CN101276855A - 硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备 - Google Patents

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王敏锐
张宝顺
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Abstract

本发明提供硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及设备,其工艺:先兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,在N2鼓泡系统下进行清洗;在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。清洗、制绒过程采用兆声波,使制绒的均匀性得到充分保障,制绒后清洗中使用氧化性极强的O3,很好的清除K离子;整个过程采用极少量的化学试剂,减少了环境污染。

Description

硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池清洗、制绒、干燥方法及一体化处理机。
背景技术
太阳能光伏电池是新技术和可再生环保型能源的重要组成部分,是当今世界最有发展前景的能源技术。硅太阳能电池是光伏电池的核心部分,高效的硅太阳能电池需要通过一系列的技术来完成硅表面处理。目前在硅太阳能电池的表面处理上,主要沿用传统的RCA方法对硅片进行清洗,该工艺完成对硅片的清洗需要耗费大量的化学试剂和水源,其中大部分化学试剂对操作者和环境都会带来相当大污染和危险。
当前,清洗制绒是一个十分复杂的过程,制绒工艺采用搅拌、N2鼓泡的方法,高耗能,高污染,加工纹理容易出现粗糙度不一致现象。蚀刻清洗需消耗大量强酸强碱,用水量很大,工艺复杂,设备造价相当昂贵。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,具体的步骤为:
①兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;
②制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,HF浓度为2%~5%,O3的溶解度在5~10ppm,并在N2鼓泡系统下进行清洗;
③以上清洗后,在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。
进一步地,上述的硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,步骤①兆声波槽式清洗制绒,其中兆声波频率为1MHZ以上,功率50~600W可调。
更进一步地,硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺的设备,特点是:包括兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台,兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台三者呈并排布置,其中,兆声清洗制绒槽配置有兆声波发生装置,清洗干燥槽配置有N2鼓泡装置,兆声清洗制绒槽上方和清洗干燥槽上方分别安装有清洗篮升降装置,两升降装置与横移装置驱动连接,另外,在清洗干燥槽上方安装有N2气氛装置。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
本发明工艺采用兆声波槽式清洗去损伤层、完成制绒,和N2鼓泡下的槽式清洗、干燥。整个过程中都采用槽式清洗,在生产上最大效益的节约成本,在前段的清洗、制绒过程中采用了兆声波,使制绒的均匀性得到充分保障,在制绒后清洗中使用氧化性极强的O3,很好的清除K离子,延长硅片的寿命;整个清洗、制绒、干燥过程采用极少量的化学试剂,有效减少了环境污染,大大节约了水资源,工艺十分简洁。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:本发明清洗、制绒、干燥设备的结构示意图。
图中各附图标记的含义见下表:
  附图标记 含义   附图标记 含义   附图标记 含义
1 清洗制绒槽 2   兆声波发生装置 3 清洗篮
4 清洗干燥槽 5 N2鼓泡装置 6   清洗篮升降装置
7 横移装置 8 N2气氛装置 9   清洗篮升降装置
  10   装片台
具体实施方式
本发明提供硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,利用兆声能量产生O3,作为腐蚀液对硅片进行清洗、制绒,详细的工艺过程是:
首先,兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,兆声波频率为1MHZ以上,功率50~600W可调,在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;兆声波一方面起到产生臭氧的作用,另一方面起到均匀制绒的作用;
其次,制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,HF浓度为2%~5%,O3的溶解度在5~10ppm,并在N2鼓泡系统下进行清洗;该清洗中,只使用HF、O3化学物品,利用N2鼓泡系统外加喷淋的方法实现清洗;
通过以上清洗后,在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。由于HF的作用,片子表面成疏水性,在硅片被抬出液面的同时,自动达到干燥的效果;干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使得硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,避免硅片表面被氧化。
本发明采用兆声波产生臭氧,利用气穴现象和声流高能量对水中O2转为O3,O3的特性为不稳定气体,具有强烈的腐蚀性和氧化性。在常温常压下,臭氧在水中的饱和水溶解度约为15×10^-6。臭氧的氧化还原势H2SO4、HCL、H2O2都要高,因此用臭氧超净水去除有机物及金属的效率比传统的SPM、HPM等方法要高。另外,该清洗办法可在室温下进行,比传统的RCA清洗法有较大优势。在溶液里面还含有一定比例的NaOH和IPA,硅片表面经过了O3的腐蚀氧化后,在表面形成一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NaOH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。同时由于NaOH对硅片本身的腐蚀,其结果达到对硅片进行制绒的目的,而IPA起到调节晶向反应速度的作用。整个清洗制绒过程都伴有兆声震动,表面形成可靠相近的粗糙程度,出现反射性良好的倒金字塔图形,由于兆声波的空化作用,使在硅片制绒过程中反应生成的微小的气泡被振碎,使其制绒均匀。在整个清洗制绒过程中,所用的化学试剂比较少,温度要求在O3溶解度和制绒温度中进行调和,选择60℃左右进行。在槽内清洗对杂质离子的去除率可达90%以上,与传统的CR法媲美。制绒后的清洗,采用常温下将硅片放入充满HF/O3的清洗槽中,利用N2鼓泡装置加大清洗均匀性,经过一定时间的反应后,硅片被慢慢地抬出液面;由于HF酸的作用,硅片表面将呈疏水性,因此,在硅片被抬出液面的同时,自动达到干燥的效果。最后为避免硅片表面被氧化,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使得硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,防止表面被氧化。
如图1所示,硅太阳能电池清洗、制绒、干燥的设备,主要包括兆声清洗制绒槽1、清洗干燥槽4及装片台10,兆声清洗制绒槽1、清洗干燥槽4及装片台10三者呈并排布置,其中,兆声清洗制绒槽1配置有兆声波发生装置2,清洗干燥槽1配置有N2鼓泡装置5,兆声清洗制绒槽1的上方安装有清洗篮升降装置6,清洗干燥槽4的上方安装有清洗篮升降装置9,两升降装置与横移装置7驱动连接,另外,在清洗干燥槽4的上方安装有N2气氛装置8。放置硅片的清洗篮3,由传送机构分别按顺序送入到兆声波清洗制绒槽1、N2鼓泡系统的清洗槽,最后进入N2氛围下的干燥装载系统。
具体应用时:将承载硅片的清洗篮3由升降装置6送入到清洗制绒槽1中,利用兆声波发生装置2在槽内产生O3,并在恒温下对硅片进行清洗,制绒。完成清洗制绒后由清洗篮升降装置6、横移装置7将清洗篮移到清洗干燥槽4内,利用N2鼓泡装置5完成清洗干燥。最后将清洗篮提出液面,打开N2氛围8,在N2下完成装片工作,并由清洗篮升降装置9转移清洗篮,将清洗完成的硅片和硅片盒放入装片台10。
本发明工艺除了包含水、HF、NaOH、异丙醇(IPA)、O3、N2参与腐蚀清洗外,还包含兆声波产生O3并辅助清洗的过程。采用兆声波槽式清洗去损伤层、完成制绒,所用化学试剂为NaOH、IPA、O3、去离子水。N2鼓泡下的槽式清洗、干燥,所用试剂为HF、O3、去离子水、N2。由于整个过程中都采用槽式清洗,在生产上可最大效益的节省成本,在前段的清洗、制绒过程中采用了兆声波,使制绒的均匀性得到充分保障,在制绒后清洗中使用氧化性极强的O3,可很好的清除K离子,延长硅片的寿命;整个清洗、制绒、干燥过程采用极少量的化学试剂,有效减少了环境污染,大大节约了水资源,工艺简洁。
以上仅是本发明的具体应用范例,对本发明的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案,均落在本发明权利保护范围之内。

