KR102562900B1 - 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치 - Google Patents

가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102562900B1
KR102562900B1 KR1020180013437A KR20180013437A KR102562900B1 KR 102562900 B1 KR102562900 B1 KR 102562900B1 KR 1020180013437 A KR1020180013437 A KR 1020180013437A KR 20180013437 A KR20180013437 A KR 20180013437A KR 102562900 B1 KR102562900 B1 KR 102562900B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
stress relieving
electrode
area
cutout
Prior art date
Application number
KR1020180013437A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190094263A (ko
Inventor
권도현
이민정
김재능
장미
전하석
정창용
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180013437A priority Critical patent/KR102562900B1/ko
Priority to US16/216,013 priority patent/US10797251B2/en
Priority to EP19154370.1A priority patent/EP3522228B1/en
Priority to CN201910089555.0A priority patent/CN110137217A/zh
Publication of KR20190094263A publication Critical patent/KR20190094263A/ko
Priority to US17/062,884 priority patent/US11398534B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102562900B1 publication Critical patent/KR102562900B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02—Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026—Details of the structure or mounting of specific components
    • H04M1/0266—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly
    • H04M1/0268—Details of the structure or mounting of specific components for a display module assembly including a flexible display panel
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면에 따르면, 표시영역과, 상기 표시영역 외곽에 위치하고 벤딩축을 중심으로 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 위치하는 무기절연층; 상기 벤딩영역에서 상기 무기절연층에 형성된 절개부; 상기 절개부에 충진되고 상기 표시영역으로 연장된 응력완화층; 상기 벤딩영역에서 상기 응력완화층 상에 위치하는 배선부; 상기 배선부를 덮고 상기 응력완화층 상에 위치하는 평탄화층; 및 상기 표시영역에서 상기 평탄화층 상에 위치하고 상기 배선부와 전기적으로 연결된 표시부;를 포함하는 가요성 표시장치를 제공한다.

Description

가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치{Flexible display apparatus and touch sensitive display apparatus}
본 발명의 실시예들은 가요성 표시장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 벤딩영역을 가지는 가요성 표시장치에 관한 것이다.
자체 발광 특성을 가지는 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력과 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등 의 고품위 특성을 나타낸다.
유기 발광 표시 장치는 기판과, 기판 위에 형성되는 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터에 의해 발광이 제어되는 유기 발광 소자와, 박막트랜지스터를 구성하는 전극들 사이에 배치되는 복수의 절연층을 포함한다. 최근, 가요성 기판을 구비하며 벤딩 영역을 가지는 가요성 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다.
본 발명은 벤딩 영역을 가지는 가요성 표시 장치에 있어서, 벤딩에 의한 절연층의 크랙 발생 및 크랙 전파를 억제하고, 외부광의 반사색 분리를 줄일 수 있는 가요성 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 표시영역과, 상기 표시영역 외곽에 위치하고 벤딩축을 중심으로 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 위치하는 무기절연층; 상기 벤딩영역에서 상기 무기절연층에 형성된 절개부; 상기 절개부에 충진되고 상기 표시영역으로 연장된 응력완화층; 상기 벤딩영역에서 상기 응력완화층 상에 위치하는 배선부; 상기 배선부를 덮고 상기 응력완화층 상에 위치하는 평탄화층; 및 상기 표시영역에서 상기 평탄화층 상에 위치하고 상기 배선부와 전기적으로 연결된 표시부;를 포함하는 가요성 표시장치를 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 무기절연층은 복수의 무기막을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 절개부는 상기 벤딩축과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 응력완화층은 유기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 절개부에서 상기 응력완화층의 두께는 상기 절개부의 깊이보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 절개부에서 상기 응력완화층의 하면은 상기 가요성 기판의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고 상기 표시영역에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리와, 상기 절개부와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리가 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 평탄화층은 유기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부와 상기 배선부 전기적으로 연결하고, 상기 표시영역에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극의 상면은 상기 응력완화층의 상면 보다 높은 곳에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 배선부는 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극과 동일 재료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고, 상기 표시영역에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극의 상면이 상기 응력완화층의 상면과 같거나 낮게 위치할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 배선부는 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극과 동일 재료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 응력완화층에 개구가 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극은 상기 개구에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 가요성 기판은, 고분자 수지를 포함하는 제1기판; 상기 제1기판 상에 위치하고, 고분자 수지를 포함하는 제2기판; 및 상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치하는 배리어막;을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 절개부에서 상기 응력완화층의 하면은 상기 제2기판의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부를 커버하고, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 표시영역과, 상기 표시영역 외곽에 위치하고 벤딩축을 중심으로 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 가요성 기판; 상기 가요성 기판 상에 위치하는 무기절연층; 상기 벤딩영역에서 상기 무기절연층에 형성된 절개부에 충진되고, 상기 표시영역으로 연장된 응력완화층; 상기 벤딩영역에서, 상기 응력완화층 상에 위치하는 배선부; 상기 배선부를 덮고 상기 응력완화층 상에 위치하는 평탄화층; 상기 표시영역에서, 상기 평탄화층 상에 위치하고 상기 배선과 전기적으로 연결된 표시부; 상기 표시부를 덮는 가요성 봉지부; 상기 가요성 봉지박막 상에 위치하는 터치감지층; 상기 터치감지층 상에 위치하는 컬러필터; 및 상기 컬러필터 사이에 위치하는 블랙매트릭스;를 포함하는 터치감지 표시 장치를 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부는 제1전극과, 유기발광층과, 제2전극을 포함하고, 상기 가요성 기판의 평행한 면에 대한 화소 제1전극의 경사각이 0.1도 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 컬러필터와 상기 블랙매트릭스는 중첩되는 영역이 존재할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 가요성 기판이 가장자리에는 상기 배선부와 전기적으로 연결된 패드전극이 위치하고, 벤딩영역에서 접혀 상기 패드전극은 표시영역과 중첩되도록 위치할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 절개부에서 상기 응력완화층의 두께는 상기 절개부의 깊이보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고 상기 표시영역에 위치하는 박막트랜지스터를 더 포함하고, 상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리와, 상기 절개부와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리가 실질적으로 동일할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 특허청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 표시영역 외곽에 벤딩영역을 형성함으로써 데드스페이스 줄이고, 벤딩영역에 절개부를 형성하고 절개부에 응력완화층을 충진함으로써, 무기절연층의 크랙 방지와 배선의 단선을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 응력완화층을 표시영역까지 연장해서 화소 전극의 경사각을 줄여 외광의 색 분리를 방지하여 표시 품질을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치(100)의 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 펼친 상태를 나타낸 개략적인 사시도이다.
