JP5167580B2 - 電子デバイス - Google Patents
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Description
Satoshi Inoue, Satoshi Takenaka and Tatsuya Shimoda, Study of degradation phenomenon due to a combination of contamination and self-heating in poly-Si thin film transistors fabricated by a low-temperature process, Japanese Journal of Applied Physics Vol. 42 (2003) pp. 4213-4217
使用状態における消費電力の瞬間最大値が0.01から1mWであり、該消費電力に対応して発熱する薄膜能動素子が設けられ、厚さが200μm以下の第1の基板と、
前記第1の基板の2つの面のうち前記薄膜能動素子が設けられた面とは異なる面に対向して設けられた第2の基板と、
前記薄膜能動素子の位置に対応し、かつ、前記第1の基板および前記第2の基板の間にこれらの基板に接して設けられ、熱伝導率が0.1から4W/cm・degの範囲に含まれる膜で構成される高熱伝導率薄膜部と、
を有し、
前記高熱伝導率薄膜部は、前記第1の基板の端よりも外側にはみ出した部分を有する構成である。
本実施形態の電子デバイスの構成について、図面を参照しながら説明する。図1(a)〜(c)は本実施形態の電子デバイスの構造を示す斜視図である。図1(a)は複数の薄膜トランジスタが設けられたアレイ基板を示し、図1(b)は支持基板を示す。図1(c)は本実施形態の電子デバイスを示す。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。図2(a)〜(c)は本実施形態の電子デバイスの構造を示す斜視図である。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。なお、第2の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。第1〜第3の実施形態では、消費電力の最大値が所定値以上の薄膜トランジスタが基板の周辺に設けられたディスプレイアクティブマトリックス基板に本発明を適用した例を示した。本実施形態の電子デバイスでは、消費電力の大きい薄膜トランジスタが基板の周辺部に加えて周辺部以外の任意の領域にも設けられているものである。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。図5(a)〜(c)は本実施形態の電子デバイスの構造を示す斜視図である。図5(a)は複数の薄膜トランジスタが設けられたアレイ基板を示し、図5(b)は支持基板を示す。図5(c)は本実施形態の電子デバイスを示し、本実施形態の電子デバイスは図5(a)に示すアレイ基板と図5(b)に示す支持基板とを貼り合わせた構成である。なお、第4の実施形態と同様な構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。図6(a)〜(c)は本実施形態の電子デバイスの構造を示す斜視図である。図6(a)は複数の薄膜トランジスタが設けられたアレイ基板を示し、図6(b)は支持基板を示す。図6(c)は本実施形態の電子デバイスを示し、本実施形態の電子デバイスは図6(a)に示すアレイ基板と図6(b)に示す支持基板とを貼り合わせた構成である。なお、第4の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。図7(a)〜(c)は本実施形態の電子デバイスの構造を示す斜視図である。図7(a)は複数の薄膜トランジスタが設けられたアレイ基板を示し、図7(b)は支持基板を示す。図7(c)は本実施形態の電子デバイスを示し、本実施形態の電子デバイスは図7(a)に示すアレイ基板と図7(b)に示す支持基板とを貼り合わせた構成である。なお、第1の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本実施形態の電子デバイスの構成について説明する。図8は本実施形態の電子デバイスの構造を示す断面模式図である。図8は周辺駆動回路と画素駆動回路とを薄膜トランジスタで形成した液晶ディスプレイの場合を示している。
20 薄膜トランジスタ
30 マトリックス配線
40 周辺駆動回路部
50 高熱伝導率部
60 支持母体
Claims (10)
- 使用状態における消費電力の瞬間最大値が0.01から1mWであり、該消費電力に対応して発熱する薄膜能動素子が設けられ、厚さが200μm以下の第1の基板と、
前記第1の基板の2つの面のうち前記薄膜能動素子が設けられた面とは異なる面に対向して設けられた第2の基板と、
前記薄膜能動素子の位置に対応し、かつ、前記第1の基板および前記第2の基板の間にこれらの基板に接して設けられ、熱伝導率が0.1から4W/cm・degの範囲に含まれる膜で構成される高熱伝導率薄膜部と、
を有し、
前記高熱伝導率薄膜部は、前記第1の基板の端よりも外側にはみ出した部分を有する、電子デバイス。 - 前記高熱伝導率薄膜部が金属である請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記高熱伝導率薄膜部は、絶縁性材料に熱伝導率を高くするための高熱伝導フィラーが導入された構成である請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記薄膜能動素子が薄膜トランジスタまたは薄膜ダイオードである請求項1から3のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記第2の基板は、表面全体が金属の前記高熱伝導率薄膜部で覆われ、かつ、前記第1の基板側の表面に光散乱を発生させるための凹凸形状が設けられた請求項1、2および4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記高熱伝導率薄膜部の膜厚が0.1から100μmの範囲に含まれる請求項1から5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記第2の基板の前記高熱伝導率薄膜部で覆われている部位について、前記第1の基板の端より外側にはみ出した前記部分のはみ出し距離が1から5mmの範囲に含まれる請求項1から6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記第1の基板は、
前記薄膜能動素子が設けられた領域を含む周辺駆動回路と、
マトリックス状に配置された画素駆動用の薄膜能動素子と、
前記周辺駆動回路と前記画素駆動用の薄膜能動素子とを接続するための配線と、
を有する請求項1から7のいずれか1項に記載の電子デバイス。 - 前記第2の基板は、
前記画素駆動用の薄膜能動素子および前記配線に対応する領域が、可視光に対して70%以上の透過率を有するか、または該可視光に対して偏光機能を有する請求項8に記載の電子デバイス。 - 前記周辺駆動回路は、
使用状態における消費電力の瞬間最大値について基準となる基準薄膜能動素子よりも該瞬間最大値が大きい薄膜能動素子を含む高消費電力部と、
前記基準薄膜能動素子よりも前記瞬間最大値が小さい薄膜能動素子を含む低消費電力部とを有し、
前記高消費電力部が前記低消費電力部よりも前記第1の基板の端に近い側に設けられている請求項8または9に記載の電子デバイス。
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