CN107230688B - 具有能够使制造缺陷最小化的弯曲区的显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示设备，所述显示设备包括基底、无机绝缘层、第一导电层和有机材料层。基底包括第一区、第二区和位于第一区与第二区之间的弯曲区，弯曲区构造为关于沿第一方向延伸的第一弯曲轴弯曲。无机绝缘层布置在基底上方。第一导电层从第一区经过弯曲区延伸到第二区并布置在无机绝缘层上方。有机材料层布置在无机绝缘层与第一导电层之间并包括与弯曲区叠置的中心部和从中心部延伸的外围部。中心部的平均厚度大于外围部的平均厚度。

Description

具有能够使制造缺陷最小化的弯曲区的显示设备
本申请要求于2016年3月25日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0036132号韩国专利申请和于2016年6月21日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0077554号韩国专利申请的权益，该两个韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
发明构思的示例性实施例涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种能够使在制造工艺期间会发生的诸如断开的缺陷发生最小化、同时确保其较长的寿命的显示设备。
背景技术
视觉上显示数据的显示设备包括划分为显示区和非显示区的基底。在显示区中，栅极线和数据线彼此绝缘，多个像素区由交叉的栅极线和数据线限定。此外，在显示区中，薄膜晶体管(TFT)和电连接到TFT的像素电极设置到像素区。在非显示区中，设置诸如将电信号传输到显示区的布线的各种导电层。
显示设备的至少一部分可弯曲，以增强在各种角度的可见性或者减小非显示区的尺寸。正在开发各种技术以在制造这些弯曲的显示设备期间减少缺陷并降低成本。
发明内容
根据发明构思的示例性实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一区、第二区和位于第一区与第二区之间的弯曲区，弯曲区被构造为关于沿第一方向延伸的第一弯曲轴弯曲；无机绝缘层，布置在基底上方；第一导电层，从第一区经过弯曲区延伸到第二区，并且布置在无机绝缘层上方；有机材料层，布置在无机绝缘层与第一导电层之间，并且包括中心部和外围部。中心部与弯曲区叠置。外围部从中心部延伸。中心部的平均厚度大于外围部的平均厚度。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层可以在与有机材料层叠置的区域处具有平坦的上表面。
根据发明构思的示例性实施例，中心部可具有基本均匀的厚度。
根据发明构思的示例性实施例，外围部可包括具有基本均匀的厚度的区域，外围部的厚度可沿远离中心部的方向减小。
根据发明构思的示例性实施例，外围部的厚度可沿远离中心部的方向逐渐减小。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层可包括第一有机材料层以及布置在第一有机材料层上的第二有机材料层。第一有机材料层具有第一宽度。第二有机材料层具有比第一宽度小的第二宽度。第二宽度可大于弯曲区的宽度。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层可以在有机材料层的上表面中至少部分地具有不平坦的表面。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层可在中心部中具有不平坦的表面。
根据发明构思的示例性实施例，第一导电层的位于有机材料层上方的上表面可具有与有机材料层的上表面的形状对应的形状。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层可在与有机材料层叠置的区域中具有凹槽。
根据发明构思的示例性实施例，凹槽的面积可大于弯曲区的面积。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层可覆盖凹槽的内表面。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层距离基底的上表面的高度可大于无机绝缘层距离基底的上表面的高度。
根据发明构思的示例性实施例，外围部距离基底的上表面的高度可沿远离中心部的方向逐渐地减小。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层距离基底的上表面的高度可小于无机绝缘层距离基底的上表面的高度。
根据发明构思的示例性实施例，不平坦的表面的面积可大于中心部的面积。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括设置在基底的下表面上的保护膜。下表面可在基底的最靠近无机绝缘层的表面的背面。保护膜包括与弯曲区对应的开口。
根据发明构思的示例性实施例，开口的面积可大于弯曲区的面积。
根据发明构思的示例性实施例，所述显示设备还可包括：包封层，在第一区上方覆盖显示器件；触摸电极，被构造为设置触摸屏并且位于包封层上方。第一导电层可包括与触摸电极的材料基本相同的材料。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括覆盖触摸电极和第一导电层的触摸保护层。
根据发明构思的示例性实施例，所述显示设备还可包括：薄膜晶体管(TFT)，布置在第一区或第二区上方，并且包括源电极、漏电极和栅电极；平坦化层，覆盖TFT，包括有机材料。有机材料层可包括与平坦化层的材料基本相同的材料。
根据发明构思的示例性实施例，所述显示设备还可包括：有机发光器件，布置在第一区上方，并且包括像素电极、面对像素电极的对向电极以及包括有机发射层并布置在像素电极与对向电极之间的中间层；像素限定层，布置在第一区上方，像素限定层具有暴露像素电极的中心部的开口，并且限定像素区。有机材料层可包括与像素限定层的材料基本相同的材料。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括包封层，包封层包括第一无机包封层、第二无机包封层以及位于第一无机包封层与第二无机包封层之间并在第一区上方覆盖显示器件的有机包封层。有机材料层可包括与有机包封层的材料基本相同的材料。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括布置在第一区或第二区上方的第二导电层。第二导电层位于与其上定位有第一导电层的层不同的层上。第二导电层电连接到第一导电层。
根据发明构思的示例性实施例，第一导电层的延伸率可大于第二导电层的延伸率。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括布置在第一区或第二区上方并包括源电极、漏电极和栅电极的TFT。第一导电层可与源电极和漏电极位于同一层上。第二导电层可与栅电极位于同一层上。
根据发明构思的示例性实施例，显示设备还可包括布置在第一导电层的上部上方的应力中和层。
根据发明构思的示例性实施例，一种显示设备包括基底、无机绝缘层、第一导电层和有机材料层。基底被划分成第一区、第二区和位于第一区与第二区之间的弯曲区。弯曲区被构造为关于沿第一方向延伸的第一弯曲轴弯曲。无机绝缘层布置在基底上方。第一导电层从第一区经过弯曲区延伸到第二区，并布置在无机绝缘层上方。有机材料层布置在无机绝缘层与第一导电层之间并包括中心部和外围部。中心部与弯曲区叠置。外围部从中心部延伸。中心部的平均厚度大于外围部的平均厚度。基底具有贯穿第一区、第二区和弯曲区延伸的多层结构。基底包括第一树脂层、阻挡层、中间层和第二树脂层。第一树脂层包括聚合物树脂。阻挡层包括无机材料并设置在第一树脂层上方。中间层包括非晶材料并设置在阻挡层上方。第二树脂层包括聚合物树脂并设置在中间层上方。
根据发明构思的示例性实施例，第一导电层可沿与第一方向垂直的第二方向从第一区延伸到第二区，第一导电层可形成波状图案同时沿第二方向延伸。
根据发明构思的示例性实施例，所述显示设备还包括设置在基底的下表面上的保护膜。下表面在基底的最靠近无机绝缘层的表面的背面。保护膜包括与弯曲区对应的开口。开口的面积大于弯曲区的面积并小于有机材料层的面积。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层在有机材料层的上表面中至少部分地具有不平坦的表面，第一导电层的在有机材料层上方的上表面具有不平坦的表面，所述不平坦的表面具有独立于有机材料层的不平坦的表面的形状的形状。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的上表面和有机材料层的外围部的上表面接触，形成小于或等于45度的角。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其它特征将变得明显且将被更清楚地理解。
图1是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性透视图。
图2是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出图1的显示设备的示意性剖视图。
图3A是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图3B是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图3C是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图3D是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图4是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图5A是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图5B是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图5C是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图5D是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图5E是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图6是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图7是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图8是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。
