μm以下である、請求項1または2に記載されているサファイア基板の製造方法。 - 請求項1から7のいずれか一つに記載されているサファイア基板の製造方法により製造されたサファイア基板を備え、前記一面の上に化合物半導体層が設けられている半導体装置。
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