JP4974493B2 - 半導体装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、基板上に多数の走査線およびデータ線が縦横に設けられ、これらの配線の交点に対応して多数のＴＦＴが設けられている。各ＴＦＴは、走査線にゲート配線が電気的に接続され、データ線にソース電極が電気的に接続され、画素電極にドレイン電極が電気的に接続される。
透過型の液晶表示装置においては、画素電極として透明導電膜、代表的にはＩＴＯが用いられている。透明導電膜からなる画素電極は、データ線や走査線などの配線と絶縁するための層間絶縁膜上に設けられている。従って、層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して画素電極とドレイン電極とが接続されている。
特に、大面積の表示を行うディスプレイを製造する際、配線の抵抗による信号の遅延問題が顕著になってくる。従って、配線や電極の材料としては、電気抵抗値の低い材料、代表的にはアルミニウムが用いられている。
配線や電極の材料として用いられるアルミニウムと、画素電極の材料として用いられるＩＴＯとは、接合する上で相性が悪く、両者を直接接合させると電触腐食が生じてしまう問題があった。
さらに、直接、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とを接合させると、接合界面においてアルミニウムが酸化し、ＩＴＯ膜は還元することになり、接触抵抗が変化してしまっていた。これは、アルミニウムとＩＴＯ膜との電極電位が相違するために生じる電気化学的な反応により現象であることが知られている。
そこで、このような相性の悪い２つの膜からなる配線や電極等を接続する際に、アルミニウム配線（または電極）とＩＴＯとの間に高融点金属膜（チタン膜など）または高融点金属化合物膜（窒化チタン膜など）などを設けて、ＩＴＯとの電触腐食を防ぐ技術も提案されている。
また、本出願人は、薄膜トランジスタのドレインと画素電極であるＩＴＯとの接続をチタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層膜で構成することを特許文献１、特許文献２、および特許文献３に記載している。
また、本出願人らは、薄膜トランジスタのドレインと画素電極であるＩＴＯとの接続をチタン膜、アルミニウム膜の積層膜で構成することを特許文献４に記載し、窒化チタン膜、アルミニウム膜の積層膜で構成することを特許文献５に記載している。
特開平９−４５９２７号公報
特開平１０−３２２０２号公報
特開平６−２３２１２９号公報
特開２００４−６９７４
特開平８−３３０６００号公報
しかしながら、アルミニウム配線（または電極）とＩＴＯとの間にチタン膜や窒化チタン膜を積層すると、配線抵抗が高くなってしまい、特に画面サイズが大面積化すると消費電力の増大を引き起こす。配線抵抗は、配線となる金属膜の断面積を大きくすることにより低減することが可能であるが、膜厚を厚くして断面積を増大させた場合には基板表面と厚膜配線表面との間に段差が生じ、液晶の配向不良の原因となる。
また、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス型の発光装置においても、発光素子の陽極（または陰極）として透明導電膜を用いる場合がある。同様に、透明導電膜からなる陽極は、各種配線と絶縁するための層間絶縁膜上に形成される。従って、陽極としてＩＴＯを用い、ＴＦＴの電極（アルミニウム）とを接続させる際、上述の電触腐食が同様に生じる。
本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
また、配線材料としてアルミニウムを用いてＴＦＴを作製した場合、熱処理によってヒロックやウィスカー等の突起物の形成や、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散により、ＴＦＴの動作不良やＴＦＴ特性の低下を引き起こしていた。そこで、従来ではアルミニウムに他の元素（Ｓｉなど）を含有させたアルミニウム合金膜として、ヒロックなどの発生を抑制している。しかし、アルミニウム合金膜としても、接合界面においてアルミニウムが酸化し、ＩＴＯ膜が還元することによる接合抵抗は変化してしまう問題は残る。
加えて、本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線材料としてアルミニウムを用いてもヒロックやウィスカー等の突起物の形成を防止し、且つ、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止し、且つ、良好なオーミック接合を可能とすることを課題とする。
本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで上述した課題を解決するものである。
加えて、本発明は、アルミニウム配線（または電極）とＩＴＯとの間に高融点金属膜（チタン膜など）または高融点金属化合物膜（窒化チタン膜など）などを設けることなく、上述した課題を解決するものである。
本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させることを特徴の一つとしている。
シリコンとアルミニウムの相互拡散を防止するために設けられる第１導電層の膜厚は、２０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とすることが望ましい。
また、電気抵抗値を低くするため、アルミニウム単体からなる第２導電層中の酸素濃度は５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下とすることが望ましい。第２導電層の膜厚は、０．１μｍ〜２μｍの範囲とすることが望ましい。電気抵抗値の低いアルミニウム単体からなる第２導電層を用いることによって、さらなる細線化が可能となり、回路面積の縮小を図ることができる。
なお、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層は、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、またはＣ（炭素）を含むアルミニウム合金膜とする。例えば、Ａｌ中に０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下の炭素（Ｃ）と、０．５ａｔｏｍｓ％以上７ａｔｏｍｓ％以下のＮｉを含有しているアルミニウム炭素合金膜や、Ａｌ中に０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下の炭素（Ｃ）と、１ａｔｏｍｓ％以上２０ａｔｏｍｓ％以下のＴｉを含有しているアルミニウム炭素合金膜や、Ａｌ中に０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下の炭素（Ｃ）を含有しているアルミニウム炭素合金膜を用いる。第３導電層の膜厚は、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲とすることが望ましい。なお、アルミニウム炭素合金は、アルミニウム−炭素系合金とも呼ばれる。
ただし、環境問題を考慮すると、Ｎｉは有害な材料の一つであるため、第３導電層は、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、またはＣ（炭素）を含むアルミニウム合金膜とすることが望ましい。
また、各層の表面を酸化させないように、これら３層を同じスパッタ装置で連続して形成することが好ましい。
本明細書で開示する発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、前記半導体装置は、前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体からなる第１導電層と、前記第１導電層上に接するアルミニウム単体からなる第２導電層と、前記第２導電層上に接する炭素を含むアルミニウム合金からなる第３導電層と、を順に積層した電極または配線を有し、前記第３導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置である。
また、炭素を含むアルミニウム合金に代えて、炭素、及びチタンを含むアルミニウム合金を用いてもよく、他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、前記半導体装置は、前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体からなる第１導電層と、前記第１導電層上に接するアルミニウム単体からなる第２導電層と、前記第２導電層上に接する炭素、及びチタンを含むアルミニウム合金からなる第３導電層と、を順に積層した電極または配線を有し、前記第３導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置である。
