JPS62240735A - 半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金 - Google Patents
半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金Info
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- JPS62240735A JPS62240735A JP8218386A JP8218386A JPS62240735A JP S62240735 A JPS62240735 A JP S62240735A JP 8218386 A JP8218386 A JP 8218386A JP 8218386 A JP8218386 A JP 8218386A JP S62240735 A JPS62240735 A JP S62240735A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭＯ８型半導体の各電極の接続配線などに用い
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は近年急速に発展し、その機能の拡大と
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
ともに、各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
薄膜金属配線として現在Ａｌ蒸着膜が多く用いられてい
る。これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
る。これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
（ｂ）真空蒸着で導電性の良い膜となる。
（ｃ）シリコンの酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ，）との密着性が
良い。
良い。
（ｄ）化学的に安定でＳｉＯ□と反応しない。
（ｅ）フォトレジス１−による加工が容易である。
（ｆ） リードボンディング性が良い。
など総合的にみて有利であると考えられているからであ
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
一方、Ａｌ配線膜の欠点としては、
（ａ）エレク１−ロマイグレーションを起こし電流密度
が１０’Ａ／ａｍ２以上になると断線する。スパッタリ
ングや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な
厚さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部
分的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くな
るために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、
その部分から断線することがある。
が１０’Ａ／ａｍ２以上になると断線する。スパッタリ
ングや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な
厚さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部
分的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くな
るために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、
その部分から断線することがある。
（ｂ）ヒロックと呼ばれる突起が発生し、近接配線間（
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
などがある。
［問題点を解決するための手段］
エレクトロマイグレーションとは、高電流密度下でＡ
Ｉ Ｊ）’Ｘ子が電子と衝突することにより運動エネル
ギーを得て電子の動く方向に移動するために、Ａｔ原子
の移動した跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果
配線め断面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジ
ュール熱などによる謳度上昇が生じて、ボイドの成長が
ますます加速され、ついには断線に至る現象である。こ
のＡｌ原子の移動は通常ＡＩの結晶粒界を伝わる粒界拡
散によって起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしま
えば粒界拡散が起こり難くなリエレクトロマイグレーシ
ョンによるボイドの発生及び成長を防止することができ
る。
Ｉ Ｊ）’Ｘ子が電子と衝突することにより運動エネル
ギーを得て電子の動く方向に移動するために、Ａｔ原子
の移動した跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果
配線め断面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジ
ュール熱などによる謳度上昇が生じて、ボイドの成長が
ますます加速され、ついには断線に至る現象である。こ
のＡｌ原子の移動は通常ＡＩの結晶粒界を伝わる粒界拡
散によって起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしま
えば粒界拡散が起こり難くなリエレクトロマイグレーシ
ョンによるボイドの発生及び成長を防止することができ
る。
次にヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
以上のようにエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はへ１合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔ ｉ＋ Ｚ ｒ Ｔ Ｈｆ
ｔ Ｖ ？ Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ば
れた１種類又は２種類以上の合金元素ＭｅをＮと一緒に
添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来から
知られているエレクトロマイグレーションの防止に効果
のある金属元素Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ。
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はへ１合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔ ｉ＋ Ｚ ｒ Ｔ Ｈｆ
ｔ Ｖ ？ Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ば
れた１種類又は２種類以上の合金元素ＭｅをＮと一緒に
添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来から
知られているエレクトロマイグレーションの防止に効果
のある金属元素Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ。
Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種
類又は２種類以上の合金元素Ｍを夕景添加すると粒界拡
散抑止効果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーシ
ョン防止効果が高まることを見いだし、この知見に基づ
いて本発明をなすに至った。［発明の構成］ すなわち、本発明は、 （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ ｎ、Ａｕ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％ｒ Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆｔ Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選
ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜
０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％ 、残部Ａ
ｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有
アルミニウム合金 及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜０．７
ｗｔ％、Ｎ ００００２〜０．５ｗｔ％ 、Ｓｉ ０
．５〜１．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物か
らなる半導体配線材料用Ｎ含有アルミニウム合金を提供
する。
類又は２種類以上の合金元素Ｍを夕景添加すると粒界拡
散抑止効果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーシ
ョン防止効果が高まることを見いだし、この知見に基づ
いて本発明をなすに至った。［発明の構成］ すなわち、本発明は、 （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ ｎ、Ａｕ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％ｒ Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆｔ Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選
ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜
０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％ 、残部Ａ
ｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有
アルミニウム合金 及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜０．７
ｗｔ％、Ｎ ００００２〜０．５ｗｔ％ 、Ｓｉ ０
．５〜１．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物か
らなる半導体配線材料用Ｎ含有アルミニウム合金を提供
する。
［発明の効果］
本発明のＮ含有アルミニウム合金はエレクトロマイグレ
ーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料であ
る。
ーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であり、
半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料であ
る。
［発明の詳細な説明］
本発明の合金はスパッタリング又は真空蒸着により半導
体装置の配線材料として用いられる。
体装置の配線材料として用いられる。
本発明の合金組成のＮの添加量が０．００２ｗｔ％未滴
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
るｓ Ｔｉ、Ｚｒ。
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
るｓ Ｔｉ、Ｚｒ。
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加量が０．０
０２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡ
ｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが
析出せず、また０、７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗
が大きくなり好ましくないので添加量を０．００２〜０
．７ｗｔ％とする。また、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ。
１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの添加量が０．０
０２ｗｔ％未滴の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡ
ｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが
析出せず、また０、７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗
が大きくなり好ましくないので添加量を０．００２〜０
．７ｗｔ％とする。また、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ。
Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類
以上の合金元素Ｍの添加量が０．０００１ｗｔ％未満の
場合は全くエレクトロマイグレーションの防止に効果が
なく、０．０２ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大き
くなり好ましくないので添加量をＯ，０ＯＯ１〜０．０
２ｗｔ％とする。
以上の合金元素Ｍの添加量が０．０００１ｗｔ％未満の
場合は全くエレクトロマイグレーションの防止に効果が
なく、０．０２ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大き
くなり好ましくないので添加量をＯ，０ＯＯ１〜０．０
２ｗｔ％とする。
さらに好ましくは本発明のＡＩ−Ｍｅ−Ｎ−Ｍ合金にＳ
ｉを添加して半導体ＳｉとＡＩの相互拡散を抑制するこ
とができる。Ｓｉの添加量が０．５％未満の場合はＡｌ
−８ｉコンタクト部でのＳｉとＡＩの相互拡散の防止効
果が小さく、又、１゜５ｗｔ％を超えると配線の電気抵
抗が大きくなり好ましくないので添加量を０．５〜１．
５ｗｔ％とする。
ｉを添加して半導体ＳｉとＡＩの相互拡散を抑制するこ
とができる。Ｓｉの添加量が０．５％未満の場合はＡｌ
−８ｉコンタクト部でのＳｉとＡＩの相互拡散の防止効
果が小さく、又、１゜５ｗｔ％を超えると配線の電気抵
抗が大きくなり好ましくないので添加量を０．５〜１．
５ｗｔ％とする。
以上の半導体配線材料用アルミニウム合金は通常高純度
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｔ或いは高純度（９９、９９
９ｗ ｔ％）Ｓｉを溶解したへ１−８ｉ合金に、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選
ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと、Ｃｕ、
Ｃｏ、Ｍｎ。
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｔ或いは高純度（９９、９９
９ｗ ｔ％）Ｓｉを溶解したへ１−８ｉ合金に、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選
ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと、Ｃｕ、
Ｃｏ、Ｍｎ。
Ｎｉ、Ｓｎ＋ Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ば
れた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍと、ＮをＡＩＮ
、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、大気中で溶解
鋳造し、次にこの鋳造材をそのまま機械加工して真空蒸
着材又はスパッタリング用ターゲツト板とすることがで
きる。このようにして作成されたターゲツト板は上記の
鋳造の際にＭ ｅ ｇＮの一部がＭ ｅ Ｎ ｘとなっ
て、このＭ ｅ Ｎ ｘが核効果を起こし、鋳造組織を
微細化するとともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｎが多いた
めにスパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に
非常に優れており、さらにまた、この薄膜において前記
のＭｅ、ＮがＭ ｅ Ｎ ｘとなって結晶粒界に析出し
、エレクトロマイグレーションの防止に効果のある金属
元素Ｍの効果と相まって、エレクトロマイグレーション
によるボイドやヒロック形成の防止に極めて有効に作用
する。なお、鋳造材のかわりに鋳造後所定の形状に加′
工しそれをさらに熱処理してスパッタリング又は真空蒸
着材とすることもできる。この場合熱処理によって再結
晶化するとＭｅＮｘが析出して核効果により結晶が微細
化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組織の均一性が
向上する。これによって薄膜の均一性を向上させること
もできる。次に実施例について説明する。
れた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍと、ＮをＡＩＮ
、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、大気中で溶解
鋳造し、次にこの鋳造材をそのまま機械加工して真空蒸
着材又はスパッタリング用ターゲツト板とすることがで
きる。このようにして作成されたターゲツト板は上記の
鋳造の際にＭ ｅ ｇＮの一部がＭ ｅ Ｎ ｘとなっ
て、このＭ ｅ Ｎ ｘが核効果を起こし、鋳造組織を
微細化するとともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｎが多いた
めにスパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に
非常に優れており、さらにまた、この薄膜において前記
のＭｅ、ＮがＭ ｅ Ｎ ｘとなって結晶粒界に析出し
、エレクトロマイグレーションの防止に効果のある金属
元素Ｍの効果と相まって、エレクトロマイグレーション
によるボイドやヒロック形成の防止に極めて有効に作用
する。なお、鋳造材のかわりに鋳造後所定の形状に加′
工しそれをさらに熱処理してスパッタリング又は真空蒸
着材とすることもできる。この場合熱処理によって再結
晶化するとＭｅＮｘが析出して核効果により結晶が微細
化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組織の均一性が
向上する。これによって薄膜の均一性を向上させること
もできる。次に実施例について説明する。
［実施例］
高純度（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ又は高純度Ａｌ−Ｓ
