JPS62240734A - 半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金 - Google Patents
半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金Info
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- JPS62240734A JPS62240734A JP8218286A JP8218286A JPS62240734A JP S62240734 A JPS62240734 A JP S62240734A JP 8218286 A JP8218286 A JP 8218286A JP 8218286 A JP8218286 A JP 8218286A JP S62240734 A JPS62240734 A JP S62240734A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭＯ８型半導体の各電極の接続配線などに用い
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は近年急速に発展し、その機能の拡大と
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する簿膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する簿膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
薄膜金属配線として現在Ａ１蒸着膜が多く用いられてい
る。これはＡ１が （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
る。これはＡ１が （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
（ｂ）真空蒸着で導電性の良い膜となる。
（ｃ）シリコンの酸化膜（Ｓｉｎ、）との密着性が良い
。
。
（ｄ）化学的に安定でＳｉｎ、と反応しない。
（ｅ）フォトレジス１−による加工が容易である。
（ｆ） リードボンディング性が良い。
など総合的にみて有利であると考えられているからであ
る。蒸着用Ａ１合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
る。蒸着用Ａ１合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
一方、Ａ１配線膜の欠点としては。
（ａ）エレク１−ロマイグレーションを起こし電流密度
が１０＠Ａ／ｃｍ”以上になると断線する。スパッタリ
ングや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な
厚さに成膜させることは難しく。
が１０＠Ａ／ｃｍ”以上になると断線する。スパッタリ
ングや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な
厚さに成膜させることは難しく。
第１図に示すように部分的に薄い所３ができるとその部
分の電流密度が高くなるために上記のエレクトロマイグ
レーションが発生し、その部分から断線することがある
。
分の電流密度が高くなるために上記のエレクトロマイグ
レーションが発生し、その部分から断線することがある
。
（ｂ）ヒロックと呼ばれる突起が発生し、近接配線間（
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
などがある。
〔問題点を解決するための手段］
エレクトロマイグレーションとは、高電流密度下でＡ１
原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得て
電子の動く方向に移動するために、Ａ１原子の移動した
跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断面
積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱な
どによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます加
速され、ついには断線に至る現象である。このＡ１原子
の移動は通常ＡＩの結晶粒界を伝わる粒界拡散によって
起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえば粒界拡
散が起こり難くなリエレクトロマイグレーションによる
ボイドの発生及び）成長を防止することができる。
原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得て
電子の動く方向に移動するために、Ａ１原子の移動した
跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断面
積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱な
どによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます加
速され、ついには断線に至る現象である。このＡ１原子
の移動は通常ＡＩの結晶粒界を伝わる粒界拡散によって
起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえば粒界拡
散が起こり難くなリエレクトロマイグレーションによる
ボイドの発生及び）成長を防止することができる。
次にヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
以上のようにエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる１粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡ１合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔ ｘ ｅ Ｚ ｒ Ｉ Ｈ
ｆ ｇ Ｖ ＊ Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからな
る群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅ
をＣと一緒に添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さ
らに従来から知られているエレクトロマイグレーション
の防止に効果のある金属元素であるＣｕ。
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる１粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡ１合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔ ｘ ｅ Ｚ ｒ Ｉ Ｈ
ｆ ｇ Ｖ ＊ Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからな
る群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅ
をＣと一緒に添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さ
らに従来から知られているエレクトロマイグレーション
の防止に効果のある金属元素であるＣｕ。
Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを少
量添加すると粒界拡散抑止効果が一層大きくなり、エレ
クトロマイグレーション防止効果が高まることを見いだ
し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを少
量添加すると粒界拡散抑止効果が一層大きくなり、エレ
クトロマイグレーション防止効果が高まることを見いだ
し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
［発明の構成］
すなわち、本発明は、
（１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、ＩｎＡｕ及びＡ
ｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金
元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
ｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金
元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
Ｃ０，００２〜０．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的
不純物からなる半導体配線材料用Ｃ含有アルミニウム合
金 及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、ＩｎＡｕ及びＡ
ｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金
元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
不純物からなる半導体配線材料用Ｃ含有アルミニウム合
金 及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、ＩｎＡｕ及びＡ
ｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金
元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
Ｃ０，００２〜０．５ｗｔ％ 、Ｓｉ０．５〜１．５ｗ
ｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配
線材料用Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
ｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配
線材料用Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
［発明の効果コ
本発明のＣ含有アルミニウム合金はエレクトロマイグレ
ーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料であ
る。
ーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料であ
る。
［発明の詳細な説明コ
本発明の合金はスパッタリング又は真空蒸着により半導
体装置の配線材料として用いられる。
体装置の配線材料として用いられる。
本発明の合金組成のＣの添加量が０．００２ｗｔ％未満
の場合は前記配線材料であるＡＩ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０
、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ま
しくないので添加量を０．００２−０．５ｗｔ、％とす
る。Ｔｉ、Ｚｒ。
の場合は前記配線材料であるＡＩ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０
、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ま
しくないので添加量を０．００２−０．５ｗｔ、％とす
る。Ｔｉ、Ｚｒ。
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加
量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料である
Ａ１又はＡ １− Ｓ ｉ合金に完全に固溶してしまい
Ｍ ｅ Ｃｘが析出せず、また０゜７ｗｔ％を超えると
配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加量を
０．００２〜０．７ｗｔ％とする。また、Ｃｕ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍの添加量が
０゜０００１ｗｔ％未満の場合は全くエレクトロマイグ
レーションの防止に効果がなく、０．０２ｗｔ％を超え
ると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加
量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％とする。さらに好ま
しくは本発明のＡ Ｉ −Ｍ ｅ−Ｃ−Ｍ合金にＳｉを
添加して半導体ＳｉとＡ１の相互拡散を抑制することが
できる。Ｓｉの添加量が０．５％未満の場合はＡｌ−Ｓ
ｉコンタクト部でのＳｉとＡｌの相互拡散の防止効果が
小さく。
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加
量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料である
Ａ１又はＡ １− Ｓ ｉ合金に完全に固溶してしまい
Ｍ ｅ Ｃｘが析出せず、また０゜７ｗｔ％を超えると
配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加量を
０．００２〜０．７ｗｔ％とする。また、Ｃｕ、Ｃｏ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍの添加量が
０゜０００１ｗｔ％未満の場合は全くエレクトロマイグ
レーションの防止に効果がなく、０．０２ｗｔ％を超え
ると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加
量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％とする。さらに好ま
しくは本発明のＡ Ｉ −Ｍ ｅ−Ｃ−Ｍ合金にＳｉを
添加して半導体ＳｉとＡ１の相互拡散を抑制することが
できる。Ｓｉの添加量が０．５％未満の場合はＡｌ−Ｓ
ｉコンタクト部でのＳｉとＡｌの相互拡散の防止効果が
小さく。
又、１．５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくな
り好ましくないので添加量を０．５〜１゜５ｗｔ％とす
る。
り好ましくないので添加量を０．５〜１゜５ｗｔ％とす
る。
以上の半導体配線材料用アルミニウム合金は通常高純度
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｌ、Ｚ
ｒ、Ｈｆｓ Ｖｒ Ｎｂ＋ Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅと、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉｐ Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ
及びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上
の合金元素Ｍと、ＣをＡＬＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃｘ
などとして、大気中で溶解鋳造し、次にこの鋳造材をそ
のまま機械加工して真空蒸着材又はスパッタリング用タ
ーゲツト板とすることができる。このようにして作成さ
れたターゲツト板は上記の鋳造の際にＭｅ、Ｃの一部が
Ｍ ｅ Ｃｘとなって、このＭｅＣｘが核効果を起こし
、鋳造組織を微細化するとともに鋳造材に残存するＭｅ
、Ｃが多いためにスパッタリング又は真空蒸着による薄
膜の均一性に非常に優れており、さらにまた、この薄膜
において前記のＭｅ、ＣがＭ ａ Ｃｘとなって結晶粒
界に析出し、エレクトロマイグレーションの防止に効果
のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレクトロマイグ
レーションによるボイドやヒロック形成の防止に極めて
有効に作用する。なお、鋳造材のかわりに紡造後所定の
形状に加工しそれをさらに熱処理してスパッタリング又
は真空蒸着材とすることもできる。この場合熱処理によ
って再結晶化するとＭ ｅ Ｃｘが析出して核効果によ
り結晶が微細化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組
織の均一性が向上する。これによって薄膜の均一性を向
上させることもできる。次に実施例について説明する。
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｌ、Ｚ
ｒ、Ｈｆｓ Ｖｒ Ｎｂ＋ Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅと、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉｐ Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ
及びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上
の合金元素Ｍと、ＣをＡＬＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃｘ
などとして、大気中で溶解鋳造し、次にこの鋳造材をそ
のまま機械加工して真空蒸着材又はスパッタリング用タ
ーゲツト板とすることができる。このようにして作成さ
れたターゲツト板は上記の鋳造の際にＭｅ、Ｃの一部が
Ｍ ｅ Ｃｘとなって、このＭｅＣｘが核効果を起こし
、鋳造組織を微細化するとともに鋳造材に残存するＭｅ
、Ｃが多いためにスパッタリング又は真空蒸着による薄
膜の均一性に非常に優れており、さらにまた、この薄膜
において前記のＭｅ、ＣがＭ ａ Ｃｘとなって結晶粒
界に析出し、エレクトロマイグレーションの防止に効果
のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレクトロマイグ
レーションによるボイドやヒロック形成の防止に極めて
有効に作用する。なお、鋳造材のかわりに紡造後所定の
形状に加工しそれをさらに熱処理してスパッタリング又
は真空蒸着材とすることもできる。この場合熱処理によ
って再結晶化するとＭ ｅ Ｃｘが析出して核効果によ
り結晶が微細化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組
織の均一性が向上する。これによって薄膜の均一性を向
上させることもできる。次に実施例について説明する。
［実施例］
高純度（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ又は高純度Ａｌ−Ｓ
ｉ合゛金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＧ及びＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆｓ Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
ｉ合゛金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＧ及びＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆｓ Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗからなる群より選ばれた１種類又は２種
類以上の高純度金ＮＸＭ ａ及びＣｕ、Ｇｏ。
類以上の高純度金ＮＸＭ ａ及びＣｕ、Ｇｏ。
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に
示す組成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入
し抵抗加熱炉で大気中で溶解した。溶解後、所定のｕ型
へ鋳造した。ｖＪ造材はそのまま機械加工により切削、
研磨して所定の形状にしスパッタリング用ターゲツト板
とした。
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に
示す組成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入
し抵抗加熱炉で大気中で溶解した。溶解後、所定のｕ型
へ鋳造した。ｖＪ造材はそのまま機械加工により切削、
研磨して所定の形状にしスパッタリング用ターゲツト板
とした。
上記ターゲツト板を用いてシリコン基板上に幅６ミクロ
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で連
続して電流密度１ｘ１０’ Ａ ／ ｃ ｍ”の電流を
流した。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障
時間）を第１表に示す。
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で連
続して電流密度１ｘ１０’ Ａ ／ ｃ ｍ”の電流を
流した。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障
時間）を第１表に示す。
同じく第１表には比較例として純Ａｌ、Ａｌ−ＣＵ合金
及びＡｌＣｕ−５ｉ合金についての試験結果も示す。
及びＡｌＣｕ−５ｉ合金についての試験結果も示す。
以上の第１表から明らかなように従来の純Ａ１、Ａｌ−
Ｃｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較して
、本発明のＡ １− Ｍ ｅ −Ｃ−Ｍ合金及びＡＩ−
５ｉ−Ａｌ−５ｉ−合金による蒸着配線膜の高温、連続
通電下における平均故障時間は大幅に改善され、ＡＬ−
Ｃｕ−８ｉ合金の２倍以上となっている。このように本
発明のＡｌ−Ｍ、ｅ−Ｃ−Ｍ合金及びＡｌ−８ｉ−Ａｌ
−８ｉ−合金はエレクトロマイグレーションによるボイ
ドやヒロックの形成の防止に有効であり、半導体集積回
路用配線材料として極めて優れた材料であることがわか
る。
Ｃｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較して
、本発明のＡ １− Ｍ ｅ −Ｃ−Ｍ合金及びＡＩ−
５ｉ−Ａｌ−５ｉ−合金による蒸着配線膜の高温、連続
通電下における平均故障時間は大幅に改善され、ＡＬ−
Ｃｕ−８ｉ合金の２倍以上となっている。このように本
発明のＡｌ−Ｍ、ｅ−Ｃ−Ｍ合金及びＡｌ−８ｉ−Ａｌ
−８ｉ−合金はエレクトロマイグレーションによるボイ
ドやヒロックの形成の防止に有効であり、半導体集積回
路用配線材料として極めて優れた材料であることがわか
る。
以下余白
【図面の簡単な説明】
第１図はシリコン基板上にＡ１配線膜を蒸着した部分の
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
Claims (2)
- （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００
２〜０．７ｗｔ％、Ｃ０．００２〜０．５ｗｔ％、残部
Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｃ含
有アルミニウム合金。 - （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００
２〜０．７ｗｔ％、Ｃ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｓｉ
０．５ 〜１．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる
半導体配線材料用Ｃ含有アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218286A JPS62240734A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218286A JPS62240734A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240734A true JPS62240734A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=13767296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218286A Pending JPS62240734A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｃ含有アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62240734A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606761A2 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-20 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
| US5554889A (en) * | 1992-04-03 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Structure and method for metallization of semiconductor devices |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| US6465376B2 (en) | 1999-08-18 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving electromigration of chip interconnects |
| JP2006086514A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8218286A patent/JPS62240734A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554889A (en) * | 1992-04-03 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Structure and method for metallization of semiconductor devices |
| US5700721A (en) * | 1992-04-03 | 1997-12-23 | Motorola, Inc. | Structure and method for metallization of semiconductor devices |
| EP0606761A2 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-20 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| US6465376B2 (en) | 1999-08-18 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving electromigration of chip interconnects |
| JP2006086514A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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