また、炭素を含むアルミニウム合金に代えて、炭素、及びニッケルを含むアルミニウム合金を用いてもよく、他の発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、透明導電膜とを有する半導体装置であり、前記半導体装置は、前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体からなる第１導電層と、前記第１導電層上に接するアルミニウム単体からなる第２導電層と、前記第２導電層上に接する炭素、及びニッケルを含むアルミニウム合金からなる第３導電層と、を順に積層した電極または配線を有し、前記第３導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置である。
上記各構成において、前記透明導電膜を陽極または陰極とする発光素子、或いは、前記透明導電膜を画素電極とする液晶素子を有していることを特徴の一つとしている。
また、上記各構成において、前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記第３導電層は、同じスパッタ装置内で連続して形成されたことを特徴としている。同じスパッタ装置内で連続して形成することにより、前記層の表面が酸化することがなく、結果として透明導電膜とのコンタクト抵抗及び配線抵抗を低くすることができる。
また、透明導電膜を先に形成した後、積層構造を有する電極を形成して薄膜トランジスタと透明導電膜とを電気的に接続させる場合の発光素子を有する半導体装置の作製方法も本発明の特徴の一つであり、その作製方法は、
絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタに接続する透明導電膜を形成する工程と、を有する工程であり、
前記透明導電膜及び前記活性層に接する電極は、少なくともモリブデン膜と、アルミニウム膜からなる積層構造を有しており、
前記電極は、アルミニウム膜をドライエッチングする工程と、同じマスクを用いてモリブデン膜をウエットエッチングする工程と、によってパターニングされ、
前記ウェットエッチングは、モリブデン膜を選択的に除去すると同時に前記透明導電膜の表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタに接続する透明導電膜を形成する工程と、を有する工程であり、
前記透明導電膜及び前記活性層に接する電極は、少なくともモリブデン膜と、アルミニウム膜からなる積層構造を有しており、
前記電極は、アルミニウム膜をドライエッチングする工程と、同じマスクを用いてモリブデン膜をウエットエッチングする工程と、によってパターニングされ、
前記ウェットエッチングは、モリブデン膜を選択的に除去すると同時に前記透明導電膜の表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
上記作製方法とすることによって、透明導電膜（代表的にはＩＴＯ）からなる陽極表面に点在する微小な粒子（０．１μｍ以下の球状の微小な粒）を前記ウェットエッチングで同時に除去することができる。この微小な粒子は、スパッタ法によるＩＴＯ成膜中のゴミ、隔壁のウエットエッチング工程におけるゴミ、またはＩＴＯ膜のパターニング工程におけるゴミであると思われる。この微小な粒子が、有機化合物を有する発光素子の作製直後において生じているダークスポットの主原因となっている。なお、透明導電膜における表面の洗浄を行わずに作製した発光素子の電気特性は、電圧に対する輝度変化はほとんどない一方、低電圧（３Ｖ〜５Ｖ）での駆動において極端に発光効率が低下するという異常が見られる。また、微小な粒によって電流が局所的に集中して輝点（周りよりも輝度の高い箇所）が発生する場合もある。
また、本発明は３層構造に限定されず、２層構造の配線としてもよい。特に、２層構造の配線上に透明導電膜を形成する場合に有効であり、本発明の他の構成は、絶縁表面を有する基板上に、アルミニウム単体を含む第１導電層と、前記第１導電層上に接する炭素を含むアルミニウム合金を含む第２導電層と、を積層した電極または配線を有し、前記第２導電層上に接する透明導電膜を有していることを特徴とする半導体装置である。この構成において、前記第２導電層に含まれる炭素の含有量は、０．１atoms％以上１０atoms％以下であることを特徴の一つとしている。また、前記第２導電層は、さらにチタンを含み、そのチタンの含有量は、１atoms％以上２０atoms％以下であることを特徴としている。また、前記第２導電層は、さらにモリブデンを含んでもよい。
なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の成膜装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
また、本明細書中において、第１の電極とは、発光素子の陽極、或いは陰極となる電極を指している。発光素子は、第１の電極と、該第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極とを有する構成となっており、形成順序において先に基板に形成する電極を第１の電極と呼んでいる。
また、第１の電極の配置としてはストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列などを挙げることができる。
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
さらに、ビデオ信号がデジタルの発光装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧（ＣＶ）のものと、定電流（ＣＣ）のものとがある。ビデオ信号が定電圧のもの（ＣＶ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＶＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＶＣＣ）とがある。また、ビデオ信号が定電流のもの（ＣＣ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＣＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＣＣＣ）とがある。
また、本発明の発光装置において、静電破壊防止のための保護回路（保護ダイオードなど）を設けてもよい。
また、アクティブマトリクス型とする場合、第１の電極に接続するＴＦＴを複数設けるが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート型ＴＦＴや、ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
また、発光素子と電気的に接続するＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであっても、ｎチャネル型ＴＦＴであってもよい。ｐチャネル型ＴＦＴと接続させる場合は、陽極と接続させ、陽極上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層と順次積層した後、陰極を形成すればよい。また、ｎチャネル型ＴＦＴと接続させる場合は、陰極と接続させ、陰極上に電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層と順次積層した後、陽極を形成すればよい。
また、ＴＦＴの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにＴＦＴの活性層として、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるセミアモルファス半導体膜（微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体膜とも呼ばれる）も用いることができる。
また、本明細書中において、画素電極とは、ＴＦＴと接続される電極であり、且つ、対向基板に設けられる対向電極と対となす電極を指している。また、液晶素子は、画素電極と、対向電極と、これらの電極に挟まれた液晶層とを指している。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
本発明により、ＴＦＴとＩＴＯとを備えた半導体装置において、配線材料として純アルミニウムを用いてもヒロックやウィスカー等の突起物の形成を防止し、且つ、シリコンとアルミニウムの相互拡散を防止し、且つ、ＩＴＯとの良好なオーミック接合を可能とすることができる。また、このような優れた配線または電極が得られ、さらなる半導体装置の低消費電力化を実現することができる。
本発明の実施形態について、以下に説明する。
（実施の形態１）
ここでは、アクティブマトリクス型の発光装置の例に本発明を説明することとする。
ここでは、アクティブマトリクス型の発光装置の例に本発明を説明することとする。
図１は、発光装置の画素部における一部を拡大した断面図である。以下に図１に示した発光素子を有する半導体装置の作製工程を示す。
