TW201423925A - 圖案化基板及光電半導體元件 - Google Patents

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Chun-Yi Lee
Chun-Hung Chen
Chih-An Chen
Wei-Lun Wang
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Abstract

一種圖案化基板包括一基板本體以及複數立體圖案。立體圖案其係設於基板本體，至少部分該些立體圖案的週期間距不相同。

Description

圖案化基板及光電半導體元件
本發明係關於一種光電半導體元件，特別關於一種能夠提升光電效能的光電半導體元件。
光電半導體元件，其係廣泛地應用於人們的日常生活中的各項產品，舉例如照明、車輛、顯示裝置、通訊產業或電腦等領域。
習知的光電半導體元件係於基板的一面設有複數個立體圖案，而光電半導體元件之立體圖案係呈規律狀的排列，形成圖案化結構基板(Patterned Structural Substrate,PSS)，亦稱圖案化基板，本發明以圖案化基板說明。
圖1A為習知圖案化基板的局部上視圖，圖1B為習知立體圖案的示意圖，請同時參考圖1A及圖1B所示。圖案化基板10包括一基板本體11以及複數個立體圖案12，各立體圖案12為規則的類圓錐體並規則的設置於基板本體11。一般而言，基板本體11上定義有複數個規則排列的排列中心122，立體圖案12垂直投影於基板本體11具有投影面積121，而投影面積121的中心點即為排列中心122，因習知的立體圖案12為規則的類圓錐體，故立體圖案12的幾何中心垂直投影於基板本體11上的幾何中心點等於排列中心122(故圖1A未標示幾何中心點)，且習知相鄰立體圖案12彼此之間的排列中心122(或幾何中心點)的 距離D’係為相等。
因立體圖案的表面為平滑面，且為規律的軸對稱立體圖案，所以各立體圖案的入射光與反射光所形成的夾角皆一致，雖現有的光學元件已具有相當的光電效能，但也僅限於此，如上所述，受限於一致性的夾角與平滑面等因素，使習知的光學元件之光電效能往往無法有效提升。然而，圖案化基板仍可藉由改變立體圖案的態樣及其於基板本體的配置，藉此提升光電半導體元件之光電效能。
因此，如何設計一種圖案化基板及光電半導體元件，能夠提升光電效能，已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種能夠提升光電效能的圖案化基板及光電半導體元件，其藉由圖案化基板上的複數個立體圖案依其間相對距離及週期以不同的方式排列配置，達到提升光電效能之功效。
另外，立體圖案亦可為不規則形狀，進一步達到提升光電效能之功效。
為達上述目的，依據本發明之一種圖案化基板包括一基板本體以及複數個立體圖案。立體圖案設置於基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的週期間距(Pitch)不相同。
在本發明之一實施例中，週期間距係為二相鄰之該些立體圖案的幾何中心之間的距離。
為達上述目的，依據本發明之另一種圖案化基板包括一基板本體以及複數個立體圖案。立體圖案設置於基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的間距不相同。
為達上述目的，依據本發明之另一種圖案化基板包括一基板本體以及複數個立體圖案。立體圖案設置於基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的形狀不相同。
在本發明之一實施例中，至少部分立體圖案呈不規則形狀。
在本發明之一實施例中，至少部分立體圖案與其他立體圖案不相同。
在本發明之一實施例中，立體圖案的頂面包括平面及/或曲面。
在本發明之一實施例中，立體圖案呈陣列排列、錯位排列、蜂巢狀排列、六角狀排列、或螺旋狀排列。
在本發明之一實施例中，立體圖案為凸狀圖案、凹狀圖案、或其組合。
在本發明之一實施例中，基板本體包括藍寶石基板、矽基板、碳化矽基板、尖晶石基板、或高分子基板。
在本發明之一實施例中，藍寶石基板係為C面(0001)藍寶石基板。
在本發明之一實施例中，基板本體包括二氧化矽基板、氮化矽基板、鑽石基板、或類鑽碳基板。
為達上述目的，依據本發明之一種光電半導體元件包括於上所述任一圖案化基板以及一光電半導體單元。光電 半導體單元設置於圖案化基板上。
在本發明之一實施例中，光電半導體元件為發光二極體、有機發光二極體、或太陽能電池。
在本發明之一實施例中，光電半導體單元包括一第一半導體層及一第二半導體層依序設置於圖案化基板上。
在本發明之一實施例中，第一半導體層為P型半導體層，第二半導體層為N型半導體層；或者第一半導體層為N型半導體層，第二半導體層為P型半導體層。
承上所述，本發明之圖案化基板及光電半導體元件，因圖案化基板上的立體圖案以不規則的方式排列(例如但不限於至少部分立體圖案彼此之間的週期間距不相同，或是至少部分立體圖案彼此之間的間距不相同)，可增加光線與立體圖案接觸的態樣不同(可為入射至立體圖案內部或自立體圖案的表面反射)，進而提升光電半導體元件的光電效能。
