CN110416369A - Perc电池清洗制绒工艺及系统 - Google Patents
Perc电池清洗制绒工艺及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110416369A CN110416369A CN201910772505.2A CN201910772505A CN110416369A CN 110416369 A CN110416369 A CN 110416369A CN 201910772505 A CN201910772505 A CN 201910772505A CN 110416369 A CN110416369 A CN 110416369A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- pure water
- silicon wafer
- ozone
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 203
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 30
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 30
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 256
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 133
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 133
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 133
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 118
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 30
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 30
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 29
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 22
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 6
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种PERC电池清洗制绒工艺,将硅片依次通过前酸清洗→纯水清洗→臭氧水清洗→粗抛→纯水清洗→臭氧水清洗→制绒→纯水清洗→臭氧水清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干。本发明使用酸溶液、臭氧水、纯水进行分步处理,可以有效解决PERC电池制绒过程中硅片绒面表面出现白点、齿印、脏污清洗不干净的问题,同时制备的金字塔大小均匀,绒面反射率低。而且清洗制绒工序整体时间缩短,能耗减小,产量变大。同时化学品种类及使用量小,解决了部分环境污染问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种PERC电池清洗制绒工艺及系统,属于晶硅太阳电池制造技术领域。
背景技术
表面织构化是PERC电池制造工艺中的首要一环,是提高对入射光的吸收及对后续工艺匹配的重要工艺环节。对提升PERC电池的转换效率至关重要。目前产业化生产中对PERC电池的清洗制绒环节主要是利用化学湿法刻蚀。即利用酸碱等化学品的混合溶液对硅片进行清洗及碱的各项异性腐蚀对硅片进行刻蚀制绒。但是该清洗制绒方法存在以下缺点:例如硅片绒面表面出现白点、齿印、脏污清洗不干净等外观问题。同时绒面反射率较大,金字塔尺寸不均匀等性能问题。而且清洗制绒工序时间较长,化学品使用种类多、用量大等能耗及环境污染问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:解决了在PERC电池制绒过程中如何避免硅片绒面脏污的问题;如何使得制备的金字塔大小均匀,绒面反射率低的问题;如何减小清洗制绒工序整体时间以及减小使用化学品种类及使用量的问题。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案是提供了一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:。
步骤(1)、将原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗处理;
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理;
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理;
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)粗抛后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理;
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理;
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理;
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理;
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水;
步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。
优选地,所述的步骤(1)和步骤(11)中前酸清洗槽和后酸清洗槽内的溶液均为HF/HCL溶液;所述HF/HCL溶液中,HF体积浓度为5-10%,HCL体积浓度5-10%,其余为纯水;酸清洗的温度为20-30℃,酸清洗的时间为60-120S,同时进行循环鼓泡。
优选地,所述的步骤(3)、步骤(6)和步骤(9)中,臭氧水洗槽中的臭氧浓度为25-40ppm;温度为20-25℃;臭氧水清洗的时间为120-240S。
优选地,所述的步骤(4)中,粗抛槽内的溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为1-2%;粗抛槽内的温度为70-80℃,粗抛的时间为60-120S,同时进行循环鼓泡。
优选地,所述的步骤(7)中,制绒槽溶液为KOH与添加剂的混合溶液或NaOH与添加剂的混合溶液;KOH或NaOH的质量浓度为0.8-1%,添加剂体积浓度为1-1.2%;制绒槽内的温度为90-95℃,制绒的时间为350-400S,同时进行循环鼓泡。
优选地,所述的添加剂包括表面活性剂、去泡剂及去污剂。
优选地,所述的步骤(13)中,慢提拉槽内设有纯水,预脱水的温度为60-80℃,预脱水的时间为30-60S。
优选地,所述的步骤(14)中,烘干槽中设有氮气,烘干槽中的温度为60-80℃,烘干所需的时间为180-360S。
优选地,所述的步骤(2)、(5)、(8)、(10)、(12)中,纯水清洗的时间为60~120S,温度为20-25℃。
一种使用PERC电池清洗制绒工艺的系统,其特征在于,包括用于原始硅片进行前酸清洗处理的前酸洗槽、用于对前酸清洗处理后的硅片进行第一次纯水清洗的第一纯水清洗槽、对前三次纯水清洗后的硅片进行臭氧水清洗处理的臭氧水洗槽、对第一次臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理的粗抛槽、对粗抛后的硅片进行第二次纯水清洗的第二纯水清洗槽、对第二次臭氧水清洗处理后的硅片进行制绒处理的制绒槽、对制绒后的硅片进行纯水清洗的第三纯水清洗槽、对第三次臭氧水清洗处理后的硅片进行第四次纯水清洗的第四纯水清洗槽、对第四次纯水清洗处理后的硅片进行后酸清洗处理的后酸洗槽、对后酸清洗处理后的硅片进行第五次纯水清洗的第五纯水清洗槽、对第五次纯水清洗后的硅片进行预脱水的慢提拉槽、对预脱水后的硅片进行烘干的烘干槽。
