JP2008311625A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 活性層と、該活性層に隣接して配置されるフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層上に設けられた電極と、光を放出する出射領域と、を有する面発光レーザ素子であって、
   前記フォトニック結晶層は２次元の屈折率周期構造を有し、かつ、
   前記電極の下に設けられ、面内方向に光を共振させる屈折率周期構造による第１のフォトニック結晶領域と、
   前記出射領域の下に設けられ、面垂直方向に光を放射させる屈折率周期構造による第２のフォトニック結晶領域と、
   を含み構成され、
   前記第２のフォトニック結晶領域はフォトニックバンドのΓ点におけるモードを有するフォトニック結晶により構成されており、
   前記第１のフォトニック結晶領域は該フォトニックバンドのΓ点以外のフォトニックバンド端で、光すいよりも下に存在するモードを有するフォトニック結晶により構成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
2. 前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域が同一のフォトニック結晶層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
3. 前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は異なるフォトニック結晶層に設けられており、
   前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は前記面垂直方向に分離して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
4. 前記出射領域が２以上設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
5. 前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子状に設けた構造を有し、
   前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√２分の１であり、互いの結晶方位が４５°回転していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
6. 前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を３角格子状に設けた構造を有し、
   前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√３分の１であり、互いの結晶方位が３０°回転していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
7. 前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子、または４角格子状に設けた構造を有し、
   前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の２分の１であり、結晶方位が互いに等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
8. 前記第１または第２のフォトニック結晶領域の境界に、反射率制御構造が構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。