JP2011197653A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の画素と、第２の画素と、を有し、
   前記第１の画素は、光を反射する機能を有する第１の画素電極と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記第２の画素は、光を透過する機能を有する第２の画素電極と、第２のトランジスタと、構造体と、を有し、
   前記構造体は、側面と、底面と、上面と、を有し、
   前記構造体の側面は、光を反射する機能を有する層によって覆われ、
   前記構造体の底面の面積は、前記構造体の上面の面積よりも大きく、
   前記構造体の底面は、酸化物半導体と接し、
   前記構造体の屈折率は、前記酸化物半導体の屈折率よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。