도 4는 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 비교예에 따른 가요성 표시장치(10)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 가요성 기판에 평행한 면에 대하여 녹색 발광 화소의 화소 전극(141)을 틸트시킨 경우, 경사각에 따른 외광의 색 분리 정도를 나타낸 도면이다.
도 7a는 화소 전극(141)의 경사각이 1.0 도를 초과하는 경우, 외광의 반사색이 분리된 현상을 나타낸 이미지이다.
도 7b는 화소 전극(141)의 경사각이 1.0 도 보다 작은 경우, 외광의 반사색이 분리된 현상을 나타낸 이미지이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시에에 따른 가요성 표시장치(200)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시에에 따른 가요성 표시장치(300)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시에에 따른 가요성 표시장치(400)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치(100)의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 펼친 상태를 나타낸 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 1에 도시한 가요성 표시장치(100)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치(100)는 가요성 기판(110)과, 가요성 기판(110) 상에 형성된 표시부(120), 무기절연층(130), 응력완화층(140), 배선부(150), 평탄화층(160), 및 봉지부(210)를 포함한다. 또한, 가요성 표시 장치(100)는 패드전극(170), 칩 온 필름(chip on film, COF)(180), 및 인쇄회로 기판(printed circuit board, PCB)(190)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서 가요성 기판(110)은 표시부(120)가 형성된 표시영역(DA)을 포함하고, 표시영역(DA) 외곽의 비표시영역(NDA)에 제1방향(+y 방향)으로 연장된 벤딩축(BAX)을 중심으로 벤딩 된 벤딩영역(BA)을 포함한다.
이러한 가요성 기판(110)은 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는 다양한 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelenen naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 물론 가요성 기판(110)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.
표시부(120)는 복수의 화소를 구비하며, 복수의 화소에서 방출되는 빛들의 조합으로 이미지를 표시한다. 각각의 화소는 화소 회로와 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 화소 회로는 적어도 두 개의 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 커패시터를 포함하고, 유기 발광 소자의 발광을 제어한다. 표시부(120)의 상세 구조에 대해서는 후술한다.
벤딩영역(BA)은 비표시영역(NDA)의 일부 일 수 있다. 벤딩영역(BA)에서 제2방향(+x방향)으로 연장된 가요성 기판(110)의 가장자리에 복수의 패드전극(170)이 형성될 수 있다. 복수의 화소에 전기적으로 연결된 스캔선, 데이터선과 같은 신호선 및 구동 전압선과 같은 전원선을 포함하는 배선부(150)가 패드전극(170)에 전기적으로 연결된다.
패드전극(170)은 칩 온 필름(180)에 연결될 수 있다. 칩 온 필름(180)은 가요성 인쇄회로(flexible printed circuit, FPC)(미도시)로 대체될 수 있다. 칩 온 필름(180)은 인쇄회로 기판(printed circuit board, PCB)(190)에 연결될 수 있다.
칩 온 필름(180)은 출력 배선부(181), 구동 칩(183), 입력 배선부(182)를 포함할 수 있다. 인쇄회로 기판(190)은 칩 온 필름(180)의 입력 배선부(182)와 연결되어, 칩 온 필름(18)의 구동 칩(183)을 제어하기 위한 제어 신호를 칩 온 필름(180)에 입력한다. 칩 온 필름(180)의 출력 배선부(181)는 패드 전극(170)에 연결되어, 가요성 표시장치(100)의 표시를 제어하기 위한 각종 신호와 전원을 패드 전극(170)에 출력한다.
배선부(150)와 패드전극(170)을 포함한 비표시영역(NDA)이 벤딩되지 않고 표시영역(DA)과 나란하게 위치하면(도 3 참조), 표시부(120) 외측의 데드 스페이스(dead space)의 면적이 증가한다. 본 실시예의 가요성 표시장치(100)는 배선부(150)가 연장되는 비표시영역(NDA)의 일부를 벤딩하여 벤딩영역(BA)을 형성한다. 벤딩 결과, 패드 전극(170)이 형성된 가요성 기판(110)의 가장자리가 표시영역(DA)의 후방에서 표시영역(DA)과 중첩되므로, 표시부(120) 외측의 데드 스페이스가 최소화된다.
벤딩영역(BA)은 벤딩축(BAX)을 중심으로 벤딩된다. 벤딩영역(BA)의 곡률 중심은 벤딩축(BAX) 상에 위치한다. 도 1과 도 2를 기준으로, 벤딩축(BAX)은 y축과 나란하다.
가요성 기판(110) 상에 배리어막(131), 버퍼막(132), 게이트 절연막(133), 제1 층간 절연막(134), 및 제2 층간 절연막(135) 중 적어도 하나 이상의 무기막을 포함하는 무기절연층(130)이 형성된다. 무기절연층(130)은 표시부(120)에 포함된 전극들과 배선들 사이에 배치되어 이들을 절연시키는 기능을 한다.
본 실시예에서 벤딩영역(BA)의 무기절연층(130)에 절개부(CU)가 형성되고, 절개부(CU)는 벤딩 축(BAX)과 나란한 방향(y축 방향)을 따라 확장될 수 있다.
