TWI730017B - 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種功耗低的顯示裝置的製造方法。該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層；在第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理，形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層；在第一樹脂層上形成包括顯示元件的被剝離層；以及使被剝離層與基板分離，其中，形成被剝離層的步驟包括在第一樹脂層上的重疊於第二區域的位置形成導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。

Description

顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置的製造方法。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。因此，明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法和這些裝置的製造方法。
近年來，顯示裝置被期待應用於各種用途。作為顯示裝置，例如已開發了包括發光元件的發光裝置、包括液晶元件的液晶顯示裝置等。
例如，專利文獻1公開了使用有機EL(Electroluminescence)元件的具有撓性的發光裝置。
專利文獻2公開了一種半透過型液晶顯示裝置，包括反射可見光的區域和透過可見光的區域，在能夠獲得充分的外光的環境下可以用 作反射型液晶顯示裝置，在不能夠獲得充分的外光的環境下可以用作透過型液晶顯示裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2014-197522號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-191750號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種功耗低的顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種全天侯型顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性高的顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是實現顯示裝置的薄型化或輕量化的製造方法。另外，本發明的一個實施方式的目的是更簡單地提供上述製造方法。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理，形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在第一樹脂層上形成被剝離層的步驟；以及使被剝離層與基板分離的步驟，其中，形成被剝離層的步驟包括形成接觸於第一樹脂層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之 後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理的步驟；在進行了第一加熱處理的第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域，來形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在第一樹脂層上形成被剝離層的步驟；以及使被剝離層與基板分離的步驟，其中，該形成被剝離層的步驟包括形成接觸於第一樹脂層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理，形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在基板及第一樹脂層上形成覆蓋第一樹脂層的端部的絕緣層的步驟；在絕緣層上形成被剝離層的步驟；以及藉由將第一樹脂層的至少一部分從基板分離，形成分離的起點來使被剝離層與基板分離的步驟，其中，該形成被剝離層的步驟包括形成接觸於絕緣層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理的步驟；在進行了第一加熱處理的第一層中形成第一區域及比該第 一區域薄的第二區域，來形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟：在基板及第一樹脂層上形成覆蓋第一樹脂層的端部的絕緣層的步驟；在絕緣層上形成被剝離層的步驟；以及藉由將第一樹脂層的至少一部分從基板分離，形成分離的起點來使被剝離層與基板分離的步驟，其中，形成被剝離層的步驟包括形成接觸於第一樹脂層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理，來形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在基板及第一樹脂層上形成覆蓋第一樹脂層的端部的第二層的步驟；藉由在氧比第一加熱處理的氛圍少的氛圍下對第二層進行第二加熱處理，形成覆蓋第一樹脂層的端部的第二樹脂層的步驟；在第二樹脂層上形成被剝離層的步驟；以及藉由將第一樹脂層的至少一部分從基板分離，形成分離的起點來使被剝離層與基板分離的步驟，其中，形成被剝離層的步驟包括形成接觸於絕緣層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置的製造方法，該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理的步驟；在進行了第一加熱處理的第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域，來形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在基板及第一樹脂層上形成覆蓋第一樹脂 層的端部的第二層的步驟；藉由在氧比第一加熱處理的氛圍少的氛圍下對第二層進行第二加熱處理，形成覆蓋第一樹脂層的端部的第二樹脂層的步驟；在第二樹脂層上形成被剝離層的步驟；以及藉由將第一樹脂層的至少一部分從基板分離，形成分離的起點來使被剝離層與基板分離的步驟，其中，形成被剝離層的步驟包括形成接觸於第一樹脂層且重疊於第二區域的導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後，包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是一種包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一絕緣層以及導電層的顯示裝置的製造方法，第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶以及具有使可見光透過的功能的第一共用電極，第二顯示元件包括具有使可見光透過的功能的第二像素電極、發光層以及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該顯示裝置的製造方法包括如下步驟：在第一基板上形成第一共用電極的步驟；在形成用基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的樹脂層的步驟；在樹脂層上形成第一像素電極的步驟；在形成第一像素電極的步驟的同時，以覆蓋第二區域的方式形成導電層的步驟；在第一像素電極上形成第一絕緣層的步驟；藉由在絕緣層上依次形成第二像素電極、發光層以及第二共用電極，形成第二顯示元件的步驟；使用黏合層將形成用基板與第二基板貼合在一起的步驟；使形成用基板與第一像素電極分離的步驟；以及藉由在第一共用電極與第一像素電極之間配置液晶，使用黏合層將第一基板與第二基板貼合在一起來形成第一顯示元件的步驟，其中，樹脂層經過包含氧的氛圍下的第一加熱處理步驟而形成。
另外，本發明的另一個實施方式是一種包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一絕緣層以及導電層的顯示裝置的製造方法，第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶以及具有使可 見光透過的功能的第一共用電極，第二顯示元件包括具有使可見光透過的功能的第二像素電極、發光層以及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該顯示裝置的製造方法包括如下步驟：在第一基板上形成第一共用電極的步驟；在形成用基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的樹脂層的步驟；以覆蓋樹脂層的端部的方式形成第二絕緣層的步驟；在絕緣層上形成第一像素電極的步驟；在形成第一像素電極的步驟的同時，以覆蓋第二區域的方式形成導電層的步驟；在第一像素電極上形成第一絕緣層的步驟；藉由在絕緣層上依次形成第二像素電極、發光層以及第二共用電極，形成第二顯示元件的步驟；使用黏合層將形成用基板與第二基板貼合在一起的步驟；使形成用基板與第一像素電極分離的步驟；以及藉由在第一共用電極與第一像素電極之間配置液晶，使用黏合層將第一基板與第二基板貼合在一起來形成第一顯示元件的步驟，其中，樹脂層經過包含氧的氛圍下的第一加熱處理步驟而形成。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中第二絕緣層的材料是無機絕緣材料。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中第二絕緣層的材料是樹脂或樹脂前體。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中第二絕緣層的材料與樹脂層的材料相同。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中第二絕緣層經過氧比第一加熱處理的氛圍少的氛圍下的第二加熱處理而形成。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製 造方法中的剝離方法，其中一邊使氮氣體流動一邊進行第二加熱處理。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法中的剝離方法，其中一邊使包含氮及氧的混合氣體流動一邊以比第一加熱處理低的溫度進行第二加熱處理。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法中的剝離方法，其中一邊使在氣體總流量中氧氣體流量所佔的比率為5%以上且50%以下的混合氣體流動一邊進行第一加熱處理。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法中的剝離方法，其中一邊以350℃以上且450℃以下使包含氮及氧的混合氣體流動一邊進行第一加熱處理。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中在使形成用基板與第一像素電極分離的步驟之後還包括使導電層露出的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，還包括藉由連接層使露出了的導電層與用來輸入信號或電力的佈線連接的步驟。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中藉由連接器使第一共用電極與露出了的導電層連接。
另外，本發明的另一個實施方式是具有上述結構的顯示裝置的製造方法，其中，在形成第一像素電極的步驟與形成第二像素電極的步驟之間包括形成在通道形成區域中具有金屬氧化物的電晶體的步驟， 在形成樹脂層的步驟中以比形成電晶體的步驟中進行加熱的溫度高的溫度對樹脂層進行加熱。
藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種功耗低的顯示裝置的製造方法。藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置的製造方法。藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種全天侯型顯示裝置的製造方法。藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種方便性高的顯示裝置的製造方法。藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種實現薄型化或輕量化的顯示裝置的製造方法。
ANO‧‧‧佈線
C1‧‧‧電容元件
C2‧‧‧電容元件
CSCOM‧‧‧佈線
G1‧‧‧佈線
G2‧‧‧佈線
G3‧‧‧佈線
GD‧‧‧電路
S1‧‧‧佈線
S2‧‧‧佈線
S3‧‧‧佈線
SD‧‧‧電路
SW1‧‧‧開關
SW2‧‧‧開關
VCOM1‧‧‧佈線
VCOM2‧‧‧佈線
10‧‧‧顯示裝置
14‧‧‧顯示部
21‧‧‧發光
22‧‧‧反射光
30‧‧‧像素單元
31B‧‧‧第一顯示元件
31G‧‧‧第一顯示元件
31p‧‧‧像素
31R‧‧‧第一顯示元件
31W‧‧‧第一顯示元件
32B‧‧‧第二顯示元件
32G‧‧‧第二顯示元件
32p‧‧‧像素
32R‧‧‧第二顯示元件
32W‧‧‧第二顯示元件
32Y‧‧‧第二顯示元件
35r‧‧‧光
35t‧‧‧光
35tr‧‧‧光
41‧‧‧電晶體
42‧‧‧電晶體
61‧‧‧形成用基板
62‧‧‧樹脂層
62a‧‧‧樹脂層
62b‧‧‧樹脂層
62n‧‧‧樹脂層
62m‧‧‧樹脂層
62p‧‧‧樹脂層
63‧‧‧絕緣層
110a‧‧‧電晶體
110b‧‧‧電晶體
110c‧‧‧電晶體
110d‧‧‧電晶體
110e‧‧‧電晶體
110f‧‧‧電晶體
110g‧‧‧電晶體
110h‧‧‧電晶體
112‧‧‧液晶
113‧‧‧電極
117‧‧‧絕緣層
121‧‧‧絕緣層
131‧‧‧彩色層
132‧‧‧遮光層
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧彩色層
135‧‧‧偏光板
141‧‧‧黏合層
142‧‧‧黏合層
151‧‧‧絕緣層
170‧‧‧發光元件
180‧‧‧液晶元件
191‧‧‧電極
192‧‧‧EL層
193‧‧‧電極
194‧‧‧絕緣層
201‧‧‧電晶體
203‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
217‧‧‧絕緣層
218‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221‧‧‧導電層
221a‧‧‧導電層
221b‧‧‧導電層
221c‧‧‧導電層
221d‧‧‧導電層
222a‧‧‧導電層
222b‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
235‧‧‧導電層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接器
252‧‧‧連接部
261‧‧‧半導體層
263a‧‧‧導電層
263b‧‧‧導電層
281‧‧‧電晶體
284‧‧‧電晶體
285‧‧‧電晶體
286‧‧‧電晶體
300‧‧‧顯示裝置
300A‧‧‧顯示裝置
300B‧‧‧顯示裝置
300C‧‧‧顯示裝置
311‧‧‧電極
311a‧‧‧電極
311b‧‧‧電極
311c‧‧‧導電層
311d‧‧‧導電層
311e‧‧‧導電層
311f‧‧‧導電層
340‧‧‧液晶元件
351‧‧‧基板
360‧‧‧發光元件
360b‧‧‧發光元件
360g‧‧‧發光元件
360r‧‧‧發光元件
360w‧‧‧發光元件
361‧‧‧基板
362‧‧‧顯示部
364‧‧‧電路
365‧‧‧佈線
372‧‧‧FPC
373‧‧‧IC
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧像素
451‧‧‧開口
800‧‧‧可攜式資訊終端
801‧‧‧外殼
802‧‧‧外殼
803‧‧‧顯示部
804‧‧‧顯示部
805‧‧‧鉸鏈部
810‧‧‧可攜式資訊終端
811‧‧‧外殼
812‧‧‧顯示部
813‧‧‧操作按鈕
814‧‧‧外部連接埠
815‧‧‧揚聲器
816‧‧‧麥克風
817‧‧‧照相機
820‧‧‧照相機
821‧‧‧外殼
822‧‧‧顯示部
823‧‧‧操作按鈕
824‧‧‧快門按鈕
826‧‧‧鏡頭
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
9000‧‧‧外殼
9001‧‧‧顯示部
9003‧‧‧揚聲器
9005‧‧‧操作鍵
9006‧‧‧連接端子
9007‧‧‧感測器
9008‧‧‧麥克風
9055‧‧‧鉸鏈
9200‧‧‧可攜式資訊終端
9201‧‧‧可攜式資訊終端
9202‧‧‧可攜式資訊終端
在圖式中：圖1是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖2是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖3是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖4是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖5A和圖5B是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖6A至圖6E是示出電晶體的一個例子的剖面圖；圖7A至圖7E是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖8A和圖8B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖9A和圖9B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖10A和圖10B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖11是示出顯示裝置的一個例子及顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖12A至圖12D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 圖13A和圖13B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖14A和圖14B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖15A和圖15B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖16是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖17A和圖17B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖18是示出顯示裝置的一個例子及顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖19A至圖19D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖20A和圖20B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖21A和圖21B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖22A和圖22B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖23是示出顯示裝置的一個例子及顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖24是示出顯示裝置的一個例子的方塊圖；圖25A至圖25C是示出像素單元的一個例子的圖；圖26A至圖26C是示出像素單元的一個例子的圖；圖27A至圖27C是示出像素單元的一個例子的圖；圖28A、圖28B1、圖28B2、圖28B3及圖28B4是示出顯示裝置的一個例子及像素的一個例子的圖；圖29是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖；圖30A和圖30B是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖 及示出像素的一個例子的圖；圖31是示出顯示模組的一個例子的圖；圖32A至圖32D是示出電子裝置的一個例子的圖；圖33A至圖33E是示出電子裝置的一個例子的圖；圖34A至圖34D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖35A和圖35B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖36A和圖36B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖37A和圖37B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖38是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖39是示出顯示裝置的一個例子及顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。另外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式所公開的位置、大小、範圍等。
另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。
在本說明書等中，金屬氧化物(metal oxide)是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體(包括透明氧化物導電體)和氧化物半導體(Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS)等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。
此外，在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物也稱為金屬氧化物(metal oxide)。此外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氧氮化物(metal oxynitride)。
此外，在本說明書等中，有時記為CAAC(c-axis aligned crystal)或CAC(cloud-aligned composite)。注意，CAAC是指結晶結構的一個例子，CAC是指功能或材料構成的一個例子。
下面，對氧化物半導體或金屬氧化物的結晶結構的一個例子進行說明。注意，以使用In-Ga-Zn氧化物靶材(In：Ga：Zn=4：2：4.1[原子數比])且藉由濺射法形成的氧化物半導體為一個例子進行說明。將使用上述靶材在100℃以上且130℃以下的基板溫度下藉由濺射法形成的氧化物半導體稱為sIGZO，將使用上述靶材在室溫(R.T.)的基板溫度下藉由濺射法形成的氧化物半導體稱為tIGZO。例如，sIGZO具有nc (nano crystal)和CAAC中的一者或兩者的結晶結構。此外，tIGZO具有nc的結晶結構。注意，在此指的室溫(R.T.)包括對基板不進行意圖性的加熱時的溫度。
此外，在本說明書等中，CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有導電體的功能，在材料的另一部分中具有介電質(或絕緣體)的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的半導體層的情況下，導電體具有使被用作載子的電子(或電洞)流過的功能，介電質具有不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電體的功能和介電質的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能(控制開啟/關閉的功能)。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。
此外，在本說明書等中，CAC-OS或CAC-metal oxide包括導電體區域及介電質區域。導電體區域具有上述導電體的功能，介電質區域具有上述介電質的功能。此外，在材料中，導電體區域和介電質區域有時以奈米粒子級分離。另外，導電體區域和介電質區域有時在材料中不均勻地分佈。此外，有時觀察到其邊緣模糊而以雲狀連接的導電體區域。
就是說，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料(matrix composite)或金屬基質複合材料(metal matrix composite)。
此外，在CAC-OS或CAC-metal oxide中，導電體區域和介電質區域有時以0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1至圖23說明本發明的一個實施方式的顯示裝置。
本實施方式的顯示裝置包括反射可見光的第一顯示元件及發射可見光的第二顯示元件。
本實施方式的顯示裝置具有由第一顯示元件所反射的光和第二顯示元件所發射的光中的一者或兩者顯示影像的功能。
作為第一顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源，所以可以使顯示時的功耗變得極小。
作為第一顯示元件，典型地可以使用反射型液晶元件。此外，作為第一顯示元件，可以使用快門方式的MEMS(Micro Electro Mechenical System：微機電系統)元件、光干涉方式的MEMS元件、應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體(日本的註冊商標)方式等的元件等。
作為第二顯示元件，較佳為使用發光元件。由於這種顯示元件所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此這種像素可以進行色彩再現性高(色域寬)且對比度高的鮮明的顯示。
作為第二顯示元件，例如可以使用OLED(有機發光二極體)、LED(發光二極體)、QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)等自發光性發光元件。
本實施方式的顯示裝置包括只使用第一顯示元件顯示影像的第一 模式、只使用第二顯示元件顯示影像的第二模式以及使用第一顯示元件和第二顯示元件顯示影像的第三模式，該顯示裝置能夠以自動或手動切換這些模式而使用。
在第一模式中，利用第一顯示元件和外光顯示影像。因為第一模式不使用光源，所以功耗極低。例如，當外光充分入射到顯示裝置時(在明亮的環境等下)，可以使用第一顯示元件所反射的光進行顯示。例如，第一模式在外光充分強且外光為白色光或近似的光的情況下是有效的。第一模式是適於顯示文字的模式。另外，因為在第一模式中使用反射外光的光，所以可以進行護眼顯示而有眼睛不容易疲累的效果。
在第二模式中，利用第二顯示元件的發光顯示影像。由此，可以與照度及外光的色度無關地進行極鮮明(對比度高且色彩再現性高)的顯示。例如，第二模式在夜間及昏暗的室內等的照度極低的情況等下是有效的。另外，在周圍昏暗時，明亮的顯示有時讓使用者感到刺眼。為了防止發生這種問題，在第二模式中較佳為進行抑制亮度的顯示。由此，不僅可以抑制刺眼，而且還可以降低功耗。第二模式是適合顯示鮮明的影像(靜態影像及動態影像)等的模式。
在第三模式中，利用第一顯示元件的反射光和第二顯示元件的發光的兩者來進行顯示。不但可以進行比第一模式鮮明的顯示，而且可以使功耗比第二模式小。例如，第三模式在室內照明下或者早晨傍晚等照度較低的情況、外光的色度不是白色的情況等下是有效的。另外，藉由使用混合了反射光和發光的光，可以顯示仿佛看到繪畫一樣的影像。
藉由採用上述結構，可以實現無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性的顯示裝置或全天侯型顯示裝置。
圖1示出顯示裝置10的剖面圖。在顯示裝置10中，作為第一顯示元件包括液晶元件180，作為第二顯示元件包括發光元件170。
圖1所示的顯示裝置10在一對基板(基板351及基板361)之間包括液晶元件180、發光元件170、電晶體41及電晶體42等。
液晶元件180包括具有反射可見光的功能的電極311、液晶112及具有透過可見光的功能的電極113。液晶112位於電極311與電極113之間。
液晶元件180具有反射可見光的功能。液晶元件180將反射光22射出到基板361一側。
電極311藉由設置在絕緣層220中的開口與電晶體41所包括的源極或汲極電連接。電極311被用作像素電極。電極113藉由連接器243與導電層235電連接。藉由對同一導電膜進行加工，可以得到電極311和導電層235。
發光元件170包括電極191、EL層192及電極193。EL層192位於電極191與電極193之間。EL層192至少包含發光物質。電極191具有透過可見光的功能。電極193較佳為具有反射可見光的功能。
發光元件170具有發射可見光的功能。明確而言，發光元件170是藉由在電極191與電極193之間施加電壓而將光(發光21)射出到基板361一側的場效應發光元件。
電極191藉由設置在絕緣層214中的開口與電晶體42所包括的源極或汲極電連接。電極191具有像素電極的功能。電極191的端部被 絕緣層216覆蓋。
發光元件170較佳為被絕緣層194覆蓋。在圖1中，絕緣層194以接觸於電極193的方式設置。藉由設置絕緣層194，可以抑制雜質侵入發光元件170並提高發光元件170的可靠性。使用黏合層142貼合絕緣層194與基板351。
電晶體41及電晶體42位於同一面上。電晶體41具有控制液晶元件180的驅動的功能。電晶體42具有控制發光元件170的驅動的功能。
電連接於液晶元件180的電路較佳為與電連接於發光元件170的電路形成在同一面上。由此，與將兩個電路形成在不同的面上的情況相比，可以減薄顯示裝置的厚度。此外，因為可以藉由同一製程製造兩個電晶體，所以與將兩個電晶體形成在不同的面上的情況相比，可以簡化製程。
液晶元件180的像素電極的電極311隔著電晶體41及電晶體42所包括的閘極絕緣膜位於與發光元件170的像素電極的電極191相對的位置。
在此，當使用在通道形成區域中包含氧化物半導體的關態電流(off-state current)極低的電晶體41或者與電晶體41電連接的記憶元件時，即使在使用液晶元件180顯示靜態影像時停止向像素的寫入工作也可以維持灰階。也就是說，即便使圖框頻率極小也可以保持顯示。在本發明的一個實施方式中，可以使圖框頻率極小而能夠進行功耗低的驅動。
接著，參照圖2至圖7E說明本實施方式的顯示裝置的結構實例。
〈結構實例1〉
圖2是顯示裝置300的透視示意圖。顯示裝置300具有貼合基板351與基板361的結構。在圖2中，以虛線表示基板361。
顯示裝置300包括顯示部362、電路364、佈線365等。圖2示出在顯示裝置300中安裝有IC(集成電路)373及FPC372的例子。因此，也可以將圖2所示的結構稱為包括顯示裝置300、IC及FPC的顯示模組。
作為電路364，例如可以使用掃描線驅動電路。
佈線365具有對顯示部362及電路364供應信號及電力的功能。該信號及電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。
圖2示出藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封裝)方式等在基板351上設置有IC373的例子。作為IC373，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置300及顯示模組也可以沒有設置IC。另外，也可以將IC利用COF方式等安裝於FPC。
圖2示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的電極311b。電極311b具有反射可見光的功能，並被用作液晶元件180的反射電極。
此外，如圖2所示，電極311b具有開口451。再者，顯示部362在比電極311b更靠近基板351一側包括發光元件170。來自發光元件170的光經過電極311b的開口451射出到基板361一側。
圖3示出圖2所示的顯示裝置300的包括FPC372的區域的一部分、 包括電路364的區域的一部分及包括顯示部362的區域的一部分的剖面的一個例子。
圖3所示的顯示裝置300在基板351與基板361之間包括電晶體201、電晶體203、電晶體205、電晶體206、液晶元件180、發光元件170、絕緣層220、彩色層131、彩色層134等。基板361與絕緣層220藉由黏合層141黏合。基板351與絕緣層220藉由黏合層142黏合。
在基板361上設置有彩色層131、遮光層132、絕緣層121及被用作液晶元件180的共用電極的電極113、配向膜133b、絕緣層117等。在基板361的外側的面具有偏光板135。絕緣層121可以具有平坦化層的功能。藉由設置絕緣層121可以使電極113的表面大致平坦，可以使液晶112的配向狀態成為均勻。絕緣層117被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。
液晶元件180是反射型液晶元件。液晶元件180包括層疊有電極311a、液晶112及電極113的疊層結構。以與電極311a的基板351一側接觸的方式設置有反射可見光的電極311b。電極311b具有開口451。電極311a及電極113使可見光透過。在液晶112與電極311a之間設置有配向膜133a。在液晶112與電極113之間設置有配向膜133b。
在液晶元件180中，電極311b具有反射可見光的功能，電極113具有使可見光透過的功能。從基板361一側入射的光被偏光板135偏振，經過電極113、液晶112以及電極311a，被電極311b反射。並且，再次經過電極311a、液晶112及電極113而到達偏光板135。此時，可以由施加到電極311b與電極113之間的電壓控制液晶的配向，來控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板135射出的光的強度。另外，因為光的指定波長區域以外的光被彩色層131吸收，因此所提取的光成為呈現所希望的顏色的光，例如為紅色的光。
形成在顯示部362中的電極311a與液晶112之間沒有存在樹脂層62a及絕緣層63，因此，可以降低光的折射及由樹脂層62a或絕緣層63的著色所導致的影響，所以這是較佳的結構。在本結構中，電極311a及電極311b與導電層311c、導電層311d、導電層311e及導電層311f同樣以覆蓋形成在樹脂層62及絕緣層63中的凹部的方式形成，因此這是容易去除樹脂層62a及絕緣層63的結構。
如圖3所示，在開口451中較佳為設置有透過可見光的電極311a。由此，液晶112在與開口451重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在該區域的邊界部產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。
在連接部207中，電極311b藉由導電層221b與電晶體206所包括的導電層222a電連接。電晶體206具有抑制液晶元件180的驅動的功能。
在設置有黏合層141的一部分的區域中設置有連接部252。在連接部252中，藉由連接器243使對與電極311a同一的導電膜進行加工來獲得的導電層311e和電極113的一部分電連接。由此，可以將從連接到基板351一側的FPC372輸入的信號或電位藉由連接部252供應到形成在基板361一側的電極113。
在連接部252中，以覆蓋形成在樹脂層62a及絕緣層63中的凹部的方式使用與電極311a及電極311b相同的材料形成導電層311e、導電層311f，露出的導電層311e的表面與連接器243接觸。藉由以覆蓋形成在樹脂層62a及絕緣層63中的凹部的方式形成導電層311e、導電層311f，容易使導電層311e露出。
連接器243例如可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以使用其表面被金屬材料覆蓋的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，作為連接器243，較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接器243成為圖3所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器243與電連接到該連接器243的導電層之間的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。
連接器243較佳為以由黏合層141覆蓋的方式配置。例如，可以將連接器243預先分散在被固化之前的黏合層141中。
發光元件170為底部發射型發光元件。發光元件170具有從絕緣層220一側依次層疊有電極191、EL層192及電極193的結構。電極191藉由設置在絕緣層214中的開口與電晶體205所包括的導電層222b連接。電晶體205具有控制發光元件170的驅動的功能。絕緣層216覆蓋電極191的端部。電極193包含反射可見光的材料，電極191包含使可見光透過的材料。絕緣層194以覆蓋電極193的方式設置。發光元件170所發射的光經過彩色層134、絕緣層220、開口451及電極311a等射出到基板361一側。
當根據像素改變彩色層的顏色時，液晶元件180及發光元件170可以呈現各種顏色。顯示裝置300可以使用液晶元件180進行彩色顯示。顯示裝置300可以使用發光元件170進行彩色顯示。
電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206都形成在絕緣層220的基板351一側的面上。這些電晶體可以藉由同一製程來製造。
電晶體203是用來控制是否選擇像素的電晶體(也被稱為切換電晶體或選擇電晶體)。電晶體205是用來控制流過發光元件170的電流的電晶體(也被稱為驅動電晶體)。
在絕緣層220的基板351一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214等的絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212以覆蓋電晶體206等的方式設置。絕緣層213以覆蓋電晶體205等的方式設置。絕緣層214被用作平坦化層。注意，對覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。
較佳的是，將水或氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋各電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層被用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示裝置。
電晶體201、電晶體203、電晶體205以及電晶體206包括被用作閘極的導電層221a的一部分、被用作閘極絕緣層的絕緣層211的一部分、分別被用作源極和汲極的導電層222a及導電層222b以及半導體層231。在此，對經過同一導電膜的加工而得到的多個層附有相同的陰影圖案。
電晶體201及電晶體205除了電晶體203及電晶體206的結構以外還包括被用作閘極的導電層223。
作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以 增大通態電流(on-state current)。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高清晰化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。
或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有限制。電路364所包括的電晶體和顯示部362所包括的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。電路364所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。同樣地，顯示部362所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。
導電層223較佳為使用包含氧化物的導電材料形成。藉由在包含氧的氛圍下形成構成導電層223的導電膜，可以對絕緣層212供應氧。較佳的是，沉積氣體中的氧氣體的比率為90%以上且100%以下。供應到絕緣層212中的氧藉由後面的加熱處理被供應給半導體層231，由此可以實現半導體層231中的氧缺陷的降低。
尤其是，作為導電層223，較佳為使用低電阻化了的氧化物半導體。此時，較佳為使用向絕緣層213釋放氫的絕緣膜，例如氮化矽膜等。藉由在絕緣層213的成膜中或後面的加熱處理，氫被供應給導電層223中，由此可以有效地降低導電層223的電阻。
以接觸於絕緣層213的方式設置有彩色層134。彩色層134被絕緣層214覆蓋。
在基板351的不與基板361重疊的區域中設置有連接部204。在連 接部204中，佈線365藉由連接層242與FPC372電連接。在連接部204中，以覆蓋形成在樹脂層62a及絕緣層63中的凹部的方式使用與電極311a及電極311b相同的材料形成導電層311c及導電層311d，在連接部204的頂面上露出有導電層311c。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC372電連接。藉由以覆蓋形成在樹脂層62a及絕緣層63中的凹部的方式形成導電層311c、導電層311d，容易使導電層311c露出到連接部204的頂面上。
作為設置在基板361外側的面的偏光板135，既可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光反射。此外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件180的液晶元件的單元間隙、配向、驅動電壓等，可以實現所希望的對比度。
此外，可以在基板361的外側的表面上配置各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、光擴散層(擴散薄膜等)、防反射層及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在基板361的外側的表面上也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜等。
基板351及基板361可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等。藉由將具有撓性的材料用於基板351及基板361，可以提高顯示裝置的撓性。
作為液晶元件180例如可以採用使用VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式的元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
作為液晶元件180，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式以外，可以使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式等的液晶元件。
液晶元件是利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。
作為液晶材料，可以使用正型液晶或負型液晶，根據所適用的模式或設計採用適當的液晶材料即可。
為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。此外，在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到各向同性之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶層，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手 性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良、破損。
當採用反射型液晶元件時，將偏光板135設置在顯示面一側。此外，當在顯示面一側另外設置光擴散板時，可以提高可見度，所以是較佳的。
可以在偏光板135的外側設置前光源。作為前光源，較佳為使用邊緣照明型前光源。當使用具備LED(Light Emitting Diode)的前光源時，可以降低功耗，所以是較佳的。
作為黏合層，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其是，較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。另外，也可以使用黏合薄片等。
作為連接層242，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
發光元件170有頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構等。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
EL層192至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層192還可 以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層192可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層192的層分別藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
EL層192也可以具有量子點等無機化合物。例如，藉由將量子點用於發光層，也可以將其用作發光材料。作為量子點材料，可以使用膠狀量子點材料、合金型量子點材料、核殼(Core Shell)型量子點材料、核型量子點材料等。另外，也可以使用包含第12族和第16族、第13族和第15族、第14族和第16族的元素組的材料。或者，可以使用包含鎘、硒、鋅、硫、磷、銦、碲、鉛、鎵、砷、鋁等元素的量子點材料。
此外，藉由利用濾色片(彩色層)與微腔結構(光學調整層)的組合，可以從顯示裝置提取出色純度高的光。光學調整層的厚度根據各像素的顏色而改變。
作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極和構成顯示裝置的各種佈線及電極等導電層的材料，可以舉出鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以上述金屬為主要成分的合金等。可以以單層或疊層結構使用包含這些材料的膜。
另外，作為透光性導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材 料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料、合金材料(或者它們的氮化物)時，將其形成得薄到具有透光性，即可。此外，可以使用上述材料的疊層膜作為導電層。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以是較佳的。上述材料也可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層、顯示元件所包括的導電層(被用作像素電極及共用電極的導電層)。
作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以舉出丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂、無機絕緣材料如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。
作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。
〈結構實例2〉
在圖4所示的顯示裝置300A與顯示裝置300之間主要的不同之處在於：顯示裝置300A不包括電晶體201、電晶體203、電晶體205以及電晶體206而包括電晶體281、電晶體284、電晶體285以及電晶體286。
如電晶體284及電晶體285所示那樣，也可以部分地層疊有顯示裝置所包括的兩個電晶體。由此，可以縮小像素電路的佔有面積，因此可以提高解析度。另外，可以增大發光元件170的發光面積，因此可以提高開口率。當發光元件170的開口率高時，可以降低獲得需要的亮度時的電流密度，從而可靠性得到提高。
電晶體281、電晶體284以及電晶體286包括導電層221a、絕緣層211、半導體層231、導電層222a以及導電層222b。導電層221a隔著絕緣層211與半導體層231重疊。導電層222a及導電層222b與 半導體層231電連接。電晶體281包括導電層223。
電晶體285包括導電層222b、絕緣層217、半導體層261、導電層223、絕緣層212、絕緣層213、導電層263a以及導電層263b。導電層222b隔著絕緣層217與半導體層261重疊。導電層223隔著絕緣層212及絕緣層213與半導體層261重疊。導電層263a及導電層263b與半導體層261電連接。
導電層221a被用作閘極。絕緣層211被用作閘極絕緣層。導電層222a被用作源極和汲極中的一個。電晶體286所包括的導電層222b被用作源極和汲極中的另一個。
電晶體284及電晶體285共同使用的導電層222b具有被用作電晶體284的源極和汲極中的另一個的部分以及被用作電晶體285的閘極的部分。絕緣層217、絕緣層212以及絕緣層213被用作閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作源極，另一個被用作汲極。導電層223被用作閘極。
〈結構實例3〉
圖5A示出顯示裝置300B的顯示部的剖面圖。
在顯示裝置300B與顯示裝置300之間不同之處在於顯示裝置300B不包括彩色層131。其他結構與顯示裝置300相同，因此省略詳細說明。
液晶元件180呈現白色。因為顯示裝置300不包括彩色層131，所以可以使用液晶元件180以黑白或灰階級進行顯示。
〈結構實例4〉
在圖5B所示的顯示裝置300C與顯示裝置300B之間不同之處在於：顯示裝置300C分別塗布EL層192，並且不包括彩色層134。其他結構與顯示裝置300B相同，因此省略詳細說明。
在採用分別塗布方式的發光元件170中，分別塗布構成EL層192的層中的至少一個層(典型的是發光層)即可，也可以分別塗布構成EL層的所有層。
在本發明的一個實施方式中，對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，電晶體都可以具有頂閘極結構或底閘極結構。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。
圖6A至圖6E示出電晶體的結構實例。
圖6A所示的電晶體110a是具有頂閘極結構的電晶體。
電晶體110a包括導電層221、絕緣層211、半導體層231、絕緣層212、導電層222a以及導電層222b。半導體層231設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層211及絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
導電層221被用作閘極。絕緣層211被用作閘極絕緣層。導電層222a及導電層222b中的一個被用作源極，另一個被用作汲極。
由於在電晶體110a中容易使導電層221與導電層222a之間或者導電層221與導電層222b之間的物理距離拉開，所以能夠減少它們之間的寄生電容。
圖6B所示的電晶體110b除了電晶體110a的結構之外還包括導電層223及絕緣層218。導電層223設置在絕緣層151上，與半導體層231重疊。絕緣層218以覆蓋導電層223及絕緣層151的方式設置。
導電層223被用作一對閘極中的一個。由此，可以提高電晶體的通態電流或者控制臨界電壓。
圖6C至圖6E示出層疊有兩個電晶體的結構的例子。層疊的兩個電晶體的結構可以獨立決定，而不侷限於圖6C至圖6E所示的組合。
圖6C示出層疊有電晶體110c和電晶體110d的結構。電晶體110c包括兩個閘極。電晶體110d具有底閘極結構。電晶體110c的閘極個數可以為一個(頂閘極結構)。另外，電晶體110d的閘極個數也可以為兩個以上。
電晶體110c包括導電層223、絕緣層218、半導體層231、導電層221、絕緣層211、導電層222a以及導電層222b。導電層223設置在絕緣層151上。導電層223隔著絕緣層218與半導體層231重疊。絕緣層218以覆蓋導電層223及絕緣層151的方式設置。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。在圖6C中示出絕緣層211只設置在重疊於導電層221的部分中的例子，但是如圖6B等所示那樣，絕緣層211也可以以覆蓋半導體層231的端部的方式設置。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
電晶體110d包括導電層222b、絕緣層213、半導體層261、導電層263a以及導電層263b。導電層222b包括隔著絕緣層213與半導體層261重疊的區域。絕緣層213以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b與半導體層261電連接。
導電層221及導電層223都被用作電晶體110c的閘極。絕緣層218及絕緣層211被用作電晶體110c的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110c的源極和汲極中的一個。
導電層222b包括被用作電晶體110c的源極和汲極中的另一個的部分及被用作電晶體110d的閘極的部分。絕緣層213被用作電晶體110d的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110d的源極，另一個被用作電晶體110d的汲極。
電晶體110c及電晶體110d較佳為用於發光元件170的像素電路。例如，可以將電晶體110c用作選擇電晶體，將電晶體110d用作驅動電晶體。
導電層263b藉由設置在絕緣層217及絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
圖6D示出層疊有電晶體110e和電晶體110f的結構。電晶體110e具有底閘極結構。電晶體110f包括兩個閘極。另外，電晶體110e的閘極個數也可以為兩個。
電晶體110e包括導電層221、絕緣層211、半導體層231、導電層222a以及導電層222b。導電層221設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。絕緣層211以覆蓋導電層221及絕緣層151的方式設置。導電層222a及導電層222b與半導體層231電連接。
電晶體110f包括導電層222b、絕緣層212、半導體層261、導電層223、絕緣層218、絕緣層213、導電層263a以及導電層263b。導 電層222b具有隔著絕緣層212與半導體層261重疊的區域。絕緣層212以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b藉由設置在絕緣層213中的開口與半導體層261電連接。導電層223隔著絕緣層218與半導體層261重疊。絕緣層218設置在重疊於導電層223的部分中。
導電層221被用作電晶體110e的閘極。絕緣層211被用作電晶體110e的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110e的源極和汲極中的一個。
導電層222b包括被用作電晶體110e的源極和汲極中的另一個的部分及被用作電晶體110f的閘極的部分。導電層223被用作電晶體110f的閘極。絕緣層212及絕緣層218被用作電晶體110f的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110f的源極，另一個被用作電晶體110f的汲極。
導電層263b藉由設置在絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
圖6E示出層疊有電晶體110g和電晶體110h的結構。電晶體110g具有頂閘極結構。電晶體110h包括兩個閘極。電晶體110g的閘極個數也可以為兩個。
電晶體110g包括半導體層231、導電層221、絕緣層211、導電層222a以及導電層222b。半導體層231設置在絕緣層151上。導電層221隔著絕緣層211與半導體層231重疊。絕緣層211與導電層221重疊地設置。導電層222a及導電層222b藉由設置在絕緣層212中的開口與半導體層231電連接。
電晶體110h包括導電層222b、絕緣層213、半導體層261、導電層223、絕緣層218、絕緣層217、導電層263a以及導電層263b。導電層222b包括隔著絕緣層213與半導體層261重疊的區域。絕緣層213以覆蓋導電層222b的方式設置。導電層263a及導電層263b藉由設置在絕緣層217中的開口與半導體層261電連接。導電層223隔著絕緣層218與半導體層261重疊。絕緣層218設置在重疊於導電層223的部分中。
導電層221被用作電晶體110g的閘極。絕緣層211被用作電晶體110g的閘極絕緣層。導電層222a被用作電晶體110g的源極和汲極中的一個。
導電層222b包括被用作電晶體110g的源極和汲極中的另一個的部分及被用作電晶體110h的閘極的部分。導電層223被用作電晶體110h的閘極。絕緣層213及絕緣層218都被用作電晶體110h的閘極絕緣層。導電層263a和導電層263b中的一個被用作電晶體110h的源極，另一個被用作電晶體110h的汲極。
導電層263b藉由設置在絕緣層214中的開口與被用作發光元件的像素電極的電極191電連接。
下面，參照圖7A至圖23明確地說明本實施方式的顯示裝置的製造方法。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用濺射法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作為CVD法，也可以利用電漿增強化學氣相沉積(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、熱CVD法。作為熱CVD法的例子，可以利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等方法形成。
當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，可以利用光微影法等進行加工。另外，可以利用使用陰影遮罩的成膜方法形成島狀的薄膜。另外，可以利用奈米壓印法、噴砂法、剝離法等對薄膜進行加工。在光微影法中有如下方法：在要進行加工的薄膜上形成光阻遮罩，藉由蝕刻等對該薄膜進行加工，並去除光阻遮罩的方法；在形成感光性薄膜之後，進行曝光及顯影來將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。
當在光微影法中使用光時，作為用於曝光的光，例如可以使用i線(波長為365nm)、g線(波長為436nm)、h線(波長為405nm)或將這些光混合而成的光。另外，還可以使用紫外光、KrF雷射或ArF雷射等。另外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。作為用於曝光的光，也可以使用極紫外光(EUV：Extreme Ultra-Violet light)或X射線。另外，也可以使用電子束代替用於曝光的光。當使用極紫外光、X射線或電子束時，可以進行極其微細的加工，所以是較佳的。另外，在藉由電子束等光束的掃描進行曝光時，不需要光罩。
作為薄膜的蝕刻方法，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法及噴砂法等。
〈顯示裝置的製造方法的例子〉
以下，說明圖3所示的顯示裝置300的製造方法的一個例子。在 圖7A至圖23中，特別著眼於顯示裝置300的顯示部362及外部連接部並說明製造方法。
首先，在基板361上形成彩色層131(圖7A)。藉由利用使用感光性材料的光微影法等形成彩色層131，可以將彩色層131加工為島狀。另外，在圖3所示的電路364等中，在基板361上設置遮光層132。
接著，在彩色層131及遮光層132上形成絕緣層121。
絕緣層121較佳為被用作平坦化層。作為絕緣層121的材料，可以舉出丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂及酚醛樹脂等。
絕緣層121可以使用無機絕緣膜。當作為絕緣層121使用無機絕緣膜時，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等。另外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。另外，也可以層疊兩層以上的上述絕緣膜。
接著，形成電極113。電極113可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。電極113使用使可見光透過的導電材料形成。
接著，在電極113上形成絕緣層117。絕緣層117較佳為使用有機絕緣膜。
接著，在電極113及絕緣層117上形成配向膜133b(圖7A)。配向膜133b可以藉由在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理來形成。
另外，進行與使用圖7A進行說明的製程另行的圖7B至圖11所示的製程。
首先，在形成用基板61上形成第一樹脂層62p。第一樹脂層62p可以使用各種樹脂材料(包含樹脂前體)形成。該各種樹脂材料較佳為具有熱固性。另外，也可以具有或不具有感光性。
當該樹脂材料具有感光性時，利用使用光的光微影法形成凹部。
第一樹脂層62p較佳為使用包含聚醯亞胺樹脂或聚醯亞胺樹脂前體的材料形成。作為該樹脂材料，例如可以舉出包含聚醯亞胺樹脂及溶劑的材料或者包含聚醯胺酸(polyamic acid)及溶劑的材料等。聚醯亞胺是適用於顯示裝置的平坦化膜等的材料，因此可以共通使用成膜裝置或材料。由此，為了實現本發明的一個實施方式的結構而不需要使用新裝置或新材料，因此在成本上有利。
此外，作為能夠用來形成第一樹脂層62p的材料，例如可以舉出丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂以及這些樹脂的前體等。
另外，作為第一樹脂層62p的形成方法，可以舉出旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等。
第一樹脂層62p較佳為使用旋塗機形成。藉由利用旋塗法，可以在大尺寸基板上均勻地形成薄膜。
另外，在本發明的一個實施方式中，去除相當於連接部的部分以及像素部的第一樹脂層62p的厚度方向上的一部分，在第一樹脂層62p 中形成第一區域以及其厚度比第一區域薄的第二區域(也稱為凹部)。另外，像素部的樹脂層62也可以不包括凹部。
樹脂層62的第一區域的厚度為0.1μm以上且小於20μm即可，較佳為0.1μm以上且10μm以下，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm以上且2μm以下。
樹脂層62的熱膨脹係數較佳為0.1ppm/℃以上且50ppm/℃以下，更佳為0.1ppm/℃以上且20ppm/℃以下，進一步較佳為0.1ppm/℃以上且10ppm/℃以下。樹脂層62的熱膨脹係數越低，越可以抑制因加熱而在構成電晶體等的層中產生的裂縫或電晶體等損傷。
當樹脂層62殘留在顯示裝置的光行進的路徑上時，樹脂層62較佳為具有對可見光的高透光性。
當使用具有感光性的材料作為樹脂層62的材料時，可以利用使用光的光微影法形成第二區域。明確而言，對第一樹脂層62p進行用來去除第一樹脂層62p所包含的溶劑的加熱處理(也稱為預烘乾處理)，然後使用光罩進行曝光。接著，藉由進行顯影處理，可以去除不需要的部分。當進行曝光時，藉由與將開口設置在樹脂層62中時的條件相比減少曝光量，可以形成具有凹部的樹脂層62。例如，可以舉出如下方法：與在樹脂層62中形成開口的曝光條件相比，縮短其曝光時間、減弱其光的強度或者錯開其光的焦點等。另外，也可以使用多灰階遮罩。
另外，在形成第一樹脂層62p之後且進行下述第一加熱處理之前，也可以進行將所希望的型壓到形成的膜，所謂的壓印來形成凹部。在此情況下，在使用非感光性材料形成第一樹脂層62p時也可以形成凹部。在進行預烘乾處理的情況下，也可以在預烘乾處理之前或者預烘 乾處理之後且第一加熱處理之前進行壓印。
當使第二區域(凹部)的側面形成為錐形形狀時，可以提高樹脂層62的凹部上的膜的覆蓋性，所以在使用感光性樹脂時，較佳為使用正型樹脂，而在進行壓印時，較佳為使用具有錐形形狀的型。
如上所述，藉由在樹脂層62中設置其厚度比第一區域薄的第二區域，並且以覆蓋第二區域的方式配置導電層，在後面的製程中容易使導電層露出。另外，即使直到導電層被露出為止去除樹脂層，也殘留樹脂層的一部分，因此可以將該殘留的樹脂層用作保護層。
在第一樹脂層62p中形成凹部(第二區域)之後，進行第一加熱處理。第一加熱處理較佳為在包含氧的氛圍下進行。
第一樹脂層62p所包含的氧越多，樹脂層62的剝離所需要的力量越可以減小。第一加熱處理的氛圍的氧的比例越高，樹脂層62所包含的氧越可以增大，從而可以提高樹脂層62的剝離性。
第一加熱處理例如可以使加熱裝置的處理室的內部處於包含氧的氛圍而進行。另外，第一加熱處理可以在大氣氛圍下使用加熱板等進行。
例如，第一加熱處理的氛圍的氧分壓較佳為5%以上且低於100%，更佳為10%以上且低於100%，進一步較佳為15%以上且低於100%。
較佳為一邊在加熱裝置的處理室內使包含氧的氣體流動一邊進行第一加熱處理。較佳為例如一邊只使氧氣體或者包含氧氣體的混合氣體流動一邊進行第一加熱處理。明確而言，可以使用包含氧及氮或稀有氣體(氬等)的混合氣體。
有的加熱裝置在氛圍中的氧的比率高時，有時會產生加熱裝置的劣化。由此，當使用包含氧氣體的混合氣體時，混合氣體的總流量中所佔的氧氣體的流量的比率較佳為5%以上且50%以上，更佳為10%以上且50%以下，進一步較佳為15%以上且50%以下。
第一加熱處理的溫度較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為250℃以上且475℃以下，進一步較佳為300℃以上且450℃以下。
第一加熱處理的溫度越高，越可以提高樹脂層62的剝離性。
藉由進行第一加熱處理，可以降低樹脂層62中的脫氣成分(例如，氫、水等)。尤其是，較佳為以形成在樹脂層62上的各層的製造溫度以上的溫度進行加熱。由此，可以大幅度地抑制電晶體的製程中發生的樹脂層62的脫氣。
例如，在電晶體的製造溫度的最高溫度為350℃的情況下，較佳為以350℃以上且450℃以下，更佳為400℃以下，進一步較佳為375℃以下對成為樹脂層62的膜進行加熱。由此，可以大幅度地抑制電晶體的製程中發生的樹脂層62的脫氣。
當電晶體的製造溫度的最高溫度與第一加熱處理的溫度相等時，可以藉由第一加熱處理防止製造顯示裝置時的最高溫度變高，所以是較佳的。
另外，第一加熱處理的時間越長，越可以提高樹脂層62的剝離性。
藉由使處理時間變長，有時在加熱溫度較低時，也可以實現與加熱溫度更高的條件下的剝離性相等的剝離性。由此，當由於加熱裝置 的結構而不能提高加熱溫度時，較佳為使處理時間變長。
第一加熱處理的時間例如較佳為5分以上且24小時以下，更佳為30分以上且12小時以下，進一步較佳為1小時以上且6小時以下。另外，第一加熱處理的時間不侷限於此。例如，當使用RTA(Rapid Thermal Anneal：快速熱退火)法進行第一加熱處理時，加熱時間也可以短於5分。
作為加熱裝置，也可以使用利用電爐或來自電阻發熱體等發熱體的熱傳導或熱輻射對被處理物進行加熱的裝置等各種裝置。例如，GRTA(Gas Rapid Thermal Annealing：氣體快速熱退火)裝置或LRTA(Lamp Rapid Thermal Annealing：燈快速熱退火)裝置等的RTA裝置。LRTA裝置是利用從燈如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈等發出的光(電磁波)的輻射加熱被處理物的裝置。GRTA裝置是指使用高溫氣體進行加熱處理的裝置。因為藉由使用RTA裝置可以縮短處理時間，所以從進行量產的角度來看是較佳的。另外，加熱處理可以使用串列式(in line)加熱裝置。
在此，例如在將樹脂用於顯示裝置的平坦化層等的情況下，一般來說，為了防止該樹脂被氧化而變質，在幾乎不包含氧的氛圍且樹脂被固化的溫度範圍下，以儘量低的溫度進行加熱。然而，在本發明的一個實施方式中，在使成為樹脂層62的樹脂層62p的表面露出且暴露於意圖性地包含氧的氛圍的情況下，以較高的溫度(例如，200℃以上的溫度)進行加熱。由此，可以使樹脂層62具有高剝離性。
另外，藉由進行加熱處理，有時樹脂層62的厚度與第一樹脂層62p相比會產生變化。例如，有時藉由被去除第一樹脂層62p所包含的溶劑或者進行固化而使密度增加，體積減少，樹脂層62的厚度變得比第一樹脂層62p薄。另外，有時藉由進行加熱處理時包含氧，體積增大， 樹脂層62的厚度變得比第一樹脂層62p厚。
在進行第一加熱處理之前，也可以對第一樹脂層62p進行用來去除第一樹脂層62p所包含的溶劑的加熱處理(也稱為預烘乾處理)。預烘乾處理的溫度可以根據使用材料適當地決定。例如，可以以50℃以上且180℃以下、80℃以上且150℃以下或者90℃以上且120℃以下進行該加熱處理。另外，第一加熱處理也可以兼作預烘乾處理，可以進行第一加熱處理去除第一樹脂層所包含的溶劑。
另外，也可以塗布到第二區域的樹脂層的厚度的方式利用旋塗法塗布樹脂材料，進行到第一加熱處理，然後在成為第一區域的位置上利用印刷法選擇性地形成樹脂層，來形成第一區域及第二區域。
另外，形成用基板61具有容易傳送的程度的剛性，且對進行製程時的溫度具有耐熱性。作為能夠用於形成用基板61的材料，例如可以舉出玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、半導體、金屬或合金等。作為玻璃，例如可以舉出無鹼玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。
樹脂層62雖具有撓性，但是藉由作為形成用基板61使用其撓性比樹脂層62低的基板，可以容易傳送樹脂層62。
接著，絕緣層63以樹脂層62的耐熱溫度以下的溫度形成(圖7C)。此外，較佳為以比上述樹脂層62的加熱製程的加熱溫度低的溫度形成。
可以將絕緣層63用作防止包含在樹脂層62中的雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。例如，絕緣層63在加熱樹脂層62時，較佳為防止包含在樹脂層62中的水分等擴散到電晶體或顯示元件。 由此，絕緣層63較佳為具有高阻擋性。
作為絕緣層63，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。尤其是，較佳為作為絕緣層63形成氮化矽膜，形成氮化矽膜及氮化矽膜上的氧化矽膜。無機絕緣膜由於成膜溫度越高越成為緻密且高阻擋性的膜，所以較佳為以高溫形成。
在作為絕緣層63使用無機絕緣膜的情況下，形成絕緣層63時的溫度較佳為室溫(25℃)以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
在樹脂層62的表面具有凹凸形狀時，絕緣層63較佳為覆蓋該凹凸形狀。絕緣層63可以具有使該凹凸形狀平坦的平坦化層的功能。例如，作為絕緣層63，較佳為使用有機絕緣材料和無機絕緣材料的疊層。作為有機絕緣材料，可以舉出能夠用於樹脂層62的樹脂。
在作為絕緣層63使用有機絕緣膜的情況下，形成絕緣層63時的溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
此外，藉由形成絕緣層63，可以抑制起因於此後的顯示裝置製程的樹脂層62的膨脹或收縮，可以提高良率。
接著，在絕緣層63上形成電極311a和導電層311c，在電極311a上形成電極311b，在導電層311c上形成導電層311d(圖7D)。電極311b在電極311a上具有開口451。電極311a、電極311b、導電層311c及導電層311d都可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進 行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極311a使用使可見光透過的導電材料形成。電極311b使用反射可見光的導電材料形成。此外，導電層311c使用與電極311a相同的材料形成，導電層311d使用與電極311b相同的材料形成。
接著，形成絕緣層220(圖8A)。並且，在絕緣層220中形成分別到達電極311b和導電層311d的開口。
絕緣層220能夠被用作防止樹脂層62所包含的雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。在作為樹脂層62使用有機材料的情況下，絕緣層220較佳為防止在對樹脂層62進行加熱時樹脂層62所包含的水分等擴散到電晶體或顯示元件。由此，絕緣層220較佳為具有高阻擋性。
絕緣層220可以使用能夠用於絕緣層121的無機絕緣膜以及樹脂等形成。
接著，在絕緣層220上形成電晶體203、電晶體205及電晶體206。
對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限定，例如可以將第14族元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。典型的是，可以使用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的金屬氧化物等。
在此，示出作為電晶體203及電晶體206製造具有底閘極結構的電晶體的情況，其中作為半導體層231包括金屬氧化物層。電晶體205具有對電晶體203及電晶體206追加導電層223及絕緣層212的結構，並包括兩個閘極。
作為電晶體的半導體，較佳為使用金屬氧化物。藉由使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流。
明確而言，首先，在絕緣層220上形成導電層221a、導電層221b及導電層221c。導電層221a、導電層221b及導電層221c可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。在此，藉由絕緣層220的開口，導電層221b與電極311b以及導電層221c與導電層311d連接。
接著，形成絕緣層211。
作為絕緣層211，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。另外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以使用上述絕緣膜的兩個以上的疊層。
由於無機絕緣膜在成膜溫度高時成為緻密且阻擋性高的膜，所以較佳為以高溫度形成。形成無機絕緣膜時的基板溫度較佳為室溫(25℃)以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
接著，形成半導體層231。在本實施方式中，作為半導體層231形成金屬氧化物層。金屬氧化物層可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，對該金屬氧化物膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
形成金屬氧化物膜時的基板溫度較佳為350℃以下，更佳為室溫以上且200℃以下，進一步較佳為室溫以上且130℃以下。另外，在該基板溫度比形成樹脂層62時的加熱溫度低的情況下，可以降低來自樹脂 層62的脫氣的影響，所以是較佳的。注意，使用樹脂形成絕緣層220的情況也與此同樣。
金屬氧化物膜可以使用惰性氣體和氧氣體中的一個進行成膜。注意，對形成金屬氧化物膜時的氧流量比(氧分壓)沒有特別的限制。但是，在要獲得場效移動率高的電晶體的情況下，形成金屬氧化物膜時的氧流量比(氧分壓)較佳為0%以上且30%以下，更佳為5%以上且30%以下，進一步較佳為7%以上且15%以下。
金屬氧化物膜較佳為至少包含銦或鋅。尤其較佳為包含銦及鋅。
金屬氧化物的能隙較佳為2eV以上，更佳為2.5eV以上，進一步較佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少電晶體的關態電流。
金屬氧化物膜可以藉由濺射法形成。除此之外，例如還可以利用PLD法、PECVD法、熱CVD法、ALD法、真空蒸鍍法等。
注意，在實施方式4中說明金屬氧化物的一個例子。
接著，形成導電層222a及導電層222b。導電層222a及導電層222b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層222a及導電層222b都與半導體層231連接。在此，電晶體206的導電層222a與導電層221b電連接。由此，在連接部207中，可以將電極311b與導電層222a電連接。