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＮ及びＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＮ及びＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。
Ｃｒからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の高
純度金属Ｍｅ及びＣｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ。
純度金属Ｍｅ及びＣｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ。
Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種
類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組成に調
整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗加熱炉
で大気中で溶解した。溶解後。
類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組成に調
整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗加熱炉
で大気中で溶解した。溶解後。
所定の鋳型へ鋳造した。鋳造材はそのまま機械加工によ
り°切削、研磨して所定の形状にしスパッタリング用タ
ーゲツト板とした。
り°切削、研磨して所定の形状にしスパッタリング用タ
ーゲツト板とした。
上記ターゲラ１−板を用いてシリコン基板上に幅６ミク
ロン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形
成した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で
連続して電流密度ｌＸ１０’Ａ／ｃｍ”の電流を流した
。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障時間）
を第１表に示す。
ロン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形
成した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃で
連続して電流密度ｌＸ１０’Ａ／ｃｍ”の電流を流した
。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障時間）
を第１表に示す。
同じく第１表には比較例として純Ａｔ、Ａｌ−ＣＵ合金
及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結果
も示す。
及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結果
も示す。
以上の第１表から明らかなように従来の純Ａｌ、Ａｌ−
Ｃｕ合金及びＡｌ−Ｃｕ−５ｉ合金に比較して、本発明
のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ−Ｍ合金及びＡ Ｉ−５ｉ−Ｍｅ−Ｎ
−Ｍ合金による蒸着配線膜の高温、連続通電下における
平均故障時間は大幅に改善され、ＡＬ−Ｃｕ−８ｉ合金
の２倍以上となっている。このように本発明のＡ ｌ
−Ｍ ｅ −Ｎ−Ｍ合金及びＡ ｌ −Ｓ ｉ −Ｍ
ｅ −Ｎ −Ｍ合金はエレクトロマイグレーションによ
るボイドやヒロックの形成の防止に有効であり、半導体
集積回路用配線材料として極めて優れた材料であること
がわかる。
Ｃｕ合金及びＡｌ−Ｃｕ−５ｉ合金に比較して、本発明
のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ−Ｍ合金及びＡ Ｉ−５ｉ−Ｍｅ−Ｎ
−Ｍ合金による蒸着配線膜の高温、連続通電下における
平均故障時間は大幅に改善され、ＡＬ−Ｃｕ−８ｉ合金
の２倍以上となっている。このように本発明のＡ ｌ
−Ｍ ｅ −Ｎ−Ｍ合金及びＡ ｌ −Ｓ ｉ −Ｍ
ｅ −Ｎ −Ｍ合金はエレクトロマイグレーションによ
るボイドやヒロックの形成の防止に有効であり、半導体
集積回路用配線材料として極めて優れた材料であること
がわかる。
第１図はシリコン基板上にＡｌ配線膜を蒸着した部分の
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
Claims (2)
- （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜０．７
ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不
可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｎ含有アルミニ
ウム合金。 - （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Λｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２〜０．７
ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｓｉ０．５〜１
．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導
体配線材料用Ｎ含有アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218386A JPS62240735A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218386A JPS62240735A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240735A true JPS62240735A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=13767326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218386A Pending JPS62240735A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ含有アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62240735A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606761A2 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-20 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| US6465376B2 (en) | 1999-08-18 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving electromigration of chip interconnects |
| US7825515B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, display device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US8558248B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-10-15 | Mitsubishi Electric Corporation | A1 alloy film, electronic device, and active matrix substrate for use in electrooptic display device |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8218386A patent/JPS62240735A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0606761A2 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-20 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| US6465376B2 (en) | 1999-08-18 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving electromigration of chip interconnects |
| US7825515B2 (en) | 2007-09-12 | 2010-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, display device, and method of manufacturing semiconductor device |
| US8558248B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-10-15 | Mitsubishi Electric Corporation | A1 alloy film, electronic device, and active matrix substrate for use in electrooptic display device |
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