WO2005027582A1

WO2005027582A1 - 表示装置及びその製造方法

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Publication number: WO2005027582A1
Application number: PCT/JP2003/011544
Authority: WO
Inventors: Yoshiaki Sakamoto
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2003-09-10
Filing date: 2003-09-10
Publication date: 2005-03-24
Also published as: JPWO2005027582A1; AU2003262039A1; TW200511882A; US20070080627A1; TWI259021B; US7531957B2

Abstract

基板２２と、基板２２上に形成され、電極２４と、電極２４上に形成された有機ＥＬ層２６と、有機ＥＬ層２６上に形成された電極３０とを有する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子上に形成され、有機ＥＬ層を封止する無機絶縁膜３４と、無機絶縁膜３４上に形成された基板３８とを有し、曲げ応力を加えたときの中立軸が無機絶縁膜３４と基板３８との界面近傍に位置するように、基板２２及び基板３８の材料及び厚さが設定されている。このよう表示装置を構成することにより、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。

Description

明細書表示装置及びその製造方法 [技術分野]

本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、特に有機エレクト口ルミネッセンス（EL) 素子を用いた自発光型の表示装置及びその製造方法関する。 [背景技術]

従来、フラットパネルディスプレイとしては液晶分子をシャッターとして用いる液晶表示装置が主流であった。近年、更なる極薄化 ·大画面化を達成するものとして、有機 E L素子を用いた自発光型の表示装置が注目されている。有機 EL素子を用いた表示装置は、透明基板上に透明導電膜よりなるストライプ状の電極（陽極）と、金属薄膜よりなり陽極と直交するストライプ状の電極（陰極）と、これら電極間に形成された有機 EL層とを有する素子が複数設けられた構造を有している。陽極と陰極とはマトリクス状に配されており、陽極と陰極の各交差部分が、それぞれ画素に対応している。所定の電極間に所定の駆動電圧を印加することにより、所定の画素を発光することができる。

このような有機 E L素子は、液晶素子が 2枚の基板間に狭持された液晶分子をシャッターとして利用するのと異なり、自己発光型であるため、視認性が高い、視野角依存性がない、可撓性を有するフィルム基板を用いることができる、液晶表示装置と比較して薄い ·軽い、などの様々な利点がある。

一方、有機 EL素子は、有機物を用いているが故に水分や酸素等と反応しやすく、これが特性劣化の原因となる。すなわち、有機 EL層が空気中の水分や酸素と反応して腐食や酸化を生じると、この劣化部が非発光部（ダークスポット）となり、素子の発光機能を失ってしまう。このため、有機 EL素子を外気から遮断するための種々の対策を講ずる必要がある。

このような対策を開示する先行技術文献としては、例えば、特許文献 1 (特開平 1 0— 0 1 238 5号公報）、特許文献 2 (特開 2002— 025765号公報）、特許文献 3 (特開 2 0 0 3— 0 1 7 2 4 4号公報）、特許文献 4 (特開 2 0 0 3— 0 8 6 3 5 9号公報）がある。

特許文献 1には、有機 E L素子をガラス板や金属板により封止した表示装置が提案されている。しかしながら、この方法では、ガラス板の厚さや重量によって有機 E L素子の特徴である薄く軽い構造を生かすことができない。

また、特許文献 2乃至 4には、有機 E L素子上に、応力緩和のための樹脂膜と外気遮断のための無機膜とを積層し、この積層膜により有機 E L素子を封止した薄型構造の表示装置が提案されている。しかしながら、外気を遮断する目的で設けられる無機膜としては、一般に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜など、樹脂膜に比較して可撓性に劣る材料を用いている。このため、この層に応力が集中すると、クラック（割れ）が生じることがあった。例えば、有機 E L素子が形成された基板を含む表示装置全体を曲げた場合、基板表面に最も応力が集中するため、表面に位置する無機膜に応力が集中して破断してしまう。このような無機膜のクラックは封止機能を失うこととなり、有機 E L素子が劣化してしまう。また、無機膜の下層に設けられた樹脂膜は、無機膜と比較して透湿性 ·含水性が高いため、有機 E L素子に接する樹脂膜によって有機 E L素子の劣化を生じる虞がある。

また、例えば特許文献 3に記載されているように、複数の樹脂膜と複数の無機膜とを繰り返し積層することにより耐湿性を向上することが考えられる。しかしながら、複数の樹脂膜と複数の無機膜とを繰り返し積層する構造では、製造工程数が増大し、製造コストの増加をもたらすことになる。

本発明の目的は、有機 E L素子を用いた表示装置及びその製造方法に関し、有機 E L素子の外気遮断性が高く且つ可撓性の高い表示装置の構造及びこのような構造を簡素なプロセスで低廉に実現しうる表示装置の製造方法を提供することにある。

[発明の開示] - 上記目的は、第 1の基板と、前記第 1の基板上に形成され、第 1の電極と、前記第 1の電極上に形成された有機 E L層と、前記有機 E L層上に形成された第 2 の電極とを有する有機 E L素子と、前記有機 E L素子上に形成され、前記有機 E L層を封止する第 1の無機絶縁膜と、前記第 1の無機絶縁膜上に形成された第 2 の基板とを有し、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第 1の無機絶縁膜と前記第 2の基板との界面近傍に位置するように、前記第 1の基板及び前記第 2の基板の材料及ぴ厚さが設定されていることを特徴とする表示装置によつて達成される。また、上記目的は、第 1の基板と、前記第 1の基板上に形成され、第 1の電極と、前記第 1の電極上に形成された有機 E L層と、前記有機 E L層上に形成された第 2の電極とを有する有機 E L素子と、前記有機 E L素子上に直に形成され、前記有機 E L層を封止する第 1の無機絶縁膜と、前記第 1の無機絶縁膜上に形成された第 2の基板とを有することを特徴とする表示装置によっても達成される。また、上記目的は、第 1の基板上に、第 1の電極を形成する工程と、前記第 1 の基板上に、有機 E L層を形成する工程と、前記有機 E L層上に、第 2の基板を形成する工程と、前記有機 E L層を封止するように、第 1の無機絶縁膜を形成する工程と、前記第 1の無機絶縁膜上に、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第 1の無機絶縁膜との界面近傍に位置するように材料及び厚さが設定された第 2の基板を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法によっても達成される。

本発明によれば、有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜上に基板を形成することにより、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけるので、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機 E L素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。

また、有機 E L素子の上側に、有機絶縁膜を介さずに有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜を形成することにより、製造過程や製造後における水分や酸素による有機 E L素子の劣化を抑制することができる。

また、有機 E L素子の下側にも有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜を更に形成することにより、製造過程や製造後における水分や酸素による有機 E L素子の劣化を更に抑制することができる。

また、有機 E L層の形成から無機絶縁膜の形成までの一連の成膜工程を、連続した真空環境下にて行うので、製造途中において有機 E L層が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜により封止することができ、有機 E L素子の特性劣化を更に抑制することができる。

[図面の簡単な説明]

図 1は、本発明による表示装置の原理を説明する図（その 1 ) である。

図 2は、本発明による表示装置の原理を説明する図（その 2 ) である。

図 3は、本発明の第 1実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。図 4は、本発明の第 1実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その 1 ) である。

図 5は、本発明の第 1実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その 2 ) である。

図 6は、本発明の第 2実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。図 7は、本発明の第 2実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

図 8は、本発明の第 3実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。図 9は、本発明の第 3実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。

図 1 0は、本発明の第 4実施形態による表示装置の構造を示す平面図である。

[発明を実施するための最良の形態] '

[本発明の原理]

本発明では、無機絶縁膜上に更に所定の基板を形成し、表示装置を曲げる際に生じる引張応力と圧縮応力とが釣り合って無応力状態となる中立軸を、無機絶縁膜の近傍に位置させることにより、有機絶縁膜に作用する曲げ応力を抑制 ' する。 .

以下、本原理の詳細について説明する。

複数の層からなる積層体の中立軸の位置 y _n (底面からの距離）は、各層が一体となる剛体であって層間で滑りが生じないものと仮定すると、下記一般式により表される（例えば、機械工学便覧を参照）。ここで、 Eはヤング率、 Aは断面積、 y _zは底面から断面上の任意の点までの距離である。 y_n … （1 )

ここで、第 1の基板 1 0上に無機絶縁膜 1 2が形成された第 1の試料（図 1 A ) と、第 1の基板 1 0上に無機絶縁膜 1 2と第 2の基板 1 4とが形成された第 2 の試料（図 1 B) とを想定する。

第 1の基板のヤング率を Eい厚さを無機絶縁膜のヤング率を E ₂, 厚さを t ₂、第 2の基板のヤング率を E ₃, 厚さを t ₃とすると、式（1 ) より、第 1 の試料の場合における中立軸までの距離 y _nは、

₌ E t₁ ² +E₂ -t₂ -(2-t_l +t₂) … _{( 2 )}

" 2-(E₁ -t₁ +E₂ -t₂)

と表され、第 2の試料の場合における中立軸までの距離 y _nは、

_E_l -t₁ ² +E₂ -t₂ -(2-t₁ +t₂) + E₃ -t₃ -(2-t +2-t₂ +t₃) ( ₃： y" 2-(E! -t_x +E₂ -t₂ +E₃ -t₃)

と表される。

この積層体に曲げモーメント Mを与え、曲率半径 rの曲げ状態とするとき、無機絶縁膜に作用する応力 σ ₂は、下記の連立方程式を満足する（例えば、機械工学便覧を参照）。ここで、 yは、中立軸から評価点までの距離である。

1 M

(4)

r

Ε, -y-M

びつ = ( 5)

∑ E'I)

式（4) 及び式（5) より、曲率半径 rのとき、無機絶縁膜の表面側（第 2の基板との界面側）に作用する最大応力 a _{ma x}は、 y = | セ ₁+ 1: ₂— ₁₁ | から、

E₂ -\ +t₂ -y_n

(6 ) と表される。このとき、最大応力 _{CT ma x}が無機絶縁膜の破壊強度 σ。を超えないように、曲率半径 r及び中立軸までの距離 y _n、すなわち曲率半径 rと各部材のヤング率 E及び厚さ tを選択することで、無機絶縁膜の破壌を防止することができる。

なお、曲げ状態を示す曲率半径 rについては、各部材のヤング率 E及び厚さ t を選択して構成した結果、無機絶縁膜の破壌限界まで曲げられる寸法と捉えるのが適切である。したがって、可撓性を追求する構造（曲率半径 rを極力小さくする構造）においては、各部材の適切なヤング率 E及ぴ厚さ tを選択することを必要とする。

式（6 ) から判るように、最大応力 c _{m a x}を極小とするには、中立軸から評価点までの距離 y (= | t _x + t ₂ - y _n I ) を極小にする必要がある。

第 1の試料の場合、中立軸は第 1.の基板の断面中心付近にあり距離 yが大きいのに対し（図 2 A参照）、第 2の試料の場合、中立軸は第 1の基板と第 2の基板との間にある無機絶縁膜近傍へ接近し、距離 yが小さくなる（図 2 B参照）。したがって、第 2の試料は、第 1の試料と比較して、可撓性の高い構造となる。特に、各基板厚に対して無機絶縁膜を薄膜（tい t ₃》 t ₂) とし、式（3 ) において無機絶縁膜の厚さ t ₂の項を無視すると、中立軸から評価点までの距離 yは以下のように表される。

2(£^ +E₃t₃ )

したがって、距離 yを極小とするには、式（7 ) において y = 0となる下記の条件が必要となる。

このように、無機絶縁膜のクラックを最も効果的に防止する観点からは、式（ 8 ) の関係を満足するように、基板の材料及び膜厚を設定することが望ましい。すなわち第 1の基板と第 2の基板との有機 E L素子を狭持する 2つの基板は、' 剛性が同じであることが望ましい。但し、無機絶縁膜にクラックが生じるか否かは、中立軸からの距離のみならず、無機絶縁膜の材料や曲率半径等にも依存する。したがって、基板材料の選択や基板の厚さは、式（8 ) の関係を満たす条件を中心条件とし、無機絶縁膜の材料や曲率半径 rに応じて範囲を適宜設定することが望ましい。なお、本願発明者の検討によれば、無機絶縁膜から基板の厚さの 4 0 %に相当する距離までの間に中立軸が位置するように、基板材料の選択や基板の厚さ等を設定することが望ましい。すなわち、第 1の基板側の無機絶縁膜の界面から第 1 の基板の 4 0 %の厚さに相当する第 1の基板側の位置から、第 2の基板側の無機絶縁膜の界面から第 2の基板の 4 0 %の厚さに相当する第 2の基板側の位置までの間に、中立軸が位置することが望ましい。

有機 E L素子を外気から遮断するための無機絶縁膜は、有機 E L素子.上に直に形成することが望ましい。有機 E L素子と無機絶縁膜との間に樹脂膜などの有機絶縁膜を形成した場合、透湿性 ·含水性が高いという有機絶縁膜の性質により、製造工程等においてこの有機絶縁膜に水分が吸収され、この水分が後に有機 E L素子の劣化を生じる原因となる。本発明の表示装置のように有機 E L素子上に直に無機絶縁膜を形成することにより、水分の浸入を大幅に抑制することができる。

また、製造工程中における水分や酸素の混入やそれによる有機 E L素子の劣化を防止する観点から、有機 E L素子と無機絶縁膜とを連続する真空環境下で形成することが望ましい。これにより、有機 E L素子を外気から完全に遮断して構成することができる。

また、第 1の基板が樹脂フィルムのような有機材料の場合、第 1の基板側からの水分や酸素の浸入をも遮断することが望ましい。これには、有機 E L素子を形成する前に予め基板表面に無機絶縁膜を形成しておくことが有効である。

また、第 2の基板を積層する際に、予め接着剤を塗布した第 2の基板と、有機 E L素子と無機絶縁膜とを積層した第 1の基板とを、真空ラミネートすることにより、第 1の基板と第 2の基板との間に空隙がない一体構造を形成することがでさる。

なお、第 1の基板及び第 2の基板としては、ポリエチレンテレフタレート ( P E T ) 、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフイン等の樹脂材料を薄膜化した樹脂フィルムゃセロハンなどの可撓性を有するものや、フレキシブル基板を適用することができる。

また、有機 E L素子の陽極側の電極材料には、 I T O、 A T O ( S bをドープした S n〇₂) 、 AZ O (A 1をドープした Z ηθ) 等を用いることができる。また、有機 E L層は、発光層のみの単層構造、正孔輸送層と発光層又は発光層と電子輸送層の 2層構造、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との 3層構造を適用することができる。

発光層としては、可視領域で蛍光特性を有し、成膜性の良い蛍光体からなるものが好ましく、キノリノールアルミ錯体（A 1 q₃： 8-Hydroxyquinoline Alumin um) 、 B e—ベンゾキノリノール（B e B q₂) 、 2, 5 _ビス（ 5， 7—ジー t—ペンチルー 2—べンゾォキサゾリル) — 1， 3， 4—チアジアゾーノレ、 4， 4， -ビス (5, 7一ベンチノレ一 2—ベンゾォキサゾリノレ) スチノレベン、 4, 4 ' 一ビス〔5， 7—ジ— （2—メチルー 2—ブチル）一 2—べンゾォキサゾリル〕スチノレベン、 2， 5一ビス (5， 7—ジー t—ベンチノレ一 2—べンゾォキサゾリル）チォフィン、 2， 5一ビス ( [5 - a, α—ジメチルベンジル〕 - 2—ベンゾォキサゾリル) チォフェン、 2, 5一ビス [5, 7—ジ— (2—メチルー 2 ーブチル) 一 2一べンゾォキサゾリノレ〕 - 3， 4—ジフエ二ルチオフェン、 2 , 5一ビス ( 5—メチノレー 2—べンゾォキサゾリル) チォフェン、 4, 4，一ビス

(2—ベンゾォキサイゾリル) ビフエニル、 5—メチル一 2— 〔 2 - 〔4一（5 ーメチノレ _ 2—ベンゾォキサイゾリノレ）フエニル〕ビュル〕ベンゾォキサイゾリル、 2— 〔2— (4一クロ口フエニル) ビュル〕ナフト〔1 , 2 - d] 才キサゾール等のベンゾォキサゾール系、 2， 2，一 (p—フエ二レンジビニレン) ービスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、 2— 〔2— 〔4— (2—べンゾィミダゾリル）フエ二ノレ〕ビュル〕ベンゾィミダゾーノレ、 2 - 〔2一 (4—カノレポキシフエニル）ビュル〕ベンゾィミダゾーノレ等のベンゾィミダゾーノレ系等の蛍光増白剤や、トリス（8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール ) マグネシウム、ビス（ベンゾ〔f 〕 _ 8—キノリノール）亜鉛、ビス（2—メチルー 8—キノリノラート）アルミニウムォキシド、トリス（8—キノリノール ) インジウム、トリス（5—メチルー 8—キノリノール）アルミニウム、 8—キノリノールリチウム、トリス（5—クロ口 _ 8—キノリノール）ガリウム、ビス

(5—クロ口一 8 _キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛一ビス（8—ヒドロキシ一 5—キノリノニル）メタン〕等の 8—ヒドロキシキノリン系金属錯体ゃジリチウムェピンドリジオン等の金属キレート化ォキシノィド化合物や、 1， 4一ビス (2—メチルスチリル) ベンゼン、 1, 4一 ( 3—メチルスチリル) ベンゼン、 1， 4一ビス（4—メチルスチリノレ）ベンゼン、ジスチリノレベンゼン、 1， 4 -ビス ( 2ーェチノレスチリル) ベンゼン、 1， 4一ビス (3—ェチノレスチリノレ ) ベンゼン、 1 , 4—ビス (2—メチルスチリノレ) 2—メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物や、 2 , 5一ビス (4ーメチルスチリル）ピラジン、 2， 5—ビス（4ーェチルスチリル）ピラジン、 2， 5—ビス〔2— （1—ナフチル ) ビニル〕ピラジン、 2, 5—ビス（4ーメトキシスチリル）ピラジン、 2, 5 一ビス〔2— (4 -ビフエニル) ビュル〕ピラジン、 2 , 5—ビス〔 2— ( 1 - ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、ォキサジァゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジェン誘導体や、スチリルァミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等を適用することができる。また、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等を適用することもできる。

また、正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、透明で成膜性の良いものが好ましく、 N, N，ージフエニル一N， N，一ビス ( 3—メチルフエ二ル) 一 1 , 1， —ジフエニル一 4, 4，一ジァミン（TPD) 、ポルフィン、テトラフエ二ルポルフィン同、フタロシアニン、 ί同フタロシアニン、チタニウムフタロシア二ンオキサイド等のポリフィリン化合物や、 1, 1—ビス {4一（ジー Ρ— トリルァミノ）フエ二ル} シク口へキサン、 4, 4，， 4' ' 一トリメチルトリフエ二ルァミン、 Ν, Ν, Ν，， N' ーテトラキス ( Ρ— トリル) 一 Ρ—フエ二レンジァミン、 1一 (Ν, Ν—ジ一 Ρ— トリルァミノ）ナフタレン、 4, 4 ' 一ビス ( ジメチルァミノ） — 2— 2 ' ージメチルトリフエニルメタン、 Ν, Ν, Ν，， Ν ，ーテトラフエニノレー 4, 4' ージアミノビフエ二ノレ、 Ν, Ν，一ジフエニノレー Ν, N' —ジー m—トリル一 4, N, N—ジフエ-ル一 N, N，一ビス（3—メチルフエニル）一 1， 1 ' —4, 4，一ジァミン、 4' ージアミノビフエ-ル、 N—フヱニルカルバゾール等の芳香族第三級アミンゃ、 4—ジー P—トリルアミノスチルベン、 4一（ジ一 P—トリルァミノ）一4' 一〔4一（ジ一 P—トリルァミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリァゾール誘導体やォキサジザゾール誘導体や、ィミダゾール誘導体や、ポリアリ一ルアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フヱ-レンジァミン誘導体や、ァニールァミン誘導体や、ァミノ置換カルコン誘導体や、ォキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルォレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系ァニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルァミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ 3—メチルチォフェン等の有機材料を適用することができる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も適用することができる。

また、電子輸送層としては、 1， 3—ビス（4一 t e r t一ブチルフエ二ルー 1， 3 , 4一ォキサジァゾリル) フエ二レン ( O X D - 7 ) 等のォキサジァゾ一ル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフ二ルキノン誘導体等を適用することができる。

また、有機 E L素子の陰極側の電極材料には、仕事関数の低い金属若しくは合金、例えば、 A 1、 I n、 M g、 T i等の金属や、 M g— A g合金、 M g— I n 合金等の M g合金や、 A 1— L i合金、 A 1— S r合金、 A 1 _ B a合金等の A 1合金等を適用することができる。

また、無機絶縁膜としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜等を適用することができる。

[第 1実施形態]

本発明の第 1実施形態による表示装置及びその製造方法について図 3乃至図 5を用いて説明する。図 3は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図 4及び図 5は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図 3を用いて説明する。ポリカーボネートよりなる基板 2 2上には、 I T〇よりなる陽極側の電極 2 4が形成されている。電極 2 4上には、ひ一 N P D (ジフエ二ルナフチルジァミン）よりなる正孔輸送層と A 1 q ₃ (キノリノールアルミ錯体）よりなる発光層とを有する有機 E L層 2 6が形成されている。有機 E L層 2 6上には、 A 1 — L iよりなる陰極側の電極 3 0が形成されている。これにより、電極 2 4と、有機 E L層 2 6と、電極 3 0とを有する有機 E L素子が構成されている。有機 E L素子が形成された基板 2 2上には、有機 E L層 2 6を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 3 4が形成されている。無機絶縁膜 3 4 上には、セロハンよりなる基板 3 8が形成されている。

このように、本実施形態による表示装置は、有機 E L素子上に、直に無機絶縁膜 3 4が形成されていることを一つの特徴としている。有機 E L層 2 6と無機絶縁膜 3 4との間に樹脂膜などの有機絶縁膜を形成した場合、透湿性 ·含水性が高いという有機絶縁膜の特性により、製造過程等においてこの有機絶縁膜に水分が吸収され、この水分が後に有機 E L素子の劣化を生じる原因となる虞がある。本実施形態による表示装置のように有機 E L素子上に直に無機絶縁膜 3 4を形成することにより、水分の浸入を大幅に抑制することができる。

また、本実施形態による表示装置は、無機絶縁膜 3 4上に、基板 3 8が形成されていることをも一つの特徴としている。前述のように、無機絶縁膜 3 4のクラックを防止するためには、無機絶縁膜 3 4の場所を、中立軸に近づける必要がある。そこで、本実施形態による表示装置では、無機絶縁膜 3 4上に基板 3 8を形成し、中立軸を無機絶縁膜 3 4に近づけている。これにより、無機絶縁膜 3 4にクラックが入ることが防止され、有機 E L素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 4及び図 5を用いて説明する。

まず、厚さ 1 m mのガラス基板 2 0上に、基板 2 2を仮着する。基板 2 2としては、ポリカーボネートフィルムを適用することができる。ポリカーボネートフイルムとしては、例えば、帝人株式会社製、エレクリア（登録商標）、 H T 1 0 0 - 6 0 Bを用いることができる。このポリカーボネートフイルムは、膜厚 1 0 0 μ mであり、表面に I T O膜が形成されている。

次いで、リソグラフィー及ぴエッチングにより、ポリカーボネートフィルム上の I T O膜をパターユングし、 I T O膜よりなる電極 2 4を形成する（図 4 A) 。

次いで、真空蒸着法により、ひ—N P Dよりなる正孔輸送層と、 A l q ₃よりなる発光層とを堆積し、合計膜厚 1 5 0 n mの有機 E L層 2 6を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク 2 8により覆った状態で真空蒸着を行うことにより、所望のパターンを有する有機 E L層 2 6を形成する (図 4 B ) 。

次いで、真空蒸着法により、有機 E L層 2 6上に、膜厚 1 0 0 n mの A 1一 L i合金を堆積し、 A 1— L i合金よりなる電極 3 0を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク 3 2により覆った状態で真空蒸着を行うことにより、所望のパターンを有する電極 3 0を形成する（図 4 C ) 。

こうして、電極 2 4と、有機 E L層 2 6と、電極 3 0とを有する有機 E L素子を形成する。

次いで、プラズマコーティング法（住友重機械工業（株）製、 P C S装置）により、有機 E L素子が形成された基板 2 2上に、例えば膜厚 1 5 0 n mのシリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 3 4を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク 3 6により覆った状態で堆積することにより、所望のパターンを有する無機絶縁膜 3 4を形成する（図 5 A) 。なお、無機絶縁膜 3 4は有機 E L層 2 6を封止するためのものであり、有機 E L層 2 6を完全に覆うように形成する。

シリコン窒化酸化膜の形成の際には、膜応力緩和や基板温度の影響による有機 E L材料への影響を極力抑える必要がある。このような手段としては、例えば、 1走查あたりの膜厚を 3 0 n mとして 5回走査し、成膜待機時（走査間隔中）に基板を冷却しつつ成膜する方法が考えられる。このような方法により、無機絶縁膜 3 4にクラックを生じることなく、且つ基板温度を 7 5 °C以下に抑えてピンホール等の欠陥のない均一な無機絶縁膜 3 4を形成することができる。また、有機 E L層 2 6の形成から無機絶縁膜 3 4の形成までの一連の成膜ェ程では、有機 E L層 2 6が形成された基板を大気開放せずに連続した真空環境下にて成膜を行うことが望ましい。これにより、製造途中において、有機 E L 層 2 6が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜 3 4により封止することができ、有機 E L素子の特性劣化を抑制することができる。

次いで、無機絶縁膜 3 4上に、無機絶縁膜 3 4を覆うように基板 3 8を形成する（図 5 B) 。，基板 3 8としては、例えば膜厚 50 μ mのセロハンテープ（ニチバン株式会社製）を用い、これを貼付することができる。

次いで、ガラス基板 2 0を除去することにより、図 3に示す表示装置が製造される（図 5 C) 。

上記製造方法により製造した表示装置に対して、曲率半径 5 mmの曲げを施し、無機絶縁膜のクラック発生の有無を調査した。

基板 22として膜厚 1 00 μπιのポリカーボネート（ヤング率 1. 9 GP a ) を、基板 3 8として膜厚 5 0 ηιのセロハンテープ（ヤング率 2. 4GP a ) を用いた上記構造では、中立軸から無機絶縁膜 34と基板 3 8との界面までの距離 yは 2 1 μπιとなり、無機絶縁膜 34にクラックは生じなかった。

比較のため、基板 2 2として膜厚 1 00 ^ mのポリカーボネート（ヤング率 1. 9 G P a ) を用い、基板 38として膜厚 1 0 0 μ mのアルミテープ (ヤング率 6 9 GP a) を用いた構造についても検討したところ、中立軸から無機絶縁膜 34と基板 3 8との界面までの距離 yは 4 7 μπιとなり、無機絶縁膜 34 にクラックが生じた。基板 3 8としてアルミテープを用いたときにクラックが生じたのは、基板 2 2に対して基板 3 8の剛性が大きすぎるため、中立軸が基板 3 8側で無機絶縁膜 34から遠のいたことに起因する。

また、基板 2 2として膜厚 1 0 0 μπιのポリカーボネート（ヤング率 1. 9 GP a) を用い、基板 3 8を形成しない構造についても検討した。この場合、中立軸から無機絶縁膜 34表面までの距離 yは 48 μπιとなり、無機絶縁膜 3 4にクラックが生じた。

クラックを防止するための中立軸から無機絶縁膜 34の表面までの距離 yの上限値は、素子の構成材料や曲率半径によって変化するため一概に規定することはできないが、上記検討結果から、無機絶縁膜 34として膜厚 1 5 0 nmのシリコン窒化膜を用いる場合には、中立軸から無機絶縁膜 34表面までの距離 yが 47 μπι未満になるように、望ましくは 2 1 μιη以下になるように、基板 2 2及ぴ 3 8の材料及ぴ膜厚を設定する必要があることが判る。

このように、本実施形態によれば、有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜上に基板を形成し、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけるので、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機 E L素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。

また、有機 E L素子の上側に、有機絶縁膜を介さずに、有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜を形成するので、製造過程や製造後における水'分や酸素による有機 E L素子の劣化を抑制することができる。

[第 2実施形態]

本発明の第 2実施形態による表示装置及びその製造方法について図 6及び図 7を用いて説明する。図 6は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図、図 7は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 3乃至図 6に示す第 1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。

はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図 6を用いて説明する。ポリカーボネートよりなる基板 2 2上には、 I T Oよりなる陽極側の電極 2 4が形成されている。電極 2 4上には、 a— N P Dよりなる正孔輸送層と A 1 q ₃よりなる発光層とを有する有機 E L層 2 6が形成されている。有機 E L層 2 6上には、 A 1— L i よりなる陰極側の電極 3 0が形成されている。これにより、電極 2 4と、有機 E L層 2 6と、電極 3 0とを有する有機 E L素子が構成されている。有機 E L素子が形成された基板 2 2上には、有機 E L層 2 6を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 3 4が形成されている。無機絶縁膜 3 4上には、ポリカーボネートよりなる基板 3 8 aが形成されている。

このように、本実施形態よる表示装置は、無機絶縁膜 3 4上に形成された基板 3 8 aが、基板 2 2と同じ材料であるポリカーボネートにより構成されている他は、第 1実施形態による表示装置と同様である。対向する基板 2 2， 3 8 aに、剛性が同じ材料を適用することにより、中立軸を基板 2 2と基板 3 8 a との間の領域に容易に位置させることができる。これにより、中立軸を無機絶縁膜 3 4に近づけることができ、無機絶縁膜 3 4にクラックが生じることを防止することができる。

なお、剛性が同じであるとは、基板 2 2のヤング率を Eい厚さを基板 3 8 aのヤング率を E ₂、厚さを t ₂として、

E!t!² « Ε₃ί₃ ² ■■■ ( 9 )

の関係を満足する状態である。したがって、基板 2 2と基板 3 8 a とは、必ずしも同じ材料及び同じ厚さである必要はなく、式（9 ) の関係を満するように、基板 2 2 , 3 8 aの材料及び厚さを適耷選択すればよい。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 7を用いて説明する。まず、図 4 A乃至図 5 Aに示す第 1実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、基板 2 2上に、有機 E L素子及び無機絶縁膜 3 4を形成する。

次いで、例えば以下に示す方法により、無機絶縁膜 3 4上に、ポリカーボネートよりなる基板 3 8 aを形成する。

まず、膜厚 1 0 0 mのポリカーボネートよりなる基板 3 8 aに、紫外線硬化型接着剤（例えば、ナガセケムテックス社製、 X N R 5 5 1 6 ) を全面に塗布する。次いで、真空ラミネートにより、接着剤の付着面が無機絶縁膜 3 4に接するように、基板 2 2と基板 3 8 aとを貼り合わせる（図 6 A ) 。

基板 3 8 aを基板 2 2に貼り合わせる際には、図 6 Aに示すように、基板 3 8 aを湾曲しながら、基板 3 8 aの一辺側から徐々に基板 2 2に貼り合わせる。これにより、気泡が入ることなく基板 2 2と基板 3 8 aとを貼り合わせることができる。真空中でこの作業を行うことにより、すなわち真空ラミネートを行うことにより、気泡の発生封入を抑制することができる。

なお、基板 2 2と基板 3 8 aとを貼り合わせる際、基板 2 2側を湾曲させると、基板 2 2の表面側に形成された無機絶縁膜 3 4に曲げ応力が集中してクラックが生じる虞がある。したがって、基板 3 8 aを貼り合わせる際には、基板 3 8 aを湾曲しながら貼り合わせることが望ましい。

この後、例えば波長 3 6 5 n mの紫外線を例えば 1 8 j Z c m ²で基板 3 8 a側から照射し、接着剤を硬化させる（図 6 B ) 。

なお、基板 3 8 aを貼り合わせる上記工程は、有機 E L層 2 6の形成から無機絶縁膜 3 4の形成までの一連の成膜工程から連続する真空系で処理することが望ましい。これにより、有機 E L層が大気中の水分や酸素に曝されることなく、且つ基板 2 2と基板 3 8 aとの間に気泡を挟むことなく、 2つの基板を一体の剛体に仕上げることができる。

次いで、基板 3 8 aを貼り合わせた後、ガラス基板 2 0を除去することにより、図 6に示す表示装置を製造することができる。

上記製造方法により製造した表示装置に対して、曲率半径 5 mmの曲げを施し、無機絶縁膜 3 4のクラック発生の有無を調査した。

基板 2 2として膜厚 1 0 0 mのポリカーボネート（ヤング率 1 . 9 G P a ) を、基板 3 8 aとして膜厚 1 0 0 μ πιのポリカーボネート（ヤング率 1 . 9 G P a ) を用いた上記構造では、中立軸から無機絶縁膜 3 4と基板 3 8 a との界面までの距離 yは 0 . Ι μ πιとなり、無機絶縁膜 3 4にクラックは生じなかつた。

このように、本実施形態によれば、有機 E L素子を、剛性が同じである 2つの基板により狭持するので、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけることができる。これにより、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機 E L素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。

また、有機 E L素子の上面に、有機絶縁膜を介さずに、有機 E L層を封止するための無機絶縁膜を形成するので、製造過程や製造後における水分や酸素による有機 E L素子の劣化を抑制することができる。

[第 3実施形態]

本発明の第 3実施形態による表示装置及びその製造方法について図 8及び図 9を用いて説明する。図 8は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図、図 9は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図 3乃至図 7に示す第 1及び第 2実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図 8を用いて説明する。ポリカーボネートよりなる基板 2 2上には、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 4 0が形成されている。無機絶縁膜 4 0上には、 I T Oよりなる陽極側の電極 2 4が形成されている。電極 2 4上には、 a—N P Dよりなる正孔輸送層と A l q ₃よりなる発光層とを有する有機 E L層 2 6が形成されている。有機 E L層 2 6上には、 A 1 — L i よりなる陰極側の電極 3 0が形成されている。これにより、電極 2 4と、有機 E L層 2 6と、電極 3 0とを有する有機 E L素子が構成されている。有機 E L素子が形成された基板 2 2上には、有機 E L層 2 6を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 3 4が形成されている。無機絶縁膜 3 4上には、ポリカーボネートよりなる基板 3 8 a が形成されている。

このように、本実施形態よる表示装置は、基板 2 2と電極 2 4との間に無機絶縁膜 4 0が形成されている他は、第 2実施形態による表示装置と同様である。基板 2 2と電極との間に無機絶縁膜 4 0を形成することにより、基板 2 2側からの外気遮断性を高め、水分や酸素等による有機 E L素子の劣化を抑制することができる。

基板 2 2と電極 2 4との間に無機絶縁膜 4 0を設ける場合にも、無機絶縁膜 3 4上に基板 3 8 aを設けることにより、無機絶縁膜 3 4 , 4 0のクラックを防止でき、有機 E L素子に対する外気パリア膜としての機能を維持しつつ、可撓性の高い構造を実現することができる。

本実施形態による表示装置の構造は、基板 2 2が榭脂フィルムのような有機材料の場合、特に効果的である。

次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図 9を用いて説日月する。まず、厚さ 1 m mのガラス基板 2 0上に、膜厚 1 0 0 μ mのポリカーボネートよりなる基板 2 2を仮着する。次いで、基板 2 2上に、プラズマコーティング法により、基板 2 2上に、例えば膜厚 1 5 0 n mのシリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜 4 0を形成する。シリコン窒化酸化膜の形成の際には、シリコン窒化酸化膜の膜応力緩和と基板温度抑制のため、 1走査あたりの膜厚を 3 0 n mとして 5回走査し、成膜待機時（走査間隔中）に基板を冷却しつつ成膜することが望ましい。これにより、無機絶縁膜 3 8にクラックを生じることなく、且つ基板温度を 7 5 °C以下に抑えてピンホール等の欠陥のない均一な無機絶縁膜 4 0を形成することができ。次いで、無機絶縁膜 4 0上に、例えばスパッタ法により、 I T O膜 4 2を形成する（図 9 A) 。

次いで、フォトリソグラフィー及ぴエッチングにより I T O膜 4 2をパターニングし、無機絶縁膜 4 0上に、 I T O膜 4 2よりなる電極 2 4を形成する（図 9 B ) 。

次いで、例えば図 4 B乃至図 5 A及び図 7 A乃至図 7 Cに示す第 1及び第 2 実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、表示装置を完成する（図 9 C ) 。

なお、有機 E L層 2 6の形成から無機絶縁膜 3 4の形成までの一連の成膜ェ程では、基板を大気開放せずに連続した真空環境下にて成膜を行うことが望ましい。これにより、製造途中において、有機 E L層 2 6が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜 3 4 , 4 0により封止することができ、有機 E L素子の特性劣化を抑制することができる。

また、有機 E L素子の上側及び下側に、有機 E L素子を封止するための無機絶縁膜をそれぞれ形成するので、製造過程や製造後における水分や酸素による有機 E L素子の劣化を抑制することができる。

特に、下側の無機絶縁膜によって基板 2 2側からの外気遮断性を高めることができ、有機 E L素子の特性劣化を更に抑制することができる。

[第 4実施形態]

本発明の第 4実施形態による表示装置について図 1 0を用いて説明する。図 1 0は本実施形態による表示装置の構造を示す平面図である。

本実施形態による表示装置は、単純マトリクス型の表示装置に、第 2実施形態による表示装置の構造を適用したものである。

例えば膜厚 1 0 0 μ mのポリカーボネートよりなる基板 5 0には、有機 E L 素子形成領域 5 2が設けられている。有機 E L素子形成領域 5 2には、複数の有機 E L素子がマトリクス状に配置されている。各有機 E L素子は、例えば図 6に示す第 2実施形態による表示装置における有機 E L素子であり、基板 5 0 上に形成された陽極としての電極 2 4と、電極 2 4上に形成された有機 E L層 2 6と、有機 E L層 2 6上に形成された陰極としての電極 3 0と、有機 E L層

2 6を覆うように形成された無機絶縁膜 3 4とを有している。電極 2 4と電極

3 0とは、互いに直交する方向に延在するストライプ形状を有しており、電極

2 4と電極 3 0との各交差部に、画素を構成する有機 E L素子がそれぞれ形成されている。複数の有機 E L素子が形成された基板 5 0上には、例えば膜厚 1 0 0 μ mのポリカーボネートよりなる基板 5 4が形成されている。

基板 5 0には、行方向に延在する電極（例えば電極 2 4 ) に電気的に接続され、これに所定の駆動電圧を印加する配線を接続するための端子接続領域 5 6 が設けられている。また、基板 5. 0には、列方向に延在する電極（例えば電極

3 0 ) に電気的に接続され、これに所定の駆動電圧を印加する配線を接続するための端子接続領域 5 8が設けられている。端子接続領域 5 6， 5 8には、フレキシプルプリント板などの端子接続配線板 6 0， 6 2を介して、表示駆動回路 6 4が接続されている。

なお、有機 E L素子形成領域の周辺部に端子接続領域 5 6， 5 8を配置する観点からは、基板 5 0の面積よりも基板 5 4の面積を小さくすることが望ましい。

行方向に延在する所定の電極 2 4と、列方向に延在する所定の電極 3 0との間に所定の駆動電圧を印加することにより、電極 2 4と電極 3 0との交差部に位置する有機 E L層 2 6が発光する。表示駆動回路 6 4により、行方向に延在する電極 2 4と列方向に延在する電極 3 0とを適宜選択し、これら電極間に駆動電圧を印加することにより、有機 E L素子形成領域に所望の画像を表示することができる。

本実施形態による表示装置では、基板 5 0， 5 4としてポリカーボネートフイルムを用いている。したがって、可撓性を有する表示装置を構成することができる。また、第 2実施形態による表示装置の構造を適用し、曲げ応力を加えたときの中立軸が無機絶縁層 3 4に近づくように、基板 5 0 , 5 4の材料及ぴ膜厚を適宜選択しているので、無機絶縁層 3 4にクラックが生じるのを効果的に防止することができる。これにより、有機 E L層 2 6の封止を完全にし、有機 E L素子の特性劣化を抑制することができる。

[変形実施形態]

本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、基板としてポリカーボネートゃセロハンを用レ、、無機絶縁膜としてシリコン窒化酸化膜を用いたが、本発明の表示装置に適用しうる基板や無機絶縁膜の材料は、これに限定されるものではない。基板の材料及び膜厚、無機絶縁膜の材料や膜厚は、表示装置に最大限必要とされる曲率半径の値等に応じて適宜選択することができる。

また、上記第 4実施形態では、単純マトリクス型の表示装置について説明したが、各画素部に薄膜トランジスタ（T F T ) 等のスイッチング素子を設け、このスィツチング素子により有機 E L素子に印加する駆動電圧を制御する、ァクティブマトリクス型の表示装置を構成してもよい。

また、上記第 4実施形態では、第 2実施形態による表示装置における有機 E L素子の構造を適用したが、第 1実施形態或いは第 3実施形態による表示装置における有機 E L素子の構造を適用してもよい。

[産業上の利用の可能性]

本発明による表示装置及びその製造方法は、有機 E L素子を用いた表示装置及びその製造方法に関おいて、有機 E L素子の外気遮断性が高く且つ可撓性の高い表示装置の構造及びこのような構造を簡素なプロセスで低廉に実現しうる表示装置の製造方法を実現する。したがって、本発明は、可撓性が高く、薄く軽い表示装置への応用において極めて有用である。その他、折り畳み、巻き取り収納可能な表示装置への応用においても極めて有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 第 1の基板と、

前記第 1の基板上に形成された第 1の電極と、前記第 1の電極上に形成された有機 E L層と、前記有機 E L層上に形成された第 2の電極とを有する有機 E L素子と、

前記有機 E L素子上に形成され、前記有機 E L層を封止する第 1の無機絶縁膜と、

前記第 1の無機絶縁膜上に形成された第 2の基板とを有し、

曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第 1の無機絶縁膜と前記第 2の基板との界面近傍に位置するように、前記第 1の基板及び前記第 2の基板の材料及び厚さが設定されている

ことを特徴とする表示装置。

2 . 第 1の基板と、

前記有機 E L素子上に直に形成され、前記有機 E L層を封止する第 1の無機絶縁膜と、

前記第 1の無機絶縁膜上に形成された第 2の基板と

を有することを特徴とする表示装置。

3 . 請求の範囲第 1項又は第 2項記載の表示装置において、

前記第 1の基板の剛性と前記第 2の基板の剛性とが同じである

ことを特徴とする表示装置。

4 . 請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれか 1項に記載の表示装置において、前記第 1の基板と前記有機 E L素子との間に、前記有機 E L層の下面側を覆うように形成された第 2の無機絶縁膜を更に有する

ことを特徴とする表示装置。

5 . 請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれか 1項に記載の表示装置において、前記第 1の基板及び/又は前記第 2の基板は、樹脂フィルムであることを特徴とする表示装置。

6 . 請求の範囲第 1項乃至第 5項のいずれか 1項に記載の表示装置において、前記第 1の基板は、前記第 2の基板よりも大きい

ことを特徴とする表示装置。

7 . 請求の範囲第 6項記載の表示装置において、

前記第 2の基板が形成された領域外の前記第 1の基板上に、前記第 1の電極及び前記第 2の電極を外部回路に接続する端子領域が設けられている

ことを特徴とする表示装置。

8 . 請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれか 1項に記載の表示装置において、前記第 1の基板側の前記無機絶縁膜の界面から前記第 1の基板の 4 0 %の厚さに相当する前記第 1の基板側の位置から、前記第 2の基板側の前記無機絶縁膜の界面から前記第 2の基板の 4 0 %の厚さに相当する前記第 2の基板側の位置までの間に、前記中立軸が位置している

ことを特徴とする表示装置。

9 . 第 1の基板上に、第 1の電極を形成する工程と、

前記第 1の電極上に、有機 E L層を形成する工程と、

前記有機 E L層上に、第 2の電極を形成する工程と、

前記有機 E L層を封止するように、第 1の無機絶縁膜を形成する工程と、前記第 1の無機絶縁膜上に、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第 1の無機絶縁膜との界面近傍に位置するように材料及び厚さが設定された第 2の基板を形成する工程と

を有することを特徴とする表示装置の製造方法。

1 0 . 請求の範囲第 9項記載の表示装置の製造方法において、

前記第 2の基板を形成する工程では、前記第 1の基板と剛性が同じである前記第 2の基板を形成する

ことを特徴とする表示装置の製造方法。

1 1 . 請求の範囲第 9項又は第 1 0項記載の表示装置の製造方法において、前記第 1の電極を形成する工程の前に、前記有機 E L層の下面側を覆う第 2の無機絶縁膜を形成する工程を更に有する

ことを特徴とする表示装置の製造方法。

1 2 . 請求の範囲第 1 0項又は第 1 2項記載の表示装置の製造方法において、前記有機 E L層を形成する工程から前記第 1の無機絶縁膜を形成する工程は、真空環境において連続して行う

ことを特徴とする表示装置の製造方法。

1 3 . 請求の範囲第 9項乃至第 1 2項のいずれか 1項に記載の表示装置の製造方法において、

前記第 2の基板を形成する工程では、接着剤を塗布した前記第 2の基板を湾曲しながら、前記第 2の基板の一辺側から徐々に前記第 1の基板上に貼り合わせることを特徴とする表示装置の製造方法。

1 4 . 請求の範囲第 1 3項記載の表示装置の製造方法において、

前記第 2の基板を形成する工程は、真空環境にて行う

ことを特徴とする表示装置の製造方法。

1 5 . 請求の範囲第 9項乃至第 1 4項のいずれか 1項に記載の表示装置の製造方法において、

前記第 2の基板は、前記第 1の無機絶縁膜上に直に形成する

ことを特徴とする表示装置の製造方法。