在對導電層222a及導電層222b進行加工時，有時沒有被光阻遮罩覆蓋的半導體層231的一部分因蝕刻處理而被減薄。
藉由上述步驟，可以製造電晶體206。在電晶體206中，導電層221a的一部分被用作閘極，絕緣層211的一部分被用作閘極絕緣層，導電層222a及導電層222b分別被用作源極或汲極。電晶體203也可以與此同樣地形成。
接著，形成覆蓋電晶體206的絕緣層212，在絕緣層212上形成導電層223。
絕緣層212可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
電晶體205的導電層223可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
藉由上述步驟，可以製造電晶體205。在電晶體205中，導電層221a的一部分及導電層223的一部分被用作閘極，絕緣層211的一部分及絕緣層212的一部分被用作閘極絕緣層，導電層222a及導電層222b分別被用作源極或汲極。
接著，形成絕緣層213。絕緣層213可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
作為絕緣層212，較佳為使用在包含氧的氛圍下形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。再者，作為絕緣層213，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易使氧擴散和透過的絕緣膜。在包含氧的氛圍下形成的氧化物絕緣膜可以是藉由加熱容易釋放多量的氧的絕緣膜。藉由在這種釋放氧的氧化絕緣膜與不容易使氧擴散和透過的絕緣膜層疊在一起的狀態下進行加熱處理，可以對金屬氧化物層供應氧。其結果是，可以填補金屬氧化物層中的氧缺陷及金屬氧化物層與絕緣層212之間的介面的缺陷，從而可以降低缺陷能階。由此， 可以實現可靠性極高的顯示裝置。
接著，在絕緣層213上形成彩色層134(圖8A)，然後形成絕緣層214(圖8B)。彩色層134以與電極311b的開口451重疊的方式配置。
彩色層134可以藉由與彩色層131同樣的方法形成。因為絕緣層214是具有後面形成的顯示元件的被形成面的層，所以較佳為被用作平坦化層。絕緣層214可以使用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。
接著，在絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214中形成到達電晶體205的導電層222b的開口。
接著，形成電極191(圖8B)。電極191可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。在此，電晶體205的導電層222b與電極191連接。電極191使用使可見光透過的導電材料形成。
接著，形成覆蓋電極191的端部的絕緣層216(圖9A)。絕緣層216可以使用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。絕緣層216在與電極191重疊的至少一部分中具有開口。
接著，形成EL層192及電極193(圖9A)。電極193的一部分被用作發光元件170的共用電極。電極193使用反射可見光的導電材料形成。
EL層192可以藉由蒸鍍法、塗佈法、印刷法或噴射法等的方法形成。在按每個像素分別形成EL層192時，可以採用使用金屬遮罩等陰影遮罩的蒸鍍法或噴墨法等。在不按每個像素分別形成EL層192時， 可以採用不使用金屬遮罩的蒸鍍法。
作為EL層192可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。
在形成EL層192之後進行的各製程中，需要使對EL層192進行加熱的溫度為EL層192的耐熱溫度以下。電極193可以藉由蒸鍍法或濺射法等形成。
藉由上述製程，可以形成發光元件170(圖9A)。發光元件170具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極191、EL層192及其一部分被用作共用電極的電極193的結構。發光元件170以其發光區域與彩色層134及電極311b中的開口451重疊的方式製造。
雖然在此示出作為發光元件170製造底部發射型發光元件的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。
發光元件有頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
接著，以覆蓋電極193的方式形成絕緣層194(圖9A)。絕緣層194被用作抑制水等雜質擴散到發光元件170的保護層。發光元件170被絕緣層194密封。較佳為在形成電極193之後以不暴露於大氣的方式形成絕緣層194。
絕緣層194例如可以使用上述能夠用於絕緣層121的無機絕緣膜。尤其是，較佳為使用阻擋性高的無機絕緣膜。另外，也可以使用無機絕緣膜和有機絕緣膜的疊層。
形成絕緣層194時的基板溫度較佳為EL層192的耐熱溫度以下的溫度。絕緣層194可以藉由ALD法或濺射法等形成。ALD法及濺射法能夠以低溫進行成膜，所以是較佳的。當利用ALD法時，絕緣層194的覆蓋性變高，所以是較佳的。
接著，在絕緣層194的表面使用黏合層142貼合基板351(圖9B)。
作為黏合層142，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。另外，也可以使用黏合薄片等。
作為基板351，例如可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、ABS樹脂以及纖維素奈米纖維等。作為基板351，還可以使用玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。作為基板351，還可以使用其厚度允許其具有撓性的玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。
接著，使形成用基板61與樹脂層62分離(圖10A)。
例如，藉由對樹脂層62施加垂直方向的拉起力量，可以從形成用基板61剝離樹脂層62。明確而言，藉由吸附形成用基板61的頂面的一部分向上拉起，可以從形成用基板61剝離樹脂層62。
另外，也可以藉由在進行分離之前從形成用基板61分離樹脂層62的一部分，形成分離的起點。例如，可以將刀具等銳利的形狀的器具插入形成用基板61與樹脂層62之間來形成分離起點。另外，也可以使用銳利的形狀的器具從形成用基板61一側切入樹脂層62來形成分離起點。此外，藉由利用雷射燒蝕法等使用雷射的方法，可以形成分離起點。
在本實施方式中，在形成樹脂層62時在包含氧的氛圍下進行第一加熱處理，因此可以在不對樹脂層62的整個面照射雷射的情況下使形成用基板61與樹脂層62分離。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
圖10A示出在樹脂層62與形成用基板61之間的介面產生分離的例子。
根據樹脂層62及形成用基板61等的材料及形成方法以及第一加熱處理的條件等，分離面的位置可能會改變。
雖然圖10A示出樹脂層62與形成用基板61的介面產生分離的例子，但是有時在樹脂層62中以及在絕緣層63與樹脂層62的介面產生分離。在形成用基板61上殘留樹脂層的一部分(樹脂層62a)。藉由進行分離，絕緣層63被露出。殘留在絕緣層63一側的樹脂層62b的厚度薄於圖9B的樹脂層62。
除此之外，也有如下情況等：在樹脂層62中產生分離，樹脂層殘留在形成用基板61一側及絕緣層63一側。
如此，藉由在樹脂層62的凹部中形成導電層311c，容易使導電層311c露出。此外，在本製造方法中，在使導電層311c露出之後也可以使絕緣層63及/或樹脂層62b殘留，所以可以抑制電晶體的污染。
可以再次使用形成用基板61。例如，在將玻璃用於形成用基板61且將聚醯亞胺樹脂用於樹脂層62的情況下，可以使用發煙硝酸等去除殘留在形成用基板61上的樹脂層62。此外，也可以在殘留於形成用基板61上的樹脂層62上再次使用具有感光性及熱固性的材料形成樹脂層62。
在本實施方式中，在與形成用基板61分離時導電層311c沒有被露出，所以去除殘留的絕緣層63及樹脂層62的至少一部分，而使導電層311c露出(圖10B)。
對去除樹脂層62的方法沒有特別的限制。例如，可以利用濕蝕刻法、乾蝕刻法等，但是較佳為利用使用氧電漿的灰化去除樹脂層62。灰化具有如下優點：控制性高；面內均勻性良好；以及適合用於使用大型基板的處理。絕緣層63例如可以藉由乾蝕刻法等被去除。
另外，也可以在使導電層311c露出的同時使電極311a露出。當樹脂層62著色時，藉由去除樹脂層62，可以改善顯示品質。另外，可以不完全使電極311a露出，也可以在其表面上殘留絕緣層63或樹脂層62。
接著，在電極311a上形成配向膜133a(圖11)。配向膜133a可以藉由在形成樹脂等薄膜之後進行摩擦處理而形成。注意，雖然在本實施方式中另行設置配向膜，但是在將樹脂層62殘留在電極311a上時，也可以對該樹脂層62進行摩擦處理來將其用作配向膜。
並且，使用黏合層141將到形成配向膜133a為止的步驟的基板351與完成到圖7A為止的製程的基板361隔著液晶112貼合(圖11)。黏合層141可以使用能夠用於黏合層142的材料形成。
圖11所示的液晶元件180具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極311a(及電極311b)、液晶112及其一部分被用作共用電極的電極113的結構。液晶元件180以與彩色層131重疊的方式製造。
如上所述，可以製造顯示裝置300。
圖12A至圖16是示出顯示裝置300的不同的結構的圖。圖12A至圖16所示的結構與圖7A至圖11所示的結構大致同樣，但是樹脂層62的凹部的形成方法不同，所以絕緣層63的形狀不同。作為形成方法，在形成樹脂層62之後且形成凹部之前形成絕緣層。並且，對絕緣層63和樹脂層62同時進行蝕刻，由此形成凹部(圖12B)。在對絕緣層63進行開口之後，在殘留樹脂層62的狀態下結束上述蝕刻，即可。由此，可以形成具有凹部的樹脂層62。作為該蝕刻，可以利用乾蝕刻。此時，樹脂層62可以使用不具有感光性的材料形成。
另外，在對絕緣層63形成開口之後，也可以將絕緣層63用作遮罩而使用構成樹脂層62的材料及適合於半蝕刻且與絕緣層63的蝕刻不同的方法進行蝕刻。
此外，如圖17A所示，也可以去除整個樹脂層62。此時，因為導電層311c突出，藉由以覆蓋導電層311c的方式設置連接層242產生錨固效應，所以是較佳的。由此，可以提高連接層242與導電層311c的緊密性(圖18)。注意，也可以採用在殘留樹脂層62的狀態下使導電層311c突出的結構。
圖19A至圖23是示出顯示裝置300的不同的結構的圖。圖19A至圖23與圖7A至圖11大致同樣，不同之處只在於：在圖19A至圖23中，沒有形成絕緣層63。作為製造方法，在形成樹脂層62之後，不形 成絕緣層63而形成凹部(圖19B)，可以形成電極311a及導電層311c(圖19C)。在分離形成用基板61之後，去除樹脂層62b，由此使導電層311c露出。藉由不形成絕緣層63，可以省略其形成製程或去除製程。
圖34A至圖39示出顯示裝置300的不同結構。圖34A至圖39所示的結構幾乎與圖7A至圖10B所示的結構同樣，在該兩個結構之間不同之處在於：沒有形成絕緣層63；以及樹脂層62由樹脂層62n及樹脂層62m的兩層形成。
圖34A與圖7A相同，因此省略其說明。接著，在形成用基板61上形成樹脂層62n(圖34B)。
樹脂層62n的材料及形成方法可以參照圖7A至圖7E的樹脂層62的說明。
在本實施方式中，使用具有感光性及熱固性的材料形成樹脂層62n。樹脂層62n也可以使用非感光性材料。
樹脂層62n的形成方法如下：在形成成為樹脂層62n的材料之後進行用來去除溶劑的加熱處理(也稱為預烘乾處理)，然後使用光罩進行曝光。接著，藉由進行顯影處理，可以去除不需要的部分。接著，藉由進行第一加熱處理，形成樹脂層62n(圖34B)。圖34B示出形成島狀的樹脂層62n的例子。
樹脂層62n的形狀不侷限於具有一個島的形狀，例如也可以為具有多個島的形狀或具有開口的形狀。另外，當使用感光性材料時，第二區域也可以利用使用半色調遮罩或灰色調遮罩的曝光技術或者多重曝光技術等而形成。
藉由形成光阻遮罩、硬遮罩等遮罩進行蝕刻，也可以形成具有所希望的形狀的樹脂層62n。該方法尤其適於使用非感光性材料的方法。在此情況下，當可以以極薄的厚度形成遮罩並在蝕刻同時去除遮罩時，可以縮減去除遮罩的製程，所以是較佳的。
第一加熱處理在包含氧的氛圍下進行。較佳為一邊使包含氧的氣體流動一邊進行第一加熱處理。
接著，在形成用基板61及樹脂層62n上形成樹脂層62m(圖34C)。在形成用基板61上存在沒有設置樹脂層62n的部分。由此，可以在形成用基板61上形成與樹脂層62m接觸的部分。
樹脂層62m可以使用可用於樹脂層62n的材料及形成方法。
藉由使用塗布法形成樹脂層62m，可以提高步階覆蓋性而使其表面平坦，所以是較佳的。
樹脂層62m較佳為使用具有熱固性的材料。
樹脂層62m既可以使用感光性材料形成，又可以使用非感光性材料形成。
在本實施方式中，使用具有感光性及熱固性的材料形成樹脂層62m。
樹脂層62m在形成成為樹脂層62m的材料之後進行第二加熱處理來形成(圖34C)。
第二加熱處理在氧比第一加熱處理的氛圍少的氛圍下進行。較佳為使包含氧的氣體不流動或者使包含氧的比率與第一加熱處理中使用的氣體相比低的氣體流動一邊進行第二加熱處理。
第二加熱處理例如可以使裝置的處理室的內部處於氮氛圍或稀有氣體氛圍並進行。
例如，第一加熱處理的氛圍的氧分壓較佳為0%以上且低於15%，更佳為0%以上且10%以下，進一步較佳為0%以上且5%以下。
較佳為一邊在裝置的處理室內使不包含氧的氣體或者包含氧的比率與第一加熱處理中使用的氣體相比低的氣體流動，一邊進行第二加熱處理。較佳為例如一邊只使氮氣體、氬氣體或者使包含氧氣體的混合氣體流動一邊進行第二加熱處理。明確而言，可以使用包含氧及氮或者氧及稀有氣體(氬等)的混合氣體。在混合氣體的總流量中氧氣體流量所佔的比率較佳為大於0%且低於15%，更佳為大於0%且10%以下，進一步較佳為大於0%且5%以下。
第二加熱處理的溫度較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為250℃以上且475℃以下，進一步較佳為300℃以上且450℃以下。
藉由進行第二加熱處理，可以降低樹脂層62m中的脫氣成分(例如，氫、水等)。尤其是，較佳為以形成在樹脂層62m上的各層的製造溫度以上的溫度進行加熱。由此，可以大幅度地抑制電晶體的製程中發生的樹脂層62m的脫氣。
例如，在電晶體的製造溫度的最高溫度為350℃的情況下，較佳為以350℃以上且450℃以下，更佳為400℃以下，進一步較佳為375℃以下對成為樹脂層62m的膜進行加熱。由此，可以大幅度地抑制在電 晶體的製程中發生的樹脂層62m的脫氣。
當電晶體的製造溫度的最高溫度與第二加熱處理的溫度相等時，可以藉由第二加熱處理防止製造顯示裝置時的最高溫度變高，所以是較佳的。
第二加熱處理的時間越長，越可以充分降低樹脂層62m中的脫氣成分。
藉由使處理時間變長，有時在加熱溫度較低時，也可以實現與加熱溫度更高的條件下的剝離性相等的效果。由此，當由於裝置的結構而不能提高加熱溫度時，較佳為使處理時間變長。
第二加熱處理的時間例如較佳為5分以上且24小時以下，更佳為30分以上且12小時以下，進一步較佳為1小時以上且6小時以下。另外，第二加熱處理的時間不侷限於此。例如，當使用RTA法進行第二加熱處理時，可以將處理時間設定為短於5分。
另外，有時由於進行加熱處理而樹脂層62m的厚度與成膜時相比產生變化。
另外，也可以在進行第二加熱處理之前，進行用來降低樹脂層62m所包含的溶劑的加熱處理(預烘乾處理)。另外，第二加熱處理可以兼作預烘乾處理，藉由第二加熱處理去除樹脂層62m所包含的溶劑。
樹脂層62m具有撓性。形成用基板61的撓性比樹脂層62m低。
樹脂層62m的厚度為0.1μm以上且小於20μm即可，較佳為0.01μm以上且小於10μm，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm 以上且2μm以下。藉由使用低黏度的溶液，容易將樹脂層62m形成得薄。藉由將樹脂層62m的厚度設定在上述範圍內，可以提高顯示裝置的撓性。另外，已知樹脂層62m的厚度不給樹脂層62n的剝離所需要的力量影響。由此可知，與樹脂層62n相比，可以將樹脂層62m形成得薄。注意，不侷限於此，樹脂層62m的厚度也可以為10μm以上。例如，樹脂層62m的厚度也可以為10μm以上且200μm以下。藉由將樹脂層62m的厚度設定為10μm以上，可以提高顯示裝置的剛性，所以是較佳的。
樹脂層62m的熱膨脹係數較佳為0.1ppm/℃以上且50ppm/℃以下，更佳為0.1ppm/℃以上且20ppm/℃以下，進一步較佳為0.1ppm/℃以上且10ppm/℃以下。樹脂層62m的熱膨脹係數越低，越可以抑制因加熱而在構成電晶體等的層中產生的裂縫或電晶體等損傷。
當樹脂層62m位於顯示裝置的顯示面一側時，樹脂層62m較佳為具有對可見光的高透光性。
樹脂層62n及樹脂層62m既可以分別使用不同材料形成，又可以使用相同材料形成。藉由使用相同材料，可以減少成本，所以是較佳的。另外，即使使用相同材料，也藉由改變第一加熱處理及第二加熱處理的條件，可以使樹脂層62n對於形成用基板61的密接性與樹脂層62m對於形成用基板61的密接性不同。另外，也可以使用無機絕緣膜代替樹脂層62m。
接著，在樹脂層62m上形成電極311a、導電層311c，在電極311a上形成電極311b，在導電層311c上形成導電層311d(圖34D)。
另外，也可以在樹脂層62m與上述導電層之間形成絕緣層。該絕緣層可以與圖7A至圖7E等所說明的絕緣層63同樣地形成。
圖35A和圖35B以及圖36A和圖36B的製程與圖8A和圖8B及圖9A和圖9B相同，所以省略說明。另外，基板351較佳為使用有機樹脂等。
然後，在樹脂層62n中形成分離的起點(圖37A)。
例如，將刀具等銳利的形狀的器具從基板351一側插入樹脂層62n的端部的內側，以邊框形狀切口。
另外，可以對樹脂層62以邊框形狀照射雷射。
在圖34A至圖39所示的結構中，在形成用基板61上設置與樹脂層62n接觸的部分及與樹脂層62m接觸的部分。藉由在包含氧的氛圍下進行第一加熱處理，樹脂層62n成為容易從形成用基板61剝離的狀態。另一方面，第二加熱處理由於在氧比第一加熱處理的氛圍少的氛圍下進行，所以樹脂層62m與樹脂層62n相比成為不容易從形成用基板61剝離的狀態。由此，藉由存在樹脂層62m接觸於形成用基板61的地方，可以抑制樹脂層62n以非意圖的時機從形成用基板61的剝離。並且，藉由形成分離的起點，可以以所希望的時機使形成用基板61與樹脂層62n分離。由此，可以更正確地控制剝離的時機，並且實現高剝離性。因此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
接著，使形成用基板61與元件形成區域380分離(圖37B)。
在圖34A至圖39所示的結構中，為了控制樹脂層62n的剝離性，使用在包含氧的氛圍下的加熱處理的第一加熱處理，所以可以在不對樹脂層62n的整個面進行雷射照射的情況下使形成用基板61與樹脂層62n剝離。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
接著，去除從形成用基板61分離來露出的樹脂層62n及接觸於導電層311c的表面的樹脂層62m(圖38)。後面的製程與圖11所示的製程相同，所以省略說明。如此，可以製造顯示裝置(圖39)。
另外，如上所述，可以形成無機絕緣膜代替樹脂層62m。即使使用無機絕緣膜代替樹脂層62m，也可以與上述同樣更正確地控制剝離的時機，並且實現高剝離性。因此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
如上所述，藉由本實施方式可以簡單地製造的顯示裝置包括兩種顯示元件，並且可以切換多個顯示模式使用，因此無論周圍的亮度如何都能實現具有高可見性及高方便性的顯示裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。另外，在本說明書中，當在一個實施方式中示出多個結構實例時，可以適當地組合結構實例。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖24至圖27C說明藉由本發明的一個實施方式可以製造的顯示裝置。
圖24示出顯示裝置10的方塊圖。顯示裝置10包括顯示部14。
顯示部14包括配置為矩陣狀的多個像素單元30。像素單元30包括第一像素31p和第二像素32p。
圖24示出第一像素31p及第二像素32p都包括對應於紅色(R)、 綠色(G)、藍色(B)的三個顏色的顯示元件的例子。
第一像素31p所包括的顯示元件都是利用外光的反射的顯示元件。第一像素31p包括對應於紅色(R)的第一顯示元件31R、對應於綠色(G)的第一顯示元件31G、對應於藍色(B)的第一顯示元件31B。
第二像素32p所包括的顯示元件都是發光元件。第二像素32p包括對應於紅色(R)的第二顯示元件32R、對應於綠色(G)的第二顯示元件32G、對應於藍色(B)的第二顯示元件32B。
圖25A至圖25C是示出像素單元30的結構實例的示意圖。
第一像素31p包括第一顯示元件31R、第一顯示元件31G、第一顯示元件31B。第一顯示元件31R反射外光，並將紅色光Rr射出到顯示面一側。與此同樣，第一顯示元件31G、第一顯示元件31B也分別將綠色光Gr、藍色光Br射出到顯示面一側。
第二像素32p包括第二顯示元件32R、第二顯示元件32G及第二顯示元件32B。第二顯示元件32R將紅色光Rt射出到顯示面一側。與此同樣，第二顯示元件32G、第二顯示元件32B也分別將綠色光Gt、藍色光Bt射出到顯示面一側。
圖25A對應於藉由驅動第一像素31p和第二像素32p的兩者來進行顯示的模式(第三模式)。在像素單元30中，藉由使用反射光(光Rr、光Gr、光Br)和透射光(光Rt、光Gt、光Bt)，可以將規定的顏色的光35tr射出到顯示面一側。
圖25B對應於藉由只驅動第一像素31p使用反射光進行顯示的模式(第一模式)。在像素單元30中，例如在外光充分強的情況等下， 只使用來自第一像素31p的光(光Rr、光Gr及光Br)而不驅動第二像素32p，由此可以將光35r射出到顯示面一側。由此，可以進行功耗極低的驅動。
圖25C對應於藉由只驅動第二像素32p使用發光(透射光)進行顯示的模式(第二模式)。在像素單元30中，例如在外光極弱的情況等下，只使用來自第二像素32p的光(光Rt、光Gt及光Bt)而不驅動第一像素31p，由此可以將光35t射出到顯示面一側。由此，可以進行鮮明的顯示。另外，藉由在周圍昏暗的情況下降低亮度，可以在抑制使用者所感到的刺眼的同時降低功耗。
對第一像素31p和第二像素32p所包括的顯示元件的顏色、數量沒有限制。
圖26A至圖26C、圖27A至圖27C示出像素單元30的結構實例。注意，雖然在此示出與藉由驅動第一像素31p和第二像素32p的兩者來進行顯示的模式(第三模式)對應的示意圖，但是與上述說明同樣，也可以以藉由只驅動第一像素31p或第二像素32p的模式(第一模式及第二模式)來進行顯示。
圖26A、圖26C、圖27B所示的第二像素32p除了包括第二顯示元件32R、第二顯示元件32G、第二顯示元件32B之外還包括呈現白色(W)的第二顯示元件32W。
圖26B、圖27C所示的第二像素32p除了包括第二顯示元件32R、第二顯示元件32G、第二顯示元件32B之外還包括呈現黃色(Y)的第二顯示元件32Y。
與不包括第二顯示元件32W及第二顯示元件32Y的結構相比，圖 26A至圖26C、圖27A、圖27B所示的結構可以降低使用第二像素32p的顯示模式(第二模式及第三模式)所需要的功耗。
圖26C所示的第一像素31p除了包括第一顯示元件31R、第一顯示元件31G、第一顯示元件31B之外還包括呈現白色(W)的第一顯示元件31W。
與圖25A所示的結構相比，圖26C所示的結構可以降低使用第一像素31p的顯示模式(第一模式及第三模式)所需要的功耗。
圖27A至圖27C所示的第一像素31p只包括呈現白色的第一顯示元件31W。此時，在只使用第一像素31p的顯示模式(第一模式)中，可以進行黑白顯示或灰階級顯示，在使用第二像素32p的顯示模式(第二模式及第三模式)中，可以進行彩色顯示。
藉由採用這種結構，可以提高第一像素31p的開口率，所以可以提高第一像素31p的反射率，而顯示更明亮的影像。
第一模式例如適合用於顯示文件資訊等不需要彩色顯示的資訊。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖28A至圖30B說明實施方式1中說明了的顯示裝置的具體結構實例。
圖28A是顯示裝置400的方塊圖。顯示裝置400包括顯示部362、電路GD及電路SD。顯示部362包括排列為矩陣狀的多個像素410。
顯示裝置400包括多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO、多個佈線CSCOM、多個佈線S1以及多個佈線S2。多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO以及多個佈線CSCOM分別與在箭頭R表示的方向上排列的多個像素410及電路GD電連接。多個佈線S1及多個佈線S2分別與在箭頭C表示的方向上排列的多個像素410及電路SD電連接。
注意，雖然為了簡化在此示出了包括一個電路GD和一個電路SD的結構，但是也可以分別設置用來驅動液晶元件的電路GD和電路SD以及用來驅動發光元件的電路GD和電路SD。
像素410包括反射型液晶元件及發光元件。
圖28B1至圖28B4示出像素410所包括的電極311的結構實例。電極311被用作液晶元件的反射電極。在圖28B1、圖28B2的電極311中設置有開口451。
在圖28B1、圖28B2中，以虛線示出位於與電極311重疊的區域中的發光元件360。發光元件360與電極311所包括的開口451重疊。由此，發光元件360所發射出的光藉由開口451射出到顯示面一側。
在圖28B1中，在箭頭R表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。此時，如圖28B1所示，較佳為在箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311的不同位置上。由此，可以將兩個發光元件360分開地配置，從而可以抑制發光元件360所發射出的光入射到相鄰的像素410所包括的彩色層的現象(也稱為串擾)。另外，由於可以將相鄰的兩個發光元件360分開地配置，因此即使利用陰影遮罩等分別製造發光元件360的EL層，也可以實現高解析度的顯示裝置。
在圖28B2中，在箭頭C表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。圖28B2也是同樣的，較佳為在箭頭C表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311的不同位置上。
開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越小，越可以使使用液晶元件的顯示明亮。另外，開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越大，越可以使使用發光元件360的顯示明亮。
開口451的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的像素的方式配置開口451。較佳的是，將開口451配置為靠近顯示相同的顏色的其他像素。由此，可以抑制產生串擾。
此外，如圖28B3及圖28B4所示，發光元件360的發光區域也可以位於沒有設置有電極311的部分。由此，發光元件360所發射出的光射出到顯示面一側。
在圖28B3中，在箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素410中，發光元件360沒有排列在一列上。在圖28B4中，在箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中，發光元件360排列在一列上。
作為電路GD，可以使用移位暫存器等各種順序電路等。作為電路GD可以使用電晶體及電容元件等。電路GD所包括的電晶體可以藉由與像素410所包括的電晶體相同的製程形成。
電路SD與佈線S1電連接。例如，作為電路SD可以使用集成電路。 明確而言，作為電路SD，可以使用形成在矽基板上的集成電路。
例如，可以利用COG(Chip on glass：晶粒玻璃接合)方式或COF方式等將電路SD安裝於與像素410電連接的焊盤上。明確而言，可以使用異方性導電膜將集成電路安裝於焊盤上。
圖29是像素410的電路圖的一個例子。圖29示出相鄰的兩個像素410。
像素410包括開關SW1、電容元件C1、液晶元件340、開關SW2、電晶體M、電容元件C2以及發光元件360等。另外，佈線G1、佈線G2、佈線ANO、佈線CSCOM、佈線S1及佈線S2與像素410電連接。另外，圖29示出與液晶元件340電連接的佈線VCOM1以及與發光元件360電連接的佈線VCOM2。
圖29示出將電晶體用於開關SW1及開關SW2時的例子。
開關SW1的閘極與佈線G1連接。開關SW1的源極和汲極中的一個與佈線S1連接，另一個與電容元件C1的一個電極及液晶元件340的一個電極連接。電容元件C1的另一個電極與佈線CSCOM連接。液晶元件340的另一個電極與佈線VCOM1連接。
開關SW2的閘極與佈線G2連接。開關SW2的源極和汲極中的一個與佈線S2連接，另一個與電容元件C2的一個電極及電晶體M的閘極連接。電容元件C2的另一個電極與電晶體M的源極和汲極中的一個及佈線ANO連接。電晶體M的源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。發光元件360的另一個電極與佈線VCOM2連接。
圖29示出電晶體M包括夾著半導體的兩個互相連接著的閘極的例 子。由此，可以提高電晶體M能夠流過的電流量。
可以對佈線G1供應將開關SW1控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM1供應規定的電位。可以對佈線S1供應控制液晶元件340所具有的液晶的配向狀態的信號。可以對佈線CSCOM供應規定的電位。
可以對佈線G2供應將開關SW2控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM2及佈線ANO分別供應產生用來使發光元件360發光的電位差的電位。可以對佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。
圖29所示的像素410例如在以反射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G1及佈線S1的信號驅動，並利用液晶元件340的光學調變而進行顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G2及佈線S2的信號驅動，並使發光元件360發光而進行顯示。另外，在以兩個模式驅動時，可以利用分別供應給佈線G1、佈線G2、佈線S1及佈線S2的信號而驅動。
注意，雖然圖29示出一個像素410包括一個液晶元件340及一個發光元件360的例子，但是不侷限於此。圖30A示出一個像素410包括一個液晶元件340及四個發光元件360(發光元件360r、360g、360b、360w)的例子。與圖29不同，圖30A所示的像素410可以利用一個像素進行使用發光元件的全彩色顯示。
在圖30A中，除了圖29的結構實例之外，佈線G3及佈線S3與像素410連接。
在圖30A所示的例子中，例如作為四個發光元件360，可以使用分 別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)的發光元件。另外，作為液晶元件340可以使用呈現白色的反射型液晶元件。由此，在以反射模式進行顯示時，可以進行高反射率的白色顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以以低功耗進行高演色性的顯示。
圖30B示出對應於圖30A的像素410的結構實例。像素410包括與電極311所包括的開口重疊的發光元件360w、配置在電極311周圍的發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b。發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b較佳為具有幾乎相同的發光面積。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，對可用於本發明的一個實施方式所公開的電晶體中的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指構成金屬氧化物的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。注意，在下面也將在金屬氧化物中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
金屬氧化物較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaOX3為主要成分的區域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合金屬氧化物。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1
Figure 105137935-A0202-12-0068-90
x0
Figure 105137935-A0202-12-0068-91
1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與金屬氧化物的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結 構。
注意，有時觀察不到以GaOX3為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現金屬氧化物的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在金屬氧化物中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在金屬氧化物中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示模組及電子裝置。
圖31所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010以及電池8011。
本發明的一個實施方式的顯示裝置例如可以用於顯示面板8006。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示模組。此外，可以製造功耗低的顯示模組。另外，可以製造視角寬的顯示模組。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板8004，可以使用重疊於顯示面板8006的電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板。另外，也可以不設置觸控面板8004而使顯示面板8006具有觸控面板的功能。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。另外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。
另外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
本發明的一個實施方式的顯示裝置不管外光的強度如何都可以實現高可見度。由此，可以適當地應用於可攜式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。
圖32A和圖32B所示的可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼802、顯示部803、顯示部804及鉸鏈部805等。
外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從折疊狀態(圖32A)轉換成圖32B所示的展開狀態。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部803和顯示部804中的至少一個。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的可攜式資訊終端。此外，可以製造功耗低的可攜式資訊終端。另外，可以製造視角寬的可攜式資訊終端。
顯示部803及顯示部804可以顯示文件資訊、靜態影像和動態影像等中的至少一個。當在顯示部中顯示文件資訊時，可以將可攜式資訊終端800用作電子書閱讀器。
可攜式資訊終端800可以被折疊，因此可攜性高且通用性優越。
外殼801和外殼802也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖32C所示的可攜式資訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、照相機817 等。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部812。由此，可以製造無論周圍的亮度如何都具有高可見度的可攜式資訊終端。此外，可以製造功耗低的可攜式資訊終端。另外，可以製造視角寬的可攜式資訊終端。
在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
另外，藉由操作按鈕813的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向(縱向或橫向)，而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
圖32D所示的照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於顯示部822。藉由具有無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示部，可以提高照相機的方便性。此外，可以製造功耗低的照相機。另外，可以製造視角寬的照相機。
在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼821也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822進行攝像。
另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件也可以組裝在外殼821中。
圖33A至圖33E是示出電子裝置的圖。這些電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以適當地用於顯示部9001。由此，可以製造包括無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示部的電子裝置。此外，可以製造功耗低的電子裝置。另外，可以製造視角寬的電子裝置。
圖33A至圖33E所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以 具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。注意，圖33A至圖33E所示的電子裝置所具有的功能不侷限於上述功能，而也可以具有其他的功能。
圖33A是示出手錶型的可攜式資訊終端9200的透視圖，圖33B是示出手錶型的可攜式資訊終端9201的透視圖。
圖33A所示的可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通訊標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。
在圖33B所示的可攜式資訊終端9201與圖33A所示的可攜式資訊終端不同之處在於顯示部9001的顯示面不彎曲。此外，可攜式資訊終端9201的顯示部的外形為非矩形(在圖33B中為圓形狀)。
圖33C至圖33E是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9202的透視圖。另外，圖33C是將可攜式資訊終端9202展開的狀態的透視圖，圖33D是將可攜式資訊終端9202從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的透視圖，圖33E是將可攜式資訊終端9202折 疊的狀態的透視圖。
可攜式資訊終端9202在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9202所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9202從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，能夠使可攜式資訊終端9202以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
62a‧‧‧樹脂層
63‧‧‧絕緣層
112‧‧‧液晶
113‧‧‧電極
117‧‧‧絕緣層
121‧‧‧絕緣層
131‧‧‧彩色層
132‧‧‧遮光層
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧彩色層
135‧‧‧偏光板
141‧‧‧黏合層
142‧‧‧黏合層
170‧‧‧發光元件
180‧‧‧液晶元件
191‧‧‧電極
192‧‧‧EL層
193‧‧‧電極
194‧‧‧絕緣層
201‧‧‧電晶體
203‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221a‧‧‧導電層
221b‧‧‧導電層
222a‧‧‧導電層
222b‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接器
252‧‧‧連接部
300‧‧‧顯示裝置
311a‧‧‧電極
311b‧‧‧電極
311c‧‧‧導電層
311d‧‧‧導電層
311e‧‧‧導電層
311f‧‧‧導電層
351‧‧‧基板
361‧‧‧基板
364‧‧‧電路
365‧‧‧佈線
372‧‧‧FPC
451‧‧‧開口

Claims (17)

  1. 一種顯示裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對該第一層進行第一加熱處理的步驟；在該第一層中形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在該第一樹脂層上形成包括顯示元件的被剝離層的步驟；以及使該被剝離層與該基板分離的步驟，其中，該形成該被剝離層的步驟包括在該第一樹脂層上的重疊於該第二區域的位置形成導電層的步驟，並且，在使該被剝離層與該基板分離的該步驟之後，包括去除該第一樹脂層而使該導電層露出的步驟。
  2. 一種顯示裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對該第一層進行第一加熱處理的步驟；在該第一層中形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在該基板及該第一樹脂層上形成覆蓋該第一樹脂層的端部的絕緣層的步驟；在該絕緣層上形成包括顯示元件的被剝離層的步驟；以及藉由將該第一樹脂層的至少一部分從該基板分離，形成分離的起點來使該被剝離層與該基板分離的步驟，其中，該形成該被剝離層的步驟包括在該絕緣層上的重疊於該第二區域的位置形成導電層的步驟，並且，在使該被剝離層與該基板分離的該步驟之後，包括去除該第一樹脂層而使該導電層露出的步驟。
  3. 一種顯示裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層的步驟；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對該第一層進行第一加熱處理，形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層的步驟；在該基板及該第一樹脂層上形成覆蓋該第一樹脂層的端部的第二層的步驟；藉由在氧比該第一加熱處理的氛圍少的氛圍下對該第二層進行第二加熱處理，形成覆蓋該第一樹脂層的端部的第二樹脂層的步驟；在該第二樹脂層上形成包括顯示元件的被剝離層的步驟；以及藉由將該第一樹脂層的至少一部分從該基板分離，形成分離的起點來使該被剝離層與該基板分離的步驟，其中，該形成該被剝離層的步驟包括在重疊於該第二區域的位置形成導電層的步驟，並且，在使該被剝離層與該基板分離的該步驟之後，包括去除該第一樹脂層而使該導電層露出的步驟。
  4. 一種包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一絕緣層以及導電層的顯示裝置的製造方法，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶以及具有使可見光透過的功能的第一共用電極，該第二顯示元件包括具有使可見光透過的功能的第二像素電極、發光層以及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該顯示裝置的製造方法包括如下步驟：在第一基板上形成該第一共用電極的步驟；在形成用基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的樹脂層的步驟；在該樹脂層上形成該第一像素電極的步驟；在形成該第一像素電極的步驟的同時，以覆蓋該第二區域的方式形成該導電層的步驟； 在該第一像素電極上形成該第一絕緣層的步驟；藉由在該第一絕緣層上依次形成該第二像素電極、該發光層以及該第二共用電極，形成該第二顯示元件的步驟；使用黏合層將該形成用基板與第二基板貼合在一起的步驟；使該形成用基板與該第一像素電極分離的步驟；以及藉由在該第一共用電極與該第一像素電極之間配置該液晶，使用黏合層將該第一基板與該第二基板貼合在一起來形成該第一顯示元件的步驟，其中，該樹脂層經過包含氧的氛圍下的第一加熱處理而形成。
  5. 一種包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一絕緣層以及導電層的顯示裝置的製造方法，該第一顯示元件包括具有反射可見光的功能的第一像素電極、液晶以及具有使可見光透過的功能的第一共用電極，該第二顯示元件包括具有使可見光透過的功能的第二像素電極、發光層以及具有反射可見光的功能的第二共用電極，該顯示裝置的製造方法包括如下步驟：在第一基板上形成該第一共用電極的步驟；在形成用基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的樹脂層的步驟；以覆蓋該樹脂層的端部的方式形成第二絕緣層的步驟；在該第二絕緣層上形成該第一像素電極的步驟；在形成該第一像素電極的步驟的同時，以覆蓋該第二區域的方式形成該導電層的步驟；在該第一像素電極上形成該第一絕緣層的步驟；藉由在該第一絕緣層上依次形成該第二像素電極、該發光層以及該第二共用電極，形成該第二顯示元件的步驟；使用黏合層將該形成用基板與第二基板貼合在一起的步驟；藉由將該樹脂層的至少一部分從該形成用基板分離，形成分離的起點來使該形成用基板與該第一像素電極分離的步驟；以及 藉由在該第一共用電極與該第一像素電極之間配置該液晶，使用黏合層將該第一基板與該第二基板貼合在一起來形成該第一顯示元件的步驟，其中，該樹脂層經過包含氧的氛圍下的第一加熱處理而形成。
  6. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法，其中該第二絕緣層的材料是無機絕緣材料。
  7. 根據申請專利範圍第5或6項之顯示裝置的製造方法，其中該第二絕緣層的材料是樹脂或樹脂前體。
  8. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法，其中該第二絕緣層的材料與該樹脂層的材料相同。
  9. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置的製造方法，其中該第二絕緣層經過氧比該第一加熱處理的氛圍少的氛圍下的第二加熱處理而形成。
  10. 根據申請專利範圍第3或9項之顯示裝置的製造方法，其中一邊使氮氣體流動一邊進行該第二加熱處理。
  11. 根據申請專利範圍第3或9項之顯示裝置的製造方法，其中一邊使包含氮及氧的混合氣體流動一邊以比該第一加熱處理低的溫度進行該第二加熱處理。
  12. 根據申請專利範圍第3或9項之顯示裝置的製造方法，其中一邊使在氣體總流量中氧氣體流量所佔的比率為5%以上且50%以下的混合氣體流動一邊進行該第一加熱處理。
  13. 根據申請專利範圍第3或9項之顯示裝置的製造方法，其中一邊以350℃以上且450℃以下使包含氮及氧的混合氣體流動一邊進行該第一加熱處理。
  14. 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置的製造方法，在使該形成用基板與該第一像素電極分離的步驟之後還包括使該導電層露出的步驟。
  15. 根據申請專利範圍第14項之顯示裝置的製造方法，還包括藉由連接層使露出了的該導電層與用來輸入信號或電力的 佈線連接的步驟。
  16. 根據申請專利範圍第14或15項之顯示裝置的製造方法，其中藉由連接器使該第一共用電極與露出了的該導電層連接。
  17. 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置的製造方法，其中在形成該第一像素電極的步驟與形成該第二像素電極的步驟之間包括形成在通道形成區域中具有金屬氧化物的電晶體的步驟，並且在形成該樹脂層的步驟中以比形成該電晶體的步驟中進行加熱的溫度高的溫度對該樹脂層進行加熱。
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US (1) US11054687B2 (zh)
JP (2) JP6871253B2 (zh)
KR (1) KR102332962B1 (zh)
CN (1) CN109564741A (zh)
TW (1) TWI730017B (zh)
WO (1) WO2018029546A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101925772B1 (ko) * 2008-07-10 2018-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
CN109564851A (zh) 2016-08-31 2019-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR20230126296A (ko) * 2022-02-22 2023-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200427362A (en) * 2003-05-23 2004-12-01 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent display apparatus, electronic machine and its manufacturing method
JP2010073683A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置及びその作製方法
JP2010165673A (ja) * 2008-12-17 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US20130314633A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
TW201539779A (zh) * 2014-02-19 2015-10-16 Semiconductor Energy Lab 發光裝置及剝離方法

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5148040A (ja) 1974-10-18 1976-04-24 United Stirling Ab & Co Tashirindagatafukudosutaaringusaikuruenjin
JPS56122123A (en) 1980-03-03 1981-09-25 Shunpei Yamazaki Semiamorphous semiconductor
NZ281896A (en) 1994-03-08 1998-06-26 Rgc Mineral Sands Ltd Acid leaching of titaniferous ores; comprising separate sulphuric acid leaching and hydrochloric acid leaching and one or more pretreatment steps
US5834327A (en) 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
JP4209477B2 (ja) * 1995-11-27 2009-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6294799B1 (en) 1995-11-27 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating same
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) * 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
DE69728022T2 (de) 1996-12-18 2004-08-12 Canon K.K. Vefahren zum Herstellen eines Halbleiterartikels unter Verwendung eines Substrates mit einer porösen Halbleiterschicht
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JP4126747B2 (ja) 1998-02-27 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 ３次元デバイスの製造方法
US6335479B1 (en) 1998-10-13 2002-01-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Protective sheet for solar battery module, method of fabricating the same and solar battery module
JP3679943B2 (ja) 1999-03-02 2005-08-03 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
US6468638B2 (en) 1999-03-16 2002-10-22 Alien Technology Corporation Web process interconnect in electronic assemblies
JP2001019933A (ja) 1999-07-09 2001-01-23 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、およびその製造方法
KR100407413B1 (ko) 1999-07-19 2003-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반사판 및 그 제조방법, 및 반사판을 구비한 반사형표시소자 및 그 제조방법
JP3767264B2 (ja) 1999-08-25 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
WO2001091098A1 (fr) 2000-05-24 2001-11-29 Hitachi, Ltd. Terminal portable et afficheur commutable entre couleur et noir-et-blanc
FR2817395B1 (fr) 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
JP2002196702A (ja) 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
JP4202030B2 (ja) 2001-02-20 2008-12-24 シャープ株式会社 表示装置
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003017667A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Canon Inc 部材の分離方法及び分離装置
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
US6814832B2 (en) 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
JP4043864B2 (ja) 2001-09-06 2008-02-06 シャープ株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4176400B2 (ja) 2001-09-06 2008-11-05 シャープ株式会社 表示装置
JP3898012B2 (ja) 2001-09-06 2007-03-28 シャープ株式会社 表示装置
JP4785300B2 (ja) 2001-09-07 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 電気泳動型表示装置、表示装置、及び電子機器
US7248235B2 (en) 2001-09-14 2007-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display, method of manufacturing the same, and method of driving the same
JP4236081B2 (ja) 2001-10-16 2009-03-11 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
JP2003228304A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Toyota Industries Corp 表示装置
US6885146B2 (en) 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
TW544944B (en) 2002-04-16 2003-08-01 Ind Tech Res Inst Pixel element structure of sunlight-readable display
JP4122828B2 (ja) 2002-04-30 2008-07-23 日本電気株式会社 表示装置及びその駆動方法
DE60325669D1 (de) 2002-05-17 2009-02-26 Semiconductor Energy Lab Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP2004047791A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Pioneer Electronic Corp 有機薄膜スイッチングメモリ素子及びメモリ装置
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
JP5022552B2 (ja) 2002-09-26 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US20060072047A1 (en) 2002-12-06 2006-04-06 Kanetaka Sekiguchi Liquid crystal display
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
AU2003292609A1 (en) 2003-01-15 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separating method and method for manufacturing display device using the separating method
JP4151421B2 (ja) 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP3852931B2 (ja) 2003-03-26 2006-12-06 株式会社東芝 発光表示装置
WO2004088395A2 (en) 2003-03-27 2004-10-14 E Ink Corporation Electro-optic assemblies
JP4845336B2 (ja) 2003-07-16 2011-12-28 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像機能付き表示装置、及び双方向コミュニケーションシステム
EP1528594B1 (en) 2003-10-28 2019-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101124999B1 (ko) 2003-12-02 2012-03-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치와 그 제조 방법
US7084045B2 (en) 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4540355B2 (ja) 2004-02-02 2010-09-08 富士通株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4100351B2 (ja) 2004-02-09 2008-06-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2005239042A (ja) 2004-02-27 2005-09-08 Nippon Seiki Co Ltd 車両用情報表示装置及び車両用情報表示方法
JP2006049800A (ja) 2004-03-10 2006-02-16 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器
US7052924B2 (en) 2004-03-29 2006-05-30 Articulated Technologies, Llc Light active sheet and methods for making the same
US7521368B2 (en) 2004-05-07 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101226260B1 (ko) 2004-06-02 2013-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
US20050287871A1 (en) 2004-06-25 2005-12-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device, method, and program for computer aided design of flexible substrates
KR101254277B1 (ko) 2004-07-30 2013-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 라미네이팅 시스템, ｉｃ 시트, ｉｃ 시트 두루마리, 및ｉｃ 칩의 제조방법
US7439111B2 (en) * 2004-09-29 2008-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
JP2007110064A (ja) 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
US7572667B2 (en) 2006-01-20 2009-08-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming an organic semiconductor pattern and method of manufacturing an organic thin film transistor using the same
JP2007232882A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び電子機器
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8222116B2 (en) 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1850374A3 (en) 2006-04-28 2007-11-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI424499B (zh) 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
US20100196683A1 (en) 2006-10-27 2010-08-05 Konnklijke Philips Electronics N.V. Electronic device having a plastic substrate
JP3993221B2 (ja) 2006-11-20 2007-10-17 シャープ株式会社 表示装置
US7569886B2 (en) * 2007-03-08 2009-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacture method thereof
JP2009004485A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Sekisui Chem Co Ltd パターン膜の製造方法
JP5376961B2 (ja) 2008-02-01 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5309672B2 (ja) 2008-04-21 2013-10-09 カシオ計算機株式会社 薄膜素子およびその製造方法
JP5368014B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
TWI501319B (zh) 2008-12-26 2015-09-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI393950B (zh) 2009-01-08 2013-04-21 Au Optronics Corp 半穿反型顯示面板
EP2256795B1 (en) * 2009-05-29 2014-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for oxide semiconductor device
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011074409A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US8830424B2 (en) 2010-02-19 2014-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having light-condensing means
CN102598231A (zh) 2010-05-14 2012-07-18 松下电器产业株式会社 柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置
US8852391B2 (en) 2010-06-21 2014-10-07 Brewer Science Inc. Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US8647919B2 (en) 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8895974B2 (en) 2011-02-07 2014-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Organic el display device and method for manufacturing the same
JP5355618B2 (ja) 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
US8663804B2 (en) 2011-06-24 2014-03-04 E I Du Pont De Nemours And Company Printed wiring board encapsulated by adhesive laminate comprising a di-isoimide, and process for preparing same
KR101391774B1 (ko) 2012-03-13 2014-05-07 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2013221965A (ja) 2012-04-13 2013-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101878926B1 (ko) 2012-05-22 2018-07-16 한국전자통신연구원 듀얼 모드 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
JP5949368B2 (ja) * 2012-09-13 2016-07-06 豊田合成株式会社 半導体発光素子とその製造方法
CN102931091A (zh) * 2012-10-25 2013-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法
EP2927982A4 (en) 2012-11-30 2016-12-07 Lg Display Co Ltd ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE WITH FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
KR20140122207A (ko) 2013-04-09 2014-10-17 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR102104608B1 (ko) 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9876064B2 (en) 2013-08-30 2018-01-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR20150029429A (ko) 2013-09-10 2015-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그의 제조 방법
JP2015060780A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 株式会社東芝 表示装置の製造方法及び製造システム
KR102236562B1 (ko) * 2013-09-27 2021-04-06 도레이 카부시키가이샤 내열성 수지막 및 그 제조 방법, 가열로 및 화상 표시 장치의 제조 방법
US20150151514A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Laminated Structure, Method of Preparing Same, and Method of Fabricating Electronic Device Using Laminated Structure
CN110010625A (zh) 2013-12-02 2019-07-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
JP6473931B2 (ja) 2014-05-29 2019-02-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 支持基板付き樹脂基板、及び、その製造方法、並びに、その樹脂基板を用いた電子デバイス
JP2016090783A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示パネルの作製方法、情報処理装置
KR102004195B1 (ko) 2015-03-23 2019-07-26 후지필름 가부시키가이샤 키트 및 적층체
TWI567110B (zh) 2015-12-04 2017-01-21 張綺蘭 樹脂組合物、以及包含此樹脂組合物之絕緣基材及電路板
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US10181424B2 (en) 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
WO2017182909A1 (en) 2016-04-22 2017-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method and manufacturing method of flexible device
US10279576B2 (en) 2016-04-26 2019-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
US10180605B2 (en) 2016-07-27 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200427362A (en) * 2003-05-23 2004-12-01 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent display apparatus, electronic machine and its manufacturing method
JP2010073683A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置及びその作製方法
JP2010165673A (ja) * 2008-12-17 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US20130314633A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Electronics And Telecommunications Research Institute Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
TW201539779A (zh) * 2014-02-19 2015-10-16 Semiconductor Energy Lab 發光裝置及剝離方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109564741A (zh) 2019-04-02
US20210026188A1 (en) 2021-01-28
KR20190032589A (ko) 2019-03-27
JP2018025801A (ja) 2018-02-15
US11054687B2 (en) 2021-07-06
WO2018029546A1 (ja) 2018-02-15
KR102332962B1 (ko) 2021-11-29
TW201805706A (zh) 2018-02-16
JPWO2018029546A1 (ja) 2019-06-13
JP6871253B2 (ja) 2021-05-12

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