CN111554697A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述外围区域包括：基底，设置在所述基底上的栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在达到预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。本申请实施例提供的显示基板，通过设置吸热层在相变时吸热，对薄膜晶体管进行降温，避免过热击穿烧毁。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请实施例涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
为了实现窄边框，通常需要采用把Gate IC(Gate Integrated Circuit，栅集成电路)整合到Array(阵列)面板上的技术，即GOA(Gate Drive On Array，阵列基板栅极驱动)技术。在GOA工作中，通常需要超大宽长比的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)来实现非常大的电流，保证充电效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。
一方面，本申请实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述外围区域包括：基底，设置在所述基底上的栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在达到预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
在一示例性实施例中，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，在平行于所述基底的平面上，所述有源层的正投影位于所述吸热层的正投影内。
在一示例性实施例中，所述显示基板还包括与所述吸热层通过导热介质连接的散热层，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。
在一示例性实施例中，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的栅极驱动区域和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。
在一示例性实施例中，所述外围区域还包括覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层，所述吸热层设置在所述平坦层远离所述基底一侧的表面。
在一示例性实施例中，所述外围区域还包括设置在所述基底和所述栅极驱动结构层之间的缓冲层，所述吸热层设置在所述基底和所述缓冲层之间。
在一示例性实施例中，所述吸热层的材料包括二氧化钒。
又一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括上述显示基板。
又一方面，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述制备方法包括：
在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
在一示例性实施例中，所述方法还包括，
形成散热层，所述散热层与所述吸热层通过导热介质连接，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。
在一示例性实施例中，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的栅极驱动区域和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层包括：
在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层；
在所述栅极驱动结构层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述吸热层；
在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层包括：
在所述外围区域的基底上形成所述吸热层，在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上；
在所述吸热层和所述散热层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述栅极驱动结构层。
本申请实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括包括显示区域和外围区域，所述外围区域包括：基底，设置在所述基底上的栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在达到预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。本申请实施例提供的显示基板，通过在外围区域设置吸热层，在到达预设温度时吸热层吸收薄膜晶体管的热量产生相变实现散热，降低薄膜晶体管的温度，避免薄膜晶体管出现过热导致击穿烧毁的概率，提高使用寿命，且温度对薄膜晶体管性能也有影响，因此，对薄膜晶体管降温还可提高显示基板的性能。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为一种阵列基板栅极驱动薄膜晶体管示意图；
图2为阵列基板栅极驱动薄膜晶体管烧毁示意图；
图3为本申请实施例提供的显示基板示意图；
图4为另一实施例提供的显示基板示意图；
图5为一实施例形成基底和缓冲层图案后的示意图；
图6为一实施例形成有源层和栅电极图案后的示意图；
图7为一实施例形成源电极和漏电极图案后的示意图；
图8为一实施例形成吸热层图案后的示意图；
图9为一实施例形成散热层图案后的示意图；
图10为另一实施例提供的显示基板的示意图；
图11为又一实施例提供的显示基板的示意图；
图12为本申请实施例提供的显示基板的制备方法流程图。
具体实施方式
下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
超大宽长比的TFT通常采用并联多个TFT来实现，如图1所示。但是由于并联的TFT较多，宽长比太大，电流的发热效果明显，很容易在中心区域造成过热导致的击穿烧毁现象，如图2所示。
本申请实施例提供一种显示基板，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述外围区域包括：基底，设置在所述基底上的栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
所述预设温度与吸热层的材料有关，比如吸热层使用二氧化钒(VO2)时预设温度为100摄氏度，该预设温度小于所述薄膜晶体管击穿的温度。
本申请实施例提供的显示基板，通过在外围区域设置吸热层，在到达预设温度时吸热层吸收薄膜晶体管的热量产生相变实现散热，降低薄膜晶体管的温度，避免薄膜晶体管出现过热导致击穿烧毁的概率，提高使用寿命，且温度对薄膜晶体管性能也有影响，因此，对薄膜晶体管降温还可提高显示基板的性能。
在一示例性实施例中，吸热层设置在可以吸收薄膜晶体管产生的热量的位置，可以尽可能接近薄膜晶体管，比如，尽可能接近薄膜晶体管的有源层。
吸热层的正投影和薄膜晶体管的正投影至少部分重合，便于吸热层吸收薄膜晶体管产生的热量。在一示例性实施例中，吸热层的正投影和薄膜晶体管的正投影至少部分重合可以包括：在平行于所述基底的平面上，薄膜晶体管的正投影位于吸热层的正投影内，从而使得吸热层尽可能吸收薄膜晶体管的热量；或者，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，在平行于所述基底的平面上，所述有源层的正投影位于所述吸热层的正投影内。由于薄膜晶体管发热主要是有源层，因此，至少使得有源层的正投影位于吸热层的正投影内，可以尽可能吸收热量。
在外围区域具有多个薄膜晶体管，可以仅针对部分薄膜晶体管设置吸热层，比如，针对GOA中心区域的多个薄膜晶体管设置吸热层，或者，针对所有薄膜晶体管设置吸热层，等等。
在一示例性实施例中，吸热层可以位于栅极驱动结构层远离所述基底一侧，比如，所述显示基板还包括覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层，所述吸热层设置在所述平坦层远离所述基底一侧的表面。
在一示例性实施例中，所述吸热层位于所述栅极驱动结构层靠近所述基底一侧，即位于栅极驱动结构层和基底之间。比如，所述外围区域还包括设置在所述基底和所述栅极驱动结构层之间的缓冲层，所述吸热层设置在所述基底和所述缓冲层之间。
在一示例性实施例中，所述外围区域还包括与所述吸热层通过导热介质连接的散热层，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。本实施例提供的方案，吸热层从绝缘态转换为金属态后，吸热层将热量传到散热层，散热层将来自吸热层的热量进行发散，提高了降温效果，避免薄膜晶体管过热击穿烧毁。散热层的正投影部分或全部位于薄膜晶体管的正投影外，可以将热量散发到非薄膜晶体管区域，实现降温。所述散热层可以制成表面面积尽可能大的结构，扩大散热面积，增强散热效果。
在一示例性实施例中，所述导热介质比如为导热胶；或者，为设置在一通孔中的金属连接块，通过该金属连接块连接所述吸热层，等等。
在一示例性实施例中，所述散热层的材料包括金属，比如紫铜等，但不限于紫铜，可以根据需要使用其他金属材料。
在一示例性实施例中，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的驱动区域和和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。本实施例提供的方案，散热层将热量发散到显示基板的外侧(远离显示区域的一侧)，提高降温效果。在其他实施例中，散热层可以延伸到所述栅极驱动区域靠近所述显示区域的一侧。
在一示例性实施例中，在未设置散热层时，吸热层可以延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧，从而将热量发散到非栅极驱动区域，提高散热效果。
在一示例性实施例中，所述吸热层比如为VO2。该吸热层在栅极驱动区域温度约100摄氏度时，发生相变，从绝缘态变成金属态，相变吸收热量使得薄膜晶体管实现降温，从而避免薄膜晶体管过热导致击穿烧毁。在其他实施例中，吸热层可以使用其他相变材料制成，相变温度也可以改变，比如，为钌钒氧制成的合金半导体，等等。
在一示例性实施例中，所述显示基板还可以包括设置在显示区域的驱动结构层、发光结构层和封装层等等，发光结构层包括第一电极、发光层和第二电极，不再赘述。
图3为一实施例提供的显示基板的示意图，示意了在垂直于显示基板的平面上显示基板的结构。如图3所示，在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板包括显示区域AA和外围区域B，所述外围区域B包括基底10和缓冲层11、设置在缓冲层11上的栅极驱动结构层，覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层21，设置在所述平坦层21上的吸热层22，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管101。所述吸热层22的材料比如包括VO2。显示区域AA的详细结构未在图3中示出。本实施例提供的显示基板，通过吸热层发生相变变成金属态并进行吸热，对薄膜晶体管产生的热量进行散热，薄膜晶体管产生的一部分热量被吸热层的相变过程吸收，另一部分通过金属态的吸热层进行发散，从而使得薄膜晶体管实现降温，避免过热击穿烧毁。
图4为另一实施例提供的显示基板的示意图，示意了在垂直于显示基板的平面上显示基板的结构。如图4所示，在垂直于显示基板的平面上，所述显示基板包括显示区域AA和外围区域B，所述外围区域B包括基底10和缓冲层11、设置在缓冲层11上的栅极驱动结构层，覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层21，设置在所述平坦层21上的吸热层22，以及，设置在所述吸热层22上与所述吸热层通过导热胶连接的散热层23，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管101。图4中的散热层23的位置仅为示意，在其他实施例中，散热层23与吸热层22的连接方式可以发生改变，比如，散热层23和吸热层22设置在同一层，等等。
本实施例提供的显示基板，除了通过吸热层相变吸收热量，进行散热，还通过金属态的吸热层将热量传导到散热层，由散热层发散热量，从而，薄膜晶体管产生的一部分热量被吸热层的相变过程吸收，另一部分通过金属态的吸热层传导到散热层进行发散，从而使得薄膜晶体管实现降温，避免过热击穿烧毁。所述吸热层22比如包括VO2，当吸热层22所在区域的温度达到100℃左右的时候，吸热层22会吸热发生相变，从绝缘态变成金属态，除了相变过程中吸热，还通过与散热层的连接将热量传递到所述散热层加快热量的散发，实现薄膜晶体管降温，防止薄膜晶体管过热击穿烧毁。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本申请实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
图5～图8为本实施例显示基板制备过程的示意图。下述过程中，仅说明显示基板的外围区域的制备过程，显示区域的制备过程省略，以下描述中，除特别指出外，默认为外围区域的制备，所述显示基板的制备过程包括：
(1)形成基底图案。形成基底图案包括：先在玻璃载板上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第一基底。随后，在第一基底上涂布一层柔性材料，固化成膜，形成第二基底，第一基底和第二基底构成基底10。最后，在第二基底上沉积一层缓冲薄膜，形成覆盖整个第二基底10的缓冲层11图案。其中，柔性材料可以采用压敏胶(Pressure Sensitive Adhesive，简称PSA)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，形成柔性基底，如图5所示。缓冲薄膜可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。此处基底为柔性基底，但本申请实施例不限于此，可以是其他基底。
(2)在基底上形成有源层、栅电极图案。在基底上形成有源层、栅电极图案包括：
a、在形成上述结构的基础上，沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成设置在缓冲层11上的有源层12图案；
b、随后，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层12的第一绝缘层13、设置在第一绝缘层13上的栅电极14。
c、随后，沉积第二绝缘薄膜形成覆盖栅电极14的第二绝缘层16，如图6所示。
(3)形成源电极和漏电极图案。
形成源电极和漏电极图案包括：
在形成上述结构的基础上，沉积第三绝缘薄膜，通过构图工艺对第三绝缘薄膜进行构图，形成开设有两个第一过孔的第三绝缘层18图案，两个第一过孔中的第三绝缘层18、第二绝缘层16和第一绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12；
沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，形成源电极19、漏电极20图案，源电极19和漏电极20分别通过两个第一过孔与有源层12连接，如图7所示。
通过上述过程，在基底上完成了外围区域的栅极驱动结构层的制备。其中，薄膜晶体管包括有源层12、栅电极14、源电极19、漏电极20。其中，第一绝缘层和第二绝缘层也称之为栅绝缘层(GI)，第三绝缘层也称之为层间绝缘层(ILD)。
(4)形成吸热层图案。
形成吸热层图案包括：
在形成上述结构的基础上，先涂覆第四绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的光刻工艺形成覆盖源电极19和漏电极20的第四绝缘层21图案。
使用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)法在所述第四绝缘层21上形成吸热层22，一种制备方法可以包括：
采用Sputter(溅镀)设备使用99.99％高纯金属钒靶，溅射气体和反应气体分别为99.99％的氧气(O2)和99.99％的氩(Ar)(氧气和氩的比例为0.8:25)在所述第四绝缘层21上制备VO2薄膜，通过掩膜曝光显影形成光刻胶图案，然后使用5％HF刻蚀液刻蚀(ETCH)氧化钒膜层并剥离光刻胶图案，最终形成吸热层22图案，得到如图8所示的结构。
在其他实施例中，可以使用蒸发法、溶胶凝胶法、脉冲激光沉积(Pulsed LaserDeposition，PLD)，分子束外延等方法制备所述吸热层22。
其中，第四绝缘层也称之为平坦层(PLN)。
本实施例中，在平行于基底10的平面上，所述薄膜晶体管101的正投影位于所述吸热层22的正投影之内，便于吸热层吸收薄膜晶体管101产生的热量。在其他实施例中，薄膜晶体管101的正投影可以部分位于所述吸热层22的正投影之内。
(4)形成散热层图案。
形成吸热层图案可以包括：
在形成上述结构的基础上，在所述吸热层22表面涂布导热胶，在所述导热胶上粘贴散热层23，如图4所示。
散热层23可以设置为便于散热的表面面积较大的散热结构，比如为散热片。在平行于所述基底10的平面上，所述散热层23的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管101的正投影之外，便于将热量散发到薄膜晶体管101所在区域之外。
在一示例中，如图9所示，外围区域B包括栅极驱动区域B1和非栅极驱动区域B2，栅极驱动区域B1中布设所述薄膜晶体管，所述散热层23可以延伸到所述栅极驱动区域B1远离显示区域AA的一侧，从而将热量传到栅极驱动区域B1之外的区域，提高了散热效果。
上述制备过程仅说明了外围区域的制备过程，在外围区域的制备过程中，相应的完成了显示区域的基底以及驱动结构层(包括薄膜晶体管)等的制备。本申请实施例对显示区域不作限定。
本实施例提供的显示基板，通过吸热层在到达预设温度时发生相变吸收热量，而且，相变时从绝缘态转换为金属态，将热量传导到散热层加速散热，从而实现薄膜晶体管的降温，避免薄膜晶体管过热击穿烧毁，提高显示基板的使用寿命。
此外，本实施例的制备工艺利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此具有制作成本低、易于工艺实现、生产效率高和良品率高等优点。本实施例实现了外围区域薄膜晶体管的散热，避免了薄膜晶体管击穿烧毁，在提高显示基板寿命中具有实际应用价值，具有良好的应用前景。
本实施例所示结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。实际实施时，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。例如，薄膜晶体管不仅可以是顶栅结构，也可以是底栅结构，不仅可以是双栅结构，也可以是单栅结构。再如，薄膜晶体管可以是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管或氧化物(Oxide)薄膜晶体管。
图10为另一实施例提供的显示基板的示意图。如图10所示，所述显示基板包括显示区域AA和外围区域B，所述外围区域B包括基底10、设置在所述基底10上的吸热层22、覆盖所述吸热层22的缓冲层11、设置在所述缓冲层11上的栅极驱动结构层，覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层21，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管101。本实施例中，吸热层的材料比如包括VO2。本实施例提供的显示基板，吸热层22在预设温度发生相变，从绝缘态变为金属态，薄膜晶体管产生的热量部分被相变过程吸收，部分被金属态的吸热层22发散，从而避免薄膜晶体管过热击穿烧毁，提高了显示基板使用寿命。本实施例提供的显示基板中的吸热层22靠近薄膜晶体管易发热的有源层，能迅速吸热散热，提高了散热效果。
图11为另一实施例提供的显示基板的示意图。如图11所示，所述显示基板包括显示区域AA和外围区域B，所述外围区域B包括基底10、设置在所述基底10上的吸热层22、以及，设置在所述吸热层22上与所述吸热层通过导热介质(比如导热胶)连接的散热层23，覆盖所述吸热层22和散热层23的缓冲层11、设置在所述缓冲层11上的栅极驱动结构层，覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层21，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管101。本实施例中，吸热层比如为VO2。本实施例提供的显示基板，吸热层22在预设温度相变进行吸热，从绝缘态变为金属态，金属态的吸热层将热量传到散热层，由散热层进行散发，因此，薄膜晶体管产生的热量部分被相变过程吸收，部分被金属态的吸热层传导到散热层发散，从而避免薄膜晶体管过热击穿烧毁，提高了显示基板使用寿命。本实施例的显示基板靠近薄膜晶体管主要发热的有源层，能迅速吸热散热，提高了散热效果。图11中的散热层23的位置仅为示意，在其他实施例中，散热层23与吸热层22的连接方式可以发生改变。外围区域B包括栅极驱动区域B1和非栅极驱动区域B2，栅极驱动区域B1中布设所述薄膜晶体管，所述散热层23可以延伸到所述栅极驱动区域B1远离显示区域AA的一侧，从而将热量传到栅极驱动区域B1之外的区域，提高了散热效果。
如图12所示，本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述制备方法可以包括：
步骤1201，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在吸热达到预设温度时发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
在一示例性实施例中，所述方法还可以包括，
形成散热层，所述散热层与所述吸热层通过导热介质连接，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。
在一示例性实施例中，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的栅极驱动区域和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层包括：
在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层；
在所述栅极驱动结构层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述吸热层。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层可以包括：
在所述外围区域的基底上形成所述吸热层；
在所述吸热层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述栅极驱动结构层。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层可以包括：
在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层；
在所述栅极驱动结构层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述吸热层；
在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上。
在一示例性实施例中，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层可以包括：
在所述外围区域的基底上形成所述吸热层，在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上；
在所述吸热层和所述散热层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述栅极驱动结构层。
本实施例中，各个膜层的结构、材料、相关参数及其详细制备过程已在前述实施例中详细说明，这里不再赘述。
本实施例提供的显示基板的制备方法，通过在外围区域设置吸热层，相变时吸收热量，避免薄膜晶体管过热击穿烧毁，提高了显示基板的性能和使用寿命。本实施例的制备方法利用现有成熟的制备设备即可实现，对现有工艺改进较小，能够很好地与现有制备工艺兼容，因此工艺实现简单，易于实施，生产效率高，具有易于工艺实现、生产成本低和良品率高等优点，有效解决了薄膜晶体管易过热烧毁的问题，具有良好的应用前景。
基于本申请实施例的技术构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
有以下几点需要说明：
(1)本发明实施例附图只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本发明的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种显示基板，所述显示基板包括显示区域和环绕所述显示区域的外围区域，所述外围区域包括：基底，设置在所述基底上的栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在达到预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层、源电极和漏电极，在平行于所述基底的平面上，所述有源层的正投影位于所述吸热层的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述吸热层通过导热介质连接的散热层，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的栅极驱动区域和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述外围区域还包括覆盖所述栅极驱动结构层的平坦层，所述吸热层设置在所述平坦层远离所述基底一侧的表面。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述外围区域还包括设置在所述基底和所述栅极驱动结构层之间的缓冲层，所述吸热层设置在所述基底和所述缓冲层之间。
7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板，其特征在于，所述吸热层的材料包括二氧化钒。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域和外围区域，所述制备方法包括：
在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层，所述栅极驱动结构层包括薄膜晶体管，所述吸热层被配置为在预设温度时吸热发生从绝缘态至金属态的可逆相变，在平行于所述基底的平面上，所述吸热层的正投影与所述薄膜晶体管的正投影至少部分重合。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括，
形成散热层，所述散热层与所述吸热层通过导热介质连接，在平行于所述基底的平面上，所述散热层的正投影至少部分位于所述薄膜晶体管的正投影外。
11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述外围区域包括用于布设所述薄膜晶体管的栅极驱动区域和所述栅极驱动区域外的非栅极驱动区域，所述散热层延伸到所述栅极驱动区域远离所述显示区域的一侧。
12.根据权利要求10或11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层包括：
在所述外围区域的基底上形成所述栅极驱动结构层；
在所述栅极驱动结构层上形成平坦层；
在所述平坦层上形成所述吸热层；
在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上。
13.根据权利要求10或11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述外围区域的基底上形成栅极驱动结构层和吸热层包括：
在所述外围区域的基底上形成所述吸热层，在所述吸热层上涂布导热胶，将所述散热层通过所述导热胶粘贴在所述吸热层上；
在所述吸热层和所述散热层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成所述栅极驱动结构层。
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