另外，因立體圖案係為不規則形狀，進而可提供光源多種不同的反射路徑，更可增加光的散射、折射與繞射情形，使得光行進路線不一致，更可進一步提升光電半導體元件的光電效能。
另外，各立體圖案呈不規則形狀更可增加光的散射、折射、反射與繞射，而使得光行進路線不一致，進一步提升光電效能。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之圖案化基板及光電半導體元件，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
圖2A為本發明較佳實施例之一種圖案化基板的局部上視圖，圖2B為圖2A所示之部分立體圖案的示意圖，並請參照圖2A及圖2B所示。複數個立體圖案22係設置於基板本體21，圖案化基板20包括一基板本體21以及複數立體圖案22。基板本體21可包括藍寶石基板、矽晶圓基板、碳化矽基板、尖晶石基板、或高分子基板。其中，藍寶石基板更可為C面(0001)藍寶石基板。另外，基板本體21亦可包括二氧化矽基板、氮化矽基板、氮化鋁基板、鑽石基板、或類鑽碳基板。
圖2A為圖案化基板20的上視圖，因此，圖2A所示之立體圖案22亦等同於立體圖案22垂直投影於基板本體21的投影面積221，並以此解釋本發明所述之週期間距P(Pitch)及間距S。
立體圖案22其設於基板本體21，且立體圖案22呈陣列排列、錯位排列、蜂巢狀排列、六角狀排列、或螺旋狀排列等方式排列於基板本體21，但立體圖案22並非以完全相同的週期間距P或間距S方式排列，而是以至少部分不規則方式排列於基板本體21上，如圖2A所示，該不規則方式包括至少部分該些立體圖案22彼此之間的週期間距P不相同，或至少部分該些立體圖案22彼此之間的間距S不相同。換言之，立體圖案22是基於陣列排列、錯 位排列等上述排列方式，再以至少部分不規則的方式，如週期間距P或間距S不同，設置於基板本體21上。
需注意的是，本發明所述週期間距P係指一立體圖案22的投影面積221經由兩平行直線分別與該投影面積221的相對距離最大之二側邊緣相切所得的兩個切點的距離，並加上該投影面積221與另一相鄰投影面積221的間距S，當然也可以是二相鄰立體圖案的幾何中心之間的距離，而本發明較佳實施例係以二相鄰立體圖案的幾何中心之間的距離作為週期間距P說明之，然其非用以限制本發明。
舉例來說，如圖2A所示，任意選取二相鄰的立體圖案，例如立體圖案22a、22b，則立體圖案22a的幾何中心與立體圖案22b的幾何中心之間的距離為週期間距P’，而週期間距P可不等於週期間距P’。當然，本發明並未限定所有二相鄰立體圖案的週期間距P皆不相等，僅需部分不相等，以呈現不規則的方式即可。
另外，任二相鄰的立體圖案22互相靠近的距離為間距S，該些間距S至少部分乃為不相等。舉例而言，其一間距S可不等於另一間距S’，於較佳實施例中，間距S(或S’)介於0.02微米至13微米之間。相較於習知立體圖案呈規律排列的圖案化基板，本發明之圖案化基板20以不規則的方式排列，可增加光線與立體圖案22接觸的態樣不同(可為入射至立體圖案22內部或自立體圖案22表面反射)，進而提升光電效能。
除了位於基板本體21之立體圖案22可為非規則性的排列方式之外，至少部分立體圖案22彼此之間的形狀不相同，本發明所稱之形狀不同，係指立體圖案22投影至基板本體21的形狀不同，或是立體圖案22的尺寸不同，例如但不限於各個立體圖案22彼此之間的半徑、周長或高度不同。
較佳的，立體圖案22可為規則形狀或不規則形狀。其中，不規則形狀的立體圖案22可進一步達到提升光電效能之功效，而本發明較佳實施例以不規則形狀之立體圖案22說明。請參考圖2A及圖2B所示，其中，參照先前技術中所述對於規則形狀之立體圖案所設定之排列中心的定義，基板本體21上定義有複數個排列中心222(為求圖面簡潔，圖2A僅示其中之一排列中心222)，而立體圖案22對應設置於排列中心222，然而，因較佳實施例的立體圖案22為不規則形狀，故至少部分立體圖案22的幾何中心垂直投影於基板本體21上的幾何中心點223與排列中心222不相同，當然亦可有部分立體圖案22的幾何中心點223與排列中心222相同。另需註明的是，規則形狀之立體圖案的幾何中心點與其排列中心的位置相同(如先前技術之圖1A所示)。
請參照圖2A所示，至少部分相鄰的幾何中心點223彼此之間的距離D不相同。舉例而言，相鄰立體圖案22c~22e，其幾何中心點分別為223c~223e，而幾何中心點223c與幾何中心點223d之間有距離D1、幾何中心點223d 與幾何中心點223e之間有距離D2、幾何中心點223c與幾何中心點223e之間有距離D3，而至少部分不相同的情形有距離D1~D3皆不相同，或其中有一個距離(例如距離D1)與另兩個距離(例如距離D2、D3)不相同。而立體圖案22的排列中心222與幾何中心點223不相同，更可影響光反射時朝向不同的方向，同樣可增加光折射、散射與反射的路線，進而提升光電效能。
如圖2A至圖2B所示，各立體圖案22具有複數個脊線224，脊線224將各立體圖案22的表面區分為多個面積不相等的區域。因立體圖案22表面的不規則設計可造成多種不同入射角度及出射角度，以增加光折射、散射與反射的路線，同樣可提升光電效能。