本发明公开了一种PERC电池清洗制绒工艺,将硅片依次通过前酸清洗→纯水清洗→臭氧水清洗→粗抛→纯水清洗→臭氧水清洗→制绒→纯水清洗→臭氧水清洗→纯水清洗→后酸清洗→纯水清洗→慢提拉→烘干。
本发明使用酸溶液、臭氧水、纯水进行分步处理,可以有效解决PERC电池制绒过程中硅片绒面表面出现白点、齿印、脏污清洗不干净的问题,同时制备的金字塔大小均匀,绒面反射率低。而且清洗制绒工序整体时间缩短,能耗减小,产量变大。同时化学品种类及使用量小,解决了部分环境污染问题。
附图说明
图1为一种PERC电池清洗制绒工艺的流程图;
图2为一种PERC电池清洗制绒工艺所使用的系统的示意图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
实施例1
如图1所示,一种PERC电池清洗制绒工艺,包括以下步骤:
步骤(1)、将原始硅片放入到酸洗槽进行前酸清洗处理。其中,HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗温度为20℃,酸清洗的时间为60S,同时进行循环鼓泡。
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为25ppm。温度为20℃,臭氧水清洗的时间为150S。
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理。粗抛槽内的溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为1%。粗抛槽内的温度为70℃,粗抛的时间为60S,同时进行循环鼓泡。
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)纯水清洗后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为25ppm。温度为20℃,臭氧水清洗的时间为120S。
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理。制绒槽溶液为KOH与添加剂的混合溶液;KOH与添加剂的混合溶液中,KOH的质量浓度为0.8%,添加剂体积浓度为1%。添加剂主要由表面活性剂、去泡剂及去污剂组成。制绒槽温度为90℃,制绒的时间为350S,同时进行循环鼓泡。
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为25ppm。温度为20℃,臭氧水清洗的时间为150S。
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为80S,温度为25℃。
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到酸洗槽进行后酸清洗处理;HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗温度为20℃,酸清洗的时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(13)、将步骤(10)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水。预脱水的温度为60℃,预脱水的时间为60S。
步骤(14)、将步骤(11)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。烘干槽中的温度为60℃的氮气烘干,烘干所需的时间为180S。
实施例1的制绒工艺后表面干净无污染,无齿痕、手印、白斑等,外观干净。经形貌观测后表面金字塔均匀,密集分布于硅片表面。金字塔尺寸在0.5-1.7um之间。平均金字塔尺寸在1.5um左右。400-1000nm波长范围内的综合反射率为9.2497%。
如图2所示,一种使用PERC电池清洗制绒工艺的系统,包括用于原始硅片进行前酸清洗处理的前酸洗槽、用于对前酸清洗处理后的硅片进行第一次纯水清洗的第一纯水清洗槽、对前三次纯水清洗后的硅片进行臭氧水清洗处理的臭氧水洗槽、对第一次臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理的粗抛槽、对粗抛后的硅片进行第二次纯水清洗的第二纯水清洗槽、对第二次臭氧水清洗处理后的硅片进行制绒处理的制绒槽、对制绒后的硅片进行纯水清洗的第三纯水清洗槽、对第三次臭氧水清洗处理后的硅片进行第四次纯水清洗的第四纯水清洗槽、对第四次纯水清洗处理后的硅片进行后酸清洗处理的后酸洗槽、对后酸清洗处理后的硅片进行第五次纯水清洗的第五纯水清洗槽、对第五次纯水清洗后的硅片进行预脱水的慢提拉槽、对预脱水后的硅片进行烘干的烘干槽。
实施例2
一种PERC电池清洗制绒工艺,包括以下步骤:
步骤(1)、将原始硅片放入到酸洗槽进行前酸清洗处理。HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗的温度为20℃,酸清洗的时间为60S,同时进行循环鼓泡。
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60s,温度为25℃。
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为30ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为200S。
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理。粗抛槽溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为1%。粗抛槽温度为70℃,时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)纯水清洗后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为30ppm。温度为20℃,臭氧水清洗的时间为150S。
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理。制绒槽溶液为KOH与添加剂的混合溶液;KOH与添加剂的混合溶液中,KOH的质量浓度为0.8%,添加剂体积浓度为1%。添加剂主要由表面活性剂、去泡剂及去污剂组成。制绒槽温度为90℃,时间为350S,同时进行循环鼓泡。
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为30ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为200S。
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为80S,温度为25℃。
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到酸洗槽进行后酸清洗处理;HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗的温度为20℃,酸清洗的时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(13)、将步骤(10)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水。预脱水的温度为60℃,预脱水的时间为60S。
步骤(14)、将步骤(11)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。烘干槽中的温度为60℃的氮气烘干,烘干所需的时间为360S。
实施例2的制绒工艺后表面干净无污染,无齿痕、手印、白斑等,外观干净。经形貌观测后表面金字塔均匀,密集分布于硅片表面。金字塔尺寸在0.5-1.7um之间。平均金字塔尺寸在1.5um左右。400-1000nm波长范围内的综合反射率为9.2371%。
