CN107799553B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，能够减少在制造过程期间或者制造之后的使用中缺陷的产生。显示装置包括：基板，该基板包括包含显示区域的第一区域、与第一区域隔开的第二区域、以及在第一区域与第二区域之间并且使第一区域与第二区域彼此连接的弯曲区域，其中，基板绕弯曲轴线弯曲；无机绝缘层，在基板之上，其中，无机绝缘层包括对应于弯曲区域的第一开口或第一凹槽、以及位于显示区域外部以沿着显示区域的至少一部分延伸的第二凹槽或第二开口；以及有机材料层，至少部分地填充第一开口或第一凹槽和第二开口或第二凹槽。

Description

显示装置
相关申请的交叉引证
本申请要求于2016年8月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0110094号的权益，其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
一个或多个实施方式总体上涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够减少缺陷的出现的显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括在基板上方的显示单元。在显示装置中，可通过减小非显示区域来将显示区域制造得更大。
然而，在根据相关技术的显示装置中，当非显示区域减小时，由于在显示装置的制造过程中或在制造之后的使用时的外部冲击，显示区域中可出现缺陷。
发明内容
一个或多个实施方式包括一种能够减少在显示装置的制造过程中或在制造之后的使用时缺陷的出现的显示装置。
额外的方面将部分地在随后的描述中陈述并且部分地从该描述中将显而易见，或者可通过实施所呈现的实施方式而获知。
根据一个或多个实施方式，一种显示装置包括：基板，该基板包括包含显示区域的第一区域、与第一区域隔开的第二区域、以及在第一区域与第二区域之间并且使第一区域和第二区域彼此连接的弯曲区域，其中，基板绕弯曲轴线弯曲；无机绝缘层，在基板之上，其中，无机绝缘层包括对应于弯曲区域的第一开口或第一凹槽、以及位于显示区域外部以沿着显示区域的至少一部分延伸的第二开口或第二凹槽；以及有机材料层，其中，有机材料层至少部分地填充第一开口或第一凹槽，并且至少部分地填充第二开口或第二凹槽。
第二开口或第二凹槽可连接至第一开口或第一凹槽。第二开口或第二凹槽与第一开口或第一凹槽一起可共同环绕显示区域。
无机绝缘层在第一区域的中心部分处的厚度大于无机绝缘层接近第二开口或第二凹槽的厚度。
无机绝缘层可包括多层，并且无机绝缘层在第一区域的中心部分处的层数大于无机绝缘层接近第二开口或第二凹槽的层数。
无机绝缘层在第一区域的中心部分处可包括多层，并且无机绝缘层接近第二开口或第二凹槽可仅具有单层。
第二区域可包括衬垫区域，并且无机绝缘层可包括位于衬垫区域外部的第三开口或第三凹槽。
第三开口或第三凹槽可连接至第一开口或第一凹槽。第三开口或第三凹槽可与第一开口或第一凹槽一起共同环绕衬垫区域。
显示装置可进一步包括在衬垫区域中的衬垫，其中，第三开口或第三凹槽的端部与基板的端部之间的距离可小于衬垫的端部与基板的端部之间的距离。
无机绝缘层在衬垫区域的中心部分处的厚度可大于无机绝缘层接近第三开口或第三凹槽的厚度。
无机绝缘层可包括多层，并且无机绝缘层在衬垫区域的中心部分处的层数可大于无机绝缘层接近第三开口或第三凹槽的层数。
无机绝缘层在衬垫区域的中心部分处可包括多层，并且无机绝缘层接近第三开口或第三凹槽可仅具有单层。
有机材料层可覆盖无机绝缘层的接近第一开口或第一凹槽的上表面和无机绝缘层的接近第二开口或第二凹槽的上表面。
附图说明
从以下结合附图做出的对实施方式的描述中，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易被理解，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性立体图；
图2是图1的显示装置的一部分的示意性截面图；
图3是图1的显示装置的一部分的示意性平面图；
图4是沿着图3的线IV-IV截取的示意性截面图；
图5是沿着图3的线V-V截取的示意性截面图；
图6是沿着图3的线VI-VI截取的示意性截面图；
图7是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图8是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图9是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图10是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图11是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；
图12是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；以及
图13是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图。
具体实施方式
现将详细参考实施方式，实施方式的实例在附图中示出，其中，通篇相同的参考标号指代相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。因此，以下仅通过参考附图描述实施方式来解释本描述的各个方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项的任意和所有组合。诸如“至少一个”的表达在元件列表之前时修饰全部的元件列表而非修饰列出的各个元件。
在下文中，将通过参照附图说明本发明构思的优选实施方式来详细描述本公开。附图中的相似参考标号指代相似元件。
为了方便说明，附图中的部件的尺寸可放大。换言之，因为为了方便说明而任意地示出了附图中的部件的大小和厚度，所以以下实施方式不限于此。因此，各个附图可不按比例绘制。
在以下的实例中，x轴、y轴、以及z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴、以及z轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。所有数值都是近似的，并且可改变。具体材料和组分的所有实例仅被视为是非限制性的和示例性的。而是可使用其他适当的材料和组分。
图1是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性立体图，图2是图1的显示装置的一部分的示意性截面图，以及图3是图1的显示装置的一部分的示意性平面图。图4是沿着图3的线IV-IV截取的示意性截面图，图5是沿着图3的线V-V截取的示意性截面图，以及图6是沿着图3的线VI-VI截取的示意性截面图。图2可被理解为沿着图3的线II-II截取的截面图。在图2至图6中，为了方便描述，显示装置未处于弯曲状态。然而，如图1中所示，根据实施方式的显示装置实际上处于其中基板100在弯曲区域BA处弯曲的状态。这适用于下面将描述的实施方式及其改进实例两者。
如图1至图3中所示，根据实施方式的显示装置中的基板100包括沿着第一方向(+y方向)延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在第一区域1A与第二区域2A之间并且在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上弯曲。此外，如图1中所示，基板100绕在第一方向(+y方向)延伸的弯曲轴线BAX弯曲。基板100可包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，例如，聚合物树脂，诸如，聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、以及醋酸丙酸纤维素(CAP)。基板100可具有多层结构，该多层结构具有包含以上聚合物树脂中的一种的两层以及在这两层之间包含无机材料(诸如，氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅)的阻挡层。
第一区域1A包括显示区域DA。如图2中所示，除了显示区域DA之外，第一区域1A可进一步包括在显示区域DA外部的非显示区域的一部分。第二区域2A也可包括非显示区域。
如图2中所示，除了显示设备300之外，薄膜晶体管(TFT)210可位于显示区域DA中并且电连接至显示设备300。在图2中，有机发光器件作为显示设备300位于显示区域DA中。有机发光器件电连接至TFT 210可被理解为像素电极310电连接至TFT 210。
TFT 210可包括半导体层211、栅电极213、源电极215a、以及漏电极215b，半导体层211包括非晶硅、多晶硅、或者有机半导体材料。为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘，栅极绝缘层120可在半导体层211与栅电极213之间，其中，栅极绝缘层120包括无机材料，诸如，氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。此外，层间绝缘层130可在栅电极213上，并且源电极215a和漏电极215b可在层间绝缘层130上，其中，层间绝缘层130包括无机材料，诸如，氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。包括无机材料的绝缘层可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这将应用于其他实施方式并且其变型将在下面描述。
缓冲层110可在TFT 210与基板100之间。缓冲层110可包括无机材料，诸如，氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。缓冲层110可改善基板100的上表面的平滑度，或者防止或减少杂质从基板100渗入到TFT 210的半导体层211中。另一层(诸如，阻挡层)可进一步布置在基板100与缓冲层110之间或者布置在缓冲层110与TFT 210之间，其中，阻挡层可包括无机材料，诸如，氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。在这种情况下，阻挡层可被认为是缓冲层110的一部分。在图中，为了方便描述，缓冲层110具有单层结构。然而，在本公开的实施方式或其改进实例中，缓冲层110可具有多层结构。
此外，平坦化层140可布置在TFT 210之上。例如，如图2中所示，当有机发光器件在TFT 210之上时，平坦化层140可使覆盖TFT 210的保护层的上部平坦化。平坦化层140可包括例如有机材料，诸如，丙烯醛基、苯并环丁烯(BCB)、以及六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
在图2中，尽管平坦化层140具有单层结构，但平坦化层140可以各种方式修改。例如，平坦化层140可具有多层结构。此外，如图2中所示，平坦化层140可具有在显示区域DA外部的开口，使得平坦化层140的在显示区域DA中的一部分和平坦化层140的在第二区域2A中的一部分可物理上彼此分开。因此，来自外部的杂质可不经由平坦化层140到达显示区域DA。此外，与图2中示出的实例不同，平坦化层140可不存在于第二区域2A的至少一些部分中，即，可从第二区域2A的至少一些部分去除。
在基板100的显示区域DA中，显示设备300可定位在平坦化层140之上。显示设备300可以是有机发光器件，其包括像素电极310、相反电极330、以及在像素电极310与相反电极330之间并且包括发射层的中间层320。如图2中所示，像素电极310可经由形成在平坦化层140中的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个并且因此可电连接至TFT 210。
像素限定层150可在平坦化层140上。像素限定层150包括分别对应于子像素的开口，即，暴露像素电极310的中心部分的至少一开口，以限定像素。另外，在图2中示出的实例中，像素限定层150增大了像素电极310的边缘与像素电极310上方的相反电极330之间的距离，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。像素限定层150可包括有机材料，例如，PI或HMDSO。
有机发光器件的中间层320可包括低分子量有机材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量有机材料时，发射层可包括单层结构或多层结构中的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、以及电子注入层(EIL)，并且有机材料的实例可包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子量有机材料可通过真空沉积方法沉积。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可包括HTL和EML。在此，HTL可包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可包括聚对苯乙炔(PPV)基或聚芴基聚合物材料。以上中间层320可通过丝网印刷法、喷墨印刷法、或激光诱导热成像(LITI)法形成。
然而，中间层320不限于以上实例，并且可具有各种结构。此外，中间层320可包括整体形成在多个像素电极310上的层、或者被图案化以对应于多个像素电极310中的每个的层。
相反电极330布置在显示区域DA上方，并且如图2中所示，可覆盖显示区域DA。即，相反电极330可相对于多个有机发光器件整体形成，以对应于多个像素电极310。
由于有机发光器件可容易被外部湿气或氧气损坏，封装层400可覆盖有机发光器件以保护有机发光器件。封装层400覆盖显示区域DA，并且还可延伸到显示区域DA之外。如图2中所示，封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420、以及第二无机封装层430。
第一无机封装层410覆盖相反电极330，并且可包括氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。如必要的话，诸如覆盖层的其他层可布置在第一无机封装层410与相反电极330之间。由于第一无机封装层410形成为符合其下方的结构，因此第一无机封装层410可具有不平坦的上表面。有机封装层420覆盖第一无机封装层410，并且与第一无机封装层410不同，有机封装层420可具有平坦或平滑的上表面。更详细地，有机封装层420在对应于显示区域DA的部分处可基本上具有平坦或平滑的上表面。有机封装层420可包括选自由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、以及六甲基二硅氧烷构成的组的至少一种材料。第二无机封装层430覆盖有机封装层420，并且可包括氧化硅、氮化硅、和/或氮氧化硅。第二无机封装层430可在显示区域DA外部的其边缘处接触第一无机封装层410，以不将有机封装层420暴露于外部。
如上所述，由于封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420、以及第二无机封装层430，因此即使在上述多层结构中的封装层400中存在裂纹，裂纹可终止在第一无机封装层410与有机封装层420之间或者终止在有机封装层420与第二无机封装层430之间。因此，可防止出现外部湿气或氧气可由此渗入到显示区域DA中的路径，或者可减小其机率。
偏光板520可经由光学透明粘合剂(OCA)510位于封装层400上。偏光板520可减少外部光线的反射。例如，当穿过偏光板520的外部光线被相反电极330的上表面反射并且然后再次穿过偏光板520时，外部光线两次穿过偏光板520并且因此可改变其相位。因此，反射光线的相位与进入偏光板520的外部光线的相位不同并且因此发生相消干涉。因此，可减少外部光线的反射并且可改善能见度。如图2中所示，OCA 510和偏光板520可覆盖平坦化层140的开口。根据一个或多个实施方式的显示装置可不必包括偏光板520，并且如必要的话，偏光板520可省去或者由其他元件替代。例如，偏光板520可省去，并且黑矩阵和滤色器可用于减少外部光线的反射。
此外，缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130可统称为无机绝缘层。如图2中所示，无机绝缘层可包括对应于弯曲区域BA的第一开口OP1。即，缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130可分别包括对应于弯曲区域BA的开口110a、120a、以及130a。第一开口OP1对应于弯曲区域BA可表示第一开口OP1与弯曲区域BA重叠。在此，第一开口OP1的面积可大于弯曲区域BA的面积。为此，在图2中，第一开口OP1的宽度OP1w大于弯曲区域BA的宽度BAw。在此，第一开口OP1的面积可限定为缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130中的相应开口110a、120a、以及130a的面积中的最小面积。因此，在图2中，第一开口OP1的面积由缓冲层110中的开口110a的面积限定。
根据实施方式的显示装置包括填充无机绝缘层中的第一开口OP1的至少一部分的有机材料层160。在图2中，有机材料层160被示出为完全填充第一开口OP1。此外，根据实施方式的显示装置包括在有机材料层160之上的第一导电层215c，其中，第一导电层215c通过弯曲区域BA从第一区域1A延伸至第二区域2A。第一导电层215c可定位在其中不存在有机材料层160的无机绝缘层(诸如，层间绝缘层130)之上。第一导电层215c可通过使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。
如上所述，在图2中显示装置未处于弯曲状态。然而，根据实施方式的显示装置实际上处于如图1中所示的其中基板100在弯曲区域BA处弯曲的状态。为此，显示装置制造成使得如图2中所示的基板100在制造过程期间处于几乎平坦的状态，并且然后，基板100在弯曲区域BA处弯曲使得显示装置可具有如图1中所示的形状。在此，在基板100在弯曲区域BA处弯曲期间，拉伸应力可施加于第一导电层215c。然而，在根据实施方式的显示装置中，可防止或减少在弯曲过程期间在第一导电层215c中出现缺陷。
如果无机绝缘层(诸如，缓冲层110、栅极绝缘层120、和/或层间绝缘层130)不具有对应于弯曲区域BA的开口，而是从第一区域1A连续延伸至第二区域2A，并且如果第一导电层215c在无机绝缘层上，则在基板100的弯曲期间大的拉伸应力施加于第一导电层215c。具体地，由于无机绝缘层具有比有机材料层160的硬度大的硬度，则在弯曲区域BA中的无机绝缘层中可能形成裂纹，并且当在无机绝缘层中出现裂纹时，在无机绝缘层上的第一导电层215c中也可出现裂纹，并且因此在第一导电层215c中产生缺陷(诸如，断开)的可能性极大地增加。
然而，在根据实施方式的显示装置中，如上所述，无机绝缘层包括对应于弯曲区域BA的第一开口OP1。此外，第一导电层215c的对应于弯曲区域BA的一部分位于至少部分地填充第一开口OP1的有机材料层160上。由于无机绝缘层包括对应于弯曲区域BA的第一开口OP1，因此在无机绝缘层中出现裂纹的可能性极大地减小，并且由于有机材料的特性，有机材料层160更不可能产生裂纹。因此，可防止或者减少第一导电层215c的在有机材料层160上的该部分中产生裂纹，其中，第一导电层215c的该部分对应于弯曲区域BA。由于有机材料层160具有比无机材料层的硬度低的硬度，则有机材料层160可吸收由于基板100的弯曲而产生的拉伸应力，以减小第一导电层215c中的拉伸应力的集中。
此外，有机材料层160在其上表面的至少一部分中可具有不规则表面。因此，有机材料层160上的第一导电层215c也可具有对应于有机材料层160的不规则表面的不规则形状。在这种情况下，第一导电层215c的表面积增大，并且因此，即使当由于基板100的弯曲在第一导电层215c中产生应力时，应力可极大地减小。
尽管在图2中无机绝缘层包括第一开口OP1，但无机绝缘层不限于此。例如，代替第一开口OP1，无机绝缘层可包括第一凹槽。即，与参考图2示出的实例不同，缓冲层110可不包括开口110a，而是可经由弯曲区域BA从第一区域1A延伸至第二区域2A，并且仅是栅极绝缘层120和层间绝缘层130可分别具有开口120a和130a。在这种情况下，包含无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130可统称为无机绝缘层，并且无机绝缘层可被理解为具有对应于弯曲区域BA的第一凹槽。此外，有机材料层160可至少部分地填充第一凹槽。
在上述情况下，由于无机绝缘层包括对应于弯曲区域BA的第一凹槽，因此无机绝缘层的厚度在弯曲区域BA中减小，并且因此，基板100可更容易弯曲。此外，由于有机材料层160在弯曲区域BA中并且第一导电层215c位于有机材料层160上，因此可有效防止由于弯曲过程对第一导电层215c的损坏。为了方便描述，在以上实施方式以及下面将描述的其他实施方式或者其改进实例中描述了其中无机绝缘层包括第一开口OP1的实例，但是如上所述，无机绝缘层可包括第一凹槽。
除了第一导电层215c之外，根据实施方式的显示装置可包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b位于第一区域1A或第二区域2A中以处于与第一导电层215c的层级不同的层级，并且可电连接至第一导电层215c。在图2中，第二导电层213a和213b处于与TFT 210的栅电极213相同的层上，即，在栅极绝缘层120上，并且因此由与栅电极213的材料相同的材料形成。此外，第一导电层215c经由层间绝缘层130中的接触孔接触第二导电层213a和213b。此外，第二导电层213a在第一区域1A中，并且第二导电层213b在第二区域2A中。
第一区域1A中的第二导电层213a可电连接至显示区域DA中的TFT 210，并且因此第一导电层215c可经由第二导电层213a电连接至显示区域DA中的TFT 210。第二区域2A中的第二导电层213b也可经由第一导电层215c电连接至显示区域DA的TFT 210。因此，在显示区域DA外部的第二导电层213a和213b可电连接至显示区域DA中的元件，或者可朝向显示区域DA延伸使得第二导电层213a和213b的至少一些部分可位于显示区域DA中。
如上所述，尽管为了方便描述图2示出了其中显示装置不弯曲的状态，但根据实施方式的显示装置实际上处于其中基板100在弯曲区域BA处弯曲的状态，如图1中所示。为此，显示装置制造成使得，如图2中所示，在制造过程期间基板100是平坦的。随后，基板100在弯曲区域BA处弯曲使得显示装置可具有如图1中示出的形状。在此，虽然基板100在弯曲区域BA处弯曲，但拉伸应力可施加于弯曲区域BA中的元件。
因此，穿过弯曲区域BA的第一导电层215c包括具有高延伸率的材料，使得可防止诸如第一导电层215c中的裂纹或第一导电层215c的断开的缺陷。此外，第二导电层213a和213b包括具有比第一导电层215c的延伸率低的延伸率、以及与第一导电层215c的电/物理特性不同的电/物理特性的材料。因此，在显示装置中传递电信号的效率可提高，或者在显示装置的制造过程期间的缺陷率可减小。
例如，第二导电层213a和213b可包括钼，并且第一导电层215c可包括铝。如果期望的话，第一导电层215c以及第二导电层213a和213b可具有多层结构。例如，第一导电层215c可具有多层结构(诸如，钛层/铝层/钛层配置)，并且第二导电层213a和213b可各自具有多层结构(诸如，钼层/钛层配置)。然而，一个或多个实施方式不限于此。即，第一导电层215c可延伸至显示区域DA以直接电连接至TFT 210的源电极215a、漏电极215b、或栅电极213。
此外，如图2中所示，有机材料层160可覆盖无机绝缘层的第一开口OP1的内表面。如上所述，由于第一导电层215c可包括与源电极215a和漏电极215b相同的材料，并且可与源电极215a和漏电极215b同时形成，因此导电层可遍及基板100的整个表面形成在层间绝缘层130上并且可被图案化以形成源电极215a、漏电极215b、以及第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖缓冲层110中的开口110a、栅极绝缘层120中的开口120a、或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面，则在导电层的图案化过程中，导电层的导电材料可不从缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面、或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面去除，而是可留在上面。在这种情况下，剩下的导电材料可引起不同导电层之间的短路。因此，当有机材料层160形成时，有机材料层160可覆盖无机绝缘层中的第一开口OP1的内侧表面。例如，有机材料层160还可覆盖无机绝缘层的围绕第一开口OP1的上表面。
在图2中，有机材料层160被示出为具有恒定厚度，但有机材料层160还可具有根据其中的位置变化的厚度。例如，有机材料层160的上表面可具有曲面，该曲面具有围绕缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面、以及层间绝缘层130中的开口130a的内表面的缓慢倾斜。因此，当通过图案化有机材料层160上的导电层来形成源电极215a、漏电极215b、以及第一导电层215c时，可防止导电材料留在开口110a、120a、以及130a的边缘周围的有机材料层160上。如果有机材料层160具有恒定的薄厚度使得有机材料层160形成为符合下方的结构，则导电材料残留物可留在开口110a、120a、以及130a的边缘周围的有机材料层160上，并且这些导电材料残留物可引起诸如电短路的问题。
此外，弯曲保护层(BPL)600可位于显示区域DA外部。即，至少对应于弯曲区域BA，BPL 600可位于第一导电层215c上方。
当堆叠结构弯曲时，在堆叠结构中存在应力中性面。如果不存在BPL 600，则当基板100弯曲时，由于第一导电层215c的位置可不对应于应力中性面，因此过大的拉伸应力可施加于弯曲区域BA中的第一导电层215c。然而，通过形成BPL 600并调整BPL 600的厚度和模量，可调整包括基板100、第一导电层215c、以及BPL 600的结构中的应力中性面的位置。因此，可经由BPL 600调整应力中性面以围绕第一导电层215c或在第一导电层215c上方，并且因此，施加于第一导电层215c的拉伸应力可减小，或者压缩应力可施加于第一导电层215c。BPL 600可包括丙烯醛基。当压缩应力施加于第一导电层215c时，由于压缩应力导致的损坏第一导电层215c的可能性比其中拉伸应力施加于第一导电层215c的情况的可能性小得多。
在图2中，BPL 600在朝向基板100的边缘的方向(+x方向)上的端部表面与基板100的端部表面不重合，而是位于基板100的范围内。即，BPL 600的外部边缘位于基板100的外部边缘内。然而，一个或多个实施方式不限于此，即，BPL 600在朝向基板100的边缘的方向(+x方向)上的端部表面可对应于基板100的端部表面(BPL 600的一个边缘可延伸得非常接近基板100的对应边缘或与基板100的对应边缘齐平)。具体地，如图6中所示，图6是沿着图3的线VI-VI截取的示意性截面图，BPL 600存在于无机绝缘层中的第一开口OP1之上，并且BPL 600(在+y方向或-y方向上)的侧端部表面可与基板100的侧端部表面重合。即，基板100的垂直于弯曲轴线BAX(参见图1)的边缘可与BPL 600的对应边缘重合。
多个显示单元形成在母基板上并且然后对母基板进行切割以同时制造多个显示装置。当BPL 600在母基板的切割过程之前形成在母基板上时，当对母基板进行切割时，BPL600可至少部分地与母基板一起切割。因此，在切割母基板之后制造的显示装置中，基板100的几乎垂直于弯曲轴线BAX(参见图1)的边缘的侧端部表面可与BPL 600的对应侧端部表面重合。切割可通过将激光束照射到母基板上而执行。此外，图3示出了线VI-VI在第一开口OP1内且在弯曲区域BA外，并且因此，弯曲区域BA中的显示装置的边缘可具有与图6的相同或类似的截面。
尽管在图6中，平坦化层140被示出为布置在BPL 600与第一导电层215c之间，但平坦化层140不限于此。例如，平坦化层140可不沉积在第一开口OP1中。
此外，在图2中，BPL 600在朝向显示区域DA(-x方向)的方向上的上表面对应于偏光板520(在+z方向上)的上表面，但不限于此。例如，BPL 600在朝向显示区域DA(-x方向)的方向上的端部可部分地覆盖偏光板520的边缘处的上表面。可替代地，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的端部可不接触偏光板520和/或OCA 510。在后一情况下，在形成BPL 600期间或之后，从BPL 600产生的气体不太能进入显示区域DA(-x方向)并且因此可防止显示设备300的劣化。
如图2中所示，如果BPL 600在朝向显示区域DA(-x方向)的方向上的上表面与偏光板520在+z方向上的上表面重合，如果BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部部分地覆盖偏光板520的端部处的上表面，或者如果BPL 600在显示区域DA方向(-x方向)上的端部接触OCA 510，则BPL 600的对应于显示区域DA(-x方向)的厚度可大于BPL 600的其他部分的厚度。由于液相材料或浆料型材料可施加并硬化以形成BPL 600，因此在硬化过程期间可减少BPL 600的量。在此，如果BPL 600的对应于显示区域DA(-x方向)的部分与偏光板520和/或OCA 510接触，则BPL 600的该部分固定在该位置，并且因此，在BPL 600的剩余部分中出现量减少。因此，BPL 600的对应于显示区域DA(-x方向)的厚度可大于BPL 600的其他部分的厚度。
此外，如图3中所示，在根据实施方式的显示装置中，除了第一开口OP1之外，无机绝缘层进一步包括第二开口OP2。第二开口OP2位于显示区域DA外部，并且沿着显示区域DA的至少一部分延伸。如上所述，由于无机绝缘层被理解为包括缓冲层110、栅极绝缘层120、和/或层间绝缘层130，因此如图4中所示，第二开口OP2可由缓冲层110中的开口限定。
在显示装置的制造过程期间或在制造之后显示装置的使用中，外部冲击可施加于显示装置。当施加外部冲击时，在无机绝缘层中(诸如，在缓冲层110、栅极绝缘层120、和/或层间绝缘层130中)可出现裂纹，并且这些裂纹在无机绝缘层中可扩张。因此，如果裂纹延伸至显示区域DA，其可扩展至TFT 210或各种缝隙并且可引起诸如显示装置的故障的缺陷。
然而，在根据实施方式的显示装置中，无机绝缘层包括位于显示区域DA外部并且沿着显示区域DA的至少一部分延伸的第二开口OP2。因此，即使由于外部冲击在缓冲层110的外部部分可出现裂纹，但通过第二开口OP2可有效防止裂纹朝向显示区域DA的延伸。
具体地，如图3中所示，无机绝缘层中的第二开口OP2可连接至第一开口OP1，并且此外，第二开口OP2可围绕(即，环绕)显示区域DA的周向延伸以与第一开口OP1一起包围显示区域DA。在此，第二开口OP2连接至第一开口OP1并且从第一开口OP1延伸。如图3中所示，第二开口OP2和第一开口OP1的共同形状可环绕显示区域DA的周向，并且因此，可防止由于外部冲击而在显示装置的外部处产生的裂纹朝向显示区域DA延伸。
尽管图4示出了无机绝缘层包括第二开口OP2，但一个或多个实施方式不限于此。例如，代替第二开口OP2，无机绝缘层可包括第二凹槽。即，例如，与图4中示出的形状不同，缓冲层110可不完全去除，而是可仅部分地去除缓冲层110的上部。在这种情况下，无机绝缘层可被理解为具有第二凹槽。具体地，在如上所述的其中缓冲层110具有包括阻挡层的多层结构的情况下，可去除缓冲层110中的多个层中的上层并且保留下层，或者去除上层和下层的一部分并且下层的下部可不去除。在这种情况下，无机绝缘层可被理解为具有第二凹槽。这可施加于下面将描述的实施方式或其改进实例。在下文中，下面将描述其中无机绝缘层包括第二开口的情况。
如上所述，由于有机材料层160覆盖无机绝缘层中的第一开口OP1，因此有机材料层160还可覆盖无机绝缘层中的第二开口OP2。另外如上所述，导电层在基板100的整个表面上方形成在层间绝缘层130上并且被图案化以形成源电极215a、漏电极215b、以及第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖无机绝缘层中的第二开口OP2，则在图案化导电层的过程中，导电层的导电材料可不从缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面、或者层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面去除，而是可留在上面。在这种情况下，该剩下的导电材料可引起不同导电层之间的短路。因此，当有机材料层160形成时，有机材料层160可覆盖无机绝缘层中的第二开口OP2的内侧表面。例如，有机材料层160还可覆盖无机绝缘层的围绕第二开口OP2的上表面。
此外，图4示出了无机绝缘层可具有根据位置变化的厚度。即，无机绝缘层在第一区域1A的中心部分处包括缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130的厚度，而无机绝缘层在第二开口OP2外部仅包括缓冲层110的厚度。因此，无机绝缘层在第一区域1A的中心部分处的厚度大于无机绝缘层在第二开口OP2外部的厚度。这可被理解为，无机绝缘层具有多层结构并且无机绝缘层在第一区域1A的中心部分处的层数大于在第二开口OP2外部的层数。在图4中示出的实例中，无机绝缘层紧挨着第二开口OP2外部具有仅包括缓冲层110的单层结构。
多个显示单元形成在母基板上并且然后对母基板进行切割以同时制造多个显示装置。当切割母基板时，也对母基板上方的无机绝缘层进行切割，并且在对无机绝缘层进行切割时可在无机绝缘层中出现裂纹。尽管裂纹最初可较小，但由于在显示装置的制造过程期间或者在制造之后显示装置的使用期间的外部冲击，这些裂纹可变得更大，并且这产生缺陷。因此，当切割母基板时，希望防止裂纹的出现或减少裂纹。
在根据实施方式的显示装置中，无机绝缘层可以是薄的，可具有单层结构，或者如上所述，在第二开口OP2外部可具有较少的层，并且因此，在无机绝缘层中可不出现裂纹，或者当切割母基板时裂纹的尺寸可减小。具体地，由于无机绝缘层的厚度减小，在无机绝缘层的切割期间产生裂纹的可能性降低。
为了获得相同/类似的效果，图2中示出的无机绝缘层还可具有与本实施方式的结构类似的结构。更详细地，无机绝缘层在第一区域1A、第二区域2A中可具有三层结构，无机绝缘层在基板100的边缘周围可仅包括缓冲层110，而无机绝缘层在第一开口OP1周围具有三层结构。在此，在第二区域2A中，无机绝缘层在靠近衬垫215d(参见图3)的至少一部分中具有三层结构，并且无机绝缘层在基板100的边缘周围可仅具有缓冲层110。
在形成TFT 210的过程期间，为了使源电极215a或漏电极215b接触半导体层211，接触孔可形成在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中。如图4中所示，去除栅极绝缘层120和层间绝缘层130的一部分以形成第二开口OP2，或者可在形成接触孔的同时执行去除栅极绝缘层120和层间绝缘层130的在第二开口OP2外部的部分。
如图2中所示，可在形成接触孔的同时执行去除栅极绝缘层120和层间绝缘层130的一部分以形成第一开口OP1。因此，在图2中，栅极绝缘层120中的开口120a的内表面和层间绝缘层130中的开口130a的内表面在第一开口OP1中配置连续表面。缓冲层110可通过使用干蚀刻方法部分地去除以便在形成栅极绝缘层120和层间绝缘层130之前形成开口110a或第二开口OP2。
此外，如图3中所示，除了第一开口OP1和第二开口OP2之外，显示装置的无机绝缘层可包括第三开口OP3。详细地，第二区域2A可包括衬垫区域PA，并且无机绝缘层可包括位于衬垫区域PA外部的第三开口OP3。如上所述，无机绝缘层可被理解为包括缓冲层110、栅极绝缘层120、和/或层间绝缘层130，并且因此，如图5中所示，第三开口OP3可由缓冲层110中的开口限定。
在显示装置的制造过程期间或者在制造之后的使用中，各种外部冲击可施加于显示装置。当施加外部冲击时，在缓冲层110、栅极绝缘层120、和/或层间绝缘层130中可出现裂纹，并且这些裂纹可沿着无机材料层扩张。因此，如果裂纹延伸至衬垫区域PA，并且具体地，延伸至衬垫区域PA中的各种衬垫215d，可出现诸如显示装置的故障的缺陷。在图3中，衬垫215d被示意性地示出，并且衬垫215d可经由未示出的线路(例如，第一导电层215c(参见图2))电连接至显示区域DA的TFT 210。
然而，根据实施方式的显示装置，无机绝缘层包括位于衬垫区域PA外部并且沿着基板100的边缘的至少一部分(即，衬垫区域PA的至少一部分)延伸的第三开口OP3。因此，即使由于外部冲击而在位于显示装置外部处的缓冲层110中出现裂纹，通过第三开口OP3可防止裂纹朝向衬垫区域PA的延伸。具体地，如图3中所示，第三开口OP3连接至无机绝缘层中的第一开口OP1，以保护衬垫区域PA。
此外，如图3中所示，第三开口OP3在朝向基板100的边缘的方向(+x方向)上的端部与基板100的边缘之间的距离d1可小于衬垫215d在朝向基板100的边缘的方向(+x方向)上的端部与基板100的边缘之间的距离d2。通过以上配置，通过第三开口OP3可充分保护衬垫215d。
尽管在图5中，无机绝缘层被示出为具有第三开口OP3，但无机绝缘层不限于此。例如，无机绝缘层可包括第三凹槽，而不是第三开口OP3。例如，与图5中所示的形状不同，缓冲层110的部分可不完全去除，而是可部分地去除缓冲层110的上部。在这种情况下，无机绝缘层可被理解为具有第三凹槽。这将应用于随后将描述的实施方式或其改进实例。在下文中，为了方便描述，将描述其中无机绝缘层具有第三开口OP3的情况。
如上所述，由于有机材料层160覆盖无机绝缘层的第一开口OP1和第二开口OP2，因此有机材料层160还可覆盖无机绝缘层中的第三开口OP3。如上所述，导电层在基板100的整个表面上方形成在层间绝缘层130上并且被图案化以形成源电极215a、漏电极215b、以及第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖无机绝缘层中的第三开口OP3，则在图案化导电层期间，导电层的导电材料可不从缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面、或者层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面去除，而是可留在上面。在这种情况下，剩下的导电材料可引起不同导电层之间的短路。因此，当有机材料层160形成时，有机材料层160可覆盖无机绝缘层中的第三开口OP3的内侧表面。有机材料层160还可覆盖无机绝缘层的围绕第三开口OP3的上表面。
此外，在图5中，无机绝缘层被示出为具有可变的厚度。即，无机绝缘层在衬垫区域PA的中心部分处包括缓冲层110、栅极绝缘层120、以及层间绝缘层130，但无机绝缘层在第三开口OP3附近仅包括缓冲层110，使得无机绝缘层在衬垫区域PA的中心部分处的厚度大于在第三开口OP3附近的厚度。换言之，无机绝缘层包括多层结构，其中无机绝缘层在衬垫区域PA的中心部分处的层数大于无机绝缘层在第三开口OP3处或在第三开口OP3附近的层数。在图5中示出的实例中，无机绝缘层在第三开口OP3处和在第三开口OP3附近具有仅包括缓冲层110的单层结构。
根据实施方式的显示装置包括以上结构，并且因此，当切割母基板时，在无机绝缘层中可不出现裂纹，或者裂纹的尺寸可减小。由于无机绝缘层的厚度减小，在切割无机绝缘层时产生裂纹的可能性可降低。
当TFT 210形成时，为了使源电极215a或漏电极215b接触半导体层211，接触孔形成在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中。如图5中所示，去除栅极绝缘层120和层间绝缘层130的一部分以形成第三开口OP3，或者可在形成接触孔的同时执行去除栅极绝缘层120和层间绝缘层130的在第三开口OP3外部的部分。此外，在形成栅极绝缘层120和层间绝缘层130之前，可通过使用干蚀刻方法执行去除缓冲层110的一部分以形成第三开口OP3。
图7是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图。如图7中所示，第三开口OP3连接至无机绝缘层中的第一开口OP1，并且此外，第三开口OP3可围绕(即，环绕)衬垫区域PA延伸。即，第三开口OP3和第一开口OP1彼此连接并且共同环绕衬垫区域PA。如图7中所示，第三开口OP3和第一开口OP1的共同形状可环绕衬垫区域PA的周向，并且因此，由于外部冲击而在显示装置的外部处产生的裂纹可不朝向显示区域DA继续下去。
尽管在图3中，第二开口OP2沿着显示区域DA连续环绕显示区域DA的外部，但一个或多个实施方式不限于此。例如，如图8中所示，图8是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图，第二开口OP2在一些区段中可以是不连续的。在这种情况下，如图8中所示，相对于第二开口OP2的不连续部分，显示装置可进一步包括对应于不连续部分且与第二开口OP2分开的附加开口OP2'。因此，即使当裂纹通过第二开口OP2中的间隙朝向显示区域DA扩张时，通过附加开口OP2'可有效防止裂纹朝向显示区域DA的进一步延伸。
此外，如图9中所示，图9是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图，第二开口OP2可以锯齿形(zig-zag)方式或非线性方式延伸。具体地，在平面图中，第二开口OP2可以锯齿形延伸且没有形成尖锐部分。如果无机绝缘层具有尖锐部分，在尖锐部分中可能出现裂纹。与图9的实例不同，第三开口OP3也可具有锯齿形形状。
此外，如上所述，显示装置包括封装层400(参见图2)，并且封装层400在其最下面的部分处包括第一无机封装层410。第一无机封装层410包括氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅，并且因此，相对于有机材料层160具有低结合力。因此，封装层400可配置成不接触有机材料层160。即，封装层400可被配置为覆盖显示区域DA而非延伸至无机绝缘层的第一开口OP1、第二开口OP2、和/或第三开口OP3，使得封装层400可不接触填充第一开口OP1、第二开口OP2和/或第三开口OP3的有机材料层160。
以上描述了在弯曲之前具有矩形平面形状的显示装置，但一个或多个实施方式不限于此。即，尽管在图3至图7和图9中，遍及第一区域1A、弯曲区域BA、以及第二区域2A在y轴方向上基板100具有恒定宽度，但基板100不限于此。例如，如图10中所示，图10是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图，在第一区域1A中在y轴方向上基板100可具有改变的宽度。在这种情况下，如图10中所示，基板100在第一区域1A中的较窄部分处的宽度可等于基板100在弯曲区域BA或第二区域2A中的宽度。
多个显示单元形成在母基板上并且然后对母基板进行切割以同时制造多个显示装置。在这种情况下，执行主切割使得显示装置中的每个具有矩形形状，并且然后，在遍及第一区域1A、弯曲区域BA、以及第二区域2A的一部分执行副切割以制造如图10所示的显示装置。具体地，通过副切割，BPL 600(在+y方向或-y方向上)的侧端部表面可对应于如图6中所示的基板100的侧端部表面。最后，基板100在弯曲区域BA处弯曲。
如图11中所示，在其中除了第一开口OP1和第二开口OP2之外无机绝缘层包括第三开口OP3的情况下，基板100可具有在第一区域1A中在y轴方向上变化的宽度。在此，如图11中所示，在第一区域1A中，基板100的较窄宽度可等于基板100在弯曲区域BA或第二区域2A中的宽度。此外，如图12和图13中所示，在其中无机绝缘层包括非连续第二开口OP2和对应于非连续部分的附加开口OP2'的情况下，或者在其中无机绝缘层中的第二开口OP2具有锯齿形形状的情况下，基板100可具有在第一区域1A中在y轴方向上变化的宽度。
根据一个或多个实施方式，可减少在制造过程期间或者在制造之后的使用中在显示装置中产生的缺陷。然而，本公开的范围不限于以上效果。
应当理解，本文中描述的实施方式应仅以描述的意义来考虑，而不是为了限制的目的。对每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似的特征或方面。
尽管已参照附图描述了一个或多个实施方式，然而，本领域的普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，在此可对形式和细节做出各种改变。以上描述的各种特征和其他实施方式能以任何方式组合和匹配，以得到与本发明相符的另外的实施方式。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括包含显示区域的第一区域、与所述第一区域隔开的第二区域、以及在所述第一区域与所述第二区域之间并且使所述第一区域和所述第二区域彼此连接的弯曲区域，其中，所述基板绕弯曲轴线弯曲；
无机绝缘层，在所述基板之上，其中，所述无机绝缘层包括与所述弯曲区域重叠的第一开口或第一凹槽、以及位于所述显示区域外部以沿着所述显示区域的一部分离开所述弯曲区域延伸的第二开口或第二凹槽；以及
有机材料层，其中，所述有机材料层至少部分地填充所述第一开口或所述第一凹槽，并且至少部分地填充所述第二开口或所述第二凹槽，
其中，所述第一开口或所述第一凹槽的面积大于所述弯曲区域的面积，并且所述第二开口或所述第二凹槽与所述第一开口或所述第一凹槽一起共同环绕所述显示区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二开口或所述第二凹槽连接至所述第一开口或所述第一凹槽。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二开口或所述第二凹槽与所述第一开口或所述第一凹槽一起连续环绕所述显示区域。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层在所述第一区域的中心部分处的厚度大于所述无机绝缘层紧挨着所述第二开口或所述第二凹槽外部的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层包括多层，并且所述无机绝缘层在所述第一区域的中心部分处的层数大于所述无机绝缘层紧挨着所述第二开口或所述第二凹槽外部的层数。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层在所述第一区域的中心部分处包括多层，并且所述无机绝缘层紧挨着所述第二开口或所述第二凹槽外部仅具有单层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二区域包括衬垫区域，并且所述无机绝缘层包括位于所述衬垫区域外部的第三开口或第三凹槽。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第三开口或所述第三凹槽连接至所述第一开口或所述第一凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第三开口或所述第三凹槽与所述第一开口或所述第一凹槽一起共同环绕所述衬垫区域。
10.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括在所述衬垫区域中的衬垫，
其中，所述第三开口或所述第三凹槽的端部与所述基板的端部之间的距离小于所述衬垫的端部与所述基板的端部之间的距离。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层在所述衬垫区域的中心部分处的厚度大于所述无机绝缘层紧挨着所述第三开口或所述第三凹槽外部的厚度。
12.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层包括多层，并且所述无机绝缘层在所述衬垫区域的中心部分处的层数大于所述无机绝缘层紧挨着所述第三开口或所述第三凹槽外部的层数。
13.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层在所述衬垫区域的中心部分处包括多层，并且所述无机绝缘层紧挨着所述第三开口或所述第三凹槽外部仅具有单层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机材料层覆盖所述无机绝缘层的接近所述第一开口或所述第一凹槽的上表面和所述无机绝缘层的接近所述第二开口或所述第二凹槽的上表面。
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