JP2009158478A - プラズモニック結晶面発光体、画像表示装置及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に少なくとも陽極導電層、発光層、陰極導電層を順次積層することで作製する有機発光ダイオード素子において、
粒子単層膜からなる2次元結晶体をエッチングマスクとしたドライエッチング法によって作製した規則的凹凸による周期格子構造を有する基板を用い、規則的凹凸を有する陰極表面での表面プラズモン共鳴を利用して光エネルギーの取り出し効率を向上させることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体である。
【選択図】図1
Description
Chemical Physics Letter,182,p143(1991) Synthetic Metals,116,p145(2001)
粒子単層膜からなる2次元結晶体をエッチングマスクとしたドライエッチング法によって作製した規則的凹凸による周期格子構造を有する基板を用い、規則的凹凸を有する陰極表面での表面プラズモン共鳴を利用して光エネルギーの取り出し効率を向上させることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体である。
(2)上記エッチングマスクは、気液界面に疎水化粒子分散液を滴下し分散媒を揮発する際の横毛細管力によって粒子を自己組織化し、それを基板に移し取るラングミュアー・ブロジェット法を用いて作製された粒子が2次元に最密充填したエッチングマスクであり、且つ下記式(1)で定義される2次元結晶体粒子の配列のずれD(%)が10%以下であることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体である。
D(%)=|B−A|×100/A・・・式(1)
(式(1)中、Aは前記粒子の平均粒子径、Bは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。)
(3)上記(1)〜(2)のいずれかに記載の周期格子構造の原盤を用いて作製した金型、スタンパーまたは原盤を用いて、射出成型法、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法、熱プレス法、UVエンボスのいずれかの方法で周期格子構造の形状を転写して作製する周期格子構造の製造方法である。
(4)上記周期格子構造を有する基板が、形状転写技術を用いて複製されたものである、(1)〜(2)のいずれかに記載のプラズモニック結晶面発光体である。
(5)上記(1)〜(4)のいずれかに記載の方法によって作製されたプラズモニック結晶面発光体を少なくとも一部に有する画像表示装置である。
(6)上記(1)〜(4)のいずれかに記載の方法によって作製されたプラズモニック結晶面発光体を少なくとも一部に有する照明装置である。
超音波照射による粒子配列の高度化は非常に効果的であるため、面積が大きくなるほど本発明の手法の優位性は高まる。
本発明の粒子単層膜からなる単粒子膜エッチングマスクを構成する粒子とは、粒子径が有機発光ダイオードの発光光の実効波長程度以下のものを指す。これは、周期格子構造の周期が微粒子の粒子径で規定されるからである。
単粒子膜エッチングマスクを構成する粒子は、粒子径の変動係数(標準偏差を平均値で除した値)が15%以下であるものが好ましく、10%以下であるものがより好ましく、5%以下のものがさらに好ましい。このように粒子径の変動係数、すなわち、粒子径のばらつきが小さい粒子を使用すると、後述する単粒子膜エッチングマスクの製造工程において、粒子が存在しない欠陥箇所が生じにくくなり、配列のずれDが10%以下である単粒子膜エッチングマスクが得られやすい。表面プラズモン共鳴を効率的に誘発するには、周期格子構造が回折光を効率的につくることが必要であり、そのためには配列のずれが少ない単粒子膜エッチングマスクを用いることが好ましい。
まず、クロロホルム、メタノール、エタノール、メチルエチルケトン、ヘキサンなどの揮発性の高い溶剤のうちの1種以上からなる疎水性の有機溶剤中に、表面が疎水性の粒子を加えて分散液を調製する。一方、水槽(トラフ)を用意し、これに、その液面上で粒子を展開させるための液体(以下、下層水という場合もある。)として水を入れる。
次に、分散液を下層水の液面に滴下する(滴下工程)。その結果、分散媒である溶剤が揮発するとともに、粒子が下層水の液面上に単層で展開し、2次元的に最密充填した単粒子膜を形成することができる(単粒子膜形成工程)。