实施例3
一种PERC电池清洗制绒工艺,包括以下步骤:
步骤(1)、将原始硅片放入到酸洗槽进行前酸清洗处理。HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗温度为20℃,酸清洗的时间为60S,同时进行循环鼓泡。
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为25℃。
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为35ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为240S。
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理。粗抛槽溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为1%。粗抛槽温度为70℃,时间为120S,同时进行循环鼓泡。
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为100S,温度为25℃。
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)纯水清洗后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为35ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为150S。
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理。制绒槽溶液为KOH与添加剂的混合溶液;KOH与添加剂的混合溶液中,KOH的质量浓度为0.8%,添加剂体积浓度为1%。添加剂主要由表面活性剂、去泡剂及去污剂组成。制绒槽内的温度为95℃,制绒的时间为350S,同时进行循环鼓泡。
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为100S,温度为25℃。
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为35ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为240S。
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到酸洗槽进行后酸清洗处理;HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗温度为20℃,时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(13)、将步骤(10)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水。预脱水的温度为60℃,预脱水的时间为60S。
步骤(14)、将步骤(11)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。烘干槽中的温度为80℃的氮气烘干,烘干所需的时间为200S。
实施例3的制绒工艺后表面干净无污染,无齿痕、手印、白斑等,外观干净。经形貌观测后表面金字塔均匀,密集分布于硅片表面。金字塔尺寸在0.5-1.7um之间。平均金字塔尺寸在1.5um左右。400-1000nm波长范围内的综合反射率为8.9911%。
实施例4
一种PERC电池清洗制绒工艺,包括以下步骤:
步骤(1)、将原始硅片放入到酸洗槽进行前酸清洗处理。HF/HCL溶液中,HF体积浓度为10%,HCL体积浓度10%,其余为纯水;酸清洗的温度为30℃,酸清洗的时间为120S,同时进行循环鼓泡。
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为60S,温度为20℃。
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理。臭氧水洗槽中的臭氧浓度为40ppm;温度为25℃,臭氧水清洗的时间为240S。
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理。粗抛槽内的溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为2%;粗抛槽内的温度为80℃,粗抛的时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为100S,温度为25℃。
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)纯水清洗后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为40ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为150S。
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理。制绒槽溶液为NaOH与添加剂的混合溶液;NaOH的质量浓度为1%,添加剂体积浓度为1.2%;添加剂主要由表面活性剂、去泡剂及去污剂组成。制绒槽内的温度为95℃,制绒的时间为400S,同时进行循环鼓泡。
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为100S,温度为25℃。
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理。臭氧水清洗槽中的臭氧浓度为35ppm;温度为20℃,臭氧水清洗的时间为240S。
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到酸洗槽进行后酸清洗处理;HF体积浓度为5%。HCL体积浓度5%,其余为纯水。酸清洗温度为20℃,时间为100S,同时进行循环鼓泡。
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗。纯水清洗的时间为120S,温度为25℃。
步骤(13)、将步骤(10)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水。慢提拉槽内设有纯水,预脱水的温度为80℃,预脱水的时间为30S。
步骤(14)、将步骤(11)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。烘干槽中的温度为80℃的氮气烘干,烘干所需的时间为360S。
实施例4的制绒工艺后表面干净无污染,无齿痕、手印、白斑等,外观干净。经形貌观测后表面金字塔均匀,密集分布于硅片表面。金字塔尺寸在0.5-1.7um之间。平均金字塔尺寸在1.5um左右。400-1000nm波长范围内的综合反射率为9.0911%。
常规制绒工艺与实施例1、2、3、4之间的综合反射率对比如表1。
制绒工艺 | 绒面反射率/%(400-1000nm) | 综合反射率提升/% |
常规制绒 | 11.0573 | 0 |
实施例1 | 9.2497 | 1.8076 |
实施例2 | 9.2371 | 1.8202 |
实施例3 | 8.9911 | 2.0662 |
实施例4 | 9.0911 | 1.9662 |
表1。
Claims (10)
1.一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,包括以下步骤:。
步骤(1)、将原始硅片放入到前酸洗槽进行前酸清洗处理;
步骤(2)、将步骤(1)酸洗后的硅片放入到第一纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(3)、在臭氧水洗槽将步骤(2)纯水清洗后的硅片进行第一次臭氧水清洗处理;
步骤(4)、在粗抛槽将步骤(3)臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理;
步骤(5)、将步骤(4)粗抛后的硅片放入到第二纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(6)、在臭氧水洗槽将步骤(5)粗抛后的硅片进行第二次臭氧水清洗处理;
步骤(7)、在制绒槽将步骤(6)臭氧水清洗后的硅片进行制绒处理;
步骤(8)、将步骤(7)制绒后的硅片放入到第三纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(9)、在臭氧水洗槽将步骤(8)纯水清洗后的硅片进行第三次臭氧水清洗处理;
步骤(10)、将步骤(9)臭氧水清洗处理后的硅片放入到第四纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(11)、将步骤(10)纯水清洗处理后的硅片放入到后酸洗槽进行后酸清洗处理;
步骤(12)、将步骤(11)后酸清洗处理后的硅片放入到第五纯水清洗槽进行纯水清洗;
步骤(13)、将步骤(12)纯水清洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水;
步骤(14)、将步骤(13)预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。
2.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(1)和步骤(11)中前酸清洗槽和后酸清洗槽内的溶液均为HF/HCL溶液;所述HF/HCL溶液中,HF体积浓度为5-10%,HCL体积浓度5-10%,其余为纯水;酸清洗的温度为20-30℃,酸清洗的时间为60-120S,同时进行循环鼓泡。
3.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(3)、步骤(6)和步骤(9)中,臭氧水洗槽中的臭氧浓度为25-40ppm;温度为20-25℃;臭氧水清洗的时间为120-240S。
4.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(4)中,粗抛槽内的溶液为KOH溶液,KOH的质量浓度为1-2%;粗抛槽内的温度为70-80℃,粗抛的时间为60-120S,同时进行循环鼓泡。
5.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(7)中,制绒槽溶液为KOH与添加剂的混合溶液或NaOH与添加剂的混合溶液;KOH或NaOH的质量浓度为0.8-1%,添加剂体积浓度为1-1.2%;制绒槽内的温度为90-95℃,制绒的时间为350-400S,同时进行循环鼓泡。
6.如权利要求5所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的添加剂包括表面活性剂、去泡剂及去污剂。
7.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(13)中,慢提拉槽内设有纯水,预脱水的温度为60-80℃,预脱水的时间为30-60S。
8.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(14)中,烘干槽中设有氮气,烘干槽中的温度为60-80℃,烘干所需的时间为180-360S。
9.如权利要求1所述的一种PERC电池清洗制绒工艺,其特征在于,所述的步骤(2)、(5)、(8)、(10)、(12)中,纯水清洗的时间为60~120S,温度为20-25℃。
10.一种使用如权利要求1-9任意一项所述的PERC电池清洗制绒工艺的系统,其特征在于,包括用于原始硅片进行前酸清洗处理的前酸洗槽、用于对前酸清洗处理后的硅片进行第一次纯水清洗的第一纯水清洗槽、对前三次纯水清洗后的硅片进行臭氧水清洗处理的臭氧水洗槽、对第一次臭氧水清洗处理后的硅片进行粗抛处理的粗抛槽、对粗抛后的硅片进行第二次纯水清洗的第二纯水清洗槽、对第二次臭氧水清洗处理后的硅片进行制绒处理的制绒槽、对制绒后的硅片进行纯水清洗的第三纯水清洗槽、对第三次臭氧水清洗处理后的硅片进行第四次纯水清洗的第四纯水清洗槽、对第四次纯水清洗处理后的硅片进行后酸清洗处理的后酸洗槽、对后酸清洗处理后的硅片进行第五次纯水清洗的第五纯水清洗槽、对第五次纯水清洗后的硅片进行预脱水的慢提拉槽、对预脱水后的硅片进行烘干的烘干槽。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910772505.2A CN110416369A (zh) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Perc电池清洗制绒工艺及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910772505.2A CN110416369A (zh) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Perc电池清洗制绒工艺及系统 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110416369A true CN110416369A (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=68368102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910772505.2A Pending CN110416369A (zh) | 2019-08-21 | 2019-08-21 | Perc电池清洗制绒工艺及系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110416369A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111403561A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-10 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种硅片制绒方法 |
CN111554776A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-18 | 英利能源(中国)有限公司 | 一种黑硅制绒片的清洗方法 |
CN112458540A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-03-09 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种太阳能单晶制绒工艺 |
CN114864744A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-08-05 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统 |
WO2022198936A1 (zh) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片制绒产线 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102017176A (zh) * | 2008-03-25 | 2011-04-13 | 应用材料股份有限公司 | 结晶太阳能电池的表面清洁与纹理化工艺 |
JP2015185808A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
WO2016152228A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | 株式会社カネカ | 太陽電池用結晶シリコン基板の製造方法、結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
CN106057951A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-26 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 基于p型硅衬底的双面太阳能电池及其制备方法 |
CN106505126A (zh) * | 2015-09-07 | 2017-03-15 | Imec 非营利协会 | 单晶硅基材的织构化 |
CN109004062A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-14 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备 |
CN110112253A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-09 | 无锡琨圣科技有限公司 | 一种单晶制绒工艺 |
-
2019
- 2019-08-21 CN CN201910772505.2A patent/CN110416369A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102017176A (zh) * | 2008-03-25 | 2011-04-13 | 应用材料股份有限公司 | 结晶太阳能电池的表面清洁与纹理化工艺 |
JP2015185808A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
WO2016152228A1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | 株式会社カネカ | 太陽電池用結晶シリコン基板の製造方法、結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
CN106505126A (zh) * | 2015-09-07 | 2017-03-15 | Imec 非营利协会 | 单晶硅基材的织构化 |
CN106057951A (zh) * | 2016-07-27 | 2016-10-26 | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 | 基于p型硅衬底的双面太阳能电池及其制备方法 |
CN109004062A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-14 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备 |
CN110112253A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-09 | 无锡琨圣科技有限公司 | 一种单晶制绒工艺 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
郝立成 等: ""多晶硅片湿法切边背抛光对转换效率的影响研究"", 《山西化工》, vol. 38, no. 03, pages 376 - 21 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111403561A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-10 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种硅片制绒方法 |
CN111554776A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-18 | 英利能源(中国)有限公司 | 一种黑硅制绒片的清洗方法 |
CN111554776B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-03-29 | 英利能源(中国)有限公司 | 一种黑硅制绒片的清洗方法 |
CN112458540A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-03-09 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种太阳能单晶制绒工艺 |
WO2022198936A1 (zh) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 常州时创能源股份有限公司 | 硅片制绒产线 |
CN114864744A (zh) * | 2022-05-05 | 2022-08-05 | 普乐新能源科技(徐州)有限公司 | 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统 |
CN114864744B (zh) * | 2022-05-05 | 2024-04-02 | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 | 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110416369A (zh) | Perc电池清洗制绒工艺及系统 | |
CN110473810A (zh) | 单晶硅制绒工艺及装置 | |
CN102412172B (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗方法 | |
CN109004062B (zh) | 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备 | |
CN102965675B (zh) | 一种不锈钢酸洗钝化方法 | |
CN105441952B (zh) | 一种金属件表面抛光工艺 | |
CN102412173B (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗设备 | |
CN106784161A (zh) | 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法 | |
CN111508824B (zh) | 一种制绒清洗方法及异质结电池 | |
CN108231540A (zh) | 一种应用于太阳能电池制绒的后清洗工艺 | |
CN101276855A (zh) | 硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备 | |
CN107523881A (zh) | 一种制备单晶硅绒面的预处理方法 | |
CN110112253A (zh) | 一种单晶制绒工艺 | |
CN111403561A (zh) | 一种硅片制绒方法 | |
CN110416064A (zh) | 一种去除硅片油污的方法 | |
CN109065667A (zh) | 一种无机碱刻蚀用于太阳能se双面perc电池的方法 | |
CN107658246A (zh) | 一种太阳能硅片清洗工艺 | |
CN110491971A (zh) | 一种大尺寸叠瓦电池制绒工艺 | |
CN210296311U (zh) | 一种单晶硅制绒装置 | |
CN107221581B (zh) | 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 | |
CN103170467B (zh) | 铸锭循环料清洁处理方法 | |
CN110491972A (zh) | 电池片链式刻蚀碱背抛光加工工艺 | |
CN210325829U (zh) | 一种perc电池清洗制绒系统 | |
CN207183226U (zh) | 一种硅太阳能电池湿法刻蚀水洗装置 | |
CN216655516U (zh) | 一种省时节水型石墨舟清洗机 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |