JP2011510512A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 反射層と、
   前記反射層上のオーミック接触層と、
   前記オーミック接触層上の第２半導体層と、
   前記第２半導体層上の活性層と、
   前記活性層上の第１半導体層と、
   を備え、
   前記反射層と前記活性層の発光部分の間の距離をｄとしたときに、ｄ＝（２ｍ＋１）／４×（λ／ｎ）±αであり、ここでｍは０以上の整数、λは前記活性層によって放出される光の波長、ｎは前記活性層と前記反射層の間に位置する前記第２半導体層とオーミック接触層を含む媒質の平均屈折率、αは前記反射層の種類に応じた変動幅を示し、α＜（１／８）×（λ／ｎ）である発光素子。
2. 前記第１半導体層上に光結晶構造を含む請求項１に記載された発光素子。
3. 前記光結晶構造の深さは（λ／ｎ）以上である請求項２に記載された発光素子。
4. 前記光結晶構造は、ホールの深さまたは柱構造の高さが３００ｎｍ〜３，０００ｎｍの範囲内であり、前記光結晶の平均周期は０．７μｍ〜５μｍの範囲内である請求項２または３に記載された発光素子。
5. 前記オーミック接触層は酸化物伝導層を含む請求項１乃至４のいずれかに記載された発光素子。
6. 前記オーミック接触層は単一酸化物伝導層、または酸化物伝導層内に誘電体パターンを含む請求項５に記載された発光素子。
7. 前記第２半導体層はｐ型半導体層であり、前記第１半導体層はｎ型半導体層である、請求項１乃至６のいずれかに記載された発光素子。
8. 前記反射層はＡｇ、Ｐｔ、Ａｌ中の１つ以上を含む請求項１乃至７のいずれかに記載された発光素子。
9. 前記活性層の厚さは（１／２）×（λ／ｎ）未満である請求項１乃至８のいずれかに記載された発光素子。
10. 前記発光部分は前記活性層の中心である、請求項１乃至９のいずれかに記載された発光素子。