このように、粒子として疎水性のものを選択した場合には、溶剤としても疎水性のものを選択する必要がある。一方、その場合、下層水は親水性である必要があり、通常、上述したように水を使用する。このように組み合わせることによって、後述するように、粒子の自己組織化が進行し、2次元的に最密充填した単粒子膜が形成される。ただし、粒子および溶剤として親水性のものを選択してもよく、その場合には、下層水として、疎水性の液体を選択する。
界面活性剤としては、臭素化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム、臭素化デシルトリメチルアンモニウムなどのカチオン性界面活性剤、ドデシル硫酸ナトリウム、4−オクチルベンゼンスルホン酸ナトリウムなどのアニオン性界面活性剤が好適に使用できる。また、アルカンチオール、ジスルフィド化合物、テトラデカン酸、オクタデカン酸なども使用できる。
液中で行う場合には、例えば、クロロホルム、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、エチルエチルケトン、トルエン、n-ヘキサン、シクロヘキサン、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの1種以上からなる揮発性有機溶剤中に、疎水化対象の粒子を加えて分散させ、その後、界面活性剤を混合してさらに分散を続ければよい。このようにあらかじめ粒子を分散させておき、それから界面活性剤を加えると、表面をより均一に疎水化することができる。このような疎水化処理後の分散液は、そのまま、滴下工程において下層水の液面に滴下するための分散液として使用できる。
疎水化対象の粒子と界面活性剤の比率は、疎水化対象の粒子の質量に対して、界面活性剤の質量が1/3〜1/15倍の範囲が好ましい。
また、こうした疎水化処理の際には、処理中の分散液を撹拌したり、分散液に超音波照射したりすることも粒子分散性向上の点で効果的である。
金属アルコキシシランとしては、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、2−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2(アミノエチル)3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
このように水中で疎水化を行う場合には、例えば界面活性剤などの分散剤を併用して、疎水化前の粒子の分散状態を安定化するのが好ましいが、分散剤の種類によっては金属アルコキシシランの疎水化効果が低減することもあるため、分散剤と金属アルコキシシランとの組み合わせは適切に選択する。
疎水化対象の粒子と金属アルコキシシランの比率は、疎水化対象の粒子の質量に対して、金属アルコキシシランの質量が1/10〜1/100倍の範囲が好ましい。
このような場合は、粒子2量体、3量体、・・・20量体程度までの質量に対応する固有振動を与えると仮定して計算を行うと、必要な振動数を現実的な範囲まで低減させることが出来る。粒子の会合体の固有振動数に対応する超音波振動を与えた場合でも、粒子の充填率向上効果は発現する。超音波の照射時間は、粒子の再配列が完了するのに十分であればよく、粒子径、超音波の周波数、水温などによって所要時間が変化する。しかし通常の作成条件では10秒間〜60分間で行うのが好ましく、より好ましくは3分間〜30分間である。
超音波照射によって得られる利点は粒子の最密充填化(ランダム配列を6方最密化する)の他に、ナノ粒子分散液調製時に発生しやすい粒子の軟凝集体を破壊する効果、一度発生した点欠陥、線欠陥、または結晶転移などもある程度修復する効果がある。
特に、例えばコロイダルシリカのように、球形であって粒子径の均一性も高い粒子が、水面上に浮いた状態で3つ集まり接触すると、粒子群の喫水線の合計長を最小にするように表面張力が作用し、図1に示すように、3つの粒子は正三角形を基本とする配置で安定化する仮に、喫水線が粒子群の頂点にくる場合、すなわち、粒子が液面下に潜ってしまう場合には、このような自己組織化は起こらず、単粒子膜は形成されない。よって、粒子と下層水は、一方が疎水性である場合には他方を親水性にして、粒子群が液面下に潜ってしまわないようにすることが重要である。
下層水としては、以上の説明のように水を使用することが好ましく、水を使用すると、比較的大きな表面自由エネルギーが作用して、一旦生成した粒子の最密充填配置が液面上に安定的に持続しやすくなる。