절개부(CU)에 유기절연물을 포함하는 응력완화층(140)이 충진되고, 응력완화층(140)은 표시영역(DA)으로 연장되어 형성된다.
응력완화층(140) 상에 배선부(150)가 형성된다. 배선부(150)는 금속물질을 포함할 수 있다. 무기절연층(130)은 배선부(150)에 비해 가요성이 상당히 떨어지며, 외력에 의해 파괴되는 취성(brittleness)을 가진다. 따라서 벤딩영역(BA)에 형성된 무기절연층(130)은 벤딩에 의한 인장력에 의해 파괴되어 크랙이 생길 수 있고, 발생된 크랙은 무기절연층(130)의 다른 영역으로 전파될 수 있다. 무기절연층(130)의 크랙은 배선부(150)의 단선을 유발하며, 이는 가요성 표시장치(100)의 표시 불량을 발생시킬 수 있다.
본 실시예에서, 응력완화층(140)은 무기절연층(130)보다 취성의 정도가 낮고 가요성이 높은 물질로 형성된다. 예를 들어 응력 완화층(140)은 아크릴, 에폭시, 아크릴레이트, 폴리이미드, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기절연물로 형성될 수 있다. 응력완화층(140)은 절개부(CU) 전체에 충진되고, 절개부(CU) 측벽에 밀착되어 무기절연층(130)과의 사이에 틈새가 생기지 않도록 형성한다.
또한 본 실시예에서, 응력완화층(140)은 하면은, 절개부(CU)의 측벽뿐만 아니라, 절개부(CU)의 하면인, 가요성 기판(110)의 상면과 직접 접촉하도록 형성되어, 가요성 기판(110)과의 접착력도 개선된다.
따라서, 본 실시예의 가요성 표시장치(100)는 벤딩영역(BA)의 무기절연층(130)에 절개부(CU)를 형성하고, 절개부(CU)에 취성의 정도가 낮은 응력완화층(140)을 형성함으로써, 벤딩 스트레스에 의한 무기절연층(130)의 크랙 발생을 억제하고, 배선부(150)의 단선을 방지할 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 본 실시예에서 절개부(CU)에 충진된 응력완화층(140)은 표시영역(DA)으로 연장되어 형성되기 때문에, 무기절연층(130)의 절개부(CU)에 충진된 응력완화층(140)의 두께(T)는 절개부(CU)의 깊이(D)보다 크게 할 수 있다.
도 5는 비교예에 따른 가요성 표시장치(10)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 5를 참조하면, 비교예에 따른 가요성 표시장치(10)는 본 실시예와 달리, 절개부(CU)에 유기절연물을 포함하는 응력완화층(140)이 충진되지만, 응력완화층(140)이 표시영역(DA)으로 연장되지는 않는다. 따라서, 무기절연층(130)의 절개부(CU)에 형성된 응력완화층(140)의 두께(T)를 절개부(CU)의 깊이(D)보다 크게 할 수 없다.
상기와 같이 본 실시예의 가요성 표시장치(100)에 있어서 비교예와 달리 절개부(CU)에 충진된 응력완화층(140)의 두께(T)와 절개부(CU)의 깊이(D)에 차이를 두는 이유는 표시부(120)의 발광 소자에서 반사되는 반사광의 색분리를 방지하기 위한 것인데, 이를 설명하기 위해 도 4와 도 5의 표시영역(DA)의 구조를 중심으로 상세히 설명한다.
도 4와 도 5에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다. 이하에서, 특별한 언급이 없으면 도 4와 도 5에 공통으로 적용되는 설명이다. 비교예인 도 5를 기준으로 설명하고, 본 실시예와 비교예의 차이점에 대하여 별도의 설명을 추가하도록 한다.
도 5를 참조하면, 가요성 기판(110) 상에 배리어막(131)이 형성될 수 있다. 배리어막(131)은 가요성 기판(110)을 통한 수분과 산소의 침투를 차단하는 기능을 하며, 산화규소(SiO2)와 질화규소(SiNx)를 교대로 반복 적층한 다층막으로 형성될 수 있다.
배리어막(131) 상에 버퍼막(132)이 형성될 수 있다. 버퍼막(132)은 화소 회로를 형성하기 위한 평탄면을 제공하며, 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)를 포함할 수 있다.
버퍼막(132) 상에 반도체층(121)과 제1 커패시터 전극(125)이 형성된다. 반도체층(121)은 폴리실리콘 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있고, 산화물 반도체로 형성된 반도체층(121)은 별도의 보호막(도시하지 않음)으로 덮일 수 있다. 반도체층(121)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양측에 위치하며 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 제1 커패시터 전극(121)은 반도체층(121)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
반도체층(121)과 제1 커패시터 전극(125) 상에 게이트 절연막(133)이 형성된다. 게이트 절연막(133)은 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)의 단일막 또는 이들의 적층막으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(133) 상에 게이트 전극(122)과 제2 커패시터 전극(126)이 형성된다. 게이트 전극(122)은 반도체층(121)의 채널 영역과 중첩된다. 제2 커패시터 전극(126)은 게이트 전극(122)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
게이트 전극(122)과 제2 커패시터 전극(126) 상에 제1 층간 절연막(134)이 형성되고, 제1 층간 절연막(134) 상에 제3 커패시터 전극(127)이 형성될 수 있다. 제3 커패시터 전극(127)은 게이트 전극(122)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1 커패시터 전극(125)과 제2 커패시터 전극(126) 사이에 게이트 절연막(133)이 제1 유전막을 형성하고, 제2 커패시터 전극(126)과 제3 커패시터 전극(127) 사이에 제1 층간 절연막(134)이 제2 유전막을 형성하여, 스토리지 커패시터(202)를 형성한다.
