JP2012142568A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 光電変換層と、
   前記光電変換層の受光面の側に微細周期構造と、
   前記光電変換層の他方の面の側にマイクロテクスチャ構造と、
   前記マイクロテクスチャ構造に接する反射電極と、を有し、
   前記微細周期構造は、アスペクト比が３以上１５以下の微細構造物を、６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の周期で備え、
   前記マイクロテクスチャ構造は、アスペクト比が０．５以上３以下の構造物を、２μｍ以上１００μｍ以下の周期で備え、
   前記反射電極は反射率が１０％以上１００％未満である光電変換素子。
2. 請求項１において、
   前記光電変換層に侵入する光のうち、光電変換に寄与する光の波長を有する光の１０％以上９９％以下が、前記反射電極に到達する光電変換素子。
3. 請求項１又は２において、
   前記マイクロテクスチャ構造が前記光電変換層の受光面に対し８°以上４５°未満又は４９°以上９０°未満の角をなす面を備える光電変換素子。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記微細周期構造が一導電型を有する半導体からなり、
   前記マイクロテクスチャ構造が一導電型とは逆の導電型を有する半導体からなる光電変換素子。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記光電変換層が単結晶シリコン基板を含み、
   前記マイクロテクスチャ構造が前記単結晶シリコンの結晶方位に沿った面を備える光電変換素子。