単粒子膜を基板上に移し取る具体的な方法には特に制限はなく、例えば、疎水性の基板を単粒子膜に対して略平行な状態に保ちつつ、上方から降下させて単粒子膜に接触させ、ともに疎水性である単粒子膜と基板との親和力により、単粒子膜を基板に移行させ、移し取る方法;単粒子膜を形成する前にあらかじめ水槽の下層水内に基板を略水平方向に配置しておき、単粒子膜を液面上に形成した後に液面を徐々に降下させることにより、基板上に単粒子膜を移し取る方法などがある。これらの方法によれば、特別な装置を使用せずに単粒子膜を基板上に移し取ることができるが、より大面積の単粒子膜であっても、その2次元的な最密充填状態を維持したまま基板上に移し取りやすい点で、いわゆるLBトラフ法を採用することが好ましい。
また、後述するように最初にマスター(原盤)を作製し、マスターのレプリカモールドを作製して、実際には、このモールドを用いて射出成型法、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法、熱プレス法、UVエンボス法のいずれかの方法で樹脂成型品を生産する場合には、単粒子膜を作製する基板は透明である必要はない。この場合、具体的にはシリコン、シリコンカーバイドやガリウム砒素などの化合物、銅やアルミニウム等の各種金属等が利用可能である。
バインダーを使用する方法では、単粒子膜エッチングマスクが形成された基板の該単粒子膜側にバインダー溶液を供給して単粒子膜エッチングマスクと基板との間にこれを浸透させる。
バインダーの使用量は、単粒子膜エッチングマスクの質量の0.001〜0.02倍が好ましい。このような範囲であれば、バインダーが多すぎて粒子間にバインダーが詰まってしまい、単粒子膜エッチングマスクの精度に悪影響を与えるという問題を生じることなく、十分に粒子を固定することができる。バインダー溶液を多く供給してしまった場合には、バインダー溶液が浸透した後に、スピンコーターを使用したり、基板を傾けたりして、バインダー溶液の余剰分を除去すればよい。
バインダーの種類としては、先に疎水化剤として例示した金属アルコキシシランや一般の有機バインダー、無機バインダーなどを使用でき、バインダー溶液が浸透した後には、バインダーの種類に応じて、適宜加熱処理を行えばよい。金属アルコキシシランをバインダーとして使用する場合には、40〜80℃で3〜60分間の条件で加熱処理することが好ましい。
すなわち、本発明で作製する2次元的な6方最密充填格子配置の場合、3方向に周期構造が作成されるため、回折光を表面プラズモンと共鳴させる効率において最も優れた格子配置となり、発光効率の向上効果が高い。
また、電場のバイアスを数十から数百Wに設定すると、プラズマ状態にあるエッチングガス中の正電荷粒子は、加速されて高速でほぼ垂直に基板に入射する。よって、基板に対して反応性を有する気体を用いた場合は、垂直方向の物理化学エッチングの反応速度を高めることができる。
基板の材質とエッチングガスの種類の組み合わせによるが、気相エッチングでは、プラズマによって生成したラジカルによる等方性エッチングも並行して起こる。ラジカルによるエッチングは化学エッチングであり、エッチング対象物のどの方向にも等方的にエッチングを行う。ラジカルは電荷を持たないためバイアスパワーの設定でエッチング速度をコントロールすることはできず、エッチングガスのチャンバー内濃度で操作することができる。荷電粒子による異方性エッチングを行うためにはある程度のガス圧を維持しなければならないので、反応性ガスを用いる限りラジカルの影響はゼロに出来ない。しかし、基材を冷却することでラジカルの反応速度を遅くする手法は広く用いられており、その機構を備えた装置も多いので、利用することが好ましい。また、本エッチング工程においては、主としてバイアスパワーを調整し、かつ状況に応じていわゆる堆積ガスを併用することで、アスペクト比の低い緩やかな凹凸で形成される周期格子構造を得ることができる。
D’[%]=|C−A|×100/A・・・(2)
ただし、式(2)中、Aは使用した単粒子膜エッチングマスクを構成する粒子の平均粒子径である。
次に行う電解めっきでは、金属層の厚さを最終的に10〜5000μm、一般的には300μm程度まで厚くし、その後、金属層を原版から剥がし取る。電解めっきにおける電流密度には特に制限はないが、ブリッジの発生を抑制して均一な金属層を形成でき、かつ、このような金属層を比較的短時間で形成できることから、0.03〜10A/m2が好ましい。
また、モールドとしての耐摩耗性、剥離・貼合時のリワーク性などの観点から、金属層の材質はニッケルが好ましく、最初に行う無電解めっきまたは真空成膜、その後に行う電解めっきの両方について、ニッケルを採用することが好適である。
また、実際には最初に作成したモールドから電鋳法でモールドを再度作成し、さらにこの工程を繰り返すことでモールドの転写を2−3回行い、生産に使用するためのモールドを量産しておくことが好ましい。
