JP6143370B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
加えて、本発明は、剥離した被剥離層を基材に貼りつけて転写させた薄膜トランジスタ(
以下、TFTという)で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する
。例えば、液晶モジュールに代表される電気光学装置やELモジュールに代表される発光
装置、およびその様な装置を部品として搭載した電子機器に関する。
置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置で
ある。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
、特に携帯機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用され
ているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガラス基板
や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性を有する基板、代表
的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にTFT素子を形成することが試みられ
ている。
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のTFTを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な液晶表示装置や
発光素子は実現されていない。
に提案されている。例えば、特開平10−125929号公報、特開平10−12593
1号公報に記載された技術は、非晶質シリコン(またはポリシリコン)からなる分離層を
設け、基板を通過させてレーザー光を照射して非晶質シリコンに含まれる水素を放出させ
ることにより、空隙を生じさせて基板を分離させるというものである。加えて、この技術
を用いて特開平10−125930号公報には被剥離層(公報では被転写層と呼んでいる
)をプラスチックフィルムに貼りつけて液晶表示装置を完成させるという記載もある。
通過させ、さらに非晶質シリコンに含まれる水素を放出させるに十分なエネルギーを与え
るため、比較的大きなレーザー光の照射が必要とされ、被剥離層に損傷を与えてしまうと
いう問題がある。また、上記方法では、分離層上に素子を作製した場合、素子作製プロセ
スで高温の熱処理等を行えば、分離層に含まれる水素が拡散して低減してしまい、レーザ
ー光を分離層に照射しても剥離が十分に行われない恐れがある。従って、分離層に含まれ
る水素量を維持するため、分離層形成後のプロセスが制限されてしまう問題がある。また
、上記公報には、被剥離層への損傷を防ぐため、遮光層または反射層を設ける記載もある
が、その場合、透過型液晶表示装置を作製することが困難である。加えて、上記方法では
、大きな面積を有する被剥離層を剥離するのは困難である。
ない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有
する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とすることを課題としている。
提供することを課題としている。
作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表と
する様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子(太陽電
池、センサ等)やシリコン抵抗素子)を貼りつけ、軽量化された半導体装置およびその作
製方法を提供することを課題とする。
を設け、さらに前記第1の材料層に接して第2の材料層を設け、さらに第2の材料層上に
成膜または500℃以上の熱処理を行い、各膜の内部応力を測定したところ、前記第1の
材料層は引張応力を有し、前記第2の材料層は圧縮応力を有していた。この第1の材料層
と第2の材料層との積層は、膜剥がれ(ピーリング)などのプロセス上の異常は生じない
一方、物理的手段、代表的には機械的な力を加えること、例えば人間の手で引き剥がすこ
とで容易に第2の材料層の層内または界面において、きれいに分離できる。
している一方、剥離する直前において、引張応力を有する第1の材料層と圧縮応力を有す
る第2の材料層との間には応力歪みを有しているため、力学的エネルギーに弱く、剥離す
る。本発明者らは、剥離現象は膜の内部応力と深い関連があることを見出し、このように
膜の内部応力を利用して剥離を行う剥離工程をストレスピールオフプロセスと呼ぶ。
方法であって、前記基板上に引張応力を有する第1の材料層が設けられており、前記第1
の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接し、且つ圧縮応力を有す
る第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥離層を前記第1の材料
層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥
離することを特徴とする剥離方法である。
で引張応力を有することを特徴としている。前記第1の材料層としては、上記範囲の引張
応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(Ti、Al、Ta、W、Mo、
Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、P
tなど)、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材料、有機材料のいずれか一層
、またはこれらの積層を用いることができる。なお、1〜1×1010(Dyne/cm2)よりも
大きな引張応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。
範囲で圧縮応力を有することを特徴としている。前記第2の材料層としては、上記範囲の
圧縮応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(Ti、Al、Ta、W、M
o、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir
、Ptなど)、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材料、有機材料のいずれか
一層、またはこれらの積層を用いることができる。なお、−1×1010(Dyne/cm2)より
も大きな圧縮応力を有する膜は、熱処理を加えた場合、ピーリングを起しやすい。
力を有する材料を使用することもでき、本明細書で開示する剥離方法に関する発明の構成
2は、被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に第1の材料層が設け
られており、前記第1の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接し
、且つ圧縮応力を有する第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成した後、該被剥
離層を前記第1の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内
または界面において剥離することを特徴とする剥離方法である。
010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有することを特徴としている。
を施すことを特徴としている。
の範囲で圧縮応力を有することを特徴としている。
関する発明の構成3は、被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に引
張応力を有する第1の材料層が設けられており、前記第1の材料層が設けられた基板上に
少なくとも前記第1の材料層と接し、且つ圧縮応力を有する第2の材料層を含む積層から
なる被剥離層を形成し、該被剥離層に支持体を接着した後、前記支持体に接着された被剥
離層を前記第1の材料層が設けられた基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内
または界面において剥離することを特徴とする剥離方法である。
応力を有する材料を用いる場合、本明細書で開示する剥離方法に関する発明の構成4は、
被剥離層を基板から剥離する剥離方法であって、前記基板上に第1の材料層が設けられて
おり、前記第1の材料層が設けられた基板上に少なくとも前記第1の材料層と接し、且つ
圧縮応力を有する第2の材料層を含む積層からなる被剥離層を形成し、該被剥離層に支持
体を接着した後、前記支持体に接着された被剥離層を前記第1の材料層が設けられた基板
から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離することを特徴と
する剥離方法である。
体を接着する前に、加熱処理またはレーザー光を照射してもよい。この場合、第1の材料
層にはレーザー光を吸収する材料を選択し、第1の材料層を加熱させることによって、膜
の内部応力を変化させて剥がれやすくしてもよい。ただし、レーザー光を用いる場合は、
基板として透光性のものを用いる。
等を設けて密着性を向上させてもよいが、プロセスを簡略化するためには、基板上に接し
て第1の材料層を形成することが好ましい。
、具体的には、力学の法則に還元できる過程を有する力学的手段または機械的手段を指し
、何らかの力学的エネルギー(機械的エネルギー)を変化させる手段を指している。
との結合力より、第1の材料層と第2の材料層との結合力が小さくなるようにすることが
必要である。
ラス基板、石英基板、半導体基板、セラミックス基板、金属基板を用いることができ、基
板上に設けた被剥離層を剥離することができる。
(転写して)半導体装置を作製することも可能であり、半導体装置の作製方法に関する発
明の構成は、基板上に引張応力を有する第1の材料層を形成する工程と、前記第1の材料
層上に圧縮応力を有する第2の材料層を形成する工程と、前記第2の材料層上に絶縁層を
形成する工程と、前記絶縁層上に素子を形成する工程と、前記素子に支持体を接着した後
、該支持体を基板から物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離
する工程と、前記絶縁層または前記第2の材料層に転写体を接着し、前記支持体と前記転
写体との間に前記素子を挟む工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法であ
る。
応力を有する材料を用いる場合、本明細書で開示する半導体装置の作製方法に関する発明
の構成は、基板上に第1の材料層を形成する工程と、前記第1の材料層上に圧縮応力を有
する第2の材料層を形成する工程と、前記第2の材料層上に絶縁層を形成する工程と、前
記絶縁層上に素子を形成する工程と、前記素子に支持体を接着した後、該支持体を基板か
ら物理的手段により前記第2の材料層の層内または界面において剥離する工程と、前記絶
縁層または前記第2の材料層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記素
子を挟む工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
を覆う第2の材料層を設けることによって、剥がれやすくしてもよい。
加熱処理またはレーザー光を照射してもよい。この場合、第1の材料層にはレーザー光を
