CN105977343A - 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法 - Google Patents

一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105977343A
CN105977343A CN201610531590.XA CN201610531590A CN105977343A CN 105977343 A CN105977343 A CN 105977343A CN 201610531590 A CN201610531590 A CN 201610531590A CN 105977343 A CN105977343 A CN 105977343A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
high stability
surface texture
silicon solar
texture liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610531590.XA
Other languages
English (en)
Inventor
程晓民
李尚荣
王可胜
孟祥法
郭万东
袁艺琴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chinaland Solar Energy Co Ltd
Original Assignee
Chinaland Solar Energy Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chinaland Solar Energy Co Ltd filed Critical Chinaland Solar Energy Co Ltd
Priority to CN201610531590.XA priority Critical patent/CN105977343A/zh
Publication of CN105977343A publication Critical patent/CN105977343A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08Etching
    • C30B33/10Etching in solutions or melts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液,其是由下述重量份的原料制得:栲胶0.1‑0.15,苯乙烯1.5‑2.5,5‑10%过硫酸铵溶液1‑2,十二烷基硫酸钠0.1‑0.2,月桂醇聚氧乙烯醚0.1‑0.15,十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.1‑0.15,氢氧化钠3‑5,柠檬酸0.3‑0.5,二甘醇单丁醚0.1‑0.15,肌醇六磷酸酯0.1‑0.2,水100‑120。本发明的硅片织构液反应速度较快,腐蚀适中、减薄量小、性能稳定、重复利用率高,不易变质,使用效果持久,制得的绒面金字塔大小均匀,颗粒较小,并且工艺加工质量稳定性好。

Description

一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法。
背景技术
随着世界能源危机愈发严重,太阳能已成为最有潜力的替代能源,而太阳能电池即是一种将太阳能直接转换为电能的电子元件。阻碍太阳能电池技术发展的最主要问题是其居高不下的制造成本。目前,为降低单晶硅太阳能电池的成本以及提高光电转化效率,进行硅表面织构是最易实现和最高效的方法。织构又称制绒,即利用陷光原理,使入射光进行多次反射延长其在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。利用硅的各向异性腐蚀的原理,单晶硅表面可形成类似金字塔的结构,有效降低太阳光的反射率。
目前,单晶硅表面织构最常用的是化学腐蚀法,普遍使用的织构液是 NaOH/异丙醇体系,然而异丙醇价格高,挥发速度快,成本高且不利于环保。专利201010161287.8公开了一种单晶硅添加剂制绒液,由碱性腐蚀液和表面活性剂及有机酸或盐组成,不含异丙醇并且快速高效,然而其存在反应均匀性差的问题,容易造成织构后硅表面金字塔偏大以及局部过腐蚀等情况,在制成硅片的质量上还有待进一步改进。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种反应速度快、均匀性好,腐蚀适中、减薄量小、硅片表面质量高的高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液,其是由下述重量份的原料制得:
栲胶0.1-0.15,苯乙烯1.5-2.5,5-10%过硫酸铵溶液1-2,十二烷基硫酸钠0.1-0.2,月桂醇聚氧乙烯醚0.1-0.15,十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.1-0.15,氢氧化钠3-5,柠檬酸0.3-0.5,二甘醇单丁醚0.1-0.15,肌醇六磷酸酯0.1-0.2,水100-120。
一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液的制备方法,包括以下步骤:
(1)按重量称取原料,先将十二烷基硫酸钠加入1/3-1/2重量的水中搅拌均匀,然后缓慢加入苯乙烯和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷的混合物并搅拌0.5-1h,最后缓慢滴加过硫酸铵溶液并于70-80℃搅拌2-4h,保温3-5h后冷却,得复合乳液;
(2)先将氢氧化钠和柠檬酸加入余量的水中搅拌直至完全溶解,然后加入栲胶和月桂醇聚氧乙烯醚60-80℃搅拌0.5-1h,冷却后加入其余原料搅拌均匀,得混合液;
(3)将步骤(1)中的复合乳液缓慢加入步骤(2)中的混合液中并于60-80℃搅拌均匀,过滤除去杂质后即得高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液。
本发明的优点是:
本发明利用苯乙烯和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷乳液聚合合成复合微球,可以良好地附着在硅片表面,起到一定的腐蚀掩膜功效,既能减少硅片的过度腐蚀,同时提升反应的均匀性,改善绒面质量,又不易在硅片表面残留,保证硅片的清洁性;同时,通过栲胶等原料的复配与增效作用,使得到的硅片织构液反应速度较快,腐蚀适中、减薄量小、性能稳定、重复利用率高,不易变质,使用效果持久,制得的绒面金字塔大小均匀,颗粒较小,并且工艺加工质量稳定性好。
具体实施方式
一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液,由下列重量(kg)的组分原料制备而成:
栲胶0.1,苯乙烯1.5,5%过硫酸铵溶液1,十二烷基硫酸钠0.1,月桂醇聚氧乙烯醚0.1,十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.1,氢氧化钠3,柠檬酸0.3,二甘醇单丁醚0.1,肌醇六磷酸酯0.1,水100。
一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液的制备方法,包括以下步骤:
(1)按重量称取原料,先将十二烷基硫酸钠加入1/3重量的水中搅拌均匀,然后缓慢加入苯乙烯和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷的混合物并搅拌0.5h,最后缓慢滴加过硫酸铵溶液并于70℃搅拌2h,保温3h后冷却,得复合乳液;
(2)先将氢氧化钠和柠檬酸加入余量的水中搅拌直至完全溶解,然后加入栲胶和月桂醇聚氧乙烯醚60℃搅拌0.5h,冷却后加入其余原料搅拌均匀,得混合液;
(3)将步骤(1)中的复合乳液缓慢加入步骤(2)中的混合液中并于60℃搅拌均匀,过滤除去杂质后即得高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液。
经检验,上述织构液在80℃、20min条件下能在硅片表面制备均匀的小尺寸金字塔结构,其制备的金字塔在0.5-1.5μm,在300-1100nm范围内的平均反射率为9.3%,被腐蚀掉的硅片量约为4.8%。

Claims (2)

1.一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液,其特征在于,其是由下述重量份的原料制得:
栲胶0.1-0.15,苯乙烯1.5-2.5,5-10%过硫酸铵溶液1-2,十二烷基硫酸钠0.1-0.2,月桂醇聚氧乙烯醚0.1-0.15,十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.1-0.15,氢氧化钠3-5,柠檬酸0.3-0.5,二甘醇单丁醚0.1-0.15,肌醇六磷酸酯0.1-0.2,水100-120。
2.根据权利要求1所述的一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按重量称取原料,先将十二烷基硫酸钠加入1/3-1/2重量的水中搅拌均匀,然后缓慢加入苯乙烯和十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷的混合物并搅拌0.5-1h,最后缓慢滴加过硫酸铵溶液并于70-80℃搅拌2-4h,保温3-5h后冷却,得复合乳液;
(2)先将氢氧化钠和柠檬酸加入余量的水中搅拌直至完全溶解,然后加入栲胶和月桂醇聚氧乙烯醚60-80℃搅拌0.5-1h,冷却后加入其余原料搅拌均匀,得混合液;
(3)将步骤(1)中的复合乳液缓慢加入步骤(2)中的混合液中并于60-80℃搅拌均匀,过滤除去杂质后即得高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液。
CN201610531590.XA 2016-07-08 2016-07-08 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法 Pending CN105977343A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610531590.XA CN105977343A (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610531590.XA CN105977343A (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105977343A true CN105977343A (zh) 2016-09-28

