JP2011124301A5 - - Google Patents

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本発明の二次元フォトニック結晶面発光レーザは、
基板上に、該基板の面に対して垂直方向に、活性層と、フォトニック結晶の構造を有するフォトニック結晶層とが積層された積層構造を備え、
該フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す二次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記積層構造中に、高屈折率媒質からなる中央部と、該高屈折率媒質よりも屈折率が低い低屈折率媒質からなる周辺部とを備えた屈折率層を有し、
前記屈折率層における低屈折率媒質からなる周辺部が、前記電極と重ならない領域に形成されていることを特徴とする。

Claims (9)

  1. 基板上に、該基板の面に対して垂直方向に、活性層と、フォトニック結晶の構造を有するフォトニック結晶層とが積層された積層構造を備え、
    該フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す二次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
    前記積層構造中に、高屈折率媒質からなる中央部と、該高屈折率媒質よりも屈折率が低い低屈折率媒質からなる周辺部とを備えた屈折率層を有し、
    前記屈折率層における低屈折率媒質からなる周辺部が、前記電極と重ならない領域に形成されていることを特徴とする二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  2. 前記積層構造における表面の中央部には、前記活性層にキャリアを注入するための電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  3. 前記屈折率層が、前記フォトニック結晶層と前記活性層との間に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  4. 前記屈折率層が、前記活性層を挟んで前記二次元フォトニック結晶の反対側に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  5. 前記電極が、ｐ型電極であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  6. 前記屈折率層における低屈折率媒質からなる周辺部が、前記中央部側から外周部側に向かうに従って徐々に厚くなる層構成を備えていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  7. 前記屈折率層における低屈折率媒質からなる周辺部が、前記中央部側から外周部側に向かうに従って徐々に屈折率が低くなる層構成を備えていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  8. 前記屈折率層における低屈折率媒質が、絶縁媒質からなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
  9. 前記フォトニック結晶層は、窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の二次元フォトニック結晶面発光レーザ。
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