熱式インプリントの基本操作は、周期格子構造が形成されたモールド表面に熱可塑性樹脂を樹脂のTg以上の高温・高圧で接触させて軟化した樹脂をモールド形状に追従させる工程、高圧を維持したまま該熱可塑性樹脂をTg以下に冷却する工程、冷却後常圧に戻し熱可塑性樹脂を周期格子構造のモールドから剥離する工程からなる。
光式インプリントの基本操作は、周期格子構造が形成されたモールド表面に流動性の高い光硬化性樹脂を常温・常圧〜減圧下で接触させて樹脂をモールド形状に追従させる工程、樹脂がモールド形状に追従している状態を維持したまま紫外線または電離放射線を照射して樹脂を硬化する工程、硬化後の光硬化性樹脂を周期格子構造のモールドから剥離する工程からなる。
熱+光式インプリントの基本操作は、周期格子構造が形成されたモールド表面に流動性の低い光硬化性樹脂を加温条件下(樹脂に流動性を持たせる程度)で常圧〜減圧下で接触させて樹脂をモールド形状に追従させる工程、樹脂がモールド形状に追従している状態を維持したまま紫外線または電離放射線を照射して樹脂を硬化する工程、硬化後の光硬化性樹脂を周期格子構造のモールドから剥離する工程からなる。
射出成型法の基本操作は、周期格子構造が形成されたモールド(スタンパー)を一部に使用して成型金型で空間を形成する工程、溶融状態の樹脂を該空間へ高速高圧で射出注入しモールド形状に樹脂を追従させる工程、射出された樹脂を金型ごと冷却して流動性を失わせ、金型の一部を展開して成型品を取り出す工程からなる。
ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層については、一つの層が二つ以上の機能を兼ねてもよいし、ホール輸送層や電子輸送層は省略しても良い。ホールと電子が出会う場所として発光層は必要である。最も単純な系としては、陽極導電層と陰極導電層に挟まれた発光層だけがあれば良い。
各層の積層は基材に近い層から順に行われるので、最初に陽極導電層が形成される。上面発光型有機ELの場合、陽極導電層は透明でなければならないので、材質はITO(Indium Tin Oxide)やZnO(Zinc Oxide)、ZTO (Zinc Tin Oxide)などの透明導電材料が選択される。
次にホール注入・移動層として、芳香族アミン化合物などを成膜する。α−NPDやCuPcなどの芳香族アミン化合物は、イオン化ポテンシャルとホール輸送特性が適切であり、電気化学的に可逆であるため、ホール輸送材料として最も多く使用される。次に発光層を積層する。発光層に単独で用いられる材料は蛍光性色素化合物であるBBAやDTE等が挙げられるが、ホールや電子輸送性化合物に蛍光性色素化合物をドープしても良い。蛍光発光性材料の置き換えで、りん光発光性材料を用いると、理論変換効率が約25%から約100%に向上するため好ましい。
次に電子輸送層を積層する。電子輸送層としては、オキサジオール系(PBDなど)、トリアゾール系(TAZなど)などが使用される。金属錯体系(Alq3など)の物質を用いると、電子輸送層と発光層を兼ねることができ便利である。
最後に陰極導電層を積層する。陰極導電層の材料は一般にLiFやLi系化合物などをごく少量付けたあと、Al、AgやAl/Ag合金などを積層するのが一般的である。
このとき、表面プラズモンの波数ベクトルは光の波数と同程度の値となっており、励起子(電子)と光がコヒーレントに結合して励起子ポラリトンという状態になる。したがって、ポラリトンは自由電子の分極波と電磁波が共鳴によりエネルギーをやり取りしている状態である。周期格子構造のピッチが一定のとき、表面プラズモンはひとつの波数ベクトルを持つようになるので、周期格子構造は結晶性が高いものが要求されるのである。
周期格子構造の精度を向上するために、本発明では、(1)真球状粒子を使用する、(2)粒子の粒度分布をできるだけ狭くする、(3)水面上で単層化する際に超音波照射を施すことで最密充填化を促進する、(4)基板への粒子コーティングはラングミュアー・ブロジェット法を使用する、等の工夫を行っている。これらの要素のどれが欠損しても、高精度な2次元結晶マスクを作成することは困難になり、周期格子構造の精度を高めることはできない。
[実施例1]
平均粒子径が520.2nmで、粒子径の変動係数が3.2%である球形コロイダルシリカの5.0質量%水分散体(分散液)を用意した。なお、平均粒子径および粒子径の変動係数は、Malvern Instruments Ltd 社製 Zetasizer Nano-ZSによる粒子動的光散乱法で求めた粒度分布をガウス曲線にフィッティングさせて得られるピークから求めた。
ついで、この分散液を孔径1.2μmφのメンブランフィルターでろ過し、メンブランフィルターを通過した分散液に濃度1.0質量%のフェニルトリエトキシシランの加水分解物水溶液を加え、約40℃で3時間反応させた。この際、フェニルトリエトキシシランの質量がコロイダルシリカ粒子の質量の0.02倍となるように分散液と加水分解水溶液とを混合した。
ついで、反応終了後の分散液に、この分散液の体積の5倍の体積のメチルエチルケトンを加えて十分に攪拌して、疎水化されたコロイダルシリカを油相抽出した。
その後、超音波(出力100W、周波数1500kHz)を下層水中から水面に向けて10分間照射して粒子が2次元的に最密充填するのを促しつつ、分散液の溶剤であるメチルエチルケトンを揮発させ、単粒子膜を形成させた。
ついで、この単粒子膜を可動バリアにより拡散圧が22〜29mNm−1になるまで圧縮し、石英基板を5mm/分の速度で引き上げ、基板の片面上に水面の単粒子膜を移し取った。
ついで、単粒子膜が形成された石英基板上にバインダーとして0.4質量%モノメチルトリメトキシシランの加水分解液を浸透させ、その後、加水分解液の余剰分をスピンコーター(3000rpm)で1分間処理して除去した。その後、これを100℃で10分間加熱してバインダーを反応させ、コロイダルシリカからなる単粒子膜エッチングマスク付きの石英基板を得た。
このような処理を合計25カ所の10μm×10μmの領域について同様に行い、各領域における平均ピッチB1〜B25を求め、これらの平均値を算出し、式(1)における平均ピッチBとした。なお、この際、隣り合う各領域同士が5mm〜1cm程度離れるように各領域を設定した。
算出された平均ピッチBは、表1に示すように、527.3nmであった。
そこで、粒子の平均粒子径A=520.2nmと、平均ピッチB=527.3nmとを式(1)に代入したところ、この例の単粒子膜エッチングマスクにおける粒子の配列のずれDは表1に示すように1.36%であった。
石英基板に周期格子構造を作製しないこと以外は、実施例1と全く同じ操作で作製した有機発光ダイオード素子を用意した。したがって、この素子の基板の表面は平坦である。実施例1と同様に、9.8Vの電圧で発光させたときの垂直方向±30°の発光強度平均値を測定したところ、表1に示すようなADU値を得た。
フーリエ変換で求めた粒子の平均ピッチB=586.2nmおよび粒子の配列のずれDが12.71%である(表1)ことを除いて、実施例1と全く同じ操作で作製した有機発光ダイオード素子を用意した。実施例1と同様に、9.8Vの電圧で発光させたときの垂直方向±30°の発光強度平均値を測定したところ、表1に示すようなADU値を得た。
2 下層水
3 単粒子膜
4 基板
5 下層水
6 単粒子膜
7 基板
8 水分の蒸発
9 粒子
10 基板
Claims (6)
- 基板上に少なくとも陽極導電層、発光層、陰極導電層を順次積層することで作製する有機発光ダイオード素子において、
粒子単層膜からなる2次元結晶体をエッチングマスクとしたドライエッチング法によって作製した規則的凹凸による周期格子構造を有する基板を用い、規則的凹凸を有する陰極導電層表面での表面プラズモン共鳴を利用して光エネルギーの取り出し効率を向上させることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体。 - 前記エッチングマスクは、気液界面に疎水化粒子分散液を滴下し分散媒を揮発する際の横毛細管力によって粒子を自己組織化し、それを基板に移し取るラングミュアー・ブロジェット法を用いて作製された粒子が2次元に最密充填したエッチングマスクであり、且つ下記式(1)で定義される2次元結晶体粒子の配列のずれD(%)が10%以下であることを特徴とする、プラズモニック結晶面発光体。
D(%)=|B−A|×100/A・・・式(1)
(式(1)中、Aは前記粒子の平均粒径、Bは前記単粒子膜における前記粒子間の平均ピッチを示す。) - 請求項1〜2のいずれかに記載の周期格子構造の原盤を用いて作製した金型、スタンパーまたは原盤を用いて、射出成型法、熱ナノインプリント法、光ナノインプリント法、熱プレス法、UVエンボスのいずれかの方法で周期格子構造の形状を転写して作製する周期格子構造の製造方法。
- 前記周期格子構造を有する基板が、形状転写技術を用いて複製されたものであることを特徴とする、請求項1〜2のいずれかに記載のプラズモニック結晶面発光体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法によって作製されたプラズモニック結晶面発光体を少なくとも一部に有する画像表示装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法によって作製されたプラズモニック結晶面発光体を少なくとも一部に有する照明装置。
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