제3 커패시터 전극(127) 상에 제2 층간 절연막(135)이 형성될 수 있고, 제2 층간 절연막(135) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 형성된다. 제1 및 제2 층간 절연막(134, 135)은 산화규소(SiO2) 또는 질화규소(SiNx)의 단일막 또는 이들의 적층막으로 형성될 수 있다.
표시영역(DA)에서 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124) 형성 시, 벤딩영역(BA)에서는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 재료로 형성된 배선부(150)가 절개부(CU)에 충진된 응력완화층(140) 상에 형성된다. 비교예에 따른 가요성 표시장치(10)에서는, 벤딩영역(BA)에서 절개부(CU)에 충진된 응력완화층(140)이 표시영역(DA)으로 연장되지는 않는다.
표시영역(DA)에는 응력완화층(140)이 없기 때문에, 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 제1 및 제2 층간 절연막(134, 135)과 게이트 절연막(133)에 형성된 콘택 홀(미도시)을 통해 반도체층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과, 배선부(150)는 Mo/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti와 같은 금속 다층막으로 형성될 수 있다.
화소 회로는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터(201) 및 스토리지 커패시터(202)를 포함하는데, 편의상 도 4에서는 스위칭 박막 트랜지스터의 도시를 생략하였다. 그리고 구동 박막 트랜지스터(201)와 스토리지 커패시터(202)의 구조는 도 4의 예시로 한정되지 않는다.
구동 박막 트랜지스터(201)와 배선부(150) 상에 평탄화층(160)이 배치된다. 구동 박막 트랜지스터(201)는 유기 발광 소자(203)와 연결되어 유기 발광 소자(203)를 구동시킨다. 평탄화층(160)은 유기 절연물 또는 무기 절연물을 포함하거나 유기 절연물과 무기 절연물의 복합 형태로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자(203)는 화소 전극(141)과 발광층(142) 및 공통 전극(143)을 포함한다.
화소 전극(141)은 평탄화층(160) 위에서 화소마다 하나씩 형성되며, 평탄화층(160)에 형성된 비아홀(VH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(201)의 드레인 전극(124)과 연결된다.
평탄화층(160) 상부와 화소 전극(141)의 가장자리 위에 화소 정의막(204)이 형성된다. 화소정의막(204)은 적어도 화소 전극(141)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구를 가짐으로써 화소를 정의하는 역할을 한다. 또한 화소전극(141)의 가장자리와 화소전극(141) 상부의 공통 전극(143)과의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(141)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 화소정의막(150)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
발광층(142)은 화소 전극(127) 위에 형성되며, 공통 전극(143)은 화소별 구분 없이 표시영역(DA) 전체에 형성된다.
도 4에는 화소 전극(141) 상부에 배치된 발광층(142)만 도시하였으나, 화소 전극(141)과 공통 전극(143) 사이에는 발광층(142) 외 중간층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 유기 발광 소자(203)의 중간층은 저분자 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 저분자 물질을 포함할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층된 구조를 가질 수 있으며, 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양한 유기물질을 포함할 수 있다. 이러한 층들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
중간층이 고분자 물질을 포함할 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 홀 수송층은 PEDOT을 포함하고, 발광층은 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 물질을 포함할 수 있다. 이러한 중간층(320)은 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법, 레이저열전사방법(LITI; Laser induced thermal imaging) 등으로 형성할 수 있다.
화소 전극(141)과 공통 전극(143) 중 어느 하나는 발광층(142)으로 정공을 주입하고, 다른 하나는 발광층(142)으로 전자를 주입한다. 전자와 정공은 발광층(143)에서 결합하여 여기자(exciton)를 생성하며, 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 빛이 방출된다.
화소 전극(141)은 반사막으로 형성될 수 있고, 공통 전극(143)은 투명막 또는 반투과막으로 형성될 수 있다. 발광층(142)에서 방출된 빛은 화소 전극(141)에서 반사되고, 공통 전극(143)을 투과하여 외부로 방출된다. 공통 전극(143)이 반투과막으로 형성되는 경우, 화소 전극(127)에서 반사된 빛의 일부는 공통 전극(143)에서 재반사되며, 화소 전극(141)과 공통 전극(143)이 공진 구조를 이루어 광 추출 효율을 높일 수 있다.
유기 발광 소자(203)는 봉지부(210)로 덮인다. 봉지부(210)는 유기 발광 소자(203)를 밀봉하여 외기에 포함된 수분과 산소에 의한 유기 발광 소자(203)의 열화를 억제한다. 봉지부(210)는 무기막과 유기막의 적층 구조로 이루어지며, 예를 들어 제1 무기막(211)과 유기막(212) 및 제2 무기막(213)을 포함할 수 있다. 물론 봉지부(210)는 도 4 및 5에 도시된 구조에 특정되지 않는다.
한편, 가요성 표시장치(10)의 외부에서 유기 발광 소자(203)로 입사한 외광은 가요성 표시장치(100 내부에 위치하는 각종 전극들과 배선들에 의해 반사되어 방출된다. 반사되는 외광은 발광층(142)에서 방출되는 광과 혼합되어 노이즈를 일으키는 원인이기도 하다. 특히, 반사 전극 역할을 하는 화소 전극(141)의 평탄화 정도에 따라, 반사된 외광의 색 분리현상에 영향을 받을 수 있다.
화소 전극(141)의 평탄도는 화소 전극(141)이 직접 접촉하는 평탄화층(160)의 평탄도에 영향을 받는다. 평탄화층(160)의 평탄도는 평탄화층(160) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들의 설계에 따라 영향을 받을 수 있다.
비교예에 따른 가요성 표시장치(10)에서, 표시부(120)를 평탄화 할 목적으로 평탄화층(160)을 형성하기는 하였으나, 평탄화층(160) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들에 구조에 의한 단차의 영향으로, 가요성 기판(110)에 평행한 면에 대한 화소 전극(141)의 경사각(tilt angle)(θ)이 1.0도를 초과하여 발생한다.