图9A是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性平面图。
图9B是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性平面图。
图9C是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性平面图。
具体实施方式
将参照附图在下文中更充分地描述发明构思的示例性实施例。同样的附图标记可贯穿附图指示同样的元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和全部组合。
为了便于解释，会夸大附图中的组件的尺寸和厚度。换言之，发明构思不限于此。
在以下描述的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广阔的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可相互垂直，或者可代表不相互垂直的不同方向。
可以以可以不同于描述的次序的工艺次序来不同地实施发明构思的示例性实施例。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时地执行或者以与所描述次序相反的次序来执行。
显示设备是显示图像的设备，例如，液晶显示设备、电泳显示设备、有机发光显示设备、无机发光显示设备、场发射显示设备、表面传导电子发射显示设备、等离子体显示设备或阴极射线显示设备等。
发明构思的示例性实施例提供一种能够确保其较长的寿命并能够使在制造工艺期间的诸如断开的缺陷的发生最小化的显示设备。
在下文中，将把有机发光显示设备作为根据发明构思的示例性实施例的显示设备的示例进行描述。然而，根据本发明构思的显示设备不限于此，并可包括各种类型的显示设备。
图1是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性透视图，图2是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出图1的显示设备的示意性剖视图。在根据本示例性实施例的显示设备中，如图1中所示，作为显示设备的一部分的基底100部分地弯曲，因此，因为基底100弯曲，所以显示设备也部分地弯曲。然而，为了便于描述，图2示出不弯曲的显示设备。为了便于描述，以下将描述的根据发明构思的示例性实施例的其它剖视图和平面图也示出不弯曲的显示设备。
如图1和图2中所示，基底100包括沿第一方向(+y方向)延伸的弯曲区BA。弯曲区BA在与第一方向相交的第二方向(+x方向)上位于第一区1A与第二区2A之间。另外，如图1中所示，基底100关于弯曲轴BAX弯曲，弯曲轴BAX沿第一方向(+y方向)延伸。基底100可包括具有柔性或可弯曲的特性的各种材料，例如，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基底100可具有包括上述材料的单层或多层结构，多层结构还可包括无机层。
第一区1A包括显示区DA。如图2中所示，第一区1A也可包括非显示区的位于显示区DA外部的一部分。第二区2A也包括非显示区。
显示图像的多个像素可设置在基底100的显示区DA中。显示区DA可包括诸如显示器件300、薄膜晶体管(TFT)210和电容器(Cst)的多个器件。显示区DA还可包括诸如栅极线、数据线、驱动电源线和共电源线的信号布线，通过栅极线传输栅极信号，通过数据线传输数据信号，通过驱动电源线传输电力。像素可通过连接到栅极线、数据线和驱动电源线的TFT210、电容器和显示器件300等的电耦合来形成，像素可显示图像。像素可响应于施加到像素的数据信号发射与穿过显示器件300的驱动电流对应的亮度的光。数据信号可根据驱动电源和共电源而产生。可以以诸如条形设计或PenTile设计等的各种方式布置多个像素。
在图2中，显示区DA中的显示器件300可以是有机发光器件。有机发光器件可经由像素电极310电连接到TFT 210。如果需要，也可在显示区DA外部的外围区上布置单独的TFT。位于外围区上的TFT可以是例如电路单元的用于控制施加到显示区DA的电信号的一部分。
TFT 210可包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。半导体层211可包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料。
栅电极213可连接到栅极布线，通过栅极布线对TFT 210施加导通和截止信号。栅电极213可包括低阻金属材料。例如，栅电极213可具有包括导电材料(例如，钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti))的至少一层。
源电极215a和漏电极215b中的每个可具有包括高导电材料的单层或多层。源电极215a和漏电极215b可分别连接到半导体层211的源区和漏区。例如，源电极215a和漏电极215b中的每个可具有包括导电材料(例如，Al、Cu和/或Ti)的至少一层。
源电极215a和漏电极215b可经由接触孔C1和C2连接到半导体层211。接触孔C1和C2可通过同时蚀刻层间绝缘层130和栅极绝缘层120来形成。
根据发明构思的示例性实施例，TFT 210是栅电极213位于半导体层211上方的顶栅型TFT。然而，发明构思不限于此。例如，TFT 210可以是栅电极213位于半导体层211下方的底栅型TFT。
为了确保半导体层211与栅电极213之间的绝缘性质，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层120可布置在半导体层211与栅电极213之间。另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层130可布置在栅电极213上，源电极215a和漏电极215b可布置在层间绝缘层130上。如上所述的包括无机材料的绝缘层可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)来形成。关于以下描述的示例性实施例，可执行相似的工艺。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可布置在TFT210与基底100之间。缓冲层110可增大基底100的上表面的光滑度，或者可防止或减少杂质从基底100渗透到半导体层211中等。缓冲层110可包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料，并可具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。根据发明构思的示例性实施例，缓冲层110可具有氧化硅/氮化硅/氧化硅的三层结构。
另外，平坦化层140可布置在TFT 210上。例如，当有机发光器件如图2中所示的布置在TFT 210上时，平坦化层140可使覆盖TFT 210的保护层的上部平坦。平坦化层140可包括例如苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。虽然图2的平坦化层140具有单层结构，但是平坦化层140可具有诸如多层结构的各种修改。另外，如图2中所示，平坦化层140可具有位于显示区DA外部的开口，使得平坦化层140的位于显示区DA中的部分与平坦化层140的位于第二区2A中的部分可物理地分开。因此，杂质不可以从外部经由平坦化层140渗透到显示区DA中。
在基底100的显示区DA中，有机发光器件(例如，显示器件300)可设置在平坦化层140上。有机发光器件可包括像素电极310、对向电极330以及包括有机发射层并布置在像素电极310与对向电极330之间的中间层320。像素电极310通过经由形成在平坦化层140中的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个电连接到TFT 210，如图2中所示。
像素限定层150可布置在平坦化层140上。像素限定层150具有与多个子像素中的每个对应的开口(例如，暴露像素电极310的至少中心部的开口)从而限定每个像素。此外，在图2中，像素限定层150增大像素电极310的边缘与位于像素电极310上方的对向电极330之间的距离，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。像素限定层150可包括例如以PI或HMDSO为例的有机材料。
有机发光器件的中间层320可包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的单层结构或多层结构，并可包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种有机材料。可通过真空沉积方法来形成这些层。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可具有主要包括HTL和EML的结构。就这一点而言，HTL可包括PEDOT，EML可包括诸如聚-苯撑乙烯撑(PPV)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。可通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法等来形成中间层320。
中间层320不限于以上的示例，可具有各种其它结构。另外，中间层320可包括遍及多个像素电极310整体形成的层或者被图案化为与多个像素电极310中的每个对应的层。