まず、基板１０上に下地絶縁膜１１を形成する。基板１０側を表示面として発光を取り出す場合、基板１０としては、光透過性を有するガラス基板や石英基板を用いればよい。また、処理温度に耐えうる耐熱性を有する光透過性のプラスチック基板を用いてもよい。また、基板１０側とは逆の面を表示面として発光を取り出す場合、前述の基板の他にシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。ここでは基板１０としてガラス基板を用いる。なお、ガラス基板の屈折率は１．５５前後である。
下地絶縁膜１１としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する。ここでは下地膜として２層構造を用いた例を示すが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。なお、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。
次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を第１のフォトマスクを用いて所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜７０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）合金などで形成すると良い。
また、非晶質構造を有する半導体膜の結晶化処理として連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第２高調波〜第４高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力１０Ｗの連続発振のＹＶＯ4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にＹＶＯ4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、１０〜２０００ｃｍ／ｓ程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。
次いで、レジストマスクを除去した後、半導体層を覆うゲート絶縁膜１２を形成する。ゲート絶縁膜１２はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを１〜２００ｎｍとする。好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍと薄くしてシリコンを含む絶縁膜の単層または積層構造で形成した後にマイクロ波によるプラズマを用いた表面窒化処理を行う。
このように膜厚の薄い絶縁膜をプラズマＣＶＤ法を用いる場合、成膜レートを遅くして薄い膜厚を制御性よく得る必要がある。例えば、ＲＦパワーを１００Ｗ、１０ｋＨｚ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、Ｎ2Ｏガス流量４００ｓｃｃｍ、ＳｉＨ4ガス流量１ｓｃｃｍ、とすれば酸化珪素膜の成膜速度を６ｎｍ／ｍｉｎとすることができる。また、マイクロ波によるプラズマを用いた窒化処理は、マイクロ波源（２．４５ＧＨｚ）、および反応ガスである窒素ガスを用いて行う。
なお、ゲート絶縁膜１２表面から離れるにつれて窒素濃度は減少する。これにより酸化珪素膜表面を高濃度に窒化できるだけでなく、酸化珪素膜と活性層の界面の窒素を低減し、デバイス特性の劣化を防ぐ。
次いで、ゲート絶縁膜１２上に膜厚１００〜６００ｎｍの導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、ＴａＮ膜とＷ膜との積層からなる導電膜を形成する。なお、ここでは導電膜をＴａＮ膜とＷ膜との積層としたが、特に限定されず、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。
次いで、第２のフォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜をエッチングして、導電層１４ａ、１４ｂを得る。なお、導電層１４ａ、１４ｂはＴＦＴのゲート電極となる。
次いで、レジストマスクを除去した後、第３のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体層にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）を低濃度にドープするための第１のドーピング工程を行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第１のドーピング工程によって絶縁膜を介してスルードープを行い、低濃度不純物領域を形成する。一つの発光素子は、複数のＴＦＴを用いて駆動させるが、ｐチャネル型ＴＦＴのみで駆動させる場合には、上記ドーピング工程は特に必要ない。
次いで、レジストマスクを除去した後、第４のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、半導体にｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン）を高濃度にドープするための第２のドーピング工程を行う。この第２のドーピング工程によってゲート絶縁膜１２を介してスルードープを行い、ｐ型の高濃度不純物領域１７、１８を形成する。
次いで、第５のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないｎチャネル型ＴＦＴを形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）を高濃度にドープするための第３のドーピング工程を行う。第３のドーピング工程におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を１×１０13〜５×１０15／ｃｍ2とし、加速電圧を６０〜１００ｋｅＶとして行う。レジストマスクは、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第３のドーピング工程によってゲート絶縁膜１２を介してスルードープを行い、ｎ型の高濃度不純物領域を形成する。
この後、レジストマスクを除去し、水素を含む第１の層間絶縁膜１３を成膜した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。水素を含む第１の層間絶縁膜１３は、ＰＣＶＤ法により得られる窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を用いる。加えて、結晶化を助長する金属元素、代表的にはニッケルを用いて半導体膜を結晶化させている場合、活性化と同時にチャネル形成領域１９におけるニッケルの低減を行うゲッタリングをも行うことができる。
次いで、層間絶縁膜の２層目となる平坦化絶縁膜１６を形成する。平坦化絶縁膜１６としては、塗布法によって得られるシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるシロキサンのような絶縁膜を用いる。
次いで、第６のマスクを用いてエッチングを行い、平坦化絶縁膜１６にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の平坦化絶縁膜を除去する。ここでは、第１の層間絶縁膜１３と選択比が取れる条件でエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）を行う。用いるエッチング用ガスに限定はないが、ここではＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅ、Ａｒとを用いることが適している。ＣＦ4の流量を３８０ｓｃｃｍ、Ｏ2の流量を２９０ｓｃｃｍ、Ｈｅの流量を５００ｓｃｃｍ、Ａｒの流量を５００ｓｃｃｍ、ＲＦパワーを３０００Ｗ、圧力を２５Ｐａとし、ドライエッチングを行う。なお、第１の層間絶縁膜１３上に残渣を残すことなく平坦化絶縁膜をエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。１回のエッチングでテーパー形状としてもよいし、複数のエッチングによってテーパー形状にしてもよい。ここでは、さらにＣＦ4、Ｏ2、Ｈｅを用いて、ＣＦ4の流量を５５０ｓｃｃｍ、Ｏ2の流量を４５０ｓｃｃｍ、Ｈｅの流量を３５０ｓｃｃｍ、ＲＦパワーを３０００Ｗ、圧力を２５Ｐａとする２回目のドライエッチングを行ってテーパー形状とする。平坦化絶縁膜の端部におけるテーパー角θは、３０°を越え７５°未満とすることが望ましい。
次いで、第６のマスクをそのままマスクとしてエッチングを行い、露呈しているゲート絶縁膜１２、および第１の層間絶縁膜１３を選択的に除去する。エッチング用ガスにＣＨＦ3とＡｒを用いてゲート絶縁膜１２、および第１の層間絶縁膜１３のエッチング処理を行う。なお、半導体層上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。
次いで、第６のマスクを除去し、コンタクトホールで半導体層と接する３層構造からなる導電膜を形成する。なお、各層の表面を酸化させないように、これら３層を同じスパッタ装置で連続して形成することが好ましい。次いで、第７のマスクを用いてエッチングを行い、配線または電極を形成する。
シリコンとアルミニウムの相互拡散を防止するための第１導電層２２ａは、Ｔｉ単体、またはＭｏ単体を用い、２０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚範囲とする。
また、配線の電気抵抗値を低くするための第２導電層２２ｂは、アルミニウム単体を用い、０．１μｍ〜２μｍの膜厚範囲とする。
また、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層２２ｃは、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、またはＣ（炭素）を含むアルミニウム合金膜を用いる。第３導電層２２ｃの膜厚は、５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とする。
図２にスパッタ法で成膜したＴｉ（チタン）、またはＣ（炭素）を含むアルミニウム合金膜の膜厚２００ｎｍの反射率のデータを示す。図２において、縦軸は反射率（％）を示し、横軸は、測定波長（ｎｍ）を示している。比較例は、アルミニウム単体ターゲットを用いたアルミニウム膜である。また、サンプルＡは、アルミニウム単体ターゲット（φ６インチ）上にＴｉのペレット（面積０．５ｃｍ2）とＣのペレット（面積０．５ｃｍ2）を設置して成膜を行ったＴｉを含むアルミニウム炭素合金膜である。なお、このサンプルをＥＳＣＡで測定したところ、Ａｌ膜中にＴｉは２．７ａｔｏｍｓ％含まれ、Ｃは１ａｔｏｍｓ％以下であった。
また、サンプルＢは、アルミニウム単体ターゲット上にＣのペレット（面積０．５ｃｍ2）を設置して成膜を行ったアルミニウム炭素合金膜である。また、サンプルＣは、アルミニウム単体ターゲット上にＣのペレット（面積１ｃｍ2）を設置して成膜を行ったアルミニウム炭素合金膜である。
Ｔｉを含むアルミニウム炭素合金膜、及びアルミニウム炭素合金膜は、アルミニウム膜（比較例）よりも短波長域で反射率が高く、平坦性が優れていることが図２から読み取れる。
また、上記サンプルをそれぞれ３００℃のベークを行った後、再び反射率を測定したデータを図３に示す。
３００℃のベークにより、アルミニウム膜（比較例）の反射率が変化するのに対し、Ｔｉを含むアルミニウム炭素合金膜、及びアルミニウム炭素合金膜は、ほとんど変化していないことが図３から読み取れる。即ち、アルミニウム膜（比較例）はベークにより、表面にヒロックや酸化膜が形成され、反射率が低下してしまっていると考えられる。この結果から、Ｔｉを含むアルミニウム炭素合金膜、及びアルミニウム炭素合金膜は、表面にヒロックや酸化膜が形成されにくいと言える。
また、ベーク前後での上記サンプルの抵抗率（μΩｃｍ）をそれぞれ測定した。ベーク前に測定した結果を表１に示す。また、ベーク後に測定した結果を表２に示す。
表１に示すように、アルミニウム膜（比較例）については、ベーク前の抵抗率が、４．８（μΩｃｍ）、表２に示すようにベーク後の抵抗率が４．５（μΩｃｍ）であった。また、サンプルＡについては、ベーク前の抵抗率が、１２．７（μΩｃｍ）、ベーク後の抵抗率が９．５（μΩｃｍ）であった。また、サンプルＢについては、ベーク前の抵抗率が、５．３（μΩｃｍ）、ベーク後の抵抗率が４．３（μΩｃｍ）であった。また、サンプルＣについては、ベーク前の抵抗率が、６．３（μΩｃｍ）、ベーク後の抵抗率が４．８（μΩｃｍ）であった。
次いで、上記三層構造を有する配線または電極に接して透明導電膜を形成する。透明導電膜と第３導電層２２ｃとを直接接して形成しても、良好なオーミック接合を得ることができる。そして、第８のマスクを用いてエッチングを行い、第１の電極２３Ｒ、２３Ｇ、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）を形成する。
第１の電極の材料として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、またはＩＴＳＯ（ＩＴＯに酸化珪素が２〜１０重量％含まれたターゲットを用いてスパッタリング法で得られる酸化珪素を含む酸化インジウムスズ）を用いる。ＩＴＳＯの他、酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透光性酸化物導電膜（ＩＺＯ）などの透明導電膜を用いても良い。また、酸化珪素を含むＡＴＯ（アンチモン・チン・オキサイド）の透明導電膜を用いても良い。
なお、第１の電極２３Ｒ、２３ＧとしてＩＴＯを用いる場合は、電気抵抗値を下げるために結晶化させるベークを行う。対して、ＩＴＳＯやＩＺＯは、ベークを行ってもＩＴＯのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。
次いで、第８のマスクを用いて第１の電極２３Ｒ、２３Ｇの端部を覆う絶縁物２９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。絶縁物２９としては、塗布法により得られる有機樹脂膜、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）を膜厚０．８μｍ〜１μｍの範囲で用いる。
次いで、有機化合物を含む層２４Ｒ、２４Ｇを、蒸着法または塗布法を用いて積層形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層２４Ｒ、２４Ｇの形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で２００℃〜３００℃の加熱処理を行うことが望ましい。有機化合物を含む層２４Ｒ、２４Ｇの形成に蒸着法を用い、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。
なお、フルカラー化するために、発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）ごとにマスクのアライメントを行う。
有機化合物を含む層２４Ｒ、２４Ｇは積層であり、第１の電極上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層と順次形成する。例えば、有機化合物を含む層２４Ｒのうち、発光層としてＤＣＭが添加されたＡｌｑ3を４０［ｎｍ］成膜する。また、有機化合物を含む層２４Ｇのうち、発光層としてＤＭＱＤが添加されたＡｌｑ3を４０［ｎｍ］成膜する。また、ここでは図示していないが青色の青色の発光層としてＣＢＰ（４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−ビフェニル）が添加されたＰＰＤ（４，４’−ビス（Ｎ−（９−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル）を３０ｎｍ、ブロッキング層としてＳＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム）を１０［ｎｍ］成膜する。
次いで、第２の電極２５、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）を形成する。第２の電極２５の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を用いればよい。
また、第２の電極２５を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＢａＦ2からなる透光性を有する層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。
また、第２の電極２５を保護する保護層を形成してもよい。
次いで、封止基板３３をシール材（図示しない）で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、一対の基板およびシール材で囲まれた領域２７には乾燥した不活性気体、或いは透明な充填材を充填する。不活性気体としては希ガスまたは窒素を用いることができ、乾燥させるための乾燥剤を封止基板３３に配置する。また、充填材としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。なお、充填材を一対の基板間に充填すると、全体の透過率を向上させることができる。
第１の電極を透明材料、第２の電極を金属材料とすれば、基板１０を通過させて光を取り出す構造、即ちボトムエミッション型となる。また、第１の電極を金属材料、第２の電極を透明材料とすれば、封止基板３３を通過させて光を取り出す構造、即ちトップエミッション型となる。また、第１の電極および第２の電極を透明材料とすれば、基板１０と封止基板３３の両方を通過させて光を取り出す構造とすることができる。本発明は、適宜、いずれか一の構造とすればよい。
また、基板１０を通過させて光を取り出す際、発光層から放出される発光が通過する層、即ち、第１の電極、１層目の第１の層間絶縁膜１３、２層目の層間絶縁膜である平坦化絶縁膜１６、ゲート絶縁膜１２、下地絶縁膜１１には全て酸化珪素（約１．４６前後）が含まれているため、それぞれの屈折率の差が小さくなって光の取り出し効率が向上する。即ち、屈折率の異なる材料層間での迷光を抑えることができる。
（実施の形態２）
ここでは、実施の形態１とは透明導電膜と、三層構造の電極の形成順序が異なる例を図４を用いて以下に説明する。
ここでは、実施の形態１とは透明導電膜と、三層構造の電極の形成順序が異なる例を図４を用いて以下に説明する。
なお、平坦化絶縁膜１６を形成するまでの工程は、実施の形態１と同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。また、図４において、図１と同一の箇所には同じ符号を用いる。
まず、実施の形態１に示した工程に従って、平坦化絶縁膜１６を形成する。次いで、透明導電膜を成膜して、パターニングを行い、第１の電極４２３Ｒ、４２３Ｇを形成する。
次いで、平坦化絶縁膜１６を選択的にエッチングして、ｐ型の高濃度不純物領域１７に達するコンタクトホールを形成する。次いで、第１の電極およびｐ型の高濃度不純物領域１７に接するモリブデン金属膜を成膜する。次いで、連続的にアルミニウム膜、アルミニウム合金膜を積層成膜する。その後、パターニングを行って第１導電層４２２ａ、第２導電層４２２ｂ、および第３導電層４２２ｃを形成する。
シリコンとアルミニウムの相互拡散を防止するための第１導電層４２２ａは、Ｍｏ単体を用い、２０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚範囲とする。
また、配線の電気抵抗値を低くするための第２導電層４２２ｂは、アルミニウム単体を用い、０．１μｍ〜２μｍの膜厚範囲とする。
また、アルミニウム合金からなる第３導電層４２２ｃは、Ｔｉ（チタン）、またはＣ（炭素）を含むアルミニウム合金膜を用いる。第３導電層４２２ｃの膜厚は、５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とする。
上記３層からなる電極パターニングの際、複数種類のエッチング方法を用いる。まず、ドライエッチングによって４２２ｃ、４２２ｂを選択的に除去した後、ウェットエッチングによって４２２ａを除去する。ウェットエッチングを用いることで、第１の電極にダメージを与えず、且つ、第１の電極表面を洗浄することもできる。
次いで、実施の形態１に示した工程と同様にして第１の電極４２３Ｒ、４２３Ｇの端部を覆う絶縁物２９を形成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるのでここでは詳細な説明は省略することとする。
図４に示す構造とすることで、第１導電層４２２ａがｐ型の高濃度不純物領域１７に接し、且つ、透明導電膜とも接して良好なオーミック接合を得ることができる。
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態３）
ここでは、透明導電膜と、三層構造の電極との間にもう一層の絶縁膜を設けた例を図５を用いて以下に説明する。
ここでは、透明導電膜と、三層構造の電極との間にもう一層の絶縁膜を設けた例を図５を用いて以下に説明する。
なお、第１導電層２２ａ、第２導電層２２ｂ、及び第３導電層２２ｃからなる電極を形成するまでの工程は、実施の形態１と同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。また、図５において、図１と同一の箇所には同じ符号を用いる。
まず、実施の形態１に示した工程に従って、三層構造の電極を形成する。次いで、層間絶縁膜の３層目となる平坦化絶縁膜５２０を形成する。平坦化絶縁膜５２０としては、塗布法によって得られるシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。ここでは３層目の平坦化絶縁膜５２０で平坦化を行うため、平坦化絶縁膜１６は特に平坦でなくともよく、例えば、ＰＣＶＤ法による無機絶縁膜を用いてもよい。
次いで、平坦化絶縁膜５２０を選択的にエッチングして、第３導電層２２ｃに達するコンタクトホールを形成する。次いで、透明導電膜を成膜して、パターニングを行い、第１の電極５２３Ｒ、５２３Ｇを形成する。
次いで、実施の形態１に示した工程と同様にして第１の電極５２３Ｒ、５２３Ｇの端部を覆う絶縁物５２９を形成する。次いで、有機化合物を含む層５２４Ｒ、５２４Ｇを、蒸着法または塗布法を用いて積層形成する。以降の工程は実施の形態１と同一であるのでここでは詳細な説明は省略することとする。実施の形態１に従って、第２の電極５２５を形成し、封止基板５３３をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、一対の基板およびシール材で囲まれた領域５２７には乾燥した不活性気体、或いは透明な充填材を充填する。
図５に示す構造とすることで、実施の形態１に比べて第１の電極面積を広くすることが可能となり、発光領域を広くすることができる。
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
本実施例では、フルカラーの発光装置の説明を図６を用いて説明する。図６はアクティブマトリクス型の発光装置の一部断面を示す図である。
第１の基板１００１上には、下地絶縁膜１００２が設けられ、その上に３つのＴＦＴ１００３Ｒ、１００３Ｇ、１００３Ｂを設けている。これらのＴＦＴは、チャネル形成領域１０２０と、ソース領域またはドレイン領域１０２１、１０２２とを活性層とし、ゲート絶縁膜１００５と、ゲート電極１０２３ａ、１０２３ｂを有するｐチャネル型ＴＦＴである。また、ゲート電極は２層となっており、テーパー形状となっている下層１０２３ａと、上層１０２３ｂとで構成されている。
また、層間絶縁膜１００６はＰＣＶＤ法による無機絶縁膜である。また、平坦化絶縁膜１００７は、塗布法による平坦な層間絶縁膜である。
発光素子においては、第１の電極を平坦とすることが重要であり、平坦化絶縁膜１００７が平坦でない場合、平坦化絶縁膜１００７の表面凹凸の影響によって第１の電極も平坦とならない恐れがある。従って、平坦化絶縁膜１００７の平坦性は重要である。
また、ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線１０２４ａ、１０２４ｂ、１０２４ｃは、３層構造としている。ここでは、Ｔｉ膜と、Ａｌ単体膜、Ｔｉを含むアルミニウム炭素合金膜との積層膜を用いる。ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線は、層間絶縁膜のカバレッジを考慮して、テーパー形状とすることが好ましい。
また、隔壁１００９は樹脂であり、異なる発光を示す有機化合物を含む層との仕切りの役目を果たしている。従って、隔壁１００９は、一つの画素、即ち、発光領域を囲むように格子形状としている。また、異なる発光を示す有機化合物を含む層が隔壁上で重なってもよいが、隣り合う画素の第１の電極とは重ならないようにする。
赤色の発光素子は、透明導電材料からなる第１の電極１００８と、有機化合物を含む層１０１５Ｒと、第２の電極１０１０とで構成されている。青色の発光素子は、透明導電材料からなる第１の電極１００８と、有機化合物を含む層１０１５Ｂと、第２の電極１０１０とで構成されている。緑色の発光素子は、透明導電材料からなる第１の電極１００８と、有機化合物を含む層１０１５Ｇと、第２の電極１０１０とで構成されている。
また、第１の電極１００８及び第２の電極１０１０は仕事関数を考慮して材料を選択する必要がある。但し第１の電極及び第２の電極は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。駆動用ＴＦＴの極性がｐチャネル型である場合、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とするとよい。また、駆動用ＴＦＴの極性がＮチャネル型である場合、第１の電極を陰極、第２の電極を陽極とすると好ましい。
また、有機化合物を含む層１０１５Ｒ、１０１５Ｇ、１０１５Ｂは、第１の電極（陽極）側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。なお、有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は混合構造をとることができる。フルカラーとするため、有機化合物を含む層１０１５Ｒ、１０１５Ｇ、１０１５Ｂは、それぞれ選択的に形成して、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種類の画素を形成する。
また、水分や脱ガスによるダメージから発光素子を保護するため、第２の電極１０１０を覆う保護膜１０１１、１０１２を設けることが好ましい。保護膜１０１１、１０１２としては、ＰＣＶＤ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、スパッタ法による緻密な無機絶縁膜（ＳｉＮ、ＳｉＮＯ膜など）、炭素を主成分とする薄膜（ＤＬＣ膜、ＣＮ膜、アモルファスカーボン膜）、金属酸化物膜（ＷＯ2、ＣａＦ2、Ａｌ2Ｏ3など）などを用いることが好ましい。
第１の基板１００１と第２の基板１０１６との間の間隔１０１４には、充填材料または不活性ガスを充填する。窒素などの不活性ガスを充填する場合は、乾燥させるための乾燥剤を間隔１０１４に設けることが好ましい。
また、発光素子の光は、第１の基板１００１を通過して取り出される。図６に示す構造は下方出射型の発光装置である。
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成し、両方の基板から光を取り出すことのできる発光装置の例を図７に示す。
基板６１０上に下地絶縁膜を形成した後、各半導体層を形成する。次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、各ゲート電極、端子電極を形成する。次いで、ｎチャネル型ＴＦＴ６３６を形成するため、半導体にｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、またはＡｓ）をドープし、ｐチャネル型ＴＦＴ６３７を形成するため、半導体にｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン）をドープしてソース領域およびドレイン領域、必要であればＬＤＤ領域を適宜形成する。次いで、ＰＣＶＤ法により得られる水素を含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮＯ膜）を形成した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。
次いで、層間絶縁膜となる平坦化絶縁膜６１６を形成する。平坦化絶縁膜６１６としては、塗布法によって得られるシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。
次いで、マスクを用いて平坦化絶縁膜にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の平坦化絶縁膜を除去する。
次いで、平坦化絶縁膜６１６をマスクとしてエッチングを行い、露呈している水素を含むＳｉＮＯ膜またはゲート絶縁膜を選択的に除去する。
次いで、導電膜を形成した後、マスクを用いてエッチングを行い、ドレイン配線やソース配線を形成する。
次いで、第１の電極６２３、即ち、有機発光素子の陽極（或いは陰極）を形成する。
次いで、塗布法により得られるＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜）をパターニングして、第１の電極６２３の端部を覆う絶縁物６２９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。
次いで、有機化合物を含む層６２４を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、透明導電膜からなる第２の電極６２５、即ち、有機発光素子の陰極（或いは陽極）を形成する。次いで、蒸着法またはスパッタ法により透明保護層６２６を形成する。透明保護層６２６は、第２の電極６２５を保護する。
次いで、透明な封止基板６３３をシール材６２８で貼り合わせて発光素子を封止する。即ち、発光表示装置は、表示領域の外周をシール材で囲み、一対の基板で封止される。ＴＦＴの層間絶縁膜は、基板全面に設けられているため、シール材のパターンが層間絶縁膜の外周縁よりも内側に描画された場合、シール材のパターンの外側に位置する層間絶縁膜の一部から水分や不純物が浸入する恐れがある。従って、ＴＦＴの層間絶縁膜として用いる平坦化絶縁膜の外周は、シール材のパターンの内側、好ましくは、シール材パターンと重なるようにして平坦化絶縁膜の端部をシール材が覆うようにする。なお、シール材６２８で囲まれた領域には透明な充填材６２７を充填する。
最後にＦＰＣ６３２を異方性導電膜６３１により公知の方法で端子電極と貼りつける。端子電極は、透明導電膜を用いることが好ましく、ゲート配線と同時に形成された端子電極上に形成する。（図７）
また、発光素子の光は、基板６１０及び封止基板６３３を通過して両側に取り出される。図７に示す構造は、基板と封止基板の両方を通過させて光を取り出す構造の発光装置である。
以上の工程によって、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成することができる。
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み合わせることができる。
本実施例は、上記実施例によって作製されるＥＬ表示パネルにＦＰＣや、駆動用の駆動ＩＣを実装する例について説明する。
図８（Ａ）に示す図は、ＦＰＣ１２０９を４カ所の端子部１２０８に貼り付けた発光装置の上面図の一例を示している。基板１２１０上には発光素子及びＴＦＴを含む画素部１２０２と、ＴＦＴを含むゲート側駆動回路１２０３と、ＴＦＴを含むソース側駆動回路１２０１とが形成されている。ＴＦＴの活性層が結晶構造を有する半導体膜で構成されている場合には同一基板上にこれらの回路を形成することができる。従って、システムオンパネル化を実現したＥＬ表示パネルを作製することができる。
なお、基板１２１０はコンタクト部以外において保護膜で覆われており、保護膜上に光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられている。
また、画素部を挟むように２カ所に設けられた接続領域１２０７は、発光素子の第２の電極を下層の配線とコンタクトさせるために設けている。なお、発光素子の第１の電極は画素部に設けられたＴＦＴと電気的に接続している。
また、封止基板１２０４は、画素部および駆動回路を囲むシール材１２０５、およびシール材に囲まれた充填材料によって基板１２１０と固定されている。また、透明な乾燥剤を含む充填材料を充填する構成としてもよい。また、画素部と重ならない領域に乾燥剤を配置してもよい。
また、図８（Ａ）に示した構造は、ＸＧＡクラスの比較的大きなサイズ（例えば対角４．３インチ）の発光装置で好適な例を示したが、図８（Ｂ）は、狭額縁化させた小型サイズ（例えば対角１．５インチ）で好適なＣＯＧ方式を採用した例である。
図８（Ｂ）において、基板１３１０上に駆動ＩＣ１３０１が実装され、駆動ＩＣの先に配置された端子部１３０８にＦＰＣ１３０９を実装している。実装される駆動ＩＣ１３０１は、生産性を向上させる観点から、一辺が３００ｍｍから１０００ｍｍ以上の矩形状の基板上に複数個作り込むとよい。つまり、基板上に駆動回路部と入出力端子を一つのユニットとする回路パターンを複数個形成し、最後に分割して取り出せばよい。ドライバＩＣの長辺の長さは、画素部の一辺の長さや画素ピッチを考慮して、長辺が１５〜８０ｍｍ、短辺が１〜６ｍｍの矩形状に形成してもよいし、画素領域の一辺、又は画素部の一辺と各駆動回路の一辺とを足した長さに形成してもよい。
駆動ＩＣのＩＣチップに対する外形寸法の優位性は長辺の長さにあり、長辺が１５〜８０ｍｍで形成された駆動ＩＣを用いると、画素部に対応して実装するのに必要な数がＩＣチップを用いる場合よりも少なくて済み、製造上の歩留まりを向上させることができる。また、ガラス基板上に駆動ＩＣを形成すると、母体として用いる基板の形状に限定されないので生産性を損なうことがない。これは、円形のシリコンウエハからＩＣチップを取り出す場合と比較すると、大きな優位点である。
また、ＴＡＢ方式を採用してもよく、その場合は、複数のテープを貼り付けて、該テープに駆動ＩＣを実装すればよい。ＣＯＧ方式の場合と同様に、単数のテープに単数の駆動ＩＣを実装してもよく、この場合には、強度の問題から、駆動ＩＣを固定する金属片等を一緒に貼り付けるとよい。
また、基板１３１０もコンタクト部以外において保護膜で覆われており、保護膜上に光触媒機能を有する物質を含む下地層が設けられている。
また、画素部１３０２と駆動ＩＣ１３０１の間に設けられた接続領域１３０７は、発光素子の第２の電極を下層の配線とコンタクトさせるために設けている。なお、発光素子の第１の電極は画素部に設けられたＴＦＴと電気的に接続している。
また、封止基板１３０４は、画素部１３０２を囲むシール材１３０５、およびシール材に囲まれた充填材料によって基板１３１０と固定されている。
また、ＴＦＴの活性層として非晶質半導体膜を用いる場合には、駆動回路を同一基板上に形成することは困難であるため、大きなサイズであっても図８（Ｂ）の構成となる。
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１、または実施例２と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成した液晶表示装置の例を図９に示す。図９は、カラーフィルタを用いない液晶パネルの断面図を示している。
カラーフィルタを用いない液晶パネルと偏光板によって光シャッタを構成し、ＲＧＢの３色のバックライト光源を高速で点滅させるフィールドシーケンシャル方式の駆動方法を用いる。フィールドシーケンシャル方式は、人間の目の時間的な能力の限界を利用し、連続時間的な加法混色によってカラー表示を実現するものである。
第１の基板７０１上には、下地絶縁膜７０２が設けられ、その上に３つのＴＦＴ７０３を設けている。これらのＴＦＴは、チャネル形成領域７２０と、低濃度不純物領域７２５、７２６と、ソース領域またはドレイン領域７２１、７２２とを活性層とし、ゲート絶縁膜７０５と、ゲート電極７２３ａ、７２３ｂを有するｎチャネル型ＴＦＴである。また、ゲート電極は２層となっており、テーパー形状となっている第１層７２３ａと、第２層７２３ｂとの積層で構成されている。
また、層間絶縁膜７０６はＰＣＶＤ法による無機絶縁膜である。平坦化絶縁膜７０７は、塗布法による平坦な層間絶縁膜である。
また、ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線７２４ａ、７２４ｂ、７２４ｃは、３層構造としている。ここでは、Ｔｉ膜と、Ａｌ単体膜、Ｎｉを含むアルミニウム炭素合金膜の順で形成した積層膜を用いる。ＴＦＴのドレイン配線、またはソース配線は、層間絶縁膜のカバレッジを考慮して、テーパー形状とすることが好ましい。
また、画素電極７０８は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＴＳＯ（ＩＴＯに酸化珪素が２〜１０重量％含まれたターゲットを用いてスパッタリング法で得られる酸化珪素を含む酸化インジウムスズ）、酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した透光性酸化物導電膜（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むＡＴＯ（アンチモン・チン・オキサイド）などの透明導電膜を用いることができる。画素電極７０８としてＩＴＯを用いても、画素電極と接する第３導電層がＮｉを含むアルミニウム炭素合金膜であるため、電触などの不良は生じず、良好なオーミックコンタクトも得ることができる。
また、柱状スペーサ７１４は樹脂であり、基板間隔を一定に保つ役目を果たしている。従って、柱状スペーサ７１４は、等間隔で配置されている。また、高速応答させるため、基板間隔は２μｍ以下にすることが好ましく、柱状スペーサ７１４の高さを適宜調節する。また、２インチ角以下の小さい画面サイズの場合には、柱状スペーサは特に設けなくともよく、シール材に含ませるフィラーなどのギャップ材のみで基板間隔を調節してもよい。
また、柱状スペーサ７１４及び画素電極７０８を覆う配向膜７１０も設ける。対向基板となる第２の基板７１６にも配向膜７１２を設け、シール材（図示しない）で第１の基板７０１と第２の基板７１６を貼り合わせている。
また、第１の基板７０１と第２の基板７１６との間の間隔には、液晶材料７１１を充填する。液晶材料７１１は、シール材を閉パターンとして気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる方法を用いてもよいし、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
本実施例の液晶パネルは、いわゆるπセル構造を有しており、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ）モードという表示モードを用いる。πセル構造とは、液晶分子のプレチルト角がアクティブマトリクス基板と対向基板との基板間の中心面に対して面対称の関係で配向された構造である。πセル構造の配向状態は、基板間に電圧が印加されていない時はスプレイ配向となり、電圧を印加するとベンド配向に移行する。さらに電圧を印加するとベンド配向の液晶分子が両基板と垂直に配向し、光が透過する状態となる。なお、ＯＣＢモードにすると、従来のＴＮモードより約１０倍速い高速応答性を実現できる。
また、液晶パネルは一対の光学フィルム（偏光板、位相差板など）７３１、７３２の間に挟む。加えて、ＯＣＢモードによる表示においては、リタデーションの視角依存性を３次元的に補償するため、２軸性位相差板を用いることが好ましい。
図９に示す液晶パネルのバックライトとしてＲＧＢの３色のＬＥＤ７３５として用いる。ＬＥＤ７３５の光は導光板７３４によって導出される。フィールドシーケンシャル駆動方法においては、ＬＥＤ点灯期間ＴＲ期間、ＴＧ期間およびＴＢ期間に、それぞれＲ、Ｇ、ＢのＬＥＤが順に点灯する。赤のＬＥＤの点灯期間（ＴＲ）には、赤に対応したビデオ信号（Ｒ１）が液晶パネルに供給され、液晶パネルに赤の１画像画面分の信号が書き込まれる。また、緑のＬＥＤの点灯期間（ＴＧ）には、緑に対応したビデオ信号（Ｇ１）が液晶パネルに供給され、液晶パネルに緑の画像１画面分が書き込まれる。また、青のＬＥＤの点灯期間（ＴＢ）には、青に対応したビデオ信号（Ｂ１）が液晶表示装置に供給され、液晶表示装置に青の１画像画面分の信号が書き込まれる。これらの３回の画像の書き込みにより、１フレームが形成される。
本発明を実施して得たＥＬパネルまたは液晶パネルを組み込むことによって様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ））等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図１０、図１１に示す。
図１０（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明はテレビに内蔵している半導体集積回路、および表示部２００３に適用し、消費電力が低減されたテレビを実現することができる。なお、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。
図１０（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本発明は、デジタルカメラに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２１０２に適用し、消費電力が低減されたデジタルカメラとすることができる。
図１０（Ｃ）はパーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明は、パーソナルコンピュータに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２２０３に適用し、表示部に配置されるＴＦＴと、ＣＰＵを構成するＣＭＯＳ回路とに用いられる配線や接触抵抗を低減することが可能となり、消費電力が低減されたパーソナルコンピュータを実現することができる。
図１０（Ｄ）は電子書籍であり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明は、電子書籍に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２３０２に適用し、消費電力が低減された電子書籍を実現することができる。
図１０（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読込部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。本発明は画像再生装置に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用し、消費電力が低減された画像再生装置を実現することができる。
図１０（Ｆ）は携帯型のゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５０４等を含む。ゲーム機器に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２５０３、２５０５に適用し、消費電力が低減された携帯型のゲーム機器を実現することができる。
図１０（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明は、ビデオカメラに内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵなど）、および表示部２６０２に適用し、消費電力が低減されたビデオカメラを実現することができる。
図１０（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本発明は、携帯電話に内蔵されている半導体集積回路（メモリやＣＰＵや高周波回路など）、および表示部２７０３に適用し、消費電力が低減された携帯電話を実現できる。
また、図１１は、記録媒体を備えた携帯型の音楽再生装置であり、本体２９０１、表示部２９０３、記録媒体（カード型メモリ、小型ＨＤＤ等）読み込み部、操作キー２９０２、２９０６、接続コード２９０４に接続されたヘッドフォンのスピーカー部２９０５等を含む。本発明は、表示部２９０３に適用し、消費電力が低減された音楽再生装置を実現できる。
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、または実施例５と自由に組み合わせることができる。
１０ 基板
１１ 下地絶縁膜
１２ ゲート絶縁膜
１３ 第１の層間絶縁膜
１４ａ 導電層
１４ｂ 導電層
１６ 平坦化絶縁膜
１７ ｐ型の高濃度不純物領域
１８ ｐ型の高濃度不純物領域
１９ チャネル形成領域
２２ａ 第１導電層
２２ｂ 第２導電層
２２ｃ 第３導電層
２３Ｒ 第１の電極
２３Ｇ 第１の電極
２４Ｒ 有機化合物を含む層
２４Ｇ 有機化合物を含む層
２５ 第２の電極
２７ 一対の基板およびシール材で囲まれた領域
２９ 絶縁物
３３ 封止基板
４２２ａ 第１導電層
４２２ｂ 第２導電層
４２２ｃ 第３導電層
４２３Ｒ 第１の電極
４２３Ｇ 第１の電極
５２０ 平坦化絶縁膜
５２３Ｒ 第１の電極
５２３Ｇ 第１の電極
５２４Ｒ 有機化合物を含む層
５２４Ｇ 有機化合物を含む層
５２５ 第２の電極
５２７ 一対の基板およびシール材で囲まれた領域
５２９ 絶縁物
５３３ 封止基板
６１０ 基板
６１６ 平坦化絶縁膜
６２３ 第１の電極
６２４ 有機化合物を含む層
６２５ 第２の電極
６２６ 透明保護層
６２７ 充填材
６２８ シール材
６２９ 絶縁物
６３２ ＦＰＣ
６３３ 封止基板
６３６ ｎチャネル型ＴＦＴ
６３７ ｐチャネル型ＴＦＴ
７０１ 第１の基板
７０２ 下地絶縁膜
７０３ ＴＦＴ
７０５ ゲート絶縁膜
７０６ 層間絶縁膜
７０７ 平坦化絶縁膜
７０８ 画素電極
７１０ 配向膜
７１１ 液晶材料
７１２ 配向膜
７１４ 柱状スペーサ
７１６ 第２の基板
７２０ チャネル形成領域
７２１ ソース領域またはドレイン領域
７２２ ソース領域またはドレイン領域
７２３ａ ゲート電極
７２３ｂ ゲート電極
７２４ａ ソース配線
７２４ｂ ソース配線
７２４ｃ ソース配線
７２５ 低濃度不純物領域
７２６ 低濃度不純物領域
７３１ 光学フィルム
７３２ 光学フィルム
７３４ 導光板
７３５ ＬＥＤ
１００１ 第１の基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３Ｒ ＴＦＴ
１００３Ｇ ＴＦＴ
１００３Ｂ ＴＦＴ
１００５ ゲート絶縁膜
１００６ 層間絶縁膜
１００７ 平坦化絶縁膜
１００８ 第１の電極
１００９ 隔壁
１０１０ 第２の電極
１０１１ 保護膜
１０１２ 保護膜
１０１４ 間隔
１０１５Ｒ 有機化合物を含む層
１０１５Ｇ 有機化合物を含む層
１０１５Ｂ 有機化合物を含む層
１０１６ 第２の基板
１０２０ チャネル形成領域
１０２１ ソース領域またはドレイン領域
１０２２ ソース領域またはドレイン領域
１０２３ａ ゲート電極の下層
１０２３ｂ ゲート電極の上層
１０２４ａ ドレイン配線、またはソース配線
１０２４ｂ ドレイン配線、またはソース配線
１０２４ｃ ドレイン配線、またはソース配線
１２０１ ソース側駆動回路
１２０２ 画素部
１２０３ ゲート側駆動回路
１２０４ 封止基板
１２０５ シール材
１２０７ 接続領域
１２０８ 端子部
１２０９ ＦＰＣ
１２１０ 基板
１３０１ 駆動ＩＣ
１３０２ 画素部
１３０４ 封止基板
１３０５ シール材
１３０７ 接続領域
１３０８ 端子部
１３０９ ＦＰＣ
１３１０ 基板
１１ 下地絶縁膜
１２ ゲート絶縁膜
１３ 第１の層間絶縁膜
１４ａ 導電層
１４ｂ 導電層
１６ 平坦化絶縁膜
１７ ｐ型の高濃度不純物領域
１８ ｐ型の高濃度不純物領域
１９ チャネル形成領域
２２ａ 第１導電層
２２ｂ 第２導電層
２２ｃ 第３導電層
２３Ｒ 第１の電極
２３Ｇ 第１の電極
２４Ｒ 有機化合物を含む層
２４Ｇ 有機化合物を含む層
２５ 第２の電極
２７ 一対の基板およびシール材で囲まれた領域
２９ 絶縁物
３３ 封止基板
４２２ａ 第１導電層
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７１２ 配向膜
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７１６ 第２の基板
７２０ チャネル形成領域
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７２２ ソース領域またはドレイン領域
７２３ａ ゲート電極
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７２５ 低濃度不純物領域
７２６ 低濃度不純物領域
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１０１２ 保護膜
１０１４ 間隔
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１０１６ 第２の基板
１０２０ チャネル形成領域
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１０２４ａ ドレイン配線、またはソース配線
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１３１０ 基板
Claims (12)
- 基板上に、アルミニウム単体を含む第１導電層と、前記第１導電層上に接する炭素及びチタンを含むアルミニウム合金を含む第２導電層と、を積層した電極または配線と、
前記第２導電層上に接する透明導電膜を有し、
前記チタンの含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上２０ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする電子機器。 - 請求項１において、
前記第２導電層に含まれる前記炭素の含有量は、０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする電子機器。 - 請求項１又は２において、
前記第２導電層は、さらにモリブデンを含むことを特徴とする電子機器。 - 基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、
前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体を含む第１導電層と、前記第１導電層上に接するアルミニウム単体を含む第２導電層と、前記第２導電層上に接する炭素及びチタンを含むアルミニウム合金を含む第３導電層と、を順に積層した電極または配線と、
前記第３導電層上に接する透明導電膜を有し、
前記第３導電層に含まれる前記チタンの含有量は、１ａｔｏｍｓ％以上２０ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４において、
前記第３導電層に含まれる前記炭素の含有量は、０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に、半導体薄膜を活性層とした複数の薄膜トランジスタと、
前記活性層と接するチタン単体またはモリブデン単体を含む第１導電層と、前記第１導電層上に接するアルミニウム単体を含む第２導電層と、前記第２導電層上に接する炭素及びモリブデンを含むアルミニウム合金を含む第３導電層と、を順に積層した電極または配線と、
前記第３導電層上に接する透明導電膜を有し、
前記第３導電層に含まれる前記炭素の含有量は、０．１ａｔｏｍｓ％以上１０ａｔｏｍｓ％以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至６のいずれか一において、
前記第２導電層に含まれる酸素濃度は、１×１０ １９ ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至７のいずれか一において、
前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記第３導電層は、同じスパッタ装置内で連続して形成されたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至８のいずれか一において、
前記透明導電膜を陽極または陰極とする発光素子とを有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至８のいずれか一において、
前記透明導電膜を画素電極とする液晶素子とを有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至１０のいずれか一において、
前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ、又は酸化珪素を含み酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛を混合した透光性酸化物導電膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項４乃至１１のいずれか一において、
前記半導体装置は、携帯情報端末、ビデオカメラ、デジタルカメラ、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする半導体装置。
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