도 7a는 화소 전극(141)의 경사각이 1.0 도를 초과하는 경우, 외광의 반사색이 분리된 현상을 나타낸 이미지이다. 즉, 반사된 외광들이 섞여 백색광으로 발현되지 않고, 각 고유의 색으로 분리되어 노이즈를 발생시킨다.
그러나, 도 4를 참조하면, 본 실시예의 가요성 표시장치(100)는 평탄화층(160) 하부에, 유기절연물을 포함하는 응력완화층(140)이 표시영역(DA)에도 연장되어 형성되어 있기 때문에, 표시영역(DA)에서 응력완화층(140) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들의 구조에 의한 단차가 완화된다. 단차가 완화된 상태에서 평탄화층(160)이 형성되기 때문에, 가요성 기판(110)에 평행한 면에 대한 화소 전극(141)의 경사각(θ)이 1.0도를 초과하지 않는다. 즉, 평탄화층(160)의 상면은 실질적으로 평탄하게 형성된다.
따라서, 본 실시예에 따르면, 구동 박막트랜지스터(201)와 중첩하는 영역에서의 평탄화층(160) 상면부터 가요성 기판(110)까지의 거리와, 절개부(CU)와 중첩하는 영역에서의 평탄화층(160) 상면부터 가요성 기판(110)까지의 거리가 실질적으로 동일할 수 있다.
도 7b는 화소 전극(141)의 경사각이 1.0 도 보다 작은 경우, 외광의 반사색이 분리된 현상을 나타낸 이미지이다. 반사된 외광들이 색 분리가 완전히 사라지지는 않았지만, 도 7a와 비교 시 상당히 완화된 것을 알 수 있다.
도 6은 가요성 기판에 평행한 면에 대하여 녹색 발광 화소의 화소 전극(141)을 틸트시킨 경우, 경사각에 따른 외광 색이 분리되는 정도를 나타낸 도면이다.
(a)는 경사각(θ)이 0.5도일 때 반사된 외광의 적색(R) 띠(band)와 녹색(Ga) 띠의 상대적 위치를 나타내고, (b)는 경사각(θ)이 1.0 도일 때 반사된 외광의 적색(R) 띠와 녹색(Gb) 띠의 상대적 위치를 나타내고, (c)는 경사각(θ)이 1.9 도일 때 반사된 외광의 적색(R) 띠와 녹색(Gc) 띠의 상대적 위치를 나타낸다.
(a)에서 적색(R) 기준 녹색(Ga) 띠와의 차이는 a, (b)에서 적색(R) 기준, 녹색(Gb) 띠와의 차는 b, (c)에서 적색(R) 기준, 녹색(Ga) 띠와의 차는 c이다. (c)로 갈수록, 즉 경사각(θ)이 커질수록 색 분리 현상이 증가하는 것을 알 수 있다.
다시 도 4를 참조하면, 본 실시예에서 표시 영역(DA)의 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 게이트 절연막(133), 제1 및 제2 층간 절연막(134, 135), 및 응력완화층(140)에 형성된 콘택 홀(미도시)을 통해 반도체층(121)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다. 벤딩영역(BA)의 배선부(150)는 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)과 동일한 재료로 형성되고, 배선부(150)는 Mo/Al/Mo 또는 Ti/Al/Ti와 같은 금속 다층막으로 형성될 수 있다.
화소 전극(141)은 평탄화층(160) 위에서 화소마다 하나씩 형성되며, 평탄화층(160)에 형성된 비아홀(VH)을 통해 구동 박막 트랜지스터(201)의 드레인 전극(124)과 연결된다.
본 실시예에서는 응력완화층(140)이 표시영역(DA)까지 연장되어 형성되기 때문에, 화소 전극(141) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들에 의한 굴곡 변동이 작아지고, 응력완화층(140) 위에 평탄화층(160)을 한번 더 형성하기 때문에 화소 전극(141)이 경사각을 줄일 수 있다.
따라서, 본 실시에에 따른 가요성 표시 장치(100)는 벤딩 영역(BA)을 형성함으로써 데드스페이스 줄일 수 있다. 또한, 벤딩영역(BA)에 절개부(CU)를 형성하고 응력완화층(140)을 충진함으로써, 무기절연층의 크랙 방지와 배선의 단선을 방지할 수 있다. 또한, 응력완화층(140)을 표시영역(DA)까지 연장해서 화소 전극(141)의 경사각을 줄여 외광의 색 분리를 방지하여 표시 품질을 높일 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 설명한다.
도 8은 본 발명의 제2 실시에에 따른 가요성 표시장치(200)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
전술한 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치(100)를 도시한 도 4와 비교 시, 차이점을 중심으로 설명할 수 있다. 도 4의 참조부호와 동일한 참조부호는 도 4와 동일한 구성요소를 나타낸다.
제2 실시예에 따른 가요성 표시장치(200)은 제1 실시예의 가요성 표시장치(100)와 비교 시, 표시영역(DA)에 형성된 응력완화층(140)의 패턴이 상이하다. 본 실시예에서 응력완화층(140)은 벤딩영역(BA)의 절개부(CU)에 충진되고 동시에 표시영역(DA)에까지 연장되지만, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 형성되는 위치에 개구(OP1)가 형성된다.
개구(OP1) 내부에 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)을 형성하여, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 상면이 응력완화층(140) 상면보다 높지 않도록 형성한다. 이렇게 형성된 개구(OP1)에 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)을 형성한다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 형성 시, 응력완화층(140) 상에 배선부(150)도 같이 형성한다.
소스 전극(123)과 드레인 전극(124), 및 배선부(150) 상에 평탄화층(160)을 형성하고, 평탄화층(160)에 형성된 비아홀(VH)을 통해 드레인 전극(124)과 화소 전극(141)이 연결된다.