对向电极330布置在显示区DA上方，如图2中所示，对向电极330可覆盖显示区DA。换言之，对向电极330可相对于多个有机发光器件整体地形成，因此可与多个像素电极310对应。
因为有机发光器件会由于诸如外部湿气或氧的因素而容易受损，所以包封层400可覆盖并保护有机发光器件。包封层400可覆盖显示区DA并延伸到显示区DA的外部。如图2中所示，包封层400可包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410可覆盖对向电极330，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果需要，诸如盖层的其它层可布置在第一无机包封层410与对向电极330之间。因为第一无机包封层410沿不平坦的对向电极330形成，所以第一无机包封层410的上表面也是不平坦的，如图2中所示。有机包封层420可覆盖第一无机包封层410，与第一无机包封层410不同，有机包封层420的上表面可以是大致平坦的。更详细地，有机包封层420可在与显示区DA对应的部分处具有大致平坦的上表面。有机包封层420可包括从由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、PAR和HMDSO组成的组中选择的至少一种材料。第二无机包封层430可覆盖有机包封层420，并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在显示区DA外部，第二无机包封层430的边缘可接触第一无机包封层410，使得有机包封层420不被暴露在外部。
如上所述，因为包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，所以即使当在包封层400中存在裂缝时，由于上述多层结构，裂缝也不会在第一无机包封层410与有机包封层420之间或者有机包封层420与第二无机包封层430之间延伸。因此，可防止或减少形成通过其外部湿气或氧会渗透到显示区DA中的路径。
偏振板520可通过光学透明粘合剂(OCA)510附着到包封层400。偏振板520可减少外部光的反射。例如，当外部光穿过偏振板520时，外部光被对向电极330的上表面反射，然后再次穿过偏振板520。这样，随着外部光穿过偏振板520两次，外部光的相位会改变。结果，反射的光的相位不同于外部光的相位，使得发生有害的干扰，因此，可减少外部光的反射并可改善可见性。OCA 510和偏振板520可覆盖平坦化层140中的开口，如图2中所示。根据发明构思的示例性实施例，显示设备不必包括偏振板520，可省略或者用其它构造来代替偏振板520。例如，可省略偏振板520，可使用黑矩阵和滤色器代替偏振板520，以减少外部光的反射。
均包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可称为无机绝缘层。在图2中，无机绝缘层在与有机材料层160叠置的区域处具有平坦的上表面，这将在下面进行描述。
显示设备可包括布置在无机绝缘层上方的第一导电层215c，第一导电层215c从第一区1A经过弯曲区BA朝向第二区2A延伸。第一导电层215c可用作电信号经由其传输到显示区DA的布线。第一导电层215c可与源电极215a或漏电极215b同时形成，并使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料。
另外，显示设备可包括布置在无机绝缘材料与第一导电层215c之间并包括与弯曲区BA叠置的中心部160a和从中心部160a延伸的外围部160b的有机材料层160。换言之，外围部160b指不与弯曲区BA叠置的区域。此外，有机材料层160的中心部160a的平均厚度<t1>大于外围部160b的平均厚度<t2>。就这一点而言，中心部160a的平均厚度<t1>可指通过对中心部160a的不同部位的厚度t1求平均获得的数值，外围部160b的平均厚度<t2>可指通过对外围部160b的不同部位的厚度t2求平均获得的数值。
有机材料层160可与弯曲区BA叠置，并且可延伸到非弯曲区的一部分。换言之，具有预定的宽度ORW的有机材料层160可形成在无机绝缘层上。就这一点而言，有机材料层160的预定的宽度ORW在图2中被示出为被有机材料层160的上表面与无机绝缘层的上表面交汇的边界处之间的距离限定。参照图2，有机材料层160的宽度ORW大于弯曲区BA的宽度。
如上所述，虽然为了便于描述，图2示出显示设备不弯曲，但是根据本示例性实施例的显示设备实际处于基底100在弯曲区BA处弯曲的状态，如图1中所示。为了达到这个目的，在制造工艺期间，如图2中所示，在基底100是大致平坦的状态下制造显示设备，然后，在弯曲区BA处使基底100弯曲，使得显示设备可大致具有如图1中所示的形状。就这一点而言，虽然可在基底100在弯曲区BA处弯曲时对第一导电层215c施加拉应力，但是显示设备可在弯曲工艺期间防止或减少在第一导电层215c中的发生的缺陷。
如果有机材料层160不在第一导电层215c与无机绝缘层之间，并因此第一导电层215c在弯曲区BA中布置在无机绝缘层上，那么当基底100弯曲时，对第一导电层215c施加大的拉应力。无机绝缘层具有比有机材料层的硬度高的硬度，因此，在弯曲区BA处，裂缝更可能出现在无机绝缘层中。当裂缝产生在无机绝缘层中时，设置在无机绝缘层上的第一导电层215c也会具有裂缝，因此，存在发生诸如第一导电层215c断开的缺陷的可能性高。
然而，在根据本示例性实施例的显示设备中，有机材料层160在弯曲区BA中布置在第一导电层215c与无机绝缘层之间。有机材料层160可缓冲或吸收基底100和无机绝缘层因为弯曲而经受的拉应力，并且可减少传递到第一导电层215c的拉应力。因此，可防止或减少在第一导电层215c的与弯曲区BA对应的部分中出现裂缝。
如图2中所示，有机材料层160的中心部160a的平均厚度<t1>大于有机材料层160的外围部160b的平均厚度<t2>。有机材料层160可具有预定的宽度ORW，有机材料层160的预定的宽度ORW可大于弯曲区BA的宽度。有机材料层160可具有平缓倾斜的堤形或斜坡形(例如，堤形)。
根据发明构思的示例性实施例，有机材料层160的中心部160a可具有基本均匀的厚度t1。可考虑到由于弯曲而施加到基底100和无机绝缘层的拉应力来设置中心部160a的厚度t1。
外围部160b的厚度t2沿远离中心部160a的方向减少(例如，形成堤)，因此，外围部160b的上表面可具有相对于无机绝缘层的上表面的平缓的倾斜。例如，图2示出外围部160b的至少一部分具有比中心部160a的厚度t1小的均匀的厚度t2。
如上所述，由于第一导电层215c可包括与源电极215a和漏电极215b的材料基本相同的材料，因此第一导电层215c可与源电极215a和漏电极215b同时形成。换言之，导电层可形成在基底100的整个表面上，然后被图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。
无机绝缘层的上表面与有机材料层160的上表面交汇的区域可限定边界区。当将导电层图案化时，如果边界区的倾斜相对陡(例如，不平缓)，那么导电材料不会被去除并且可保留在边界区上。在这种情况下，保留的导电材料会导致与其它导电层的电短路。
因此，当形成有有机材料层160时，外围部160b的具有相对于无机绝缘层的上表面逐渐倾斜或平缓倾斜的上表面可防止这样的问题。当导电层被图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c时，位于边界区上的保留的导电材料可被有效地去除。换言之，可有效地防止导电材料必须被去除但是却被保留的情形。
有机材料层160可通过各种方法形成。例如，可使用光致抗蚀剂材料来形成有机材料层160，在制造工艺期间，通过使用狭缝掩模或半色调掩模等，曝光量可相对于有机材料层160(仍然具有大致平坦的上表面)的中心部160a和外围部160b变化，使得某一部分可比其它部分被蚀刻(去除)得相对多。因此，中心部160a和外围部160b的厚度可彼此不同。此外，可通过热回流工艺允许有机材料层160向下流，因此，可调节有机材料层160的边缘区的倾斜角。在制造显示设备时使用的方法不限于以上示例。例如，在形成具有大致平坦上表面的有机材料层160之后，可通过使用诸如干蚀刻的方法或者其它各种方法仅去除某一部分。有机材料层160可包括例如PI、亚克力、BCB或HMDSO。
根据本示例性实施例的显示设备可包括除了第一导电层215c之外的第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b可布置在第一区1A或第二区2A上，以定位在与第一导电层215c的层水平面不同的层水平面处，第二导电层213a和213b可电连接到第一导电层215c。在图2中，第二导电层213a和213b与TFT 210的栅电极213位于同一层水平面处，例如，位于栅极绝缘层120上，并包括与栅电极213的材料基本相同的材料。另外，第一导电层215c经由形成在层间绝缘层130中的接触孔接触第二导电层213a和213b。另外，第二导电层213a位于第一区1A中，第二导电层213b位于第二区2A中。
位于第一区1A中的第二导电层213a可电连接到显示区DA中的TFT 210，因此，第一导电层215c可经由第二导电层213a电连接到TFT 210。位于第二区2A中的第二导电层213b也可经由第一导电层215c电连接到显示区DA中的TFT 210。如上所述，位于显示区DA外部的第二导电层213a和213b可电连接到位于显示区DA中的组件，或可朝向显示区DA延伸以至少部分地位于显示区DA中。
如上所述，虽然为了便于描述，图2示出不弯曲的显示设备，但是显示设备实际处于基底100在弯曲区BA处弯曲的状态，如图1中所示。为了达到这个目的，在制造工艺期间，如图2中所示，在基底100大致平坦的状态下制造显示设备，然后，基底100在弯曲区BA处弯曲，使得显示设备可大致具有如图1中所示的形状。就这一点而言，在基底100在弯曲区BA处弯曲时，可对位于弯曲区BA中的组件施加拉应力。
因此，横跨弯曲区BA延伸的第一导电层215c可包括具有高延伸率的材料，因此，可防止在第一导电层215c中出现裂缝或者在第一导电层215c中出现诸如断开的缺陷。另外，第二导电层213a和213b可包括延伸率比第一导电层215c的延伸率低并且电学特性/物理特性与第一区1A或第二区2A中的第一导电层215c的电学特性/物理特性不同的材料。这样，可改善显示设备中传输电信号的效率，或者可减少制造工艺期间的缺陷率。例如，第二导电层213a和213b可包括钼，第一导电层215c可包括铝。如果需要，第一导电层215c以及第二导电层213a和213b可具有多层结构。
与图2中示出的示例不同，第二导电层213b的位于第二区2A中的上表面可不被平坦化层140至少部分地覆盖，而是可暴露到外部，以电连接到各种电子器件或印刷电路板。
应力中和层(SNL)600可位于显示区DA外部。换言之，SNL600可位于第一导电层215c上方，以至少与弯曲区BA对应。
当使堆叠结构弯曲时，在堆叠结构中存在应力中和平面。如果不存在SNL600，那么当基底100弯曲时，因为第一导电层215c的位置不会与应力中和平面对应，所以会对弯曲区BA中的第一导电层215c施加过多的拉应力。然而，通过形成SNL600并调节SNL600的厚度和模量，可调节包括基底100、第一导电层215c和SNL600等的堆叠结构中的应力中和平面的位置。因此，应力中和平面可被调节为位于第一导电层215c的位置周围，因此，可减少施加到第一导电层215c的拉应力。
与图2中示出的示例不同，SNL600可在显示设备中延伸到基底100的端部。例如，在第二区2A中，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层215c和第二导电层213b的其它导电层可不被层间绝缘层130或平坦化层140至少部分地覆盖，而是可电连接到各种电子器件或印刷电路板。因此，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层215c和第二导电层213b的其它导电层可具有电连接到各种电子器件或印刷电路板的部分。就这一点而言，因为电连接的部分需要被保护免受诸如外部湿气的杂质的影响，所以SNL600可覆盖电连接的部分，并因此还用作保护层。例如，SNL600可延伸到显示设备的基底100的端部。
虽然在图2中SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520的上表面(在+z方向上)一致，但是发明构思不限于此。例如，SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的端部可部分地覆盖位于偏振板520的边缘处的上表面。另一方面，SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的端部可不接触偏振板520和/或透光粘合剂(例如，OCA510)。在后者情形中，在形成SNL600期间或之后，可防止由于从SNL600产生的气体朝向显示区DA(-x方向)运动而造成的显示器件300(例如，有机发光器件)的劣化。
如图2中所示，当SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520的上表面(在+z方向)一致时，SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的端部部分地覆盖位于偏振板520的边缘处的上表面，或者SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的端部接触OCA510，SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的部分可以比SNL 600的其它部分厚。因为可应用液相材料或膏型材料并将其硬化以形成SNL600，所以在硬化工艺期间可减少SNL600的体积。就这一点而言，当SNL600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的部分与偏振板520和/或OCA 510接触时，SNL600的那个部分被固定在那个位置处，因此，在SNL 600的保留部分中发生体积减小。结果，SNL 600的在朝向显示区DA的方向(-x方向)上的部分可比SNL 600的其它部分厚。
图3A至图3D均是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的剖视图。详细地，图3A至图3D均是示意性地示出弯曲区BA和相邻区的剖视图。
参照图3A，有机材料层160的预定的宽度ORW大于弯曲区BA的宽度，有机材料层160具有平缓倾斜的堤形。有机材料层160的外围部160b的厚度t2可沿远离中心部160a的方向逐渐减小。此外，中心部160a的厚度t1可沿从中心部160a的中心区朝向外围部160b的方向逐渐减少。可存在各种修改，诸如，例如，中心部160a的厚度t1可基本均匀并且仅外围部160b的厚度t2沿远离中心部160a的方向逐渐减小。因此，外围部160b的上表面可具有平缓的倾斜。根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的上表面与外围部160b的上表面之间的角度可小于或等于45度。
有机材料层160可通过各种方法形成。例如，可使用光致抗蚀剂材料来形成有机材料层160，在制造工艺期间，通过使用狭缝掩模或半色调掩模等，曝光量可相对于仍然具有大致平坦的上表面的有机材料层160的中心部160a和外围部160b变化，使得某一部分可比其它部分被蚀刻(去除)得相对多。因此，可逐渐改变中心部160a和/或外围部160b的厚度。此外，可通过热回流工艺允许有机材料层160向下流，因此，可调节有机材料层160的边缘区的倾斜角。
如上所述，外围部160b的上表面可具有平缓的倾斜，因此，当为了形成第一导电层215c而使导电层图案化时，可有效地去除保留的导电材料。
参照图3B，有机材料层160可具有包括第一有机材料层161和第二有机材料层163的堆叠的(或堆叠)结构，第一有机材料层161具有第一宽度ORW1，第二有机材料层163具有比第一宽度ORW1小的第二宽度ORW2。就这一点而言，第二宽度ORW2可大于弯曲区BA的宽度。因此，中心部160a可具有基本均匀的厚度t1，第一有机材料层161和第二有机材料层163可具有阶梯，因此，外围部160b的上表面可具有平缓的倾斜。虽然图3B示出有机材料层160包括两个层的示例，但是发明构思不限于此。可选择地，有机材料层160可包括彼此堆叠的具有不同宽度多个层，使得外围部160b的上表面可具有平缓的倾斜。根据发明构思的示例性实施例，外围部160b的上表面可相对于无机绝缘层的上表面具有大约45度或更小的倾斜。
如上所述，外围部160b的上表面可具有平缓的倾斜，因此，当为了形成第一导电层215c而将导电层图案化时，可有效地去除保留的导电材料。
参照图3C和图3D，有机材料层160可在其上表面(在+z方向上)中至少部分地具有不平坦的表面160s。图3C示出不平坦的表面160s仅形成在有机材料层160的中心部160a中的示例。图3D示出不平坦的表面160s形成在有机材料层160的整个上表面上方的示例。可不同地修改形成有不平坦的表面160s的区域。
由于有机材料层160包括不平坦的表面160s，因此位于有机材料层160上的第一导电层215c可具有与有机材料层160的不平坦的表面160s对应的形状的上表面和/或下表面。
如上所述，由于当基底100在制造工艺期间在弯曲区BA处弯曲时，拉应力会被施加到第一导电层215c，所以当第一导电层215c的上表面和/或下表面具有与有机材料层160的不平坦的表面160s对应的形状时，可减小施加到第一导电层215c的拉应力的量。换言之，可经由具有较低硬度的有机材料层160的形状的变形来减少会在弯曲工艺期间产生的拉应力。就这一点而言，在弯曲工艺之前具有不平坦的形状的第一导电层215c可转变成与有机材料层160的由于弯曲工艺而变形的形状对应，因此，可有效地防止发生诸如第一导电层215c断开的缺陷。
此外，不平坦的表面160s可至少部分地形成在有机材料层160的上表面(在+z方向上)中，因此，可增大有机材料层160的上表面的表面面积和第一导电层215c的上表面和下表面的表面面积。有机材料层160的上表面和第一导电层215c的上表面和下表面的大的表面面积可表示变形裕量足够大以减小因基底100弯曲而导致的拉应力。
由于第一导电层215c位于有机材料层160上，因此第一导电层215c的下表面具有与有机材料层160的不平坦的表面160s对应的形状。然而，第一导电层215c的上表面可具有不平坦的表面，该不平坦的表面具有独立于有机材料层160的不平坦的表面160s的形状的形状。
例如，在有机材料层160上形成导电材料层之后，在导电材料层上涂覆光致抗蚀剂，通过使用狭缝掩模或半色调掩模等，根据光致抗蚀剂的位置，在改变曝光量时使光致抗蚀剂显影。因此，蚀刻由于光致抗蚀剂的显影而暴露的导电材料层，去除光致抗蚀剂，因此，形成第一导电层215c。由于通过使用狭缝掩模或半色调掩模等使曝光量根据光致抗蚀剂的位置而改变，导电材料层的蚀刻程度可根据导电材料层的位置而改变。因此，可在第一导电层215c的上表面上人工地形成不平坦的表面，在这种情况下，第一导电层215c的上表面可具有不平坦的表面，该不平坦的表面具有独立于有机材料层160的不平坦的表面160s的形状的形状。可执行关于下面描述的示例性实施例的相似工艺。即使如上所述地执行在第一导电层215c的上表面上人工形成不平坦的表面的工艺，第一导电层215c的上表面上的不平坦的表面仍可与有机材料层160的不平坦的表面160s对应。
图4是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。虽然无机绝缘层目前已被描述为在与有机绝缘层叠置的区域中具有平坦的上表面，但发明构思不限于此。例如，如图4中所示，无机绝缘层可包括在与弯曲区BA对应的位置处的凹槽。
参照图4，缓冲层110可贯穿第一区1A、弯曲区BA和第二区2A连续地形成。另外，栅极绝缘层120可具有与弯曲区BA对应的开口120a，层间绝缘层130也可具有与弯曲区BA对应的开口130a。因此，包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层可被构造为具有与弯曲区BA对应的凹槽。可选择地，无机绝缘层可包括不同类型的凹槽。可存在诸如以缓冲层110的上表面(在+z方向上)可被部分地去除或者栅极绝缘层120的下表面(在–z方向上)不可以被去除而是可保留的为例的各种修改。凹槽的形成可与用于形成接触孔C1和C2的图案化工艺同时发生，所述接触孔C1和C2用于将TFT 210的源电极215a和漏电极215b连接到半导体层211。
与弯曲区BA对应的凹槽可表示凹槽与弯曲区BA叠置。就这一点而言，凹槽的面积可大于弯曲区BA的面积。为了达到这个目的，凹槽的宽度GW大于弯曲区BA的宽度，如图4中所示。就这一点而言，凹槽的面积可被限定为其中开口(开口120a和开口130a之中的开口)是最小的面积。在图4中，凹槽的面积由栅极绝缘层120中的开口120a的面积限定。
在根据本示例性实施例的显示设备中，有机材料层160布置在无机绝缘层与第一导电层215c之间，并包括与弯曲区BA叠置的中心部160a和从中心部160a延伸的外围部160b。换言之，外围部160b指不与弯曲区BA叠置的区域。此外，有机材料层160的中心部160a的平均厚度<t1>大于外围部160b的平均厚度<t2>。由于凹槽与弯曲区BA叠置，所以有机材料层160填充凹槽。尽管中心部160a的平均厚度<t1>大于外围部160b的平均厚度<t2>，但是因为有机材料层160填充凹槽，所以中心部160a距离基底100的上表面的高度h1也可小于外围部160b距离基底100的上表面的高度h2。
虽然为了便于描述，图4示出显示设备不弯曲，但是显示设备实际处于基底100在弯曲区BA处弯曲的状态，如图1中所示。为了达到这个目的，在制造工艺期间，如图4中所示，在基底100大致平坦的状态下制造显示设备，然后，使基底100在弯曲区BA处弯曲，使得显示设备可大致具有如图1中所示的形状。就这一点而言，在基底100在弯曲区BA处弯曲时可对第一导电层215c施加拉应力，但是在根据本示例性实施例的显示设备中，无机绝缘层在弯曲区BA中具有凹槽，第一导电层215c的与弯曲区BA对应的部分位于至少部分地填充无机绝缘层中的凹槽的有机材料层160上。因此，可防止或减少在第一导电层215c的与弯曲区BA对应的部分中出现裂缝。
由于无机绝缘层具有比有机材料层160的硬度高的硬度，因此弯曲区BA中的无机绝缘层更可能具有裂缝。当无机绝缘层破裂时，存在裂缝会扩散到第一导电层215c的可能性高。虽然有机材料层160可阻挡裂缝扩散，但是形成在无机绝缘层中的凹槽可进一步减少无机绝缘层具有裂缝的可能性。因此，可在第一导电层215c上集中更小的拉应力。
如图4中所示，有机材料层160可覆盖无机绝缘层中凹槽的内表面。可通过在基底100的整个表面上形成导电材料层然后将此导电材料层图案化来形成显示设备的各种布线。如果有机材料层160不覆盖栅极绝缘层120的开口120a的内表面或者层间绝缘层130的开口130a的内表面(例如，凹槽)，那么在将导电材料层图案化期间，导电材料不可被去除而是可保留在开口120a或开口130a的内表面上。在这种情况下，保留的导电材料会导致与其它导电层的电短路。因此，覆盖凹槽的内表面的有机材料层160可防止此。
有机材料层160的中心部160a的距离基底100的上表面的高度h1可大于无机绝缘层的距离基底100的上表面的高度H。在这种情况下，可调节外围部160b的厚度t2，使得外围部160b的上表面可具有相对于无机绝缘层的上表面的平缓的倾斜。如图2中所示，外围部160b的厚度t2沿远离中心部160a的方向减小。此外，外围部160b的至少一部分可具有比中心部160a的厚度t1小的均匀的厚度t2。根据发明构思的示例性实施例，外围部160b的上表面与无机绝缘层的上表面之间的角度可以在45度内。
如上所述，由于第一导电层215c可包括与源电极215a和漏电极215b的材料基本相同的材料，并可与源电极215a和漏电极215b同时形成，导电层可形成在基底100的整个表面上，然后被图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。当无机绝缘层的上表面与有机材料层160的上表面交汇的边界区的倾斜不平缓时，在将导电层图案化时，不能将导电材料从边界区去除，而导电材料可保留在在边界区上。在这种情况下，保留的导电材料会导致与其它导电层的电短路。
因此，当形成有机材料层160时，外围部160b的上表面可相对于无机绝缘层的上表面具有平缓的倾斜。因此，当为了形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c而将导电层图案化时，可有效地去除保留的导电材料。
图5A至图5D均是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的剖视图。详细地，图5A至图5D均是示意性地示出弯曲区BA和相邻区的剖视图。
参照图5A，由于有机材料层160的中心部160a距离基底100的上表面的高度h1大于无机绝缘层距离基底100的上表面的高度H，所以有机材料层160通常比无机绝缘层的上表面高。换言之，有机材料层160具有平缓倾斜的堤形。
有机材料层160的外围部160b距离基底100的上表面的高度h2可沿远离中心部160a的方向逐渐减小。此外，高度h1可沿从中心部160a的中心区到外围部160b的方向逐渐减小。例如，可存在诸如中心部160a的厚度t1可基本均匀和仅外围部160b的厚度t2沿远离中心部160a的方向逐渐减少的各种修改。因此，外围部160b的上表面可具有相对于无机绝缘层的上表面的平缓的倾斜。根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的上表面与外围部160b的上表面之间的角度可小于或等于45度。
有机材料层160可通过各种方法形成。例如，可使用光致抗蚀剂材料来形成有机材料层160，在制造工艺期间，通过使用狭缝掩模或半色调掩模等，曝光量可相对于仍然具有大致平坦的上表面的有机材料层160的中心部160a和外围部160b变化，使得某一部分可比其它部分被蚀刻(去除)得相对多。因此，可逐渐改变中心部160a和/或外围部160b的厚度。此外，可通过热回流工艺允许有机材料层160向下流，因此，可调节有机材料层160的边缘区的倾斜角。
如上所述，外围部160b的上表面可具有相对于无机绝缘层的上表面的平缓的倾斜，因此，当为了形成第一导电层215c而将导电层图案化时，可有效地去除保留的导电材料。
参照图5B，有机材料层160的中心部160a距离基底100的上表面的高度h1可小于无机绝缘层距离基底100的上表面的高度H。此外，外围部160b可覆盖凹槽的内表面并延伸到无机绝缘层的上表面。虽然，在外围部160b覆盖凹槽的内表面的部分中或者在外围部160b位于无机绝缘层的上表面的部分中，外围部160b距离基底100的上表面的高度h2可大于高度h1，但是外围部160b的厚度t2可沿远离中心部160a的方向减小。
因此，外围部160b的上表面可相对于无机绝缘层的上表面具有平缓的倾斜。根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层的上表面与外围部160b的上表面之间的角度可以小于或等于45度。
如上所述，外围部160b的上表面可相对于无机绝缘层的上表面具有平缓的倾斜，因此，当将导电层图案化以形成第一导电层215c时，可有效地去除保留的导电材料。
参照图5C和图5D，有机材料层160可在其上表面(在+z方向上)中至少部分地具有不平坦的表面160s。图5C示出不平坦的表面160s仅形成在有机材料层160的中心部160a中的示例。图5D示出不平坦的表面160s主要形成在中心部160a中使得不平坦的表面160s的面积可大于中心部160a的面积的示例。在图5D中，不平坦的表面160s的宽度UEW大于弯曲区BA的宽度。可不同地修改形成有不平坦的表面160s的区域。例如，不平坦的表面160s可形成在有机材料层160的整个上表面上方。
由于有机材料层160包括不平坦的表面160s，因此位于有机材料层160上的第一导电层215c可具有与有机材料层160的不平坦的表面160s对应的形状的上表面和/或下表面。
如上所述，由于当基底100在制造工艺期间在弯曲区BA处弯曲时，拉应力会被施加到第一导电层215c，所以当第一导电层215c的上表面和/或下表面具有与不平坦的表面160s对应的形状时，可减小施加到第一导电层215c的拉应力的量。换言之，可经由具有较低硬度的有机材料层160的形状的变形来减小会在弯曲工艺期间产生的拉应力。就这一点而言，在弯曲工艺之前具有不平坦的形状的第一导电层215c可转变成与有机材料层160的由于弯曲工艺而变形的形状对应，因此，可有效地防止发生诸如第一导电层215c断开的缺陷。
此外，不平坦的表面160s至少部分地形成在有机材料层160的上表面(在+z方向上)中，因此，可增大有机材料层160的上表面的表面面积和第一导电层215c的上表面和下表面的表面面积。有机材料层160的上表面和第一导电层215c的上表面和下表面的大的表面面积可表示变形裕量足够大以减小因基底100弯曲而导致的拉应力。
由于第一导电层215c位于有机材料层160上，因此第一导电层215c的下表面具有与有机材料层160的不平坦的表面160s对应的形状。然而，第一导电层215c的上表面可具有不平坦的表面，该不平坦的表面具有独立于不平坦的表面160s的形状的形状。
参照图5E，缓冲层110可包括包含第一缓冲层111和第二缓冲层112的堆叠结构。此外，第一缓冲层111可横跨第一区1A、弯曲区BA和第二区2A连续地延伸。第二缓冲层112的上表面(在+z方向上)可从弯曲区BA被部分地去除。另外，栅极绝缘层120可具有与弯曲区BA对应的开口120a，层间绝缘层130也可具有与弯曲区BA对应的开口130a。因此，包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层可被构造为具有与弯曲区BA对应的凹槽。
上述结构可允许第二缓冲层112的一部分也在开口120a和开口130a分别形成在栅极绝缘层120和层间绝缘层130中期间的蚀刻工艺中被蚀刻。
根据发明构思的示例性实施例，无机绝缘层可包括不同类型的凹槽。可存在各种修改，例如，可不去除而是可保留栅极绝缘层120的下表面(在–z方向上)。凹槽的形成可与用于形成接触孔C1和C2的图案化工艺同时发生，所述接触孔C1和C2用于将TFT 210的源电极215a和漏电极215b连接到半导体层211。
关于以下描述的示例性实施例，为了便于描述，无机绝缘层在与有机材料层160叠置的区域中具有平坦的上表面。然而，示例性实施例可反而具有有凹槽的无机绝缘层，如上所述。
图6是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。参照图6，显示设备还可包括用于保护基底100的保护膜170。保护膜170是用于保护基底100的下表面的下保护膜，如图6中所示，保护膜170可包括开口170OP。开口170OP与弯曲区BA对应，开口170OP的面积可大于弯曲区BA的面积。在图6中，开口170OP的宽度大于弯曲区BA的宽度。
由于保护膜170保护基底100的下表面，因此保护膜170可具有它自己的强度。因此，当保护膜170具有低水平的柔性时，保护膜170可在基底100弯曲时与基底100分离或分开。因此，如图6中所示，当保护膜170包括与弯曲区BA对应的开口170OP时，可有效地防止保护膜170与基底100之间的这样的分离的发生。因此，如上所述，保护膜170中的开口170OP的面积大于弯曲区BA的面积以防止此分离。
然而，考虑到保护膜170必须尽可能地保护基底100的下表面，可需要减少保护膜170中的开口170OP的面积。因此，保护膜170中的开口170OP的面积可大于弯曲区BA的面积，但是可小于有机材料层160的面积。因此，在图6中，开口170OP的宽度大于弯曲区BA的宽度，但是小于有机材料层160的预定的宽度ORW。具有上述形状的保护膜170可施加到以上和以下描述的示例性实施例的显示设备。
如果需要，与图6中示出的保护膜170不同，保护膜170可不覆盖基底100的边缘。换言之，保护膜170可不在第二区2A中。
在以上描述的示例性实施例中，第一导电层215c在基本同一时间由与TFT 210的源电极215a或漏电极215b的材料基本相同的材料形成。然而，发明构思不限于此。
例如，如根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图的图7中所示，具有各种图案的触摸电极710可位于包封层400上方，以实现触摸屏功能。当形成触摸电极710时，可通过使用与触摸电极710的材料基本相同的材料同时地形成第一导电层215c。此外，当形成用于保护触摸电极710的触摸保护层720时，可同时地形成覆盖第一导电层215c的保护层。如果需要，触摸保护层720可从显示区DA整体地延伸到至少弯曲区BA，如图7中所示。与触摸电极710同时形成的第一导电层215c可被施加到以上或以下描述的示例性实施例的显示设备。与以上示例不同，第一导电层215c可反而通过使用与对向电极330的材料基本相同的材料同时地形成。
在这种情况下，当形成包括在显示区DA中的有机材料层时，可使用与显示区DA中的有机材料层的材料基本相同的材料形成有机材料层160。例如，当使用有机材料形成平坦化层140时，可通过使用与平坦化层140的材料基本相同的材料与平坦化层140同时地形成有机材料层160。作为另一示例，可通过使用与像素限定层150的材料基本相同的材料与像素限定层150同时地形成有机材料层160。作为另一示例，可通过使用与包封层400的有机包封层420的材料基本相同的材料与包封层400的有机包封层420同时地形成有机材料层160。
另外，可存在各种修改，例如，当使用绝缘有机材料形成层间绝缘层130时，可通过使用与层间绝缘层130的材料基本相同的材料与层间绝缘层130同时地形成有机材料层160。如果需要，可通过单独的工艺形成有机材料层160而与平坦化层140无关。
通过使用与包括在显示区DA中的有机材料层的材料基本相同的材料与有机材料层同时地形成的有机材料层160可相似地应用到以上或以下描述的示例性实施例的显示设备。
就这一点而言，如上所述，可通过使用与触摸电极710的材料基本相同的材料与触摸电极710同时地形成第一导电层215c。在这种情况下，触摸保护层720可覆盖第一导电层215c。可选择地，除了触摸保护层720之外，针对触摸屏功能，可需要另一有机绝缘层。例如，除了触摸电极710之外，可存在另一附加的触摸电极，有机绝缘层可位于触摸电极710与另一附加的触摸电极之间。在这种情况下，有机绝缘层可以延伸并覆盖第一导电层215c，或通过使用与有机绝缘层的材料基本相同的材料与有机绝缘层同时地形成的层可覆盖第一导电层215c。
可存在各种修改，例如，第一导电层215c可通过使用与源电极215a或漏电极215b而不是触摸电极710的材料基本相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时地形成。在这种情况下，第一导电层215c可被平坦化层140或另一绝缘层覆盖。
图8是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的示意性剖视图。参照图8，显示设备的基底100可具有多层结构。基底100可包括包含第一树脂层101、阻挡层102、中间层103和第二树脂层104的堆叠结构。
第一树脂层101和第二树脂层104均可包括诸如PES、聚丙烯酸酯、PEI、PEN、PET、PPS、PAR、PI、PC或CAP的聚合物树脂。
阻挡层102可设置在第一树脂层101和第二树脂层104之间以防止湿气或氧的渗透。阻挡层102可包括诸如金属氧化物、氮化硅或氧化硅的无机材料。阻挡层102可包括单层膜或者可包括彼此堆叠的多层膜。
中间层103可设置在阻挡层102与第二树脂层104之间，以增强阻挡层102与第二树脂层104之间的粘附。中间层103可包括诸如非晶硅、氧化铟锡(ITO)、Al、Ti和/或Mo的非晶材料。然而，中间层103的材料不限于此，可使用可以增强阻挡层102与第二树脂层104之间的粘附的任何材料，以形成中间层103。另外，如果需要，基底100可包括附加的树脂层、阻挡层和中间层。
如上所述，与在基底100具有单层结构时相比，当基底100具有多层结构时，可更有效地阻挡湿气或氧的渗透路径，因此，可防止或减少在显示器件300中的缺陷的发生。此外，根据本示例性实施例的基底100可采用中间层103以防止阻挡层102与第二树脂层104之间的剥落。在以上已描述的示例性实施例中，第一导电层215c可沿第二方向(+x方向)延伸，并与有机材料层160的上表面的不平坦的表面160s的突起延伸所沿的第一方向(+y方向)交叉。交叉角可以是如图9A中示出的90度，或者可以不是90度，如图9B中所示，图9A是根据发明构思的示例性实施例的部分地示出显示设备的概念上的平面图。图9A和图9B的附图标记GD表示有机材料层160的上表面的不平坦的表面160s延伸所沿的方向。与图9A相反，虽然图9B中示出的不平坦的表面160s延伸所沿的方向相对于第二方向(+x方向)倾斜，但是发明构思不限于此。例如，不平坦的表面160s延伸所沿的方向可以是第一方向(+y方向)，第一导电层215c的延伸方向可以不是第二方向(+x方向)而是相对于第二方向(+x方向)倾斜的方向(例如，相对于第二方向(+x方向)具有45度的角的方向)。当存在多个第一导电层215c时，多个第一导电层215c中的一些第一导电层215c相对于第二方向(+x方向)的角度可以不同于多个第一导电层215c中的剩余的第一导电层215c相对于第二方向(+x方向)的角度。
另外，虽然在图9A和图9B中第一导电层215c沿第二方向(+x方向)直地延伸，但是发明构思不限于此。可存在各种修改，例如，如图9C中所示，第一导电层215c可弯曲地向左和向右或者可以是在第一方向(+y方向)与第二方向(+x方向)彼此交叉的平面(xy平面)上的波状形。
根据以上描述的发明构思的示例性实施例，可保证显示设备的较长的寿命，并可在制造显示设备时减少诸如断开的缺陷的发生。
尽管已参照发明构思的示例性实施例示出并描述了发明构思，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的如权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以对其做出形式和细节上的各种改变。

Claims (35)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括第一区、第二区和位于所述第一区与所述第二区之间的弯曲区，所述弯曲区被构造为关于沿第一方向延伸的第一弯曲轴弯曲；
无机绝缘层，布置在所述基底上方；
第一导电层，从所述第一区经过所述弯曲区延伸到所述第二区，并且布置在所述无机绝缘层上方；以及
有机材料层，布置在所述无机绝缘层与所述第一导电层之间，直接接触所述无机绝缘层，并且包括中心部和外围部，
其中，所述中心部与所述弯曲区叠置，
所述外围部从所述中心部延伸，
所述中心部的平均厚度大于所述外围部的平均厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层在与所述有机材料层叠置的区域处具有平坦的上表面。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述中心部具有均匀的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述外围部包括具有均匀的厚度的区域，所述外围部的厚度沿远离所述中心部的方向减小。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述外围部的厚度沿远离所述中心部的方向逐渐减小。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层包括：
第一有机材料层；以及
第二有机材料层，布置在所述第一有机材料层上，
其中，所述第一有机材料层具有第一宽度，
所述第二有机材料层具有比所述第一宽度小的第二宽度，
所述第二宽度大于所述弯曲区的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层在所述有机材料层的上表面中至少部分地具有不平坦的表面。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述有机材料层在所述中心部中具有所述不平坦的表面。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一导电层的位于所述有机材料层上方的上表面具有与所述有机材料层的所述上表面的形状对应的形状。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层在与所述有机材料层叠置的区域中具有凹槽。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述凹槽的面积大于所述弯曲区的面积。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述有机材料层覆盖所述凹槽的内表面。
13.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述有机材料层距离所述基底的上表面的高度大于所述无机绝缘层距离所述基底的所述上表面的高度。
14.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述外围部距离所述基底的上表面的高度沿远离所述中心部的方向逐渐地减小。
15.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述有机材料层距离所述基底的上表面的高度小于所述无机绝缘层距离所述基底的所述上表面的高度。
16.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述有机材料层在所述有机材料层的上表面中至少部分地具有不平坦的表面。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述有机材料层在所述中心部中具有所述不平坦的表面。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述不平坦的表面的面积大于所述中心部的面积。
19.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一导电层的位于所述有机材料层上方的上表面具有与所述有机材料层的所述上表面的形状对应的形状。
20.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
保护膜，设置在所述基底的下表面上，
其中，所述下表面在所述基底的最靠近所述无机绝缘层的表面的背面，
所述保护膜包括与所述弯曲区对应的开口。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述开口的面积大于所述弯曲区的面积。
22.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
包封层，在所述第一区上方覆盖显示器件；以及
触摸电极，被构造为设置触摸屏，并且位于所述包封层上方，
其中，所述第一导电层包括与所述触摸电极的材料相同的材料。
23.根据权利要求22所述的显示设备，所述显示设备还包括覆盖所述触摸电极和所述第一导电层的触摸保护层。
24.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，布置在所述第一区或所述第二区上方，并且包括源电极、漏电极和栅电极；以及
平坦化层，覆盖所述薄膜晶体管并且包括有机材料，
其中，所述有机材料层包括与所述平坦化层的材料相同的材料。
25.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
有机发光器件，布置在所述第一区上方，并且包括像素电极、面对所述像素电极的对向电极以及包括有机发射层并布置在所述像素电极与所述对向电极之间的中间层；以及
像素限定层，布置在所述第一区上方，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部的开口，并且限定像素区，
其中，所述有机材料层包括与所述像素限定层的材料相同的材料。
26.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括包封层，所述包封层包括第一无机包封层、第二无机包封层以及位于所述第一无机包封层与所述第二无机包封层之间并在所述第一区上方覆盖显示器件的有机包封层，
其中，所述有机材料层包括与所述有机包封层的材料相同的材料。
27.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括布置在所述第一区或所述第二区上方的第二导电层，
其中，所述第二导电层位于与其上定位有所述第一导电层的层不同的层上，
所述第二导电层电连接到所述第一导电层。
28.根据权利要求27所述的显示设备，其中，所述第一导电层的延伸率大于所述第二导电层的延伸率。
29.根据权利要求27所述的显示设备，所述显示设备还包括布置在所述第一区或所述第二区上方并包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，
其中，所述第一导电层与所述源电极和所述漏电极位于同一层上，
所述第二导电层与所述栅电极位于同一层上。
30.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括布置在所述第一导电层的上部上方的应力中和层。
31.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，划分成第一区、第二区和位于所述第一区与所述第二区之间的弯曲区，所述弯曲区被构造为关于沿第一方向延伸的第一弯曲轴弯曲；
无机绝缘层，布置在所述基底上方；
第一导电层，从所述第一区经过所述弯曲区延伸到所述第二区，并且布置在所述无机绝缘层上方；以及
有机材料层，布置在所述无机绝缘层与所述第一导电层之间，直接接触所述无机绝缘层，并且包括中心部和外围部，
其中，所述中心部与所述弯曲区叠置，
所述外围部从所述中心部延伸，
所述中心部的平均厚度大于所述外围部的平均厚度，
所述基底具有贯穿所述第一区、所述第二区和所述弯曲区延伸的多层结构，所述基底包括：第一树脂层，包括聚合物树脂；阻挡层，包括无机材料并设置在所述第一树脂层上方；中间层，包括非晶材料并设置在所述阻挡层上方；以及第二树脂层，包括聚合物树脂并设置在所述中间层上方。
32.根据权利要求31所述的显示设备，其中，
所述第一导电层沿与所述第一方向垂直的第二方向从所述第一区延伸到所述第二区，
所述第一导电层形成波状图案，同时沿所述第二方向延伸。
33.根据权利要求31所述的显示设备，所述显示设备还包括：
保护膜，设置在所述基底的下表面上，
其中，所述下表面在所述基底的最靠近所述无机绝缘层的表面的背面，
所述保护膜包括与所述弯曲区对应的开口，
所述开口的面积大于所述弯曲区的面积并小于所述有机材料层的面积。
34.根据权利要求31所述的显示设备，其中，
所述有机材料层在所述有机材料层的上表面中至少部分地具有不平坦的表面，
所述第一导电层的在所述有机材料层上方的上表面具有不平坦的表面，所述不平坦的表面具有独立于所述有机材料层的所述不平坦的表面的形状的形状。
35.根据权利要求31所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层的上表面和所述有机材料层的所述外围部的上表面接触，形成小于或等于45度的角。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10386956B2 (en) * 2016-09-23 2019-08-20 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display panel and organic light-emitting display device having built-in touchscreen
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180047605A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이
KR102583831B1 (ko) 2016-11-25 2023-09-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계발광 표시장치
KR102327991B1 (ko) * 2016-12-16 2021-11-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법
KR102657718B1 (ko) * 2017-02-09 2024-04-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
US10073294B1 (en) * 2017-03-31 2018-09-11 Innolux Corporation Display device
KR102465376B1 (ko) * 2017-06-16 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI634468B (zh) * 2017-08-18 2018-09-01 財團法人工業技術研究院 透明顯示裝置
KR102349279B1 (ko) * 2017-09-08 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102417112B1 (ko) * 2017-09-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111149429B (zh) * 2017-09-28 2022-10-04 夏普株式会社 显示装置
CN109755256B (zh) * 2017-11-01 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置
KR102562900B1 (ko) * 2018-02-02 2023-08-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
JP7032173B2 (ja) * 2018-02-27 2022-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108448002A (zh) * 2018-04-09 2018-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种oled封装结构以及封装方法