Claims (3)

1.硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,其特征在于:具体包括以下步骤——
1)兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;
2)制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,HF浓度为2%~5%,O3的溶解度在5~10ppm,并在N2鼓泡系统下进行清洗;
3)以上清洗后,在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。
2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,其特征在于:步骤1)兆声波槽式清洗制绒,其中兆声波频率为1MHZ以上,功率50~600W可调。
3.硅太阳能电池清洗、制绒、干燥的设备,其特征在于:包括兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台,兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台三者呈并排布置,其中,兆声清洗制绒槽配置有兆声波发生装置,清洗干燥槽配置有N2鼓泡装置,兆声清洗制绒槽上方和清洗干燥槽上方分别安装有清洗篮升降装置,两升降装置与横移装置驱动连接,另外,在清洗干燥槽上方安装有N2气氛装置。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101812687A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 湖南红太阳新能源科技有限公司 一种槽式多晶硅湿法制绒设备
CN102242402A (zh) * 2011-07-11 2011-11-16 苏州赤诚洗净科技有限公司 太阳能电池硅片的制绒装置
CN101651170B (zh) * 2009-08-31 2012-04-18 北京吉阳技术股份有限公司 全自动化多晶槽式酸处理设备
CN102618938A (zh) * 2012-04-21 2012-08-01 湖南红太阳光电科技有限公司 一种准单晶硅片绒面的制备方法
CN102698983A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种太阳能级硅片的清洗方法
CN102737982A (zh) * 2012-06-18 2012-10-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种硅片运动式制绒装置
CN102820370A (zh) * 2011-06-08 2012-12-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片的制绒处理方法
CN102873042A (zh) * 2012-09-27 2013-01-16 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种用于去除硅片表面硅酸钠残留的喷淋装置
CN103866397A (zh) * 2014-03-23 2014-06-18 山西中电科新能源技术有限公司 多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法
CN103866396A (zh) * 2014-03-23 2014-06-18 山西中电科新能源技术有限公司 多晶硅锭边尾料表面预处理装置及其处理方法
CN104330842A (zh) * 2014-10-22 2015-02-04 上海大学 一种新型的增亮散射膜
CN105931947A (zh) * 2016-05-20 2016-09-07 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的清洗方法
CN106960893A (zh) * 2017-03-24 2017-07-18 刘锋 一种太阳能电池表面制绒磨平设备
CN107442509A (zh) * 2017-09-24 2017-12-08 赵健秋 一种医用器皿清洗装置
CN107623056A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 常州大学 一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法
CN107658367A (zh) * 2016-07-26 2018-02-02 福建金石能源有限公司 一种异质结电池的湿化学处理方法
CN108240740A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种烘干设备
CN109107974A (zh) * 2018-07-20 2019-01-01 横店集团东磁股份有限公司 一种太阳能电池制备用石英器件的清洗方法
CN109686651A (zh) * 2018-12-10 2019-04-26 江苏林洋光伏科技有限公司 太阳能电池的臭氧清洗方法
CN112928184A (zh) * 2021-01-26 2021-06-08 徐州中辉光伏科技有限公司 一种便于均匀接触溶液的硅片制绒装置
CN112928185A (zh) * 2021-02-10 2021-06-08 浙江工业大学 一种硅表面钝化层的制备方法