소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 개구(OP1) 내부에 형성되기 때문에, 화소 전극(141) 하부에 배치된 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)에 의한 굴곡 변동이 작아지므로, 제1 실시예와 비교시, 화소 전극(141)의 경사각을 더욱 줄일 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3 실시에에 따른 가요성 표시장치(300)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
전술한 제1 실시예에 따른 가요성 표시장치(100)를 도시한 도 4와 비교 시, 차이점을 중심으로 설명할 수 있다. 도 4의 참조부호와 동일한 참조부호는 도 4와 동일한 구성요소를 나타낸다.
제3 실시예에 따른 가요성 표시장치(300)은 제1 실시예의 가요성 표시장치(10)와 비교 시, 봉지부(210) 상에 터치층(220), 컬러필터들(240), 블랙매트릭스(230) 및 보호층(250)을 도 포함한다.
터치층(220)은 봉지부(210) 상에 형성된 제1절연층(221)과, 제1절연층(221) 상에 형성된 제2절연층(222)과, 제1절연층(221)과 제2절연층(222) 사이에 형성된 복수의 터치 전극(223)을 포함한다. 터치 전극(223)은 도 9에 도시된 그림에 한정되지 않고, 메쉬 전극 패턴, 투명 세그먼트 전극 등 다양한 전극 구조를 포함할 수 있다.
터치층(220)은 터치 입력에 의해 유발되는 상호 커패시턴스 변화에 기초하여 터치 입력을 감지할 수 있다. 즉, 터치 입력이 인가되면, 터치 입력에 의해 상호 커패시턴스가 변화되고, 터치층(220)과 연결된 터치 감지부(미도시)에서 상호 커패시턴스의 변화된 위치를 검출함으로써 터치 입력이 감지될 수 있다. 다만, 본 실시예는 특정한 터치 감지 방식에 한정되지 않는다.
터치층(220) 상에 컬러필터들(240)과 블랙매트릭스(230)가 배치된다. 블랙매트릭스(230)는 화소의 비발광영역에 중첩하고, 컬러필터들(240)은 발광영역들에 각각 중첩한다.
컬러필터들(240)은 복수 개의 그룹들의 컬러필터들을 포함할 수 있다. 예컨대, 컬러필터들(240)은 레드 컬러필터들(242), 그린 컬러필터들(241), 및 블루 컬러필터들(2430을 포함할 수 있다.
블랙매트릭스(230)는 광을 차단시킬 수 있는 물질을 포함한다. 예컨대, 블랙매트릭스(230)는 광흡수율이 높은 유기물질을 포함할 수 있다. 블랙매트릭스(230)는 검정색 안료 또는 검정색 염료를 포함할 수 있다. 블랙매트릭스(230)는 감광성 유기 물질을 포함하며, 예를 들어, 안료 또는 염료 등의 착색제를 포함할 수 있다. 블랙매트릭스(230)는 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
도 9에는 컬러필터들(240)이 블랙매트릭스(230)의 일부를 커버하는 것으로 도시되어 있으나, 블랙매트릭스(230)와 컬러필터들(240)의 형성 순서에 따라 블랙매트릭스(230)가 컬러필터들(240)이 일부를 커버할 수 있고, 컬러필터들(240)이 블랙매트릭스(230)의 일부를 커버할 수 있다.
컬러필터들(240)은 유기 발광 소자(203)로부터 생성된 광을 외부로 투과시킬 뿐만 아니라 외부로부터 입사된 광의 반사율을 감소시킨다. 외광은 컬러필터들(240)을 통과함에 따라 광량 중 약 1/3로 감소된다.
컬러필터들(240)을 통과한 광은 일부 소멸되고, 컬러필터들(240)의 아래에 배치된 구성들, 예컨대 화소 전극(141) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들 및 봉지부(210) 등으로부터 일부 반사된다.
반사된 광은 컬러필터들(240)로 입사되고, 반사광은 컬러필터들(240)을 통과하면서 휘도가 감소된다. 결과적으로 외부광 중 일부만이 표시 장치(300)로부터 반사되어 방출되기 때문에, 외부광 반사를 줄일 수 있다.
또한, 본 실시예는 컬러필터(240)와 블랙매트릭스(230)를 이용하여 외광 반사를 줄일 뿐만 아니라, 일반적으로 외광 반사를 줄이기 위해 사용하는 편광필름을 사용하지 않아도 되기 때문에, 가요성 표시장치의 두께를 줄일 수 있다, 박형의 표시장치를 제조할 수 있고, 폴더블 또는 벤더블 표시장치에 이용함에 있어서 유리하다.
이와 같이 컬러필터(240), 블랙매트릭스(230)를 구비한 가요성 표시장치(300)는 도 4에 따른 제1 실시에의 가요성 표시장치(100)에 비하여 외광 반사를 줄일 수는 있으나, 반사 전극으로 기능하는 화소 전극(141)의 경사각은 여전히 표시 장치(300)의 외광 반사에 영향을 미친다. 본 실시예에서는, 응력완화층(140)이 표시영역(DA)까지 연장되어 형성되기 때문에, 화소 전극(141) 하부에 배치된 박막 트랜지스터, 커패시터, 배선들에 의한 굴곡 변동이 작아지고, 응력완화층(140) 위에 평탄화층(160)을 한번 더 형성하기 때문에 화소 전극(141)이 경사각을 줄여, 외광 반사를 더욱 효율적으로 줄일 수 있다.
도 10은 본 발명의 제4 실시에에 따른 가요성 표시장치(400)의 표시영역(DA)과 벤딩영역(BA)을 개략적으로 도시한 단면도이다.