KR102640726B1 (ko) * 2018-04-18 2024-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102591811B1 (ko) * 2018-05-18 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102654593B1 (ko) 2018-06-01 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 포함한 전자 장치
KR20200060594A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200071429A (ko) * 2018-12-11 2020-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20210010717A (ko) * 2019-07-17 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210024368A (ko) * 2019-08-23 2021-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11348975B2 (en) * 2019-11-26 2022-05-31 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method of same and display device
KR20210071258A (ko) * 2019-12-06 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 표시장치 및 그의 제조방법
CN111312766B (zh) * 2020-02-21 2022-12-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR20210109090A (ko) * 2020-02-26 2021-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220038230A (ko) * 2020-09-18 2022-03-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112331714B (zh) * 2021-01-04 2021-04-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN116897613A (zh) * 2022-01-29 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板、触控显示装置、触控显示母板
CN114843326B (zh) * 2022-04-26 2023-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331665A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR20090019690A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기
WO2012046280A1 (ja) * 2010-10-07 2012-04-12 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法、および有機ｅｌ表示装置
CN102842509A (zh) * 2011-06-13 2012-12-26 三星显示有限公司 薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
CN103887314A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 柔性显示器及其制造方法
CN104779266A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 三星显示有限公司 柔性显示装置
CN105280673A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207962A (ja) 2006-02-01 2007-08-16 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
KR20110015240A (ko) * 2009-08-07 2011-02-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US9419065B2 (en) 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
KR101965257B1 (ko) 2012-10-08 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치
KR101973778B1 (ko) 2012-11-16 2019-04-30 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 커버 윈도우 제조 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR101447885B1 (ko) 2013-03-04 2014-10-08 주식회사 엘엠에스 플렉시블 디스플레이 소자
US9209207B2 (en) * 2013-04-09 2015-12-08 Apple Inc. Flexible display with bent edge regions
KR20140127688A (ko) * 2013-04-25 2014-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102047729B1 (ko) 2013-04-30 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102054850B1 (ko) * 2013-05-30 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102081287B1 (ko) * 2013-06-07 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조방법
KR102136392B1 (ko) 2013-09-05 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 터치 스크린 패널의 제조 방법
KR102180037B1 (ko) * 2013-11-06 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2015115469A (ja) * 2013-12-12 2015-06-22 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、電子機器、および薄膜トランジスタの製造方法
KR102085961B1 (ko) 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150074806A (ko) 2013-12-24 2015-07-02 기아자동차주식회사 차량용 슬라이딩 도어
US9544994B2 (en) * 2014-08-30 2017-01-10 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same
US9716248B2 (en) * 2015-12-18 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with reduced border area
JP6727843B2 (ja) * 2016-02-25 2020-07-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005331665A (ja) * 2004-05-19 2005-12-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR20090019690A (ko) * 2007-08-20 2009-02-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 장치 및 그 제조 방법, 전자 기기
WO2012046280A1 (ja) * 2010-10-07 2012-04-12 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルとその製造方法、および有機ｅｌ表示装置
CN102842509A (zh) * 2011-06-13 2012-12-26 三星显示有限公司 薄膜晶体管及制造方法、有机发光显示装置及制造方法
CN103887314A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 乐金显示有限公司 柔性显示器及其制造方法
CN104779266A (zh) * 2014-01-13 2015-07-15 三星显示有限公司 柔性显示装置
CN105280673A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 株式会社日本显示器 显示装置以及显示装置的制造方法

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