另外，立體圖案22乃為不規則形狀之立體結構，於較佳實施例中，其尺寸介於0.01微米至8微米之間(此所定義之尺寸係為立體圖案之直徑或立體圖案之底部的最長寬度)。
圖3A至圖3D為依據本發明較佳實施例之立體圖案的示意圖，請同時參照圖3A至圖3D所示。立體圖案之頂面可包括平面及/或曲面，亦即立體圖案之頂面可包括至少一平面、或包括至少一曲面、或包括至少一平面及至少一曲面。其中，曲面可為尖銳之錐體形狀或平滑之圓弧形狀。圖3A所示立體圖案22f的頂面為尖銳之錐體形狀，而圖3B所示立體圖案22g的頂面為平滑之圓弧形狀；亦可為如圖3C所示，立體圖案22h的頂面225為一平面。更可如 圖3D所示立體圖案22i為類三角錐的形狀。
除了立體圖案22呈現不規則形狀外，至少部分立體圖案22與其他立體圖案22可不相同。立體圖案22更可為凸狀圖案、凹狀圖案、或凸狀及凹狀組合之圖案。各立體圖案的不規則形狀之設計，可使得光源入射及反射之間形成的夾角不相等，其係能夠增加光的折射、散射與反射，而使得光行進路線不一致，進而提升光電效能。
圖4為依據本發明較佳實施例之一種光電半導體元件，請參照圖4所示。光電半導體元件3可為發光二極體、有機發光二極體、或太陽能電池等。於本實施例中，光電半導體元件3係以發光二極體為例，然非限定本發明。
光電半導體元件3包括一圖案化基板31以及一光電半導體單元32，而光電半導體單元32設置於圖案化基板31上，且光電半導體單元32包括一第一半導體層321及一第二半導體層322依序設置於圖案化基板31上。圖案化基板31上具有以非規則性排列之立體圖案311，且立體圖案311為不規則之立體結構，而圖案化基板31及立體圖案311的技術特徵已詳述於上述實施例之中，故於此不再贅述。
於較佳實施例中，光電半導體單元32更包括一發光層323，夾設於第一半導體層321及第二半導體層322之間。第一半導體層321係設置於圖案化基板31上。發光層323設置於部分第一半導體層321上。第二半導體層322設置於發光層323上。其中，第一半導體層321為P型半 導體，而第二半導體322為N型半導體層；或者第一半導體層321為N型半導體層，第二半導體層322為P型半導體層。由第一半導體層321、發光層323及第二半導體層322所組成之光電半導體單元32係可為發光磊晶結構。
本發明較佳實施例之光電半導體元件3更包括一接觸層33、一第一電極34以及一第二電極35，接觸層33設置於第二半導體層322上，第一電極34設置於接觸層33之上，而第二電極35設置於第一半導體層321上，且與第一電極34相對設置。當電流導通時，所產生之光經由圖案化基板31反射，以離開光電半導體元件3，故光的反射率與光電半導體元件3的發光效能息息相關。
請參照圖5所示，其為圖4所示之立體圖案的入射線與反射線之夾角的示意圖。因本發明之立體圖案311係為不規則的立體結構，且立體圖案311彼此之間亦不相同，因此，當光線射入圖案化基板31時，於各立體圖案311的入射線與反射線之間形成有不相等的夾角θ1~θ3，進而可提供光源多種不同的反射路徑，更可增加光的散射、折射與繞射情形，以提高光電半導體元件3的光電效能。另需注意的是，夾角θ1~θ3僅為其中三種夾角的表示，其可為各種角度，各立體圖案311的入射線與反射線之間形成的夾角數量不限於該三種角度。
綜上所述，因圖案化基板上的立體圖案以不規則的方式排列，可增加光線與立體圖案接觸的態樣不同(可為入射至立體圖案內部或自立體圖案的表面反射)，進而提升 光電半導體元件的光電效能。
另外，因立體圖案係為不規則形狀，進而可提供光源多種不同的反射路徑，更可增加光的散射、折射與繞射情形，使得光行進路線不一致，更可進一步提升光電半導體元件的光電效能。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10、20、20f~20i、31‧‧‧圖案化基板
11、21‧‧‧基板本體
12、22、22a~22i、311‧‧‧立體圖案
121、221‧‧‧投影面積
122、222‧‧‧排列中心
223、223c~223e‧‧‧幾何中心點
224‧‧‧脊線
225‧‧‧頂面
3‧‧‧光電半導體元件
32‧‧‧光電半導體單元
321‧‧‧第一半導體層
322‧‧‧第二半導體層
323‧‧‧發光層
33‧‧‧接觸層
34‧‧‧第一電極
35‧‧‧第二電極
D、D’、D1~D3‧‧‧距離
P、P’‧‧‧週期間距
S、S’‧‧‧間距
θ1~θ3‧‧‧夾角
圖1A為習知圖案化基板的局部上視圖；圖1B為習知立體圖案的示意圖；圖2A為本發明較佳實施例之一種圖案化基板的局部上視圖；圖2B為圖2A所示之部分立體圖案的示意圖；圖3A至圖3D為依據本發明較佳實施例之立體圖案的示意圖；圖4為依據本發明較佳實施例之一種光電半導體元件的示意圖；以及圖5為圖4所示之立體圖案的入射線與反射線之夾角的示意圖。
20‧‧‧圖案化基板
21‧‧‧基板本體
22、22a~22e‧‧‧立體圖案
221‧‧‧投影面積
222‧‧‧排列中心
223、223c~223e‧‧‧幾何中心點
224‧‧‧脊線
D、D1~D3‧‧‧距離
P、P’‧‧‧週期間距
S、S’‧‧‧間距