전술한 제3 실시예에 따른 가요성 표시장치(300)를 도시한 도 9와 비교 시, 차이점을 중심으로 설명할 수 있다. 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
제4 실시예에 따른 가요성 표시장치(400)은 제3 실시예의 가요성 표시장치(300)와 비교 시, 표시영역(DA)에 형성된 응력완화층(140)의 패턴이 상이하다. 본 실시예에서 응력완화층(140)은 벤딩영역(BA)의 절개부(CU)에 충진되고 동시에 표시영역(DA)에까지 연장되지만, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 형성되는 위치에 개구(OP1)가 형성된다.
개구(OP1) 내부에 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)을 형성하여, 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 상면이 응력완화층(140) 상면보다 높지 않도록 형성한다. 이렇게 형성된 개구(OP1)에 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)을 형성한다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124) 형성 시, 응력완화층(140) 상에 배선부(150)도 같이 형성한다.
소스 전극(123)과 드레인 전극(124), 및 배선부(150) 상에 평탄화층(160)을 형성하고, 평탄화층(160)에 형성된 비아홀(VH)을 통해 드레인 전극(124)과 화소 전극(141)이 연결된다. 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)이 개구(OP1) 내부에 형성되기 때문에, 화소 전극(141) 하부에 배치된 소스 전극(123)과 드레인 전극(124)에 의한 굴곡 변동이 작아지므로, 제1 실시예와 비교시, 화소 전극(141)의 경사각을 더욱 줄일 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 가요성 표시장치 110: 가요성 기판
120: 표시부 121: 반도체층
122: 게이트 전극 123: 소스 전극
124: 드레인 전극 125: 제1 커패시터 전극
126: 제2 커패시터 전극 127: 제3 커패시터 전극
131: 배리어막 132: 버퍼막
133: 게이트 절연막 134: 제1층간 절연막
135: 제2층간 절연막 130: 무기절연층
140: 응력완화층 141: 화소전극
142: 발광층 143: 공통전극
150: 배선부 160: 평탄화층
170: 패드전극 180: 칩 온 필름(chip on film, COF)
190: 인쇄회로기판 201: 박막 트랜지스터
202: 스토리지 커패시터 203: 유기 발광 소자
204: 화소정의막 210: 봉지부
220: 터치층 230: 블랙매트릭스
240: 컬러필터 250: 보호층
DA: 발광영역 NDA: 비발광영역
BA: 벤딩영역 BAX: 벤딩축
CU: 절개부

Claims (22)

  1. 표시영역과, 상기 표시영역 외곽에 위치하고 벤딩축을 중심으로 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 가요성 기판;
    상기 가요성 기판 상에 위치하는 무기절연층;
    상기 벤딩영역에서 상기 무기절연층에 형성된 절개부;
    상기 절개부에 충진되고 상기 표시영역으로 연장된 응력완화층;
    상기 벤딩영역에서 상기 응력완화층 상에 위치하는 배선부;
    상기 배선부를 덮고 상기 응력완화층 상에 위치하는 평탄화층;
    상기 표시영역에서 상기 평탄화층 상에 위치하고 상기 배선부와 전기적으로 연결된 표시부; 및
    상기 표시영역에 위치하고, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터;를 포함하며,
    상기 응력완화층의 상면은 상기 소스 전극의 하면, 상기 드레인 전극의 하면, 및 상기 배선부의 하면과 직접 접촉하는, 가요성 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 무기절연층은 복수의 무기막을 포함하는 가요성 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절개부는 상기 벤딩축과 나란한 방향으로 연장된 가요성 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 응력완화층은 유기절연물을 포함하는 가요성 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절개부에서 상기 응력완화층의 두께는 상기 절개부의 깊이보다 큰 가요성 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절개부에서 상기 응력완화층의 하면은 상기 가요성 기판의 상면과 직접 접촉하는 가요성 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 평탄화층은 유기절연물을 포함하는 가요성 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고,
    상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리와, 상기 절개부와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리가 실질적으로 동일한 가요성 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고,
    상기 박막트랜지스터의 최상부 전극의 상면은 상기 응력완화층의 상면 보다 높은 곳에 위치하는 가요성 표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배선부는 상기 박막트랜지스터의 최상부 전극과 동일 재료를 포함하는 가요성 표시장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서,
    상기 가요성 기판은, 고분자 수지를 포함하는 제1기판;
    상기 제1기판 상에 위치하고, 고분자 수지를 포함하는 제2기판; 및
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 위치하는 배리어막;을 포함하는 가요성 표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 절개부에서 상기 응력완화층의 하면은 상기 제2기판의 상면과 직접 접촉하는 가요성 표시장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 표시부를 커버하고, 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함하는 봉지부를 더 포함하는 가요성 표시장치.
  17. 표시영역과, 상기 표시영역 외곽에 위치하고 벤딩축을 중심으로 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 가요성 기판;
    상기 가요성 기판 상에 위치하는 무기절연층;
    상기 벤딩영역에서 상기 무기절연층에 형성된 절개부에 충진되고, 상기 표시영역으로 연장된 응력완화층;
    상기 벤딩영역에서, 상기 응력완화층 상에 위치하는 배선부;
    상기 배선부를 덮고 상기 응력완화층 상에 위치하는 평탄화층;
    상기 표시영역에서, 상기 평탄화층 상에 위치하고 상기 배선부와 전기적으로 연결된 표시부;
    상기 표시영역에 위치하고, 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터;
    상기 표시부를 덮는 가요성 봉지부;
    상기 가요성 봉지부 상에 위치하는 터치감지층;
    상기 터치감지층 상에 위치하는 컬러필터; 및
    상기 컬러필터 사이에 위치하는 블랙매트릭스;를 포함하며,
    상기 응력완화층의 상면은 상기 소스 전극의 하면, 상기 드레인 전극의 하면, 및 상기 배선부의 하면과 직접 접촉하는, 터치감지 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 표시부는 제1전극과, 유기발광층과, 제2전극을 포함하고,
    상기 가요성 기판의 평행한 면에 대한 제1전극의 경사각이 0.1도 보다 작은 터치감지 표시장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 컬러필터와 상기 블랙매트릭스는 중첩되는 영역이 존재하는 터치감지 표시장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 가요성 기판의 가장자리에는 상기 -선부와 전기적으로 연결된 패드전극이 위치하고, 벤딩영역에서 접혀 상기 패드전극은 표시영역과 중첩되도록 위치하는 터치감지 표시장치.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 절개부에서 상기 응력완화층의 두께는 상기 절개부의 깊이보다 큰 터치감지 표시장치.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 상기 표시부와 상기 배선부를 전기적으로 연결하고,
    상기 박막트랜지스터와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리와, 상기 절개부와 중첩하는 영역에서의 상기 평탄화층 상면부터 상기 가요성 기판까지의 거리가 실질적으로 동일한 터치감지 표시장치.
KR1020180013437A 2018-02-02 2018-02-02 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치 KR102562900B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180013437A KR102562900B1 (ko) 2018-02-02 2018-02-02 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
US16/216,013 US10797251B2 (en) 2018-02-02 2018-12-11 Flexible display apparatus and touch sensitive display apparatus
EP19154370.1A EP3522228B1 (en) 2018-02-02 2019-01-30 Flexible display apparatus and touch sensetive display apparatus
CN201910089555.0A CN110137217A (zh) 2018-02-02 2019-01-30 柔性显示设备和触摸检测显示设备
US17/062,884 US11398534B2 (en) 2018-02-02 2020-10-05 Flexible display apparatus and touch sensitive display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180013437A KR102562900B1 (ko) 2018-02-02 2018-02-02 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190094263A KR20190094263A (ko) 2019-08-13
KR102562900B1 true KR102562900B1 (ko) 2023-08-04

Family

ID=65268750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180013437A KR102562900B1 (ko) 2018-02-02 2018-02-02 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10797251B2 (ko)
EP (1) EP3522228B1 (ko)
KR (1) KR102562900B1 (ko)
CN (1) CN110137217A (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106383555A (zh) * 2016-10-20 2017-02-08 成都京东方光电科技有限公司 一种柔性显示面板及其制作方法、显示装置
JP2019096577A (ja) * 2017-11-28 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108550612B (zh) * 2018-05-29 2020-11-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN109103234A (zh) * 2018-08-31 2018-12-28 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11075347B2 (en) * 2018-10-22 2021-07-27 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device
CN109817680B (zh) * 2019-01-31 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板以及显示面板
KR20210004008A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US11587474B2 (en) * 2019-07-24 2023-02-21 Au Optronics Corporation Flexible device array substrate and manufacturing method of flexible device array substrate
CN110619816A (zh) * 2019-08-19 2019-12-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN110828479A (zh) * 2019-10-30 2020-02-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法
CN111129087B (zh) * 2019-12-16 2022-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板及其缺陷的检查方法
CN111326636B (zh) * 2020-02-27 2021-04-27 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
KR20210122391A (ko) 2020-03-31 2021-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN215815937U (zh) * 2021-03-10 2022-02-11 京东方科技集团股份有限公司 适合异形打印的oled显示面板、显示装置及显示设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170288005A1 (en) 2016-04-04 2017-10-05 Japan Display Inc. Display device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102076666B1 (ko) * 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
KR102116105B1 (ko) * 2013-07-31 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
KR102099865B1 (ko) 2013-08-12 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102085961B1 (ko) 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP6764671B2 (ja) * 2015-04-14 2020-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 複素環化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN104795403B (zh) * 2015-04-16 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板及其制作方法、显示装置
KR102463838B1 (ko) 2015-08-24 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법
JP6549976B2 (ja) * 2015-11-27 2019-07-24 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置
KR102505879B1 (ko) 2016-03-24 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10283574B2 (en) * 2016-03-25 2019-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects
KR102454824B1 (ko) * 2016-03-25 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102568782B1 (ko) * 2016-03-25 2023-08-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102631257B1 (ko) * 2016-11-18 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180067754A (ko) 2016-12-12 2018-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106920829A (zh) 2017-03-30 2017-07-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及柔性显示面板的制作方法
KR102465376B1 (ko) * 2017-06-16 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102446214B1 (ko) * 2017-11-28 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108242462B (zh) * 2018-01-12 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170288005A1 (en) 2016-04-04 2017-10-05 Japan Display Inc. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
US11398534B2 (en) 2022-07-26
CN110137217A (zh) 2019-08-16
EP3522228B1 (en) 2023-08-23
US20210020856A1 (en) 2021-01-21
EP3522228A1 (en) 2019-08-07
US20190245156A1 (en) 2019-08-08
KR20190094263A (ko) 2019-08-13
US10797251B2 (en) 2020-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102562900B1 (ko) 가요성 표시장치 및 터치감지 표시장치
US11908854B2 (en) Display device
KR102405257B1 (ko) 표시 장치
KR102253531B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107799015B (zh) 显示设备
US9466810B2 (en) Organic light emitting diode display
US10347866B1 (en) Organic light emitting display apparatus having an insulating dam
US11935903B2 (en) Display apparatus
KR20120031365A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20100024710A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20200066504A (ko) 디스플레이 장치
US11690265B2 (en) Display device having a trench portion
KR102411497B1 (ko) 다중 영상 표시 장치
US10916730B2 (en) Manufacturing method of the display device
KR20180005097A (ko) 표시 장치
US20240138181A1 (en) Display apparatus having substrate hole
KR20210086908A (ko) 디스플레이 장치
KR20210044945A (ko) 디스플레이 장치
KR20210134175A (ko) 표시 장치
KR20180102239A (ko) 표시 장치
US20240008315A1 (en) Display apparatus
KR20230049818A (ko) 표시 장치
KR20210085257A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant