JP6091458B2 - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明にかかる太陽電池の実施の形態1を模式的に示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A断面図である。図2(a)から(c)は同テクスチャー構造を示す説明図であり、(a)はテクスチャー1個の拡大図、(b)はテクスチャーの配列状態を示す図、(c)は基板の斜視図を示す図である。図3(a)〜(e)は同太陽電池の製造方法を示す工程断面図、図4はフローチャートである。本実施の形態1の太陽電池は、巨視的にみると、通例の太陽電池であるが、ここで用いられる結晶系シリコン基板としてのn型単結晶シリコン基板1の表面1A0との成す角θが54.75度以上の側面Sを持つ四角錐からなるテクスチャー1Tを有していることを特徴とする。ここでは応力をかけた状態で異方性エッチングを行うことでテクスチャー1Tの傾斜面(側面S)と基板表面1A0とのなす角θが54.75度以上となるように構成している。
次に、テクスチャー1Tの形成方法の他の実施の形態について説明する。図6は、本発明の第2の実施の形態の太陽電池用基板としてのn型単結晶シリコン基板1を示す図である。本実施の形態においても実施の形態1で説明したn型単結晶シリコン基板1と同様、テクスチャー形成時にシリコン基板を撓ませ異方性エッチングを行うことによって、表面にできる四角錐形状の側面が基板表面となす角θを大きくする点については、同様であるが、本実施の形態では、テクスチャー1T形成後、さらに表面酸化を行い、この酸化膜を除去することにより、良好な表面状態を持つテクスチャー基板を得るものである。他の工程については実施の形態1の太陽電池の製造方法と同様である。図7(a)〜(e)にこの太陽電池の製造工程のうちテクスチャー形成工程を示し、図8にこの太陽電池の製造工程のフローチャートを示す。
次に、実施の形態3のヘテロ接合型太陽電池の製造方法について説明する。本実施の形態では、n型単結晶シリコン基板1の表面にテクスチャー構造を形成するにおいて、基板に撓みを与える方法が異なるのみで、他の工程は前記実施の形態1,2と同様である。本実施の形態では、アルカリ性溶液による異方性エッチングを行うとき、図9に示すように、基板ホルダー20と基板中央に載置した基板に撓みを与えるための円柱状の治具21により矢印22で示すように単結晶シリコン基板1の受光面1Aに相当する側を凹形状になるように基板を撓ませて溶液中に載置し基板に応力がかかった状態でエッチングを行う。他は前記実施の形態1,2と同様である。
本実施の形態の裏面接合型太陽電池においても、テクスチャー構造を形成したn型単結晶シリコン基板にシリコン薄膜を堆積することでpn接合を形成したが、テクスチャー構造を形成したシリコン基板に熱拡散法によってpn接合を形成してもよい。例えば結晶系シリコン基板上に基板と逆導電型の不純物を熱拡散法によってドープするエミッタ型の太陽電池としてもよい。基板をp型として不純物を添加した層をn型としてもよい。
次に、実施の形態4のヘテロ接合型太陽電池の製造方法について説明する。実施の形態1,3で説明した方法では、基板に撓みを形成するに際し、保護膜を形成し、テクスチャーエッチング終了後、この保護膜を除去したのに対し、本実施の形態では、この保護膜を除去せずそのまま残して、パッシベーション膜として用いる例について説明する。図10は、本発明にかかる太陽電池の実施の形態1を模式的に示す断面図である。図11(a)〜(e)は同太陽電池の製造方法を示す工程断面図、図12はフローチャートである。本実施の形態4の太陽電池は、受光面の反対側である裏面側にテクスチャー1Tを有しており、このテクスチャー1Tは、裏面の金属電極18とともに、光電変換層への拡散、反射に寄与する。ここで用いられる結晶系シリコン基板としてのn型単結晶シリコン基板1の裏面1B側に表面との成す角θが54.75度以上の側面を持つ四角錐からなるテクスチャー1Tを有していることを特徴とする。ここでは受光面1A側で反射防止膜あるいはパッシベーション膜として作用する窒化シリコン膜からなる保護膜12により応力をかけた状態で裏面側1Bが凹面となるように撓んだ状態で異方性エッチングを行うことでテクスチャー1T傾斜面(側面)と基板表面とのなす角θが54.75度以上となるように構成している。
Claims (8)
- 第1および第2主面を有する第1導電型の結晶系シリコン基板と、
前記結晶系シリコン基板の第1主面に形成された第2導電型のシリコン系薄膜と、電極とを有し、
前記第1または第2主面に、少なくとも一組の相対向する側面と、前記第1または第2主面とのなす角が54.75度よりも大きい、四角錐状のテクスチャーを有する光電変換装置。 - 4つの前記側面の全てにおいて、前記第1または第2主面とのなす角が54.75度よりも大きく、前記側面が(111)面である請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記結晶系シリコン基板は単結晶シリコン基板である請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 第1および第2主面を有する第1導電型の結晶系シリコン基板に対し、
前記第1主面が凹状に撓むように応力を印加した状態で、前記第1主面に対し異方性エッチングを行い、
前記第1主面に、表面とのなす角が54.75度よりも大きい側面をもつ四角錐状のテクスチャーを有する工程と、
前記第1または第2主面に光電変換層を形成する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 - 前記テクスチャーを形成する工程は、
前記第2主面に保護膜を形成し、前記第1主面が凹状に撓むようにした状態で異方性エッチングを行う工程を含む請求項4に記載の光電変換装置の製造方法。 - 前記光電変換層を形成する工程は、前記保護膜を除去した後に実施される請求項5に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記光電変換層を形成する工程は、前記保護膜を形成する工程に先立ち実施され、前記保護膜は、前記光電変換装置の保護膜として残留せしめられる請求項5に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記テクスチャーを形成する工程は、
前記第1主面に棒状の治具を装着し、前記第1主面が凹状に撓むようにした状態で異方性エッチングを行う工程を含む請求項4に記載の光電変換装置の製造方法。
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