Claims (16)

  1. 一種圖案化基板，包括：一基板本體；以及複數個立體圖案，設置於該基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的週期間距不相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之圖案化基板，其中該週期間距係為二相鄰之該些立體圖案的幾何中心之間的距離。
  3. 一種圖案化基板，包括：一基板本體；以及複數個立體圖案，設置於該基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的間距不相同。
  4. 一種圖案化基板，包括：一基板本體；以及複數個立體圖案，設置於該基板本體，至少部分該些立體圖案彼此之間的形狀不相同。
  5. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中至少部分該些立體圖案呈不規則形狀。
  6. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中至少部分該些立體圖案與其他立體圖案不相同。
  7. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中該立體圖案的包括頂面為平面及/或曲面。
  8. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案 化基板，其中該些立體圖案呈陣列排列、錯位排列、蜂巢狀排列、六角狀排列、或螺旋狀排列。
  9. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中該些立體圖案為凸狀圖案、凹狀圖案、或其組合。
  10. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中該基板本體包括藍寶石基板、矽基板、碳化矽基板、尖晶石基板、或高分子基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之圖案化基板，其中該藍寶石基板係為C面(0001)藍寶石基板。
  12. 如申請專利範圍第1項或第3項或第4項所述之圖案化基板，其中該基板本體包括二氧化矽基板、氮化矽基板、鑽石基板、或類鑽碳基板。
  13. 一種光電半導體元件，包括：一如申請專利範圍第1項至第12項任一項所述之圖案化基板；以及一光電半導體單元，設置於該圖案化基板上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之光電半導體元件，其為發光二極體、有機發光二極體、或太陽能電池。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之光電半導體元件，其中該光電半導體單元包括一第一半導體層及一第二半導體層依序設置於該圖案化基板上。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之光電半導體元件，其中該第一半導體層為P型半導體層，該第二半導體層 為N型半導體層；或者該第一半導體層為N型半導體層，該第二半導體層為P型半導體層。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583021B (zh) * 2014-09-19 2017-05-11 榮創能源科技股份有限公司 發光二極體晶粒及其製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20090041088A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 인하대학교 산학협력단 임프린팅 공정을 이용한 패턴된 사파이어 기판 제조 방법
JP5196403B2 (ja) * 2009-03-23 2013-05-15 国立大学法人山口大学 サファイア基板の製造方法、および半導体装置
JP5669126B2 (ja) * 2009-06-18 2015-02-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光線反射防止用シボの形成方法および該方法によってシボが形成されたレンズ鏡筒
TWI467214B (zh) * 2009-09-02 2015-01-01 Dexerials Corp A conductive optical element, a touch panel, an information input device, a display device, a solar cell, and a conductive optical element
CN102237459B (zh) * 2010-04-20 2013-01-16 北京大学 一种制备led器件出光结构的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI583021B (zh) * 2014-09-19 2017-05-11 榮創能源科技股份有限公司 發光二極體晶粒及其製造方法

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