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101651170B (zh) * 2009-08-31 2012-04-18 北京吉阳技术股份有限公司 全自动化多晶槽式酸处理设备
CN101812687A (zh) * 2010-04-14 2010-08-25 湖南红太阳新能源科技有限公司 一种槽式多晶硅湿法制绒设备
CN102820370A (zh) * 2011-06-08 2012-12-12 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片的制绒处理方法
CN102820370B (zh) * 2011-06-08 2015-01-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 硅片的制绒处理方法
CN102242402A (zh) * 2011-07-11 2011-11-16 苏州赤诚洗净科技有限公司 太阳能电池硅片的制绒装置
CN102618938B (zh) * 2012-04-21 2015-09-02 湖南红太阳光电科技有限公司 一种准单晶硅片绒面的制备方法
CN102618938A (zh) * 2012-04-21 2012-08-01 湖南红太阳光电科技有限公司 一种准单晶硅片绒面的制备方法
CN102698983A (zh) * 2012-05-08 2012-10-03 常州天合光能有限公司 一种太阳能级硅片的清洗方法
CN102737982B (zh) * 2012-06-18 2015-10-28 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种硅片运动式制绒装置
CN102737982A (zh) * 2012-06-18 2012-10-17 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种硅片运动式制绒装置
CN102873042A (zh) * 2012-09-27 2013-01-16 奥特斯维能源(太仓)有限公司 一种用于去除硅片表面硅酸钠残留的喷淋装置
CN103866397A (zh) * 2014-03-23 2014-06-18 山西中电科新能源技术有限公司 多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法
CN103866396A (zh) * 2014-03-23 2014-06-18 山西中电科新能源技术有限公司 多晶硅锭边尾料表面预处理装置及其处理方法
CN103866397B (zh) * 2014-03-23 2016-03-30 山西中电科新能源技术有限公司 多晶硅锭表面预处理装置及其处理方法
CN104330842A (zh) * 2014-10-22 2015-02-04 上海大学 一种新型的增亮散射膜
CN105931947A (zh) * 2016-05-20 2016-09-07 浙江晶科能源有限公司 一种硅片的清洗方法
CN107658367A (zh) * 2016-07-26 2018-02-02 福建金石能源有限公司 一种异质结电池的湿化学处理方法
CN108240740A (zh) * 2016-12-26 2018-07-03 北京北方华创微电子装备有限公司 一种烘干设备
CN106960893A (zh) * 2017-03-24 2017-07-18 刘锋 一种太阳能电池表面制绒磨平设备
CN107442509A (zh) * 2017-09-24 2017-12-08 赵健秋 一种医用器皿清洗装置
CN107623056A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 常州大学 一种反应离子刻蚀方法形成的纳米绒面表面缺陷修复方法
CN109107974A (zh) * 2018-07-20 2019-01-01 横店集团东磁股份有限公司 一种太阳能电池制备用石英器件的清洗方法
CN109686651A (zh) * 2018-12-10 2019-04-26 江苏林洋光伏科技有限公司 太阳能电池的臭氧清洗方法
CN112928184A (zh) * 2021-01-26 2021-06-08 徐州中辉光伏科技有限公司 一种便于均匀接触溶液的硅片制绒装置
CN112928184B (zh) * 2021-01-26 2022-05-31 徐州中辉光伏科技有限公司 一种便于均匀接触溶液的硅片制绒装置
CN112928185A (zh) * 2021-02-10 2021-06-08 浙江工业大学 一种硅表面钝化层的制备方法
CN112928185B (zh) * 2021-02-10 2023-10-20 浙江工业大学 一种硅表面钝化层的制备方法

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