吸収する材料を選択し、第1の材料層を加熱させることによって、膜の内部応力を変化さ
せて剥がれやすくしてもよい。ただし、レーザー光を用いる場合は、基板として透光性の
ものを用いる。
転写体や第2の転写体に貼りつけて半導体装置を作製することも可能である。
を活性層とする薄膜トランジスタであり、前記半導体層を形成する工程は、非晶質構造を
有する半導体層を加熱処理またはレーザー光の照射を行う処理によって結晶化させ、結晶
構造を有する半導体層とすることを特徴としている。
あり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス等、いかなる組成の
基材でもよい。また、本明細書中において、支持体とは、物理的手段により剥離する際に
被剥離層と接着するためのものであり、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、
セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、転写体の形状および支持体の形状
も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィル
ム状のものであってもよい。また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラス
チック基板、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエーテルスルホン(
PES)
、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエ
ーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(P
EI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などのプラ
スチック基板が好ましい。
は、支持体を対向基板とし、シール材を接着材として用いて支持体を被剥離層に接着すれ
ばよい。この場合、前記剥離層に設けられた素子は画素電極を有しており、該画素電極と
、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする。
表される発光装置を作製する場合は、支持体を封止材として、外部から水分や酸素といっ
た有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐように発光素子を外部から完全に
遮断することが好ましい。また、軽量化を最優先するのであれば、フィルム状のプラスチ
ック基板が好ましいが、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵
入することを防ぐ効果は弱いため、例えば、支持体上に第1の絶縁膜と第2の絶縁膜と第
3の絶縁膜とを設けて、十分に外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物
質が侵入することを防ぐ構成とすればよい。ただし、前記第1の絶縁膜(バリア膜)と前
記第3の絶縁膜(バリア膜)との間に挟まれる前記第2の絶縁膜(応力緩和膜)は、前記
第1の絶縁膜および前記第3の絶縁膜より膜応力が小さくなるようにする。
写体も同様に第1の絶縁膜と第2の絶縁膜と第3の絶縁膜とを設け、十分に外部から水分
や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。
断面を考えたとき、断面の一方の側が他方の側に及ぼしている単位断面積当りの力のこと
である。内部応力は、真空蒸着やスパッタリングや気相成長などで成膜された薄膜には多
かれ少なかれ必ず存在するといってよい。その値は最大で109N/m2に達する。薄膜の
材料、基板の物質、薄膜の形成条件などによって内部応力値は変化する。また、熱処理を
施すことによっても内部応力値は変化する。
引っ張り状態といい、そのときの内部応力を引張応力、押す方向である状態を圧縮状態と
いい、そのときの内部応力を圧縮応力と呼ぶ。なお、本明細書では、グラフや表に示すと
き引張応力を正(+)、圧縮応力を負(−)にとる。
ここで、第1の材料層として窒化チタン、第2の材料層として酸化シリコンを用い、第
1の材料層に接して第2の材料層を設け、該第2の材料層上に設けた被剥離層を基板から
剥離できるかどうかを確認するため、以下の実験を行った。
ッタ法によりアルミニウム−シリコン合金層31を300nmの膜厚で成膜した。次いで
、アルミニウム−シリコン合金層31上にスパッタ法により窒化チタン層32を100n
mの膜厚で成膜した。
リコン層33の成膜条件は、RF方式のスパッタ装置を用い、酸化シリコンターゲット(
直径30.5cm)を用い、基板温度150℃、成膜圧力0.4Pa、成膜電力3kW、
アルゴン流量/酸素流量=35sccm/15sccmとした。
絶縁層としては、プラズマCVD法で成膜温度300℃、原料ガスSiH4、NH3、N2
Oから作製される酸化窒化シリコン膜34a(組成比Si=32%、O=27%、N=2
4%、H=17%)を50nm形成した。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸
化膜を希フッ酸(1/100希釈)で除去する。次いでプラズマCVD法で成膜温度30
0℃、原料ガスSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜34b(組成比Si=
32%、O=59%、N=7%、H=2%)を100nmの厚さに積層形成し、さらに大
気解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH4で非晶質構造を有
する半導体層(ここでは非晶質シリコン層35)を54nmの厚さで形成した。(図3(
A))
る。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。次い
で、加熱処理を行い結晶化させて結晶構造を有する半導体膜(ここではポリシリコン層3
6)を形成する。(図3(B))ここでは脱水素化のための熱処理(500℃、1時間)
の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って結晶構造を有するシリコン膜
を得る。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結
晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用
いてもよい。
レンテレフタレート(PET))をポリシリコン層36に貼り付けた。
(図3(C))
るように引っ張った。引き剥がした基板30には、少なくとも窒化チタン及びアルミニウ
ム−シリコン合金層が残っていることが確認できた。この実験により、酸化シリコン33
の層内または界面において剥離していると予想される。
離層を引き剥がすことで、基板30から被剥離層を全面に渡って剥離することができる。
ここで、第1の材料層の材料をTiN、W、WN、Ta、TaNとした場合、、第1の
材料層に接して第2の材料層(酸化シリコン:膜厚200nm)を設け、該第2の材料層
上に設けた被剥離層を基板から剥離できるかどうかを確認するため、以下の実験を行った
。
成した後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリ
コン膜の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン膜
の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
た後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン
膜の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
した後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコ
ン膜の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
た後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコン
膜の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
した後、スパッタ法を用い、200nmの膜厚の酸化シリコン膜を形成した。酸化シリコ
ン膜の形成以降は、実験1と同様に積層および結晶化を行った。
か実験した。その結果を表1に示す。
℃、4時間)前後での内部応力を測定した。その結果を表2に示す。
ものを測定しており、TiN膜、W膜、及びTa膜においては、ガラス基板上にスパッタ
法で400nmの膜厚で成膜した後、内部応力を測定し、その後、キャップ膜として酸化
シリコン膜を積層し、熱処理を行った後でキャップ膜をエッチングで除去して再度、内部
応力を測定した。また、それぞれサンプルは2つ作製し、測定を行った。
、熱処理によって引張応力(約8×109〜9×109(Dyne/cm2))を有する膜になって
おり、剥離状態は良好であった。TiN膜に関しては熱処理前後で応力はほとんど変わら
ず、引張応力(約3.9×109〜4.5×109(Dyne/cm2))を有したままであったが
、膜厚が50nm以下であると剥離不良となった。また、Ta膜に関しては、成膜直後で
は引張応力(約5.1×109〜9.2×109(Dyne/cm2))を有しているが、熱処理に
よって圧縮応力(約−2×109〜−7.8×109(Dyne/cm2))を有する膜となってお
り、テープ試験では剥離されなかった。また、酸化シリコン膜に関しては熱処理前後で応
力はほとんど変わらず、圧縮応力(約−9.4×108〜−1.3×109(Dyne/cm2)
)を有したままであった。
と深い関係があり、圧縮応力を有する第2の材料層を用い、熱処理後に引張応力を有する
膜を第1の材料層として用いた場合、基板から被剥離層を全面に渡って剥離することがで
きることが読み取れる。また、第1の材料層としては、熱処理やレーザー光の照射によっ
て変化する場合、熱処理前やレーザー光の照射前と比べて引張応力の値が大きくなる材料
を用いることが望ましい。
信頼性を向上できる。
被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することが可能である。
であるため、量産に適したプロセスと言える。また、量産する際に被剥離層を引き剥がす
ための製造装置を作製した場合、大型の製造装置も安価に作製することができる。
以下に本発明を用いた代表的な剥離手順を簡略に図1を用いて示す。
有する材料層、13は被剥離層である。
ことができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。
層11としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよい
が、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず
、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料を
用いることが重要である。代表的な一例はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、
または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれら
の積層が挙げられる。
は、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず
、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で圧縮応力を有する材料を
用いることが重要である。第2の材料層12として、代表的な一例は酸化シリコン、酸化
窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層1
2は、スパッタ法、プラズマCVD法、塗布法などのいずれの成膜方法を用いてもよい。
力とすることが重要である。各々の膜厚は、1nm〜1000nmの範囲で適宜設定し、
第1の材料層11における内部応力および第2の材料層12における内部応力を調節すれ
ばよい。また、加熱処理やレーザー光の照射を行って第1の材料層11における内部応力
および第2の材料層12における内部応力を調節してもよい。
成した例を示したが、基板10と第1の材料層11との間にバッファ層となる絶縁層や金
属層を設け、基板10との密着性を向上させてもよい。
は、TFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光
電変換素子やシリコン抵抗素子)を含む層とすればよい。また、基板10の耐え得る範囲
の熱処理を行うことができる。なお、本発明において、第2の材料層12における内部応
力と、第1の材料層11における内部応力が異なっていても、被剥離層13の作製工程に
おける熱処理によって膜剥がれなどが生じない。
(図1(B))第2の材料層12が圧縮応力を有し、第1の材料層11が引張応力を有す
るため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。また、ここでは、被剥離層13の機
械的強度が十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層13の機械的強度が不十分
である場合には、被剥離層13を固定する支持体(図示しない)を貼りつけた後、剥離す
ることが好ましい。
ができる。剥離後の状態を図1(C)に示す。
よい。
持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
て支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極
を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする
。また、液晶表示装置を作製する順序は、特に限定されず、支持体としての対向基板を貼
りつけ、液晶を注入した後に基板を剥離して転写体としてのプラスチック基板を貼りつけ
てもよいし、画素電極を形成した後、基板を剥離し、第1の転写体としてのプラスチック
基板を貼り付けた後、第2の転写体としての対向基板を貼りつけてもよい。
て、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐよ
うに発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、EL発光装置として代表
される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も同様、十分に外部から水
分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。
また、発光装置を作製する順序は、特に限定されず、発光素子を形成した後、支持体とし
てのプラスチック基板を貼りつけ、基板を剥離し、転写体としてのプラスチック基板を貼
りつけてもよいし、発光素子を形成した後、基板を剥離して、第1の転写体としてのプラ
スチック基板を貼り付けた後、第2の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよ
い。
本実施の形態は、被剥離層に接する下地絶縁層を設けて、第1の材料層や基板からの不純
物の拡散を防ぎつつ、基板を剥離する剥離手順を簡略に図2を用いて示す。
有する第2の材料層、23a、23bは下地絶縁層、24は被剥離層である。
ことができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いても良い。
層21としては、成膜直後において圧縮応力を有していても引張応力を有していてもよい
が、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず
、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で引張応力を有する材料を
用いることが重要である。代表的な一例はW、WN、TiN、TiWから選ばれた元素、
または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれら
の積層が挙げられる。
は、被剥離層形成における熱処理やレーザー光の照射によりピーリング等の異常が生じず
、且つ、被剥離層形成後で1〜1×1010(Dyne/cm2)の範囲で圧縮応力を有する材料を
用いることが重要である。第2の材料層22として、代表的な一例は酸化シリコン、酸化
窒化シリコン、酸化金属材料、またはこれらの積層が挙げられる。なお、第2の材料層2
2は、スパッタ法、プラズマCVD法、塗布法などのいずれの成膜方法を用いてもよい。
力とすることが重要である。各々の膜厚は、1nm〜1000nmの範囲で適宜設定し、
第1の材料層21における内部応力および第2の材料層22における内部応力を調節すれ
ばよい。また、加熱処理やレーザー光の照射を行って第1の材料層21における内部応力
および第2の材料層22における内部応力を調節してもよい。
形成した例を示したが、基板20と第1の材料層21との間にバッファ層となる絶縁層や
金属層を設け、基板20との密着性を向上させてもよい。
ズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH4、NH3、N2Oから作製される酸化
窒化シリコン膜23a(組成比Si=32%、O=27%、N=24%、H=17%)を
50nm(好ましくは10〜200nm)形成し、さらにプラズマCVD法で成膜温度400
℃、原料ガスSiH4、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜23b(組成比Si=3
2%、O=59%、N=7%、H=2%)を100nm(好ましくは50〜200nm)の
厚さに積層したが、特に限定されず、単層もしくは3層以上の積層であってもよい。
セスにおいて、第1の材料層21及び第2の材料層22や、基板20からの不純物の拡散
を防ぐことができる。また、下地絶縁層23a、23bにより第2の材料層22と被剥離
層24との密着性を向上させることもできる。
地絶縁層を形成する前後に表面を平坦化してもよい。平坦化を行った方が、被剥離層24
においてカバレッジが良好となり、素子を含む被剥離層24を形成する場合、素子特性が
安定しやすいため好ましい。なお、この平坦化処理として、塗布膜(レジスト膜等)を形
成した後エッチングなどを行って平坦化するエッチバック法や機械的化学的研磨法(CM
P法)等を用いればよい。
(図2(B))第2の材料層22が圧縮応力を有し、第1の材料層21が引張応力を有す
るため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。また、ここでは、被剥離層24の機
械的強度が十分であると仮定した例を示しているが、被剥離層24の機械的強度が不十分
である場合には、被剥離層24を固定する支持体(図示しない)を貼りつけた後、剥離す
ることが好ましい。
できる。剥離後の状態を図2(C)に示す。
よい。
持体をプラスチック基板とすることで、軽量化が図れる。
て支持体を被剥離層に接着すればよい。この場合、被剥離層に設けられた素子は画素電極
を有しており、該画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されるようにする
。また、液晶表示装置を作製する順序は、特に限定されず、支持体としての対向基板を貼
りつけ、液晶を注入した後に基板を剥離して転写体としてのプラスチック基板を貼りつけ
てもよいし、画素電極を形成した後、基板を剥離し、第1の転写体としてのプラスチック
基板を貼り付けた後、第2の転写体としての対向基板を貼りつけてもよい。
て、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐよ
うに発光素子を外部から完全に遮断することが好ましい。また、EL発光装置として代表
される発光装置を作製する場合は、支持体だけでなく、転写体も同様、十分に外部から水
分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことが好ましい。
また、発光装置を作製する順序は、特に限定されず、発光素子を形成した後、支持体とし
てのプラスチック基板を貼りつけ、基板を剥離し、転写体としてのプラスチック基板を貼
りつけてもよいし、発光素子を形成した後、基板を剥離して、第1の転写体としてのプラ
スチック基板を貼り付けた後、第2の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてもよ
い。
本実施の形態においては、実施の形態1に加えて、さらに剥離を助長させるため、レー
ザー光の照射または加熱処理を行う例を図4に示す。
層である。
ては、エキシマレーザー等の気体レーザーや、YVO4レーザーやYAGレーザーなどの
固体レーザーや、半導体レーザーを用いればよい。また、レーザー発振の形態は、連続発
振、パルス発振のいずれでもよく、レーザービームの形状も線状、矩形状、円状、楕円状
のいずれでもよい。また、使用する波長は、基本波、第2高調波、第3高調波のいずれで
もよい。また、走査方法は、縦方向、横方向、斜め方向のいずれでもよく、さらに往復さ
せてもよい。
ことが望ましく、金属材料や窒化金属材料、例えば窒化チタンが好ましい。なお、レーザ
ー光を通過させるため、基板40は透光性を有している基板を用いる。
(図4(B))第2の材料層42が圧縮応力を有し、第1の材料層41が引張応力を有す
るため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
ることにより、互いの内部応力を変化させて、剥離を助長することができ、さらに小さな
力で剥離させることができる。また、ここでは、被剥離層43の機械的強度が十分である
と仮定した例を示しているが、被剥離層43の機械的強度が不十分である場合には、被剥
離層43を固定する支持体(図示しない)を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
ができる。剥離後の状態を図4(C)に示す。
、マイクロ波などを用いてもよい。
たはレーザー光の照射を行う処理を行ってもよい。
本実施の形態においては、実施の形態1に加えて、さらに剥離を助長させるため、粒状
の酸化物を第1の材料層と第2の材料層との界面に設ける例を図5に示す。
化物、52bは圧縮応力を有する第2の材料層、53は被剥離層である。
としては酸化金属材料、例えば、ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジウ
ム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等を用いればよい。
2bとして、代表的な一例は酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化金属材料を用いれば
よい。なお、第2の材料層52bは、スパッタ法、プラズマCVD法、塗布法などのいず
れの成膜方法を用いてもよい。
(図5(B))第2の材料層52bが圧縮応力を有し、第1の材料層51が引張応力を有
するため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
結合力を弱め、互いの密着性を変化させて、剥離を助長することができ、さらに小さな力
で剥離させることができる。また、ここでは、被剥離層53の機械的強度が十分であると
仮定した例を示しているが、被剥離層53の機械的強度が不十分である場合には、被剥離
層53を固定する支持体(図示しない)を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
とができる。剥離後の状態を図5(C)に示す。
る。
こととする。
素部の周辺に設ける駆動回路のTFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を
同時に作製する方法について詳細に説明する。
成し、結晶構造を有する半導体膜を得た後、所望の形状にエッチング処理して島状に分離
された半導体層104〜108を形成する。
Dyne/cm2)の範囲の引張応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(Ti、
Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh
、Pd、Os、Ir、Ptなど)、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材料、
有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。ここではスパッタ
法で膜厚100nmの窒化チタン膜を用いる。
10(Dyne/cm2)の範囲で圧縮応力を有する材料であれば、特に限定されず、金属材料(T
i、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、
Rh、Pd、Os、Ir、Ptなど)、半導体材料(例えばSi、Geなど)、絶縁体材
料、有機材料のいずれか一層、またはこれらの積層を用いることができる。酸化シリコン
材料または酸化金属材料からなる単層、またはこれらの積層を用いればよい。ここではス
パッタ法で膜厚200nmの酸化シリコン膜を用いる。この第1の材料層101と第2の
材料層102の結合力は熱処理には強く、膜剥がれ(ピーリングとも呼ばれる)などが生
じないが、物理的手段で簡単に第2の材料層の層内、あるいは界面において剥離すること
ができる。
iH4、NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜103a(組成比Si=32%
、O=27%、N=24%、H=17%)を50nm(好ましくは10〜200nm)形成す
る。次いで、表面をオゾン水で洗浄した後、表面の酸化膜を希フッ酸(1/100希釈)
で除去する。次いでプラズマCVD法で成膜温度400℃、原料ガスSiH4、N2Oから
作製される酸化窒化シリコン膜103b(組成比Si=32%、O=59%、N=7%、
H=2%)を100nm(好ましくは50〜200nm)の厚さに積層形成し、さらに大気
解放せずにプラズマCVD法で成膜温度300℃、成膜ガスSiH4で非晶質構造を有す
る半導体膜(ここではアモルファスシリコン膜)を54nmの厚さ(好ましくは25〜8
0nm)で形成する。
上積層させた構造として形成しても良い。また、半導体膜の材料に限定はないが、好まし
くはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiXGe1-X(X=0.0001〜0.02
))合金などを用い、公知の手段(スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法
等)により形成すればよい。また、プラズマCVD装置は、枚葉式の装置でもよいし、バ
ッチ式の装置でもよい。また、同一の成膜室で大気に触れることなく下地絶縁膜と半導体
膜とを連続成膜してもよい。
の極薄い酸化膜を形成する。次いで、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元
素(ボロンまたはリン)のドーピングを行う。ここでは、ジボラン(B2H6)を質量分離
しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用い、ドーピング条件を加速電圧15kV、
ジボランを水素で1%に希釈したガス流量30sccm、ドーズ量2×1012/cm2で
非晶質シリコン膜にボロンを添加した。
る。塗布に代えてスパッタ法でニッケル元素を全面に散布する方法を用いてもよい。
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行
う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための
熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って
結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を
行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶
化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化
技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
率を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するための第1のレーザー光(XeCl:波長
308nm)の照射を大気中、または酸素雰囲気中で行う。レーザー光には波長400nm
以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いる。いずれに
しても、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザー光を用い、当該レーザー
光を光学系にて100〜500mJ/cm2に集光し、90〜95%のオーバーラップ率をもっ
て照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エ
ネルギー密度393mJ/cm2で第1のレーザー光の照射を大気中で行なう。なお、大気中、
または酸素雰囲気中で行うため、第1のレーザー光の照射により表面に酸化膜が形成され
る。
2のレーザー光の照射を窒素雰囲気、或いは真空中で行い、半導体膜表面を平坦化する。
このレーザー光(第2のレーザー光)には波長400nm以下のエキシマレーザー光や、Y
AGレーザーの第2高調波、第3高調波を用いる。第2のレーザー光のエネルギー密度は
、第1のレーザー光のエネルギー密度より大きくし、好ましくは30〜60mJ/cm2
大きくする。ここでは、繰り返し周波数30Hz、エネルギー密度453mJ/cm2で第2の
レーザー光の照射を行ない、半導体膜表面における凹凸のP―V値(Peak to Valley、高
さの最大値と最小値の差分)が50nm以下となる。このP−V値は、AFM(原子間力
顕微鏡)
により得られる。
素部のTFTに特に効果があるため、少なくとも画素部のみに選択的に照射する工程とし
てもよい。
を形成する。
晶質シリコン膜を膜厚150nmで形成する。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、
成膜圧力を0.3Paとし、ガス(Ar)流量を50(sccm)
とし、成膜パワーを3kWとし、基板温度を150℃とする。なお、上記条件での非晶質
シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/c
m3、酸素の原子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、ランプ
アニール装置を用いて650℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。
元素を含む非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希フッ酸で選択的に除去
する。なお、ゲッタリングの際、ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除去することが望ましい。
にオゾン水で薄い酸化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、所望の形状に
エッチング処理して島状に分離された半導体層104〜108を形成する。半導体層を形
成した後、レジストからなるマスクを除去する。
浄した後、ゲート絶縁膜109となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。本実施例で
は、プラズマCVD法により115nmの厚さで酸化窒化シリコン膜(組成比Si=32
%、O=59%、N=7%、H=2%)で形成する。
1の導電膜110aと、膜厚100〜400nmの第2の導電膜110bとを積層形成す
る。本実施例では、ゲート絶縁膜109上に膜厚50nmの窒化タンタル膜、膜厚370
nmのタングステン膜を順次積層する。
Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材
料で形成する。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピ
ングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、、AgPdCu合金を用いてもよい
。また、2層構造に限定されず、例えば、膜厚50nmのタングステン膜、膜厚500n
mのアルミニウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順
次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、第1の導電膜のタングス
テンに代えて窒化タングステンを用いてもよいし、第2の導電膜のアルミニウムとシリコ
ンの合金(Al−Si)膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜(Al−Ti)を用い
てもよいし、第3の導電膜の窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。また、単層
構造であってもよい。
を形成し、ゲート電極及び配線を形成するための第1のエッチング処理を行う。第1のエ
ッチング処理では第1及び第2のエッチング条件で行う。エッチングにはICP(Induct
ively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用いると良い。ICPエッ
チング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に
印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することによって所望のテーパー形
状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BC
l3、SiCl4、CCl4などを代表とする塩素系ガスまたはCF4、SF6、NF3などを
代表とするフッ素系ガス、またはO2を適宜用いることができる。
、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。なお、基板側の電極面積サイズは、12.
5cm×12.5cmであり、コイル型の電極面積サイズ(ここではコイルの設けられた
石英円板)は、直径25cmの円板である。この第1のエッチング条件によりW膜をエッ
チングして第1の導電層の端部をテーパー形状とする。第1のエッチング条件でのWに対
するエッチング速度は200.39nm/min、TaNに対するエッチング速度は80
.32nm/minであり、TaNに対するWの選択比は約2.5である。また、この第
1のエッチング条件によって、Wのテーパー角は、約26°となる。この後、レジストか
らなるマスク112〜117を除去せずに第2のエッチング条件に変え、エッチング用ガ
スにCF4とCl2とを用い、それぞれのガス流量比を30/30(sccm)とし、1Pa
の圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成し
て約30秒程度のエッチングを行った。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56
MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2を混合し
た第2のエッチング条件ではW膜及びTaN膜とも同程度にエッチングされる。第2のエ
ッチング条件でのWに対するエッチング速度は58.97nm/min、TaNに対する
エッチング速度は66.43nm/minである。なお、ゲート絶縁膜上に残渣を残すこ
となくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させる
と良い。
とにより、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の
端部がテーパー形状となる。このテーパー部の角度は15〜45°とすればよい。
状の導電層119〜124(第1の導電層119a〜124aと第2の導電層119b〜
124b)を形成する。ゲート絶縁膜となる絶縁膜109は、10〜20nm程度エッチン
グされ、第1の形状の導電層119〜124で覆われない領域が薄くなったゲート絶縁膜
118となる。
ここでは、エッチング用ガスにSF6とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を2
4/12/24(sccm)とし、1.3Paの圧力でコイル型の電極に700WのRF(1
3.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを25秒行った。基板側(試料
ステージ)にも10WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧
を印加する。第2のエッチング処理でのWに対するエッチング速度は227.3nm/m
in、TaNに対するエッチング速度は32.1nm/minであり、TaNに対するW
の選択比は7.1であり、絶縁膜118であるSiONに対するエッチング速度は33.
7nm/minであり、SiONに対するWの選択比は6.83である。このようにエッ
チングガス用ガスにSF6を用いた場合、絶縁膜118との選択比が高いので膜減りを抑
えることができる。本実施例では絶縁膜118において約8nmしか膜減りが起きない。
ング処理により第2の導電層126b〜131bを形成する。一方、第1の導電層は、ほ
とんどエッチングされず、第1の導電層126a〜131aとなる。なお、第1の導電層
126a〜131aは、第1の導電層119a〜124aとほぼ同一サイズである。実際
には、第1の導電層の幅は、第2のエッチング処理前に比べて約0.3μm程度、即ち線
幅全体で0.6μm程度後退する場合もあるがほとんどサイズに変化がない。
ウムとシリコンの合金(Al−Si)膜、膜厚30nmの窒化チタン膜を順次積層した3
層構造とした場合、第1のエッチング処理の第1のエッチング条件としては、BCl3と
Cl2とO2とを原料ガスに用い、それぞれのガス流量比を65/10/5(sccm)と
し、基板側(試料ステージ)に300WのRF(13.56MHz)電力を投入し、1.
2Paの圧力でコイル型の電極に450WのRF(13.56MHz)電力を投入してプ
ラズマを生成して117秒のエッチングを行えばよく、第1のエッチング処理の第2のエ
ッチング条件としては、CF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25/2
5/10(sccm)とし、基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MH
z)電力を投入し、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz
)電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行えばよく、第2のエ
ッチング処理としてはBCl3とCl2を用い、それぞれのガス流量比を20/60(sccm
)とし、基板側(試料ステージ)には100WのRF(13.56MHz)電力を投入し
、1.2Paの圧力でコイル型の電極に600WのRF(13.56MHz)電力を投入
してプラズマを生成してエッチングを行えばよい。
D)の状態を得る。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良
い。イオンドープ法の条件はドーズ量を1.5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60
〜100keVとして行う。n型を付与する不純物元素として、典型的にはリン(P)ま
たは砒素(As)を用いる。この場合、第1の導電層及び第2の導電層126〜130が
n型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的に第1の不純物領域132
〜136が形成される。第1の不純物領域132〜136には1×1016〜1×1017/c
m3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。ここでは、第1の不純物領域と同
じ濃度範囲の領域をn--領域とも呼ぶ。
ったが、レジストからなるマスクを除去せずに第1のドーピング処理を行ってもよい。
のドーピング処理を行う。マスク137は駆動回路のpチャネル型TFTを形成する半導
体層のチャネル形成領域及びその周辺の領域を保護するマスクであり、マスク138は駆
動回路のnチャネル型TFTの一つを形成する半導体層のチャネル形成領域及びその周辺
の領域を保護するマスクであり、マスク139は画素部のTFTを形成する半導体層のチ
ャネル形成領域及びその周辺の領域と保持容量となる領域とを保護するマスクである。
s/cm2とし、加速電圧を60〜100keVとしてリン(P)をドーピングする。ここで
は、第2の導電層126b〜128bをマスクとして各半導体層に不純物領域が自己整合
的に形成される。勿論、マスク137〜139で覆われた領域には添加されない。こうし
て、第2の不純物領域140〜142と、第3の不純物領域144が形成される。第2の
不純物領域140〜142には1×1020〜1×1021/cm3の濃度範囲でn型を付与する
不純物元素を添加されている。ここでは、第2の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn+
領域とも呼ぶ。
れ、1×1018〜1×1019/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加されるこ
とになる。なお、第3の不純物領域は、テーパー形状である第1の導電層の部分を通過さ
せてドーピングを行うため、テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する濃度勾配
を有している。ここでは、第3の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をn-領域とも呼ぶ。
また、マスク138、139で覆われた領域は、第2のドーピング処理で不純物元素が添
加されず、第1の不純物領域146、147となる。
るマスク148〜150を形成して図7(B)に示すように第3のドーピング処理を行う
。
導体層および保持容量を形成する半導体層にp型の導電型を付与する不純物元素が添加さ
れた第4の不純物領域151、152及び第5の不純物領域153、154を形成する。
型を付与する不純物元素が添加されるようにする。尚、第4の不純物領域151、152
には先の工程でリン(P)が添加された領域(n--領域)であるが、p型を付与する不純
物元素の濃度がその1.5〜3倍添加されていて導電型はp型となっている。ここでは、
第4の不純物領域と同じ濃度範囲の領域をp+領域とも呼ぶ。
領域に形成されるものであり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でp型を付与する
不純物元素が添加されるようにする。ここでは、第5の不純物領域と同じ濃度範囲の領域
をp-領域とも呼ぶ。
形成される。導電層126〜129はTFTのゲート電極となる。また、導電層130は
画素部において保持容量を形成する一方の電極となる。さらに、導電層131は画素部に
おいてソース配線を形成する。
VD法により膜厚50nmの酸化シリコン膜を形成した。勿論、この絶縁膜は酸化シリコ
ン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用
いても良い。
の活性化工程は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法(RTA法)、或いは
YAGレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用いた熱処
理、或いはこれらの方法のうち、いずれかと組み合わせた方法によって行う。
行った後、絶縁膜を形成する工程としてもよい。
550℃で1〜12時間の熱処理)を行い、半導体層を水素化する工程を行う。(図7(
C))この工程は第1の層間絶縁膜155に含まれる水素により半導体層のダングリング
ボンドを終端する工程である。酸化シリコン膜からなる絶縁膜(図示しない)の存在に関
係なく半導体層を水素化することができる。
ただし、本実施例では、第2の導電層としてアルミニウムを主成分とする材料を用いてい
るので、水素化する工程において第2の導電層が耐え得る熱処理条件とすることが重要で
ある。水素化の他の手段として、プラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用い
る)を行っても良い。
を形成する。本実施例では膜厚1.6μmのアクリル樹脂膜を形成する。次いで、ソース
配線131に達するコンタクトホールと、導電層129、130に達するコンタクトホー
ルと、各不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。本実施例では複数のエッチン
グ処理を順次行う。本実施例では第1の層間絶縁膜をエッチングストッパーとして第2の
層間絶縁膜をエッチングした後、絶縁膜(図示しない)をエッチングストッパーとして第
1の層間絶縁膜をエッチングしてから絶縁膜(図示しない)をエッチングした。
及び画素電極の材料は、AlまたはAgを主成分とする膜、またはそれらの積層膜等の反
射性の優れた材料を用いることが望ましい。こうして、ソース電極またはドレイン電極1
57〜162、ゲート配線164、接続配線163、画素電極165が形成される。
型TFT203を有する駆動回路206と、nチャネル型TFTからなる画素TFT20
4、保持容量205とを有する画素部207を同一基板上に形成することができる。(図
8)本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。本明細書
中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
域169、ゲート電極を形成する導電層129の外側に形成される第1の不純物領域(n
--領域)147と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第2の不純物領域(n
+領域)142、171を有している。また、保持容量205の一方の電極として機能す
る半導体層には第4の不純物領域152、第5の不純物領域154が形成されている。保
持容量205は、絶縁膜(ゲート絶縁膜と同一膜)118を誘電体として、第2の電極1
30と、半導体層152、154、170とで形成されている。
T)はチャネル形成領域166、ゲート電極を形成する導電層126の一部と絶縁膜を介
して重なる第3の不純物領域(n-領域)144とソース領域またはドレイン領域として
機能する第2の不純物領域(n+領域)140を有している。
7、ゲート電極を形成する導電層127の一部と絶縁膜を介して重なる第5不純物領域(
p-領域)153とソース領域またはドレイン領域として機能する第4の不純物領域(p+
領域)151を有している。
T)にはチャネル形成領域168、ゲート電極を形成する導電層128の外側に第1の不
純物領域(n--領域)146とソース領域またはドレイン領域として機能する第2の不純
物領域(n+領域)141を有している。
、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成し、駆動回路206を形成すればよい。例え
ば、CMOS回路を形成する場合には、nチャネル型TFT201とpチャネル型TFT
202を相補的に接続して形成すればよい。
、nチャネル型TFT203の構造が適している。
1の構造が適している。
るので、GOLD構造のTFTにおいて、ゲート電極とゲート絶縁膜を介して重なる不純
物領域の面積を縮小しても十分な信頼性を得ることができる。
具体的にはGOLD構造のTFTにおいてゲート電極のテーパー部となる部分サイズを小
さくしても十分な信頼性を得ることができる。
が、ゲート電極(第1導電層)のテーパー部となる部分サイズを小さくして寄生容量を低
減すれば、f特性(周波数特性)も向上してさらなる高速動作が可能となり、且つ、十分
な信頼性を有するTFTとなる。
の低減、およびバラツキの低減が実現される。
する例を示したが、画素電極を透明導電膜で形成すると、フォトマスクは1枚増えるもの
の、透過型の表示装置を形成することができる。
セラミックス基板、金属基板を用いることができる。
)の機械的強度が十分であれば、基板100を引き剥がしてもよい。第2の材料層102
が圧縮応力を有し、第1の材料層101が引張応力を有するため、比較的小さな力で引き
剥がすことができる。本実施例は、被剥離層の機械的強度が不十分であるので、被剥離層
を固定する支持体(図示しない)を貼りつけた後、剥離することが好ましい。
してプラスチック基板を貼り合わせてアクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工
程を以下に説明する。説明には図9を用いる。
403は下地絶縁層、404aは駆動回路413の素子、404bは画素部414の素子
404b、405は画素電極である。ここで素子とは、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置において、画素のスイッチング素子として用いる半導体素子(典型的にはTFT)
もしくはMIM素子等を指す。図9(A)に示したアクティブマトリクス基板は図8に示
したアクティブマトリクス基板を簡略化して示したものであり、図8中の基板100は図
9(A)中の基板400に対応している。同様に図9(A)中の401は、図8中の10
1に、図9(A)
中の402は、図8中の102に、図9(A)中の403は、図8中の103に、図9(
A)中の404aは、図8中の201及び202に、図9(A)中の404bは、図8中
の204に、図9(A)中の405は、図8中の165にそれぞれ対応している。
ティブマトリクス基板上に配向膜406aを形成しラビング処理を行う。なお、本実施例
では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによ
って基板間隔を保持するための柱状のスペーサ(図示しない)を所望の位置に形成した。
また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ(図示しない)が設けられている。また、
駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜(図
示しない)を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極408を画素部
に形成し、対向基板の全面に配向膜406bを形成し、ラビング処理を施した。
7とを接着層409となるシール材で貼り合わせる。シール材にはフィラーが混入されて
いて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせ
られる。その後、両基板の間に液晶材料410を注入し、封止剤(図示せず)によって完
全に封止する。(図9(B))液晶材料410には公知の液晶材料を用いれば良い。
す。(図9(C))第2の材料層402が圧縮応力を有し、第1の材料層401が引張応
力を有するため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
本実施例では、転写体412をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化を図る。
て、必要があれば、フレキシブルな基板412または対向基板を所望の形状に分断する。
さらに、公知の技術を用いて偏光板(図示しない)等を適宜設けた。そして、公知の技術
を用いてFPC(図示しない)を貼りつけた。
て転写体としてのプラスチック基板を貼りつけた例を示したが、本実施例では、図8に示
したアクティブマトリクス基板を形成した後、基板を剥離し、第1の転写体としてのプラ
スチック基板と、第2の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけた例である。説明に
は図10を用いる。
、503は下地絶縁層、504aは駆動回路514の素子、504bは画素部515の素
子504b、505は画素電極である。図10(A)に示したアクティブマトリクス基板
は図8に示したアクティブマトリクス基板を簡略化して示したものであり、図8中の基板
100は図10(A)中の基板500に対応している。同様に図10(A)中の501は
、図8中の101に、図10(A)
中の502は、図8中の102に、図10(A)中の503は、図8中の103に、図1
0(A)中の504aは、図8中の201及び202に、図10(A)
中の504bは、図8中の204に、図10(A)中の505は、図8中の165にそれ
ぞれ対応している。
層501が設けられている基板500を物理的手段により引き剥がす。
(図10(B))第2の材料層502が圧縮応力を有し、第1の材料層501が引張応力
を有するため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
付ける。本実施例では、転写体507をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化
を図る。(図10(C))
成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を
保持するための柱状のスペーサ(図示しない)を所望の位置に形成した。また、柱状のス
ペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
、着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ(図示しない)が設けら
れている。また、駆動回路の部分にも遮光層を設けた。このカラーフィルタと遮光層とを
覆う平坦化膜(図示しない)を設けた。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電
極509を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜508bを形成し、ラビング処理を
施した。
0とを接着層512となるシール材で貼り合わせる。(図10(D))
シール材にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間
隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、両基板の間に液晶材料513を注入
し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。(図10(D))液晶材料513には
公知の液晶材料を用いれば良い。
て、必要があれば、フレキシブルな基板507または対向基板を所望の形状に分断する。
さらに、公知の技術を用いて偏光板(図示しない)等を適宜設けた。そして、公知の技術
を用いてFPC(図示しない)を貼りつけた。
て説明する。実施例2における基板412、または実施例3における基板507が基板3
01に対応する。
ース信号線を駆動するためのソース信号線駆動回路302が配置されている。画素部30
4の左右には、ゲート信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路303が配置されて
いる。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回路303は画素部に対して左右対称
配置としているが、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの基板サイズ等を考
慮して、設計者が適宜選択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考える
と、図11に示した左右対称配置が望ましい。
FPC)305から行われる。FPC305は、基板301の所定の場所まで配置された
配線に達するように、層間絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続電極3
09を形成した後、異方性導電膜等を介して圧着される。本実施例においては、接続電極
はITOを用いて形成した。
めフィルム基板上に形成されたスペーサ310によって一定のギャップ(基板301と対
向基板306との間隔)を保った状態で、対向基板306が貼り付けられる。その後、シ
ール剤307が塗布されていない部分より液晶材料が注入され、封止剤308によって密
閉される。以上の工程により、液晶モジュールが完成する。
一部に数個のICを用いてもよい。
したが、本実施例では画素電極を透光性を有する導電膜で形成した透過型の表示装置の例
を示す。
例1に従って層間絶縁膜を形成した後、透光性を有する導電膜からなる画素電極601を
形成する。透光性を有する導電膜としては、ITO(酸化インジウム酸化スズ合金)、酸
化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)、酸化亜鉛(ZnO)等を用いればよい
。
続電極602を形成する。この接続電極602は、コンタクトホールを通じてドレイン領
域と接続されている。また、この接続電極と同時に他のTFTのソース電極またはドレイ
ン電極も形成する。
個のICを用いてもよい。
基板を用い、基板を剥離した後、圧縮応力を有する膜(図示しない)とプラスチック基板
を貼り合わせ、実施例2〜4に従って液晶モジュールを作製し、バックライト604、導
光板605を設け、カバー606で覆えば、図12にその断面図の一部を示したようなア
クティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤
や有機樹脂を用いて貼り合わせる。
また、プラスチック基板と対向基板を貼り合わせる際、枠で囲んで有機樹脂を枠と基板と
の間に充填して接着してもよい。また、透過型であるので偏光板603は、プラスチック
基板と対向基板の両方に貼り付ける。
素子を備えた発光表示装置を作製する例を図13に示す。
、703は下地絶縁層、704aは駆動回路711の素子、704b、704cは画素部
712の素子、705は有機発光素子(Organic Light Emitting Device)である。ここ
で素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用
いる半導体素子(典型的にはTFT)もしくはMIM素子並びに有機発光素子等を指す。
そして、これらの素子を覆って、層間絶縁膜706を形成する。層間絶縁膜706は、成
膜後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、層間絶縁膜706は必ずしも設ける
必要はない。
て形成すればよい。
型TFT201、上記実施例1のpチャネル型TFT202に従って作製すればよい。
nce)が得られる有機化合物(有機発光材料)を含む層(以下、有機発光層と記す)と、
陽極層と、陰極層とを有している。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起
状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
(リン光)とがあるが、本発明の発光装置は、上述した発光のうちの、いずれか一方の発
光を用いていても良いし、または両方の発光を用いていても良い。なお、本明細書では、
有機発光素子の陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光
層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれ
る。基本的に有機発光素子は、陽極/発光層/陰極が順に積層された構造を有しており、
この構造に加えて、陽極/正孔注入層/発光層/陰極や、陽極/正孔注入層/発光層/電
子輸送層/陰極等の順に積層した構造を有していることもある。
場合、従来の明確な界面が存在する積層構造ではなく、第一の機能領域と第二の機能領域
との間に、第一の機能領域を構成する材料および第二の機能領域を構成する材料の両方か
らなる混合領域を有する構造を形成することができる。また、三重項励起エネルギーを発
光に変換できる材料をドーパントとして混合領域に添加した場合も含める。また、混合領
域の形成においては、混合領域に濃度勾配をもたせてもよい。このような構造を適用する
ことで、機能領域間に存在するエネルギー障壁は従来の構造に比較して低減され、キャリ
アの注入性が向上すると考えられる。すなわち機能領域間におけるエネルギー障壁は、混
合領域を形成することにより緩和される。したがって、駆動電圧の低減、および輝度低下
の防止が可能となる。
り合わせる。(図13(B))本実施例では支持体708としてプラスチック基板を用い
る。具体的には、支持体として、厚さ10μm以上の樹脂基板、例えばPES(ポリエチ
レンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート
)もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を用いることができる。なお、有機発光
素子から見て観測者側(発光装置の使用者側)に位置する場合、支持体708および接着
層707は、光を透過する材料であることが必要である。
。(図13(C))第2の材料層702が圧縮応力を有し、第1の材料層701が引張応
力を有するため、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
(図13(D))本実施例では、転写体710をプラスチックフィルム基板とすることで
、軽量化を図る。
フレキシブルな発光装置を得ることができる。なお、支持体708と転写体710とを同
一材料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けに
くくすることができる。
所望の形状に分断する。そして、公知の技術を用いてFPC(図示しない)を貼りつけた
。
板を貼りつけた例を示したが、本実施例では、基板を剥離した後、第1の転写体としての
プラスチック基板と、第2の転写体としてのプラスチック基板を貼りつけてEL(素子を
備えた発光表示装置を作製する例である。説明には図14を用いる。
803は下地絶縁層、804aは駆動回路811の素子、804b、804cは画素部8
12の素子、805は有機発光素子(Organic Light Emitting Device)である。ここで
素子とは、アクティブマトリクス型の発光装置ならば画素のスイッチング素子として用い
る半導体素子(典型的にはTFT)もしくはMIM素子並びに有機発光素子等を指す。そ
して、これらの素子を覆って、層間絶縁膜806を形成する。層間絶縁膜806は、成膜
後の表面がより平坦であることが好ましい。なお、層間絶縁膜806は必ずしも設ける必
要はない。
て形成すればよい。
型TFT201、上記実施例1のpチャネル型TFT202に従って作製すればよい。
基板800を物理的手段により引き剥がす。(図14(B))第2の材料層802が圧縮
応力を有し、第1の材料層801が引張応力を有するため、比較的小さな力で引き剥がす
ことができる。
付ける。本実施例では、転写体810をプラスチックフィルム基板とすることで、軽量化
を図る。
C))本実施例では基材808としてプラスチック基板を用いる。具体的には、転写体8
10及び基材808として、厚さ10μm以上の樹脂基板、例えばPES(ポリエチレン
サルファイル)、PC(ポリカーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)も
しくはPEN(ポリエチレンナフタレート)
を用いることができる。なお、有機発光素子から見て観測者側(発光装置の使用者側)に
位置する場合、基材808および接着層807は、光を透過する材料であることが必要で
ある。
レキシブルな発光装置を得ることができる。なお、基材808と転写体810とを同一材
料にすると、熱膨張係数が等しくなるので、温度変化による応力歪みの影響を受けにくく
することができる。
望の形状に分断する。そして、公知の技術を用いてFPC(図示しない)を貼りつけた。
面図を用いて説明する。実施例7における転写体810がフィルム基板900に対応する
。
をA−A’で切断した断面図である。図15(A)において、可撓性を有するフィルム基
板900(例えば、プラスチック基板等)に、圧縮応力を有する膜901(例えば、酸化
シリコン膜)が設けられ、その上に画素部902、ソース側駆動回路904、及びゲート
側駆動回路903を形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施例1や実施
例2に従えば得ることができる。
918で覆われ、その有機樹脂は保護膜919で覆われている。さらに、接着剤を用いて
カバー材920で封止されている。カバー材920は、支持体として剥離前に接着される
。熱や外力などによる変形に耐えるためカバー材920はフィルム基板900と同じ材質
のもの、例えばプラスチック基板を用いることが望ましく、図15(B)に示す凹部形状
(深さ3〜10μm)に加工されたものを用いる。さらに加工して乾燥剤921が設置で
きる凹部(深さ50〜200μm)を形成することが望ましい。また、多面取りでELモ
ジュールを製造する場合、基板とカバー材とを貼り合わせた後、CO2レーザー等を用い
て端面が一致するように分断してもよい。
を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキ
ット)909からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示
されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良
い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはP
WBが取り付けられた状態をも含むものとする。
導性を有する膜901が設けられ、その上に絶縁膜910が設けられ、絶縁膜910の上
方には画素部902、ゲート側駆動回路903が形成されており、画素部902は電流制
御用TFT911とそのドレインに電気的に接続された画素電極912を含む複数の画素
により形成される。また、ゲート側駆動回路903はnチャネル型TFT913とpチャ
ネル型TFT914とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。
FT、上記実施例1のpチャネル型TFTに従って作製すればよい。
4、及びゲート側駆動回路903形成した後は、実施の形態に従って、支持体(ここでは
カバー材)を接着した後、基板(図示しない)を剥離した後、フィルム基板900を貼り
つけている。
材920を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分(接続部分)が絶縁膜9
10のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にFPC909を貼りつけ、さらに有機
樹脂922で固定することが望ましい。
リ土金属イオン等の不純物イオンの拡散をブロックするだけでなく、積極的にアルカリ金
属イオンやアルカリ土金属イオン等の不純物イオンを吸着する材料が好ましく、更には後
のプロセス温度に耐えうる材料が適している。これらの条件に合う材料は、一例としてフ
ッ素を多く含んだ窒化シリコン膜が挙げられる。窒化シリコン膜の膜中に含まれるフッ素
濃度は、1×1019/cm3以上、好ましくは窒化シリコン膜中でのフッ素の組成比を1
〜5%とすればよい。窒化シリコン膜中のフッ素がアルカリ金属イオンやアルカリ土金属
イオン等と結合し、膜中に吸着される。また、他の例としてアルカリ金属イオンやアルカ
リ土金属イオン等を吸着するアンチモン(Sb)化合物、スズ(Sn)化合物、またはイ
ンジウム(In)化合物からなる微粒子を含む有機樹脂膜、例えば、五酸化アンチモン微
粒子(Sb2O5・nH2O)を含む有機樹脂膜も挙げられる。なお、この有機樹脂膜は、
平均粒径10〜20nmの微粒子が含まれており、光透過性も非常に高い。この五酸化ア
ンチモン微粒子で代表されるアンチモン化合物は、アルカリ金属イオン等の不純物イオン
やアルカリ土金属イオンを吸着しやすい。
12の両端にはバンク915が形成され、画素電極912上には有機化合物層916およ
び発光素子の陽極917が形成される。
せて有機化合物層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれ
ば良い。例えば、低分子系有機化合物材料や高分子系有機化合物材料を用いればよい。ま
た、有機化合物層916として一重項励起により発光(蛍光)する発光材料(シングレッ
ト化合物)からなる薄膜、または三重項励起により発光(リン光)する発光材料(トリプ
レット化合物)からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層とし
て炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知
の材料を用いることができる。
09に電気的に接続されている。さらに、画素部902及びゲート側駆動回路903に含
まれる素子は全て陽極917、有機樹脂918、及び保護膜919で覆われている。
用いるのが好ましい。また、有機樹脂918はできるだけ水分や酸素を透過しない材料で
あることが望ましい。
ように保護膜919を有機樹脂918の表面(露呈面)に設けることが好ましい。また、
基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子(FPC)が設け
られる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保
護膜が成膜されないようにしてもよいし、CVD装置でマスキングテープとして用いるテ
フロン(登録商標)等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないよ
うにしてもよい。
ら完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機化合物層の酸化による劣化を
促す物質が侵入することを防ぐことができる。加えて、熱伝導性を有する膜により発熱を
発散することができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
)とし、画素電極と接続するTFTをpチャネル型TFTとし、陰極として透光性を有す
る金属薄膜(仕事関数の小さい金属材料、例えばAl、Agなど)、或いは該金属薄膜と
透明導電膜との積層として図15と同じ方向に発光する構成とすることもできる。
る構成としてもよい。図16にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する
。
010が設けられ、絶縁膜1010の上方には画素部1002、ゲート側駆動回路100
3が形成されており、画素部1002は電流制御用TFT1011とそのドレインに電気
的に接続された画素電極1012を含む複数の画素により形成される。なお、実施の形態
に従って、基板上に形成した被剥離層を剥離した後、フィルム基板1000が貼りつけら
れる。また、ゲート側駆動回路1003はnチャネル型TFT1013とpチャネル型T
FT1014とを組み合わせたCMOS回路を用いて形成される。
ル型TFT201、上記実施例1のpチャネル型TFT202に従って作製すればよい。
1012の両端にはバンク1015が形成され、画素電極1012上には有機化合物層1
016および発光素子の陰極1017が形成される。
C1009に電気的に接続されている。さらに、画素部1002及びゲート側駆動回路1
003に含まれる素子は全て陰極1017、有機樹脂1018、及び保護膜1019で覆
われている。また、カバー材1020と接着剤で貼り合わせている。また、カバー材には
凹部を設け、乾燥剤1021を設置する。
020を接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分が絶縁膜1010のみとな
り機械強度が弱くなるため、剥離前にFPC1009を貼りつけ、さらに有機樹脂102
2で固定することが望ましい。
向は図16に示す矢印の方向となっている。
発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型(逆スタガ型)TFTや順スタ
ガ型TFTに適用することが可能である。
を用いることも可能である。ここではボトムゲート型TFTを用いた例を図17に示す。
nチャネル型TFT1111を全てボトムゲート構造とする。これらのボトムゲート構造
は、公知の技術を用いて作製すればよい。なお、これらのTFTの活性層は、結晶構造を
有する半導体膜(ポリシリコン等)である。
板等)、1101は、圧縮応力を有する膜(例えば、酸化シリコン膜)
、1102は画素部、1103はゲート側駆動回路、1110は絶縁膜、1112は画素
電極(陰極)、1115はバンク、1116は有機化合物層、1117は陽極、1118
は有機樹脂、1119は保護膜、1120はカバー材、1121は乾燥剤、1122は有
機樹脂である。
T1111以外の構成は、実施例8と同一であるのでここでは説明を省略する。
ス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ELモジュール、アクティブマトリクス型
ECモジュール)に用いることができる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全
てに本発明を実施できる。
レイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、
パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書
籍等)などが挙げられる。それらの一例を図18、図19に示す。
示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を表示部2003に適用することが
できる。
3、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を表
示部2102に適用することができる。
カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む。
本発明は表示部2205に適用できる。
部2303等を含む。本発明は表示部2302に適用することができる。
ヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404、
操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Dig
tial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲー
ムやインターネットを行うことができる。本発明は表示部2402に適用することができ
る。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を表示部2502に
適用することができる。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906、画像入力部(CCD
、イメージセンサ等)2907等を含む。本発明を表示部2904に適用することができ
る。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表
示部3002、3003に適用することができる。
等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。
インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには
、基板の一辺が1mのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜9のどのような組み合
わせからなる構成を用いても実現することができる。
表的には図19(B)に示す携帯書籍(電子書籍)の表示部3002、3003に適用す
る。
同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能とい
う利点を有している。
粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質
に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイク
ロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示
するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合にお
いて移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色
を含む)とする。
、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液
晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが
半減する。
この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。
クロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカ
プセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
Claims (3)
- プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上の、第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された、発光素子と、
前記発光素子上の、有機材料を有する、第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の、第3の絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、圧縮応力を有していた前記第1の絶縁層を介して前記プラスチック基板に貼り付けられたものであり、
前記第1の絶縁層は、酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有し、
前記第2の絶縁層は、前記第3の絶縁層で覆われていることを特徴とする発光装置。 - プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上の、第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された、発光素子と、
前記発光素子上の、有機材料を有する、第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の、第3の絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、圧縮応力を有していた前記第1の絶縁層を介して前記プラスチック基板に貼り付けられたものであり、
前記第1の絶縁層は、酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有し、
前記第2の絶縁層は、前記第3の絶縁層で覆われ、
前記第2の絶縁層及び前記第3の絶縁層を介して、前記発光素子からの光が出射されることを特徴とする発光装置。 - プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上の、第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の、トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された、発光素子と、
前記発光素子上の、有機材料を有する、第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上の、第3の絶縁層と、を有し、
前記トランジスタは、圧縮応力を有していた前記第1の絶縁層を介して前記プラスチック基板に貼り付けられたものであり、
前記第1の絶縁層は、酸化シリコン、又は酸化窒化シリコンを有し、
前記第2の絶縁層は、前記第3の絶縁層で覆われ、
前記プラスチック基板を介して、前記発光素子からの光が出射されることを特徴とする発光装置。
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