Family

ID=56954300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610531590.XA Pending CN105977343A (zh) 2016-07-08 2016-07-08 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105977343A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019042088A1 (zh) * 2017-09-04 2019-03-07 苏州易益新能源科技有限公司 一种在晶体硅表面制备绒面的方法
CN110911527A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 南京纳鑫新材料有限公司 一种稳定性高的多晶湿法黑硅制绒工艺
CN112940171A (zh) * 2021-03-03 2021-06-11 威海金合思化工有限公司 一种高稳定性丙烯酸酯乳液及其制备方法
KR102368778B1 (ko) * 2021-10-19 2022-03-02 (주)호진플라텍 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 용액
CN114133876A (zh) * 2021-11-04 2022-03-04 西安蓝桥新能源科技有限公司 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681958A (zh) * 2013-10-16 2014-03-26 常州时创能源科技有限公司 一种多晶硅片制绒方法
US8969276B2 (en) * 2009-09-21 2015-03-03 Basf Se Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
JP2015185808A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 三菱電機株式会社 光電変換装置およびその製造方法
CN105113017A (zh) * 2015-08-25 2015-12-02 安徽飞阳能源科技有限公司 一种黄连提取液硅片制绒剂及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8969276B2 (en) * 2009-09-21 2015-03-03 Basf Se Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
CN103681958A (zh) * 2013-10-16 2014-03-26 常州时创能源科技有限公司 一种多晶硅片制绒方法
JP2015185808A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 三菱電機株式会社 光電変換装置およびその製造方法
CN105113017A (zh) * 2015-08-25 2015-12-02 安徽飞阳能源科技有限公司 一种黄连提取液硅片制绒剂及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019042088A1 (zh) * 2017-09-04 2019-03-07 苏州易益新能源科技有限公司 一种在晶体硅表面制备绒面的方法
CN110911527A (zh) * 2019-11-28 2020-03-24 南京纳鑫新材料有限公司 一种稳定性高的多晶湿法黑硅制绒工艺
CN112940171A (zh) * 2021-03-03 2021-06-11 威海金合思化工有限公司 一种高稳定性丙烯酸酯乳液及其制备方法
KR102368778B1 (ko) * 2021-10-19 2022-03-02 (주)호진플라텍 단결정 실리콘 웨이퍼의 텍스처링 용액
CN114133876A (zh) * 2021-11-04 2022-03-04 西安蓝桥新能源科技有限公司 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用
CN114133876B (zh) * 2021-11-04 2022-12-20 西安蓝桥新能源科技有限公司 一种小塔基硅片碱抛光辅助剂及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105977343A (zh) 一种高稳定性含栲胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN106087068A (zh) 一种壳聚糖‑氨基磺酸单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN102787361B (zh) 一种用于单晶硅制绒液的添加剂
CN103378212B (zh) 一种太阳能电池片的制绒方法
CN105113014A (zh) 一种除异味单晶硅片制绒液及其制备方法
CN106012028A (zh) 一种含桃胶的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN106129139A (zh) 一种含大豆低聚糖的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN102732886B (zh) 太阳能单晶硅片的制绒液及其制备方法
CN105133035A (zh) 一种清洁去污硅片制绒剂及其制备方法
CN105133026A (zh) 一种低损伤单晶硅片制绒液及其制备方法
CN105977345A (zh) 一种稀土-衣康酸单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN102191565B (zh) 一种单晶硅制绒液及其使用方法
CN106129140A (zh) 一种环保高效含微孔淀粉的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN106087069A (zh) 一种山嵛醇‑木质素磺酸钠单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN105088351A (zh) 一种低反射率硅片制绒剂及其制备方法
CN111020707A (zh) 一种单晶硅制绒辅助剂及其应用
CN101414641A (zh) 一种太阳能电池绒面结构及制作方法
CN105133023A (zh) 一种低挥发性单晶硅片制绒液及其制备方法
CN106119974A (zh) 一种含松针提取物的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN105133027A (zh) 一种小绒面单晶硅片制绒液及其制备方法
CN102912450B (zh) 一种单晶硅制绒添加剂
TWI589655B (zh) 結晶矽鹼性拋光液的添加劑及其應用
CN105839192A (zh) 预处理硅片湿法制绒的方法
CN106012030A (zh) 一种含芳樟叶提取物的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法
CN102839427B (zh) 单晶硅片制绒无醇添加剂及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160928

RJ01 Rejection of invention patent application after publication