CN107768403B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备，所述显示设备可以使制造工艺期间的诸如短路的缺陷的发生最小化。所述显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，并在弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；有机材料层，位于基底上以对应于弯曲区域，并包括在与弯曲轴交叉的方向上延伸的第二开口或第二凹槽；以及第一导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域并位于有机材料层上。

Description

显示设备
该申请要求于2016年8月18日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0104984号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种可以使制造工艺期间的诸如短路的缺陷的发生减到最少的弯曲显示设备。
背景技术
通常，显示设备包括位于基底上的显示单元。通过使显示设备的至少一部分弯曲可以改善各种角度的可视性或者可以减小非显示区域的面积。
然而，传统的弯曲显示设备具有在制造工艺期间会发生缺陷的问题。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例包括可以使制造工艺期间的诸如短路的缺陷的发生最小化的显示设备。
另外的方面将在接下来的描述中被部分地阐明，并且部分地，通过描述将清楚，或者可以通过提出的实施例的实践而了解。
根据一个或多更个实施例，显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域并在弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；有机材料层，位于基底上以对应于弯曲区域，并包括在与弯曲轴交叉的方向上延伸的第二开口或第二凹槽；以及第一导电层，从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域，并位于有机材料层上。
显示设备还可以包括位于基底上并包括与弯曲区域对应的第一开口或第一凹槽的无机绝缘层，其中，有机材料层填充第一开口或第一凹槽的至少一部分。在这种情况下，第一开口或第一凹槽可以与弯曲区域叠置。此外，第一开口或第一凹槽的面积可以大于弯曲区域的面积。
显示设备还可以包括电连接到第一导电层并位于第一区域或第二区域中的第二导电层，第二导电层位于与第一导电层所在的层不同的层上。在这种情况下，第一导电层的伸长率可以大于第二导电层的伸长率。
第二开口或第二凹槽可以在与第一导电层延伸的方向平行的方向上延伸。详细地，第一导电层可以以曲折形状从第一区域通过弯曲区域延伸到第二区域，第二开口或第二凹槽可以在与第一导电层延伸的方向平行的方向上延伸。
显示设备还可以包括位于第二开口或第二凹槽中并与第一导电层分隔开的附加导电层。
附加导电层可以包括与第一导电层中包括的材料相同的材料。详细地，第一导电层可以具有包括多层的结构，附加导电层可以包括与第一导电层的多层中的至少一层中包括的材料相同的材料。此外，第一导电层可以具有包括多层的结构，附加导电层可以包括与第一导电层的多层中的最下层中包括的材料相同的材料。
有机材料层还可以包括沿着弯曲轴延伸的第三开口或第三凹槽。
第二开口或第二凹槽可以不与第一导电层叠置。
可以设置多个第一导电层，第二开口或第二凹槽可以置于所述多个第一导电层之间。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示设备的一部分的透视图；
图2是示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
图3是示出图1的显示设备的一部分的平面图；
图4至图6是根据比较例的用于解释制造显示设备的工艺的剖视图；
图7是示出通过使用图4至图6的工艺来制造的显示设备的一部分的平面图；
图8至图10是用于解释制造图1的显示设备的工艺的剖视图；
图11是示出通过使用图8至图10的工艺来制造的显示设备的一部分的平面图；
图12是示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图；
图13是示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图；
图14是示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图；以及
图15是示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的剖视图。
具体实施方式
本公开描述了各种实施例和修改例，本公开的实施例将在附图中示出并将在本文中进行详细描述。通过下面结合附图对实施例的描述，本公开的效果和特征及其附随的方法将变得明显。然而，本公开不限于下面所描述的实施例，而是可以以各种方式实施。
在下文中，将通过参照附图解释实施例来详细描述本公开。同样的元件在附图中由同样的附图标记表示，因此将不给出其重复说明。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或者板的组件被称作“在”另一个组件“上”时，该组件可以直接在所述另一个组件上，或者可以在该组件上存在中间组件。为了便于解释，可以夸大图中的组件的尺寸。换句话说，由于图中的组件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地示出，所以以下实施例不限于所示出的尺寸和厚度。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而是可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同的方向。
如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件(要素)之后时修饰整列的元件(要素)，而不是修饰这列中的个别元件(要素)。
图1是示出根据实施例的显示设备的一部分的透视图。图2是示出图1的显示设备的一部分的剖视图。图3是示出图1的显示设备的一部分的平面图。
如图1至图3中所示，根据本实施例的显示设备的基底100包括在第一方向(例如，+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向交叉的第二方向(例如，+x方向)上位于第一区域1A与第二区域2A之间。如图1中所示，基底100关于在第一方向(例如，+y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲。基底100可以包括各种柔性的或者可弯曲的材料中的任何一种。例如，基底100可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或者醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
第一区域1A包括显示区域DA。如图2中所示，第一区域1A不仅可以包括显示区域DA，而且可以包括显示区域DA外侧的非显示区域的一部分。第二区域2A还包括非显示区域的另一部分。
参照图2，显示装置300和显示装置300所电连接到的薄膜晶体管(TFT)210可以位于基底100的显示区域DA中。在一个实施例中，显示装置300可以是有机发光装置。在这种情况下，显示装置300的像素电极310电连接到TFT 210。
TFT 210可以包括栅电极213、源电极215a、漏电极215b以及包含非晶硅、多晶硅和/或有机半导体材料的半导体层211。包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘膜120可以位于半导体层211与栅电极213之间以使半导体层211与栅电极213绝缘。另外，包含诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘膜130可以位于栅电极213上，源电极215a和漏电极215b可以位于层间绝缘膜130上。包括无机材料的栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130可以通过化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)来形成。这也适用于以下实施例及其修改例。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以位于TFT210与基底100之间。缓冲层110可以改善基底100的顶表面的平坦度，或者可以防止杂质从基底100等渗透到TFT 210的半导体层211中，或者可以使杂质从基底100等到TFT 210的半导体层211的渗透最小化。
平坦化层140可以位于TFT 210上。例如，当有机发光装置位于TFT 210上时，平坦化层140可以基本上使覆盖TFT 210的保护膜的顶表面平坦化。平坦化层140可以由诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料形成。虽然在图2中平坦化层140被示出为具有单层结构，但是实施例不限于此，平坦化层140可以以各种方式修改。例如，平坦化层140可以具有多层结构。平坦化层140具有在显示区域DA外侧的开口，以使平坦化层140在显示区域DA中的部分与平坦化层140在第二区域2A中的部分物理地分离。平坦化层140的开口能够防止外部的杂质通过平坦化层140渗透到显示区域DA中。
显示装置300可以在基底100的显示区域DA内位于平坦化层140上。显示装置300可以是包括例如像素电极310、对电极330以及位于像素电极310和对电极330之间的中间层320的有机发光装置。像素电极310通过经形成在平坦化层140中的开口与源电极215a和漏电极215b中的任何一个接触来电连接到TFT 210。
像素限定膜150可以位于平坦化层140上。像素限定膜150通过具有对应于每个子像素的开口(即，通过其来暴露像素电极310的至少中心部分的开口)来限定像素。另外，像素限定膜150通过增大像素电极310的边缘与位于像素电极310上的对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上产生电弧(arc)。像素限定膜150可以由诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料形成。
有机发光装置的中间层320可以包括低分子量材料或高分子量材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以具有单层结构或通过堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)形成的多层结构。中间层320可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的各种有机材料中的任何一种。每个层可以通过气相沉积来形成。
当中间层320包括高分子量材料时，中间层320可以包括HTL和EML。在这种情况下，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)类高分子量材料或聚芴类高分子量材料的高分子量材料。中间层320可以通过丝网印刷、喷墨印刷或激光诱导热成像(LITI)来形成。
将理解的是，中间层320不限于此，而是可具有任何各种其它结构。中间层320可以包括与多个像素电极310集成的层，或者可以包括被图案化以与多个像素电极310中的每个对应的层。
位于显示区域DA中的对电极330可以覆盖显示区域DA。即，对电极330可以与多个有机发光装置一体形成并对应于多个像素电极310。
由于有机发光装置会容易被湿气或氧损坏，所以包封层410可以覆盖并保护有机发光装置。包封层410可以覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA之外。包封层410可以包括第一无机包封层411、有机包封层412和第二无机包封层413。
第一无机包封层411可以覆盖对电极330并包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。将理解的是，在一些实施例中，诸如覆盖层的其它层也可以位于第一无机包封层411与对电极330之间。由于第一无机包封层411形成在对电极330的不平坦的表面之上，所以第一无机包封层411的顶表面可能不是平坦的。有机包封层412可以覆盖第一无机包封层411，有机包封层412的与显示区域DA对应的顶表面可以是基本上平坦的。在一个实施例中，有机包封层412可以包括从由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷组成的组中选择的至少一种材料。第二无机包封层413可以覆盖有机包封层412并包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层413的位于显示区域DA的外侧(例如，在第一区域1A中)的边缘可以接触第一无机包封层411以使有机包封层412不暴露于外部。
由于包封层410包括第一无机包封层411、有机包封层412和第二无机包封层413，所以可以防止可能发生在包封层410中的裂纹在第一无机包封层411与有机包封层412之间或者在有机包封层412与第二无机包封层413之间彼此连接。因此，可以阻塞外部的湿气或氧通过其渗透到显示区域DA中的路径或者使所述路径最小化。
通过使用光学透明粘合剂(OCA)层510，可以使偏光件520位于包封层410上。偏光件520可以减少外部光的反射。例如，当穿过偏光件520时，外部光从对电极330的顶表面被反射并再次穿过偏光件520。在这种情况下，外部光穿过偏光件520两次，外部光的相位可以被改变。结果，由入射光与通过偏光件520的反射光之间的相位差引起的相消干涉能够改善显示设备的可视性。例如，OCA层510和偏光件520可以覆盖平坦化层140的开口。将理解的是，根据本实施例的显示设备不必包括偏光件520，而是可以省略偏光件520，并且可以使用其它元件。例如，在没有偏光件520的情况下，可以通过使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。
可以将各自包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130统称为无机绝缘层。无机绝缘层具有对应于弯曲区域BA的第一开口。也就是说，缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130可以分别具有对应于弯曲区域BA的开口110a、120a和130a。当第一开口对应于弯曲区域BA时，第一开口与弯曲区域BA叠置。在这种情况下，第一开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此，第一开口的宽度OW大于弯曲区域BA的宽度。可以将缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130的开口110a、120a和130a中的最小的开口的面积定义为第一开口的面积。在图2中，可以将缓冲层110的开口110a的面积定义为第一开口的面积。
根据本实施例的显示设备包括填充无机绝缘层的第一开口的至少一部分的有机材料层160。在图2中，有机材料层160填充整个第一开口。显示设备还包括第一导电层215c，第一导电层215c从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A并位于有机材料层160上。第一导电层215c的一部分可以位于诸如层间绝缘膜130的无机绝缘层上。当形成了源电极215a或漏电极215b时，可以使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料来形成第一导电层215c。
虽然为了便于说明，显示设备在图2中没有弯曲，但是根据本实施例的显示设备的基底100等实际上如图1中所示在弯曲区域BA中是弯曲的，从而基底100的在第一区域1A中的部分的后表面(在-z方向上)面向基底100的在第二区域2A中的部分的后表面。在制造工艺中，首先将显示设备制造为使基底100如图2中所示是基本上平坦的，随后通过使基底100等在弯曲区域BA中弯曲来使显示设备弯曲为具有如图1中所示的形状。在这种情况下，当基底100等在弯曲区域BA中弯曲时，拉应力会被施加到第一导电层215c。然而，在根据本实施例的显示设备中，可以防止在弯曲工艺期间可能发生在第一导电层215c中的缺陷，或者使所述缺陷最小化。
如果诸如缓冲层110、栅极绝缘膜120和/或层间绝缘膜130的无机绝缘层在弯曲区域BA中不具有任何开口而是具有从第一区域1A到第二区域2A的连续的形状，并且第一导电层215c位于无机绝缘层上，那么当基底100等被弯曲时，大的拉应力被施加到第一导电层215c。由于无机绝缘层的硬度大于有机材料层的硬度，所以很可能会在弯曲区域BA中的无机绝缘层中出现裂纹。一旦在无机绝缘层中出现裂纹，在无机绝缘层上的第一导电层215c中甚至会出现更多的裂纹，从而增大了第一导电层215c的诸如短路的缺陷的风险。
然而，在根据本实施例的显示设备中，无机绝缘层在弯曲区域BA中具有第一开口，并且第一导电层215c在弯曲区域BA上的部分位于填充无机绝缘层的第一开口的至少一部分的有机材料层160上。由于无机绝缘层在弯曲区域BA中具有第一开口，所以在无机绝缘层中几乎不可能出现裂纹。由于有机材料层160包括有机材料，所以在有机材料层160中几乎不可能出现裂纹。因此，可以防止在第一导电层215c的位于有机材料层160上并对应于弯曲区域BA的部分中出现裂纹。由于有机材料层160的硬度小于无机材料层的硬度，所以有机材料层160可以吸收由于基底100等的弯曲而产生的拉应力并且可以有效地防止所述拉应力集中在第一导电层215c中。
虽然在图2示出的示例中，无机绝缘层具有第一开口，但是本公开不限于此。例如，无机绝缘层可以具有第一凹槽而非第一开口。例如，缓冲层110可以不具有开口110a而是从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A，仅栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130可以具有开口120a和130a。即使在这种情况下，也可以将各自包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130统称为无机绝缘层。在这种情况下，无机绝缘层可以具有对应于弯曲区域BA的第一凹槽。有机材料层160可以填充第一凹槽的至少一部分。可选择地，可以仅去除层间绝缘膜130的一部分。即使在这种情况下，无机绝缘层也可以具有对应于弯曲区域BA的第一凹槽。
在无机绝缘层在弯曲区域BA中具有第一凹槽的情况下，弯曲区域BA中的无机绝缘层的厚度可以减小，因此可以使基底100等平顺地弯曲。另外，由于有机材料层160位于弯曲区域BA中并且第一导电层215c位于有机材料层160上，所以可以有效地防止由于弯曲导致的对第一导电层215c的潜在损坏。虽然图2中所示的示例示出了无机绝缘层具有第一开口，但是将理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下无机绝缘层可以具有第一凹槽。
除了第一导电层215c之外，根据本实施例的显示设备还可以包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a或213b可以在与第一导电层215c不同的层处位于第一区域1A或第二区域2A中并电连接到第一导电层215c。参照图2，第二导电层213a和213b位于同一层上，也就是说，第二导电层213a和213b可以由与TFT 210的栅电极213的材料相同的材料形成。另外，第一导电层215c通过形成在层间绝缘膜130中的接触孔接触第二导电层213a和213b中的每个。第二导电层213a位于第一区域1A中，第二导电层213b位于第二区域2A中。
位于第一区域1A中的第二导电层213a可以电连接到显示区域DA内的TFT等，因此第一导电层215c可以通过第二导电层213a电连接到显示区域DA内的TFT等。位于第二区域2A中的第二导电层213b也可以通过第一导电层215c电连接到显示区域DA内的TFT等。第二导电层213a和213b可以位于显示区域DA外侧，并且电连接到位于显示区域DA内的元件。可选择地，第二导电层213a和213b可以延伸到显示区域DA，第二导电层213a和213b的至少一部分可以位于显示区域DA内。
虽然为了便于说明，显示设备在图2中没有弯曲，但是如上所述，根据本实施例的显示设备的基底100等实际上如图1中所示在弯曲区域BA上是弯曲的。首先，将显示设备制造成具有如图2中所示的基本上平坦的基底100，随后通过使基底100等在弯曲区域BA中弯曲来使显示设备弯曲为具有如图1中所示的形状。当基底100等在弯曲区域BA上弯曲时，拉应力会被施加到位于弯曲区域BA内的元件。
通过使越过弯曲区域BA的第一导电层215c中包括具有高伸长率的材料，可以防止在第一导电层215c中出现裂纹，或者可以防止在第一导电层215c上发生诸如短路的缺陷。另外，通过在第一区域1A或第二区域2A中使用电特性/物理特性与第一导电层215c的电特性/物理特性不同并且伸长率比第一导电层215c的伸长率小的材料来形成第二导电层213a和213b，可以改善显示设备的传输电信号的效率，或者可以减少制造工艺中的缺陷率。例如，第二导电层213a和213b可以包括钼，第一导电层215c可以包括铝。将理解的是，第一导电层215c或第二导电层213a和213b可以具有多层结构。例如，第一导电层215c可以具有包括钛层、铝层和钛层的多层结构，第二导电层213a和213b中的每个可以具有包括钼层和钛层的多层结构。
如图2中所示，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层的第一开口的内表面。当如上所述形成源电极215a和漏电极215b时，可以使用与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料来形成第一导电层215c。为此，可以在基底100的整个表面上形成导电层并将其图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘膜120的开口120a的内表面或层间绝缘膜130的开口130a的内表面，那么在将导电层图案化的工艺中和/或之后没有被去除的导电材料会保留在缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘膜120的开口120a的内表面或层间绝缘膜130的开口130a的内表面上。在这种情况下，保留的导电材料会导致不同导电层之间的短路。
因此，优选的是，当形成有机材料层160时，有机材料层160覆盖无机绝缘层的第一开口的内表面。作为参照，虽然在图2中有机材料层160被示出为具有均匀的厚度，但是实施例不限于此，有机材料层160可以具有根据位置而变化的厚度。例如，有机材料层160的围绕缓冲层110的开口110a的内表面、栅极绝缘膜120的开口120a的内表面或层间绝缘膜130的开口130a的内表面的顶表面可以和缓地倾斜。因此，可以在将导电层图案化的工艺中和/或之后有效地去除导电材料，以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。
弯曲保护层(BPL)600可以位于显示区域DA外侧。例如，BPL 600可以位于第一导电层215c上以至少对应于弯曲区域BA。
当堆叠层被弯曲时，在堆叠层中存在应力中性平面。如果不设置BPL 600，那么当基底100等被弯曲时，过多的拉应力等会被施加到弯曲区域BA内的第一导电层215c。这是因为第一导电层215c的位置可能不对应于应力中性面。然而，当设置BPL 600时，可以通过调整BPL 600的厚度和模量来调整包括形成在基底100、第一导电层215c和BPL 600上的所有层的堆叠层中的应力中性面的位置。因此，通过调整BPL 600使得应力中性面位于第一导电层215c的周围或上方，可以使施加到第一导电层215c的拉应力最小化或者可以将压应力施加到第一导电层215c。作为参照，当压应力被施加到第一导电层215c时，损坏第一导电层215c的风险远小于当拉应力被施加到第一导电层215c时损坏第一导电层215c的风险。
虽然在图2中，在一个方向(例如，+z方向)上，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的一端的顶表面与偏光件520的顶表面共面，但是实施例不限于此。例如，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述端可以覆盖偏光件520的边缘的顶表面的一部分。可选择地，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述端可以不接触偏光件520和/或OCA层510。具体地，在后一种情况下，可以防止在形成BPL 600的工艺期间或之后在BPL 600中产生的气体在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上移动并使诸如有机发光装置的显示装置300等劣化。
如果在所述方向(例如，+z方向)上，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述端的顶表面与偏光件520的顶表面共面，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述端覆盖偏光件520的边缘的顶表面的一部分，或者BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述端接触偏光件520和/或OCA层510，那么BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的部分的厚度可以大于BPL 600的其它部分的厚度。当形成BPL 600时，可以涂敷液体或膏状材料并使之固化。在固化期间，BPL 600的体积会减小。在这种情况下，当BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的部分接触偏光件520和/或OCA层510时，因为BPL 600的所述部分的位置是固定的，所以BPL 600的剩余部分的体积被减小。因此，BPL 600在朝向显示区域DA的方向(例如，-x方向)上的所述部分的厚度可以大于BPL 600的其它部分的厚度。
包括在根据本实施例的显示设备中的有机材料层160具有包括在与弯曲轴BAX交叉的方向上延伸的第二凹槽160a的顶表面。参照图3，有机材料层160包括在第一导电层215c延伸的方向(例如，+x方向)上延伸的第二凹槽160a。由于有机材料层160包括第二凹槽160a，所以可以有效地防止在形成第一导电层215c等时会发生的缺陷，这将在下面更详细地解释。
图4至图6是根据比较例的用于解释制造显示设备的工艺的剖视图。在图4至图6中，有机材料层160'的顶表面不包括在与弯曲轴BAX交叉的方向上延伸的第二凹槽。在有机材料层160'上沉积导电材料层215'之前，可以执行清洁有机材料层160'等的工艺。然而，如图4中所示，作为杂质的颗粒PTC在清洁工艺之后仍然会保留在有机材料层160'上。当在这种状态下沉积导电材料层215'时，颗粒PTC会位于导电材料层215'与有机材料层160'之间。
然而，由于在高温下沉积导电材料层215'，所以颗粒PTC会不平坦。例如，在高温环境中从有机材料层160'释放气体，因此会发生排气。气体不会从颗粒PTC的中心部分释放而是主要从颗粒PTC的边缘释放，因此如图5中所示，颗粒PTC的边缘被向上抬升。因此，当沉积导电材料层215'时，颗粒PTC变形，因此导电材料层215'填充颗粒PTC的边缘下方的空间。
在这种状态下，当如图6中所示通过将导电材料层215'图案化来形成基本上在+x方向上延伸的第一导电层215c'时，不会完全去除位于颗粒PTC的边缘下方的空间中的导电材料层215'。结果，附加导电层215c”会意外地保留在颗粒PTC的边缘下方。如图6中所示，附加导电层215c”不仅存在于颗粒PTC的边缘下方，而且会突出到颗粒PTC的外侧。这是因为当颗粒PTC执行掩蔽功能时，也会发生阴影效应。
在如图6中所示的剖视图中，附加导电层215c”未连接到第一导电层215c'。然而，如示出通过使用以上工艺制造的显示设备的一部分的平面图的图7中所示，附加导电层215c”可以沿着颗粒PTC的边缘延伸。如果颗粒PTC大到足以到达两个相邻的第一导电层215c'，那么附加导电层215c”会电连接第一导电层215c'并导致诸如短路的缺陷。
另外，当导电材料层215'具有包括钛层、铝层和钛层的多层结构时，颗粒PTC的边缘会如图5中所示向上抬升，在钛层中会出现裂纹，通过裂纹暴露的铝层会被氧化，并会在裂纹周围产生相对大的氧化铝块。在这种情况下，在将导电材料层215'图案化期间或之后，无法去除氧化铝块下方的钛层，作为未被去除的钛层的附加导电层215c”就会沿着颗粒PTC的边缘延伸。如上所述，附加导电层215c”会电连接两个相邻的第一导电层215c'并导致诸如短路的缺陷。
然而，由于根据本实施例的显示设备中的有机材料层160包括第二凹槽160a，所以可以避免上述问题。参照图8，即使当颗粒PTC位于有机材料层160上时，一些颗粒PTC也可以位于第二凹槽160a中。当在这种状态下通过沉积等形成导电材料层215时，颗粒PTC可以如图9中所示被分离成在第二凹槽160a中的多个碎片。这是因为在形成导电材料层215的工艺中，压力被施加到颗粒PTC，因此有机材料层160的具有第二凹槽160a的部分不支撑颗粒PTC。
当颗粒PTC被分离成多个碎片时，因为有机材料层160中产生的气体在碎片之间被排出到外部，所以颗粒PTC几乎不变形，或者仅颗粒PTC的一些碎片会变形。因此，当如图10中所示通过将导电材料层215图案化来形成多个第一导电层215c时，导电材料层215不保留在颗粒PTC下方，或者即使当导电材料层215保留并形成附加导电层215ca时，相邻的第一导电层215c也不会彼此电连接。
图11是示出通过使用图8至图10的工艺制造的显示设备的一部分的平面图。为了方便，未示出颗粒PTC。即使当设置有附加导电层215ca时，附加导电层215ca也仅在沿着颗粒PTC的一些碎片的边缘的位置。因此，虽然一个附加导电层215ca会连接到一个第一导电层215c，但是该附加导电层215ca通过置于该第一导电层215c与另一个第一导电层215c之间的一个第二凹槽160a与所述另一个第一导电层215c分隔开。另外，位于各个第二凹槽160a内的任何附加导电层215ca与位于第二凹槽160a外侧的第一导电层215c分隔开。这样，即使当设置了附加导电层215ca时，附加导电层215ca也不电连接相邻的第一导电层215c。因此，根据本实施例的显示设备可以防止相邻的第一导电层215c之间的短路。
根据一个实施例，在形成第一导电层215c时产生附加导电层215ca，附加导电层215ca包括与第一导电层215c的材料相同的材料。如果第一导电层215c具有包括钛层、铝层和钛层的多层结构，那么附加导电层215ca包括与第一导电层215c的多个层中的任何一层中包括的材料相同的材料。由于附加导电层215ca会形成在颗粒PTC的边缘下方，所以附加导电层215ca会包括与第一导电层215c的多个层的最下层中包括的材料相同的材料。例如，当第一导电层215c具有包括钛层、铝层和钛层的多层结构时，附加导电层215ca会包括钛。
如图3或图11中所示，第二凹槽160a可以基本上在与第一导电层215c延伸的方向平行的方向上延伸。当设置多个第一导电层215c时，第二凹槽160a可以置于第一导电层215c之间。因此，通过使每个第二凹槽160a置于第一导电层215c中的相邻的第一导电层之间，可以防止相邻的第一导电层215c之间的短路。
如图3或图11所示，第二凹槽160a可以不与第一导电层215c叠置。然而，实施例不限于此，如示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图的图12所示，第二凹槽160a可以不与第一导电层215c平行，而是可以与第一导电层215c交叉以与第一导电层215c部分地叠置。然而，即使在这种情况下，如果颗粒PTC不是很大，那么颗粒PTC由于第二凹槽160a而被分离成多个碎片，从而有效地防止相邻的第一导电层215c之间的短路。
虽然第二凹槽160a在平面图中线性地延伸，但是实施例不限于此。如示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图的图13所示，第二凹槽160a可以基本上在+x方向上延伸，并且可以具有除了线形形状之外的各种形状。例如，当第一导电层215c在平面图中以曲折(zigzag)形状从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸到第二区域2A时，第二凹槽160a也可以在平面图中基本上平行于第一导电层215c延伸以局部地具有曲折形状。
参照图13，第一导电层215c可以在弯曲区域BA中局部地具有通孔以使基底100等被弯曲时的损坏最小化。在这种情况下，第一导电层215c的通孔的位置可以在第一导电层215c延伸的方向上基本上以曲折方式定位。因此，第一导电层215c的边缘可以具有大体上的曲折形状，第二凹槽160a也可以具有大体上的曲折形状。
虽然有机材料层160仅包括第二凹槽160a，但是实施例不限于此。如示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的平面图的图14所示，有机材料层160的顶表面还可以包括多个第三凹槽160b。第三凹槽160b可以在弯曲轴BAX(见图1)延伸所沿的方向(例如，+y方向)上延伸。由于有机材料层160的顶表面具有第三凹槽160b，所以有机材料层160的顶表面可以是不平坦的。在这种情况下，位于有机材料层160上的第一导电层215c也具有与有机材料层160的顶表面的形状对应的形状，因此增大了第一导电层215c的表面积。因此，当基底100等在弯曲区域BA上被弯曲时，可以更有效地防止第一导电层215c上的短路。
实施例不限于仅包括第二凹槽160a的有机材料层160。例如，如示出根据另一个实施例的显示设备的一部分的剖视图的图15所示，有机材料层160可以具有沿着z轴穿过有机材料层160的第二开口160c，而不是第二凹槽160a。将理解的是，第二开口160c可以执行与第二凹槽160a的功能基本上类似的功能，第二开口160c在平面图中的延伸方向或形状可以与第二凹槽160a的延伸方向或形状相同或类似。关于第二凹槽160a的描述可以适用于第二开口160c。作为参照，虽然有机材料层160可以包括如图14中所示的在弯曲轴BAX延伸的方向上延伸的第三凹槽160b，但是有机材料层160可以包括第三开口，第三开口在平面图中具有与第三凹槽160b的延伸方向或形状相同和/或类似的延伸方向或形状。
实施例不限于在弯曲区域BA中包括第一开口或者第一凹槽的无机绝缘层。例如，无机绝缘层可以不包括第一开口或者第一凹槽，而是可以从第一区域1A到弯曲区域BA以基本上均匀的厚度延伸。在这种情况下，有机材料层160可以位于基底100(例如，诸如缓冲层110、栅极绝缘膜120和层间绝缘膜130的无机绝缘层)上以至少对应于弯曲区域BA，第一导电层215c可以位于有机材料层160上。在这种情况下，有机材料层160可以包括如上所述在与弯曲轴BAX交叉的方向上延伸的第二开口或者第二凹槽。
一般来说，有机材料层160具有比无机材料层的弹性或柔性高的弹性或柔性，因此即使当基底100等被弯曲时，有机材料层160也不会被损坏。当不损坏有机材料层160时，可以防止损坏或者可以几乎不损坏有机材料层160上的诸如第一导电层215c的布线。因此，通过使用这样的结构，可以设置可防止诸如第一导电层215c的布线损坏或者使诸如第一导电层215c的布线的损坏最小化的显示设备。当基底100等被弯曲时，在无机材料层中会出现裂纹。然而，由于第一导电层215c位于具有相对高的弹性或柔性的有机材料层160上，所以可以防止第一导电层215c损坏或者使第一导电层215c的损坏最小化。
虽然在上面的实施例及其修改例中的无机绝缘层包括第一开口或者第一凹槽，但是无机绝缘层可以不包括如上所述在实施例及其修改例中的第一开口或者第一凹槽。
根据一个或更多个实施例，可以提供可使制造工艺中的诸如短路的缺陷最小化的显示设备。然而，本公开的范围不受这样的效果的限制。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区域，并在所述弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；
有机材料层，位于所述基底上以对应于所述弯曲区域，并包括在与所述弯曲轴交叉的方向上延伸的第二开口或第二凹槽；以及
第一导电层，从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域并位于所述有机材料层上，
其中，所述有机材料层在所述基底被弯曲时使位于所述有机材料层上的所述第一导电层的损坏最小化。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
无机绝缘层，位于所述基底上并包括与所述弯曲区域对应的第一开口或第一凹槽，
其中，所述有机材料层填充所述第一开口的至少一部分或者填充所述第一凹槽的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一开口或所述第一凹槽与所述弯曲区域叠置。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一开口或所述第一凹槽的面积大于所述弯曲区域的面积。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第二导电层，电连接到所述第一导电层并位于所述第一区域或所述第二区域中，所述第二导电层位于与所述第一导电层所在的层不同的层上。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一导电层的伸长率大于所述第二导电层的伸长率。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二开口或所述第二凹槽在与所述第一导电层延伸的方向平行的方向上延伸。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层以曲折形状从所述第一区域通过所述弯曲区域延伸到所述第二区域，所述第二开口或所述第二凹槽在与所述第一导电层延伸的方向平行的方向上延伸。
9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
附加导电层，位于所述第二开口或所述第二凹槽中并与所述第一导电层分隔开。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述附加导电层包括与所述第一导电层中包括的材料相同的材料。
11.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有包括多层的结构，所述附加导电层包括与所述第一导电层的所述多层中的至少一层中包括的材料相同的材料。
12.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一导电层具有包括多层的结构，所述附加导电层包括与所述第一导电层的所述多层中的最下层中包括的材料相同的材料。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层还包括沿着所述弯曲轴延伸的第三开口或第三凹槽。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二开口或所述第二凹槽不与所述第一导电层叠置。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一导电层被设置为多个，所述第二开口或所述第二凹槽置于所述多个第一导电层之间。
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