KR100808197B1

KR100808197B1 - 수직형 발광 소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR100808197B1
Application number: KR20060063586A
Authority: KR
Inventors: 나종호; 최재완
Original assignee: 엘지전자 주식회사; 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2006-07-06
Filing date: 2006-07-06
Publication date: 2008-02-29
Also published as: KR20080004809A

Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 기판상에 마스크층을 형성하는 단계와; 상기 마스크층 상측에 전도성 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 전도성 반도체층 위에 복수의 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 LED 구조의 반도체층 위에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극 위에 지지층을 형성하는 단계와; 상기 기판을 제거하는 단계와; 상기 기판이 제거되어 드러난 전도성 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

SAG, 패턴, 식각, 반도체, 산화물.

Description

수직형 발광 소자 및 그 제조방법{LED having vertical structure and method for making the same}

도 1은 본 발명의 마스크층을 형성하는 과정을 나타내는 단면도이다.

도 2는 본 발명의 마스크층이 형성된 상태를 나타내는 평면도이다.

도 3은 도 2의 A - A 선 단면도이다.

도 4는 본 발명의 전도성 반도체층 성장의 일례를 나타내는 SEM 이미지이다.

도 5는 본 발명의 전도성 반도체층 성장의 다른 예를 나타내는 SEM 이미지이다.

도 6은 본 발명의 발광 소자의 박막 성장 구조를 나타내는 단면도이다.

도 7은 본 발명의 발광 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

10 : 기판 20 : 버퍼층

30 : 마스크층 31 : 유전체층

32 : 패턴 40 : 전도성 반도체층

50 : LED 구조 60 : p-형 전극

70 : 반사전극 80 : 지지층

90 : n-형 전극

본 발명은 수직형 발광 소자에 관한 것으로 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)에 의해 고출력 전자소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

또한, 종래의 녹색 LED의 경우에는 처음에는 GaP로 구현이 되었는데, 이는 간접 천이형 재료로서 효율이 떨어져서 실용적인 순녹색 발광을 얻을 수 없었으나, InGaN 박박성장이 성공함에 따라 고휘도 녹색 LED 구현이 가능하게 되었다.

이와 같은 이점 및 다른 이점들로 인해, GaN 계열의 LED 시장이 급속히 성장하고 있다. 따라서, 1994년에 상업적으로 도입한 이래로 GaN 계열의 광전자장치 기술도 급격히 발달하였다.

상술한 바와 같이, InGaN과 같은 질화물 반도체는 직접 천이형 물질로서, 고휘도 LED 구현이 가능하지만, 이종기판과의 큰 격자 부정합과 열팽창 계수의 차이로 인하여 결정 내에 많은 결함이 포함될 수 있어, 이는 여전히 해결해야 할 큰 문제점으로 지적되고 있다.

최근에 이러한 결함을 줄이기 위한 방법으로 SiO₂ 혹은 SiN_x 마스크를 이용한 선택 영역 성장법(selective area growth: SAG)과 수평 박막 과성장법(epitaxial later overgrowth: ELO)과 같은 방법이 제안되었다.

이러한 방법을 이용하여 성장된 GaN 박막의 경우 결함밀도가 10⁸ cm^-2이하로 감소하여 소자 특성이 향상될 수 있음이 보고되고 있다.

이와 함께, LED 소자의 광추출 효율을 향상시키기 위한 방안으로 절두형 역 피라미드 구조가 AlGaInP/GaP LED에 적용된 것이 보고되고 있다.

이러한 절두형 역 피라미드 구조는 광이 외부로 적출되기까지의 경로를 효과 적으로 줄일 수 있어, 기존의 LED 구조 대비 50% 이상의 외부 양자 효율의 증가를 가져왔다.

그러나 이러한 구조를 유도하기 위해서 측면의 경사각을 인위적으로 형성할 경우에 공정에 어려움이 따를 뿐 아니라 발광 효율에도 좋지 않은 영향을 미치게 된다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수직형 발광 소자에 있어서, 선택적으로 성장된 GaN 버퍼층의 형상을 다양하게 변화시킬 수 있는 방법을 제시하고, 이러한 구조를 이용하여 높은 광 추출 효율을 구현할 수 있는 수직형 발광 소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 기판상에 마스크층을 형성하는 단계와; 상기 마스크층 상측에 전도성 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 전도성 반도체층 위에 복수의 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 LED 구조의 반도체층 위에 제1전극을 형성하는 단계와; 상기 제1전극 위에 지지층을 형성하는 단계와; 상기 기판을 제거하는 단계와; 상기 기판이 제거되어 드러난 전도성 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 마스크층을 형성하는 단계는, 상기 기판 위에 형성된 버퍼층 위에 형성할 수도 있다. 이때, 상기 버퍼층은 InAlGaN 층을 이용할 수 있다.

상기 전도성 반도체층은, 10 내지 300㎛의 두께를 갖는 전도성 GaN 층인 것 이 바람직하다.

또한, 상기 마스크층을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 유전체층을 형성하는 단계와; 상기 유전체층의 내측을 다각형 형상으로 제거하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

이때, 상기 유전체층은, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 이용하는 것이 바람직하다.

상기 전도성 반도체층의 수평 단면은, 상기 유전체층에 형성된 다각형 형상과 동일할 수도 있고, 성장 과정 중에 더 많은 각을 가지는 다각형 형상으로 형성될 수도 있다.

한편, 상기 복수의 반도체층을 형성하는 단계는, 상기 전도성 반도체층 위에 n-형 GaN 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 n-형 GaN 반도체층 위에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층 위에 p-형 GaN 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 기판은, GaN 기판을 이용할 수 있고, 이때, GaN 기판은 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법으로 형성될 수 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 지지층과; 상기 지지층 위에 위치하는 제1전극과; 상기 제1전극 위에 위치하는 복수의 반도체층과; 상기 복수의 반도체층 위에 위치하며, 외측면이 특정 각도의 경사각을 갖는 전도성 반도체층과; 상기 전도성 반도체층 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

상기 전도성 반도체층은, 상측으로 갈수록 넓어질 수 있으며, 이때, 상기 전도성 반도체층의 외측면 경사각은, 상기 전도성 반도체층의 상측면과 측면 사이의 각도가 53 내지 56도인 것이 바람직하다.

한편, 상기 지지층, 제1전극, 복수의 반도체층, 전도성 반도체층, 및 제2전극 중 적어도 어느 하나 이상은 수평 절개면이 4각 이상의 다각형의 형상을 이룰 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1에서 도시하는 바와 같이, 기판(10) 상측에는 실리콘 산화물(SiO₂) 또는 실리콘 질화물(SiN_x)과 같은 유전체 물질을 이용하여 유전체층(31)이 형성된다.

상기 기판(10)은 사파이어(sapphire), 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 또는 리튬 알루미네이트(LiAlO₂) 등의 이종 기판(10)을 이용할 수 있고, 질화갈륨(GaN)의 동종 기판(10)을 이용할 수도 있다.

이때, 이러한 GaN 기판(10)은 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 성장될 수 있다. 이와 같이, HVPE 법으로 GaN 기판(10)을 성장하면 적정 두께를 갖는 고품질의 GaN 기판(10)을 제공할 수 있다.

상기 유전체층(31)은 기판(10) 위에 직접 성장될 수도 있고, MOCVD(metal organic chemical vapor epitaxy), MBE(molecular beam epitaxy), 또는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 등의 방법으로 성장된 일정 두께의 In_xAl_yGa_{(1-y- x)}N으로 이루어지는 버퍼층(20) 위에 성장될 수도 있다. 이하, 상기 버퍼층(20) 위에 유전체층(31)이 형성되는 구조를 예를 들어 설명한다.

이러한 유전체층(31)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)나 스퍼터(sputter)등의 증착 장비를 이용하여, 상기 기판(10) 혹은 버퍼층(20)위에 SiO₂ 나 SiN_x 등의 유전체 물질로 증착된다.

상기 유전체층(31) 위에는 포토 레지스트(33)와 같은 물질을 도포하여 도 2와 같은 패턴(32)을 형성한다.

이와 같이, 패턴(32)이 형성된 유전체층(31)은 이후에, 특정 선택 영역에 질화갈륨 반도체가 성장할 수 있도록 하는 마스크층(30)을 이루게 된다.

이때, 상기 패턴(32)의 형성은 포토 리소그래피(photo-lithography)와 같은 공정을 통하여 형성된다.

이러한 패턴(32)의 평면 모양은 도 2에서와 같이, 4각 이상의 다각형으로 형성되며, 4각, 6각, 8각, 12각, 24각 등의 형상으로 형성될 수 있다.

도 3에서는 상기 마스크층(30)의 패턴(32)이 형성된 단면(A - A 선) 구조를 도시하고 있다.

이와 같이, 다각형으로 형성된 마스크층(30)의 패턴(32)은 상기 버퍼층(20) 위에서 상기 패턴(32) 형상에 따라 특정 다각 기둥 형상의 질화갈륨 반도체 템플릿(template)이 성장할 수 있도록 한다.

이와 같은 패턴(32)의 형성은 건식 또는 습식 식각 방법을 통해 이루어질 수 있다.

상기와 같이, LED를 제작하고자 하는 부분의 유전체층(31)을 제거하여 패턴(32)을 형성한 뒤, HVPE(hydride vapor phase epitaxy)를 이용하여 1 내지 300㎛ 두께의 전도성 반도체를 이용하여 템플릿(template) 구조를 성장시킨다.

상기 템플릿 구조로서의 전도성 반도체층(40)은 n-형 질화갈륨 반도체층을 이용하며, 그 두께로는 보다 바람직하게 10 내지 100㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다.

상술한 HVPE법을 이용한 성장은 대략 시간당 50㎛ 정도의 성장 속도로 성장이 가능하여, 전도성 반도체층(40)과 같이 두꺼운 박막의 성장시에 유리하다.

이때, 이러한 전도성 반도체층(40)의 평면 모양은 일반적으로 마스크층(30)의 패턴(32) 형상과 같으나, 전도성 반도체층(40)의 성장 조건을 변화시킴으로써 마스크층(30)의 패턴(32) 형상과 다르게 형성될 수 있다.

이러한 성장시 전도성 반도체층(40)의 형상은 성장 속도, 압력, 구성물질의 혼합율, Ga와 같은 3족 물질과 N과 같은 5족 물질의 비율(V/III ratio), 성장 시간과 성장 온도를 달리 함으로서 조절될 수 있다.

일례로서, 결과적으로 형성된 전도성 반도체층(40)은 6각 이하의 다각형 마스크층(30) 패턴(32) 형상 위에 성장되더라도 도 4와 같이 8각 이상의 다각형 형상을 가질 수 있게 된다.

또한, 도 5에서와 같이, 6각형의 패턴(32) 위에 전도성 반도체층(40)이 형성되더라도 이러한 전도성 반도체층(40)의 수평 단면은 12각형의 형상을 가질 수 있 다.

상기 도 4 및 도 5는 실제 마스크층(30) 위에 성장된 전도성 반도체층(40)의 SEM(scanning electron microscopy) 이미지이다.

이와 같이, 수평 단면이 8각형 이상의 다각형으로 형성된 전도성 반도체층(40)의 형상은, 소자에서 빛이 방출되는 경우, 4각형 또는 6각형 단면 형상에 비교할 때, 빛의 내부 전반사가 일어날 확률을 더욱 감소시킴으로써 광 추출 효율을 개선할 수 있다.

이러한 전도성 반도체층(40)의 단면 형상은 상술한 바와 같이 8각형 이상일 경우 광 추출 효율을 향상시킬 수 있고, 원형의 형상을 이루는 것이 보다 바람직하나, 상술한 전도성 반도체층(40)의 형성 과정을 고려할 때, 8각형 내지 24각형의 단면 형상을 가지는 것이 바람직하다.

한편, 이와 같이, 4각 이상의 단면을 가지는 전도성 반도체층(40) 위에 형성되는 구조는 이러한 전도성 반도체층(40) 구조와 동일한 단면을 가질 수 있다.

또한, 질화합물 템플릿으로서의 전도성 반도체층(40)이 이러한 국소화된 패턴(32) 안에서 성장될 경우, 결정 특성상 자연적으로 측면에 경사각이 형성될 수 있고, 이 각도는 35 내지 65°사이에서 결정된다.

이 경사각 또한 상술한 성장 조건을 변화시킴으로써 조절이 가능하다.

이와 같이 성장된 전도성 반도체층(40) 템플릿 위에, 도 6과 같이, LED 구조(50)를 MOCVD법을 이용하여 성장시킨다.

상술한 바와 같은 질화합물 템플릿으로서의 전도성 반도체층(40)의 측면에 경사각(θ)은, 도 6에서 도시하는 바와 같이, 수평면으로부터 대략 35 내지 65°을 가질 수 있으며, 보다 바람직하게는 53 내지 56°의 경사를 이루는 것이 바람직하다.

이후에는, 질화갈륨(GaN)을 이용하여 상기 전도성 반도체층(40) 위에 n-형 반도체층(51)과 활성층(52) 및 p-형 GaN 반도체층(53)을 차례로 형성한다.

이때, 상기 n-형 반도체층(51), 활성층(52), p-형 반도체층(53)의 순서는 반대로 형성될 수도 있다. 즉, 상기 전도성 반도체층(40) 위로부터 p-형 반도체층(53), 활성층(52), n-형 반도체층(51)의 순서로 형성될 수도 있다. 이와 같은 경우에는 상기 전도성 반도체층(40)은 p-형 반도체층을 이용할 수 있다.

특히, 상기 LED 구조(50)는 질화갈륨(GaN) 계열 반도체가 이용될 수 있으며, 이때, 상기 활성층(52)은 InGaN/GaN 양자우물(quantum well: QW) 구조를 이룰 수 있다.

그 외에 AlGaN, AlInGaN 등의 물질도 활성층(52)으로 이용될 수 있음은 물론이다. 이러한 활성층(52)에서는 전계를 인가하였을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.

또한, 이러한 활성층(52)은 휘도 향상을 위하여 상술한 양자우물 구조(QW)가 복수로 형성되어 다중 양자우물(multi quantum well: MQW) 구조를 이룰 수 있다.

상기 LED 구조(50) 위에는 p-형 전극(60)이 형성된다. 이때, 이러한 p-형 전극(60)은 오믹 전극이며, 이 p-형 전극(60) 위에는 상기 활성층(52)에서 발생한 빛을 반사하여 외부로 방출시키기 위한 반사전극(70)이 형성될 수 있다.

또한, p-형 전극(60)과 반사전극(70)의 물질의 선택에 따라 하나의 전극이 p-형 전극(60)과 반사전극(70)의 역할을 겸할 수도 있다.

이러한 반사전극(70) 위에는 추후 기판(10) 분리과정에서 LED 구조(50)를 지지하기 위하여 지지층(80)이 형성될 수 있다.

이와 같은 지지층(80)은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 게르마늄(Ge) 등의 반도체 기판이나 Cu, W 등의 금속 기판을 반사전극(70) 위에 본딩하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 반사전극(70) 위에 니켈(Ni) 또는 구리(Cu)와 같은 금속을 도금하여 형성할 수도 있다.

이러한 지지층(80)이 금속인 경우에는 반사전극(70)에 부착성을 높이기 위하여 결합금속(seed metal)을 이용하여 형성할 수도 있다.

이상과 같은 단계에 의하여 LED 구조(50)는 도 6과 같은 구조를 이룬다.

이와 같이 형성된 구조에서, 이후, 상기 기판(10)과 버퍼층(20) 및 마스크층(30)이 제거된다.

이와 같이 상기 기판(10)과 버퍼층(20) 및 마스크층(30)이 제거된 상태에서, 전체 구조는 역전되고, 이러한 제거 과정을 통하여 드러난 전도성 반도체층(40) 템플릿의 외측면에는 n-형 전극(90)이 형성되어 도 7과 같은 수직형 발광 소자의 구조가 이루어진다.

상술한 바와 같이, 전체 구조는 역전되었으므로 상기 전도성 반도체층(40)의 외측면 경사각은, 상기 전도성 반도체층(40)의 상측면과 측면 사이의 각도가 53 내지 56도를 이루게 된다.

상기 기판(10)의 제거는 이른바, 레이저 리프트 오프(laser lift off)법을 이용하여 레이저를 이용하여 제거할 수 있고, 또한 식각법을 이용하여 화학적인 방법으로 제거할 수도 있다.

이러한 기판(10)의 제거하는 과정에서 상기 지지층(80)은 LED 구조(50)를 지지할 수 있도록 한다.

상기 버퍼층(20) 및 마스크층(30)은 건식 식각 또는 습식 식각법을 이용하여 제거할 수 있고, 이후 제거되어 드러난 전도성 반도체층(40) 면은 화학적 또는 기계적으로 표면처리가 이루어질 수 있다.

이러한 수직형 LED 구조는 기존의 수평형 LED에 비하여 전류 퍼짐(current spreading) 즉, 전류의 균일도가 향상되고, 열전도도가 낮은 사파이어 기판(10) 대신에 열전도도가 높은 Si, Ge, GaAs 등의 반도체 기판 및 금속을 사용하므로, LED의 열 방출특성을 개선할 수 있다.

상술한 바와 같이, SiO₂, SiN_x 등의 유전체 박막으로 이루어지는 마스크층(30)을 이용하는 선택 영역 성장법(selective area growth: SAG)을 적용한 결정 성장에서 템플릿(template)의 형상을 이용하면 성장 조건과 결정 방향을 따라 자연적으로 상술한 절두형 역 피라미드 구조를 가질 수 있다.

이러한 전도성 반도체층(40)으로 이루어지는 템플릿은 그 단면 모양이 다각으로 갈수록 발광 소자의 발광 영역에서 외부로 추출될 수 있는 효율이 높아질 수 있고, 이러한 사실은 같은 발광 소자 구조에서 사각과 육각단면의 소자를 비교했을 때 실험적으로 보여졌다.

상기 전도성 반도체층(40) 템플릿의 적정 각도는 GaN 물질의 굴절률과 공기중의 굴절률 등 관련 조건들을 고려할 때, 대략 55도 정도의 각도가 바람직하며, 상술한 조건인, 상기 전도성 반도체층의 상측면과 측면 사이의 각도가 53 내지 56도를 이룰 때에도 광 추출 효율은 상대적으로 크게 향상될 수 있다.

따라서 본 발명과 같이, 마스크층(30)의 패턴(32) 형상과 상기한 여러 성장 변수들을 이용하여 결정의 측면(facet)에 따른 성장율과 성장 방향을 임의로 조절하는 것이 가능하여 결과적으로 여러 형상의 템플릿을 만들어 낼 수 있으며, 궁극적으로 광 추출 효율을 극대화 시킬 수 있는 구조로 발전시킬 수가 있는 것이다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.

이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.

첫째, 본 발명은 발광 소자의 전도성 반도체 템플릿 형상을 다양하게 조절할 수 있다.

둘때, 이와 같이 형성된 템플릿 형상은 결정 결함을 개선하고, 내부 전반사가 발생하는 비율을 감소시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.

셋째, 본 발명은 소자 내의 전류 분포가 균일하고, 결과적으로 높은 신뢰성 을 가지는 발광 소자를 구현할 수 있다.

Claims

기판상에 마스크층을 형성하는 단계와;

상기 마스크층 상측에 전도성 반도체층을 형성하는 단계와;

상기 전도성 반도체층 위에 복수의 반도체층을 형성하는 단계와;

상기 반도체층 위에 제1전극을 형성하는 단계와;

상기 제1전극 위에 지지층을 형성하는 단계와;

상기 기판을 제거하는 단계와;

상기 기판이 제거되어 드러난 전도성 반도체층 면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 마스크층을 형성하는 단계는, 상기 기판 위에 형성된 버퍼층 위에 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 2항에 있어서, 상기 버퍼층은, InAlGaN 층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 마스크층을 형성하는 단계는,

상기 기판상에 유전체층을 형성하는 단계와;

상기 유전체층의 내측을 다각형 형상으로 제거하는 단계를 포함하여 구성되 는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 4항에 있어서, 상기 전도성 반도체층의 수평 단면은, 상기 유전체층의 다각형 형상과 동일한 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 4항에 있어서, 상기 전도성 반도체층의 수평 단면은, 상기 유전체층의 다각형 형상보다 더 많은 각을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 4항에 있어서, 상기 유전체층은, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 전도성 반도체층은, 1 내지 300㎛의 두께를 갖는 전도성 GaN 층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 전도성 반도체층은, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 복수의 반도체층을 형성하는 단계는,

상기 전도성 반도체층 위에 n-형 GaN 반도체층을 형성하는 단계와;

상기 n-형 GaN 반도체층 위에 발광층을 형성하는 단계와;

상기 발광층 위에 p-형 GaN 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 기판은, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법으로 형성되는 GaN 기판인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조방법.
지지층과;

상기 지지층 위에 위치하는 제1전극과;

상기 제1전극 위에 위치하는 복수의 반도체층과;

상기 복수의 반도체층 위에 위치하며, 외측면이 특정 각도의 경사각을 갖는 전도성 반도체층과;

상기 전도성 반도체층 위에 위치하는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
제 12항에 있어서, 상기 전도성 반도체층의 외측면 경사각은, 상기 전도성 반도체층의 상측면과 측면 사이의 각도가 35 내지 65도인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
제 12항에 있어서, 상기 전도성 반도체층은, 1 내지 300㎛의 두께를 갖는 전 도성 GaN 층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
제 12항에 있어서, 상기 지지층, 제1전극, 복수의 반도체층, 전도성 반도체층, 및 제2전극 중 적어도 어느 하나 이상은 수평 단면이 4각 이상 24각 이하의 다각형인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.
제 12항에 있어서, 상기 제1전극은,

반사전극과;

상기 반사전극 위에 위치하는 오믹전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자.