JPS62240736A - 半導体配線材料用ｂ、ｃ含有アルミニウム合金 - Google Patents
半導体配線材料用ｂ、ｃ含有アルミニウム合金Info
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- JPS62240736A JPS62240736A JP8218486A JP8218486A JPS62240736A JP S62240736 A JPS62240736 A JP S62240736A JP 8218486 A JP8218486 A JP 8218486A JP 8218486 A JP8218486 A JP 8218486A JP S62240736 A JPS62240736 A JP S62240736A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭＯ８型半導体の各電極の接続配線などに用い
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は近年急速に発展し、その機能の拡大と
ともに，各構成索子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
ともに，各構成索子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
薄膜金属配線として現在Ａｌ蒸着膜が多く用いられてい
る。これはＡｔが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
る。これはＡｔが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
（ｂ）真空蒸着で導電性の良い膜となる。
（ｃ）シリコンの酸化膜（Ｓ ｉ Ｏ２）との密着性が
良い。
良い。
（ｄ）化学的に安定でＳ ｉ Ｏ２と反応しない。
（ｅ）フォトレジストによる加工が容易である。
（ｆ） リードボンディング性が良い。
など総合的にみて有利であると考えられているからであ
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
る。蒸着用Ａｌ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点］
一方、ＡＩ配線膜の欠点としては、
（ａ）エレクトロマイグレーションを起こし電流密度が
１０’Ａ／ｃｍ”以上になると断線する。スパッタリン
グや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な厚
さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部分
的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くなる
ために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、そ
の部分から断線することがある。
１０’Ａ／ｃｍ”以上になると断線する。スパッタリン
グや真空蒸着の際に特に段差のあるところでは均一な厚
さに成膜させることは難しく、第１図に示すように部分
的に薄い所３ができるとその部分の電流密度が高くなる
ために上記のエレクトロマイグレーションが発生し、そ
の部分から断線することがある。
（ｂ）ヒロックと呼ばれる突起が発生し、近接配線間（
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
などがある。
［問題点を解決するための手段］
エレクトロマイグレーションとは、高電流密度下でＡ
Ｉ Ｊ７に子が電子と衝突することにより運動エネルギ
ーを得て電子の動く方向に移動するために、Ａｌ原子の
移動した跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配
線の断面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュ
ール熱などによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がま
すます加速され、ついには断線に至る現象である。この
Ａｌ原子の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散
によって起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえ
ば粒界拡散が起こり難くなリエレクトロマイグレーショ
ンによるボイドの発生及び成長を防止することができる
。
Ｉ Ｊ７に子が電子と衝突することにより運動エネルギ
ーを得て電子の動く方向に移動するために、Ａｌ原子の
移動した跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配
線の断面積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュ
ール熱などによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がま
すます加速され、ついには断線に至る現象である。この
Ａｌ原子の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散
によって起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえ
ば粒界拡散が起こり難くなリエレクトロマイグレーショ
ンによるボイドの発生及び成長を防止することができる
。
次にヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
以上のようにエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒｔ Ｈｆｔ Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素ＭｅをＢ及びＣと一緒
に添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来か
ら知られているエレクトロマイグレーションの防止に効
果のある金属元素であるＣｕ、Ｃｏｔ Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種類
又は２種類以上の合金元ＪＭを少量添加すると粒界拡散
抑止効果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーショ
ン防止効果が高まることを見いだし、この知見にノにづ
いて本発明をなすに至った。
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる。粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒｔ Ｈｆｔ Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた
１種類又は２種類以上の合金元素ＭｅをＢ及びＣと一緒
に添加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来か
ら知られているエレクトロマイグレーションの防止に効
果のある金属元素であるＣｕ、Ｃｏｔ Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種類
又は２種類以上の合金元ＪＭを少量添加すると粒界拡散
抑止効果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーショ
ン防止効果が高まることを見いだし、この知見にノにづ
いて本発明をなすに至った。
［発明の構成コ
すなわち、本発明は、
（１） Ｃｕ ｖ Ｃｏ ｇ Ｍ ｎ ｓ Ｎ ｉｖ
Ｓ ｎ Ｔ Ｉ ｎ ｔ ＡＵ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．０００
１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ。
Ｓ ｎ Ｔ Ｉ ｎ ｔ ＡＵ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．０００
１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ。
Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
１３ ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｇ Ｏ，００２〜
０．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる
半導体配線材料用Ｂ、Ｃ含有アルミニウム合金
及び （２）Ｃｕ、Ｇｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ ｎ、ＡＵ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ
、、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
０．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる
半導体配線材料用Ｂ、Ｃ含有アルミニウム合金
及び （２）Ｃｕ、Ｇｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ ｎ、ＡＵ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ
、、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
８ ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｇ Ｏ，００２〜０
．５ｗｔ％、 Ｓｉ ０． ５−４． ５ｗｔ、
％ 。
．５ｗｔ％、 Ｓｉ ０． ５−４． ５ｗｔ、
％ 。
残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用
Ｂ、Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
Ｂ、Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
［発明の効果］
本発明のＢ、Ｃ含有アルミニウム合金はエレクトロマイ
グレーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であ
り、半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料
である。
グレーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であ
り、半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料
である。
［発明の詳細な説明］
本発明の合金はスパッタリング又は真空蒸着により半導
体装置の配線材料として用いられる。
体装置の配線材料として用いられる。
本発明の合金組成のＢの添加量が０．００２ｗｔ％未満
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡＬ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｂ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｃの添加量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配
線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶して
しまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０、５ｗｔ％を超
えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添
加にを０．００２−０．５ｗｔ％とする６Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、’ｌ’ａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの
添加量が０．００２ｗｔ％未満の場合は前記配線材料で
あるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ
ｅ Ｂ ｘ又はＭｅＣｘが析出せず、また０、７ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．００２〜０．７ｗｔ％とする。また、
Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍの添加量が０．０００１ｗｔ％未満の場合は全くエレ
クトロマイグレーションの防止に効果がなく、０．０２
ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましく
ないので添加量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％とする
。さらに好ましくは本発明のＡ ｌ −Ｍ ｅ −Ｂ
−Ｃ−Ｍ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌの相互
拡散を抑制することができる。Ｓｉの添加量が０．５％
未満の場合はＡｌ−３ｉコンタクト部でのＳｉとＡｌの
相互拡散の防止効果が小さく、又、１．５ｗｔ％を超え
ると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加
量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
の場合は前記配線材料であるＡｌ又はＡＬ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｂ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｃの添加量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配
線材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶して
しまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０、５ｗｔ％を超
えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添
加にを０．００２−０．５ｗｔ％とする６Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、’ｌ’ａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅの
添加量が０．００２ｗｔ％未満の場合は前記配線材料で
あるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してしまいＭ
ｅ Ｂ ｘ又はＭｅＣｘが析出せず、また０、７ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．００２〜０．７ｗｔ％とする。また、
Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍの添加量が０．０００１ｗｔ％未満の場合は全くエレ
クトロマイグレーションの防止に効果がなく、０．０２
ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましく
ないので添加量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％とする
。さらに好ましくは本発明のＡ ｌ −Ｍ ｅ −Ｂ
−Ｃ−Ｍ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌの相互
拡散を抑制することができる。Ｓｉの添加量が０．５％
未満の場合はＡｌ−３ｉコンタクト部でのＳｉとＡｌの
相互拡散の防止効果が小さく、又、１．５ｗｔ％を超え
ると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないので添加
量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
以上の半導体配線材料用アルミニウム合金は通常高純度
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｔ或いは高純度Ｎ）９．’９
９９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｉ、
Ｚｒｔ Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂｔ Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅと、高純度（９９，９５ｗｔ％）の結晶Ｂと、Ｃｕ
、Ｇｏ。
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｔ或いは高純度Ｎ）９．’９
９９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｉ、
Ｚｒｔ Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂｔ Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅと、高純度（９９，９５ｗｔ％）の結晶Ｂと、Ｃｕ
、Ｇｏ。
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類共ぷの合金元素Ｍと、ＣをＡ
ＩＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃｘなどとして、大気中で溶
解鋳造し、次にこの鋳造材′をそのまま機械加工して真
空蒸着材又はスパッタリング用ターゲット板とすること
ができる。このようにして作成されたターゲラ１〜板は
上記の鋳造の際にＭｅ、Ｂ及びＣの一部がＭ ｅ １３
ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとなって、このＭ ｅ Ｂ Ｘ及
びＭ ｅ Ｃｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化す
るとともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｂ及びＣが多いため
にスパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に非
常に優れており、さらにまた、この薄膜において前記の
Ｍｅ、Ｂ及びＣがＭ ｅ Ｂ ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとな
って結晶粒界に析出し、エレクトロマイグレーションの
防止に効果のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレク
トロマイグレーションによるボイドやヒロック形成の防
止に極めて有効に作用する。なお。
選ばれた１種類又は２種類共ぷの合金元素Ｍと、ＣをＡ
ＩＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃｘなどとして、大気中で溶
解鋳造し、次にこの鋳造材′をそのまま機械加工して真
空蒸着材又はスパッタリング用ターゲット板とすること
ができる。このようにして作成されたターゲラ１〜板は
上記の鋳造の際にＭｅ、Ｂ及びＣの一部がＭ ｅ １３
ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとなって、このＭ ｅ Ｂ Ｘ及
びＭ ｅ Ｃｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化す
るとともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｂ及びＣが多いため
にスパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に非
常に優れており、さらにまた、この薄膜において前記の
Ｍｅ、Ｂ及びＣがＭ ｅ Ｂ ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとな
って結晶粒界に析出し、エレクトロマイグレーションの
防止に効果のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレク
トロマイグレーションによるボイドやヒロック形成の防
止に極めて有効に作用する。なお。
鋳造材のかわりに鋳造後所定の形状に加工しそれをさら
に熱処理してスパッタリング又は真空蒸着材とすること
もできる。この場合熱処理によって再結晶化するとＭ
ｅ Ｂ ｘ及びＭ ｅ Ｃｘが析出して核効果により結
晶が微細化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組織の
均一性が向上する。これによって薄膜の均一性を向上さ
せることもできる。
に熱処理してスパッタリング又は真空蒸着材とすること
もできる。この場合熱処理によって再結晶化するとＭ
ｅ Ｂ ｘ及びＭ ｅ Ｃｘが析出して核効果により結
晶が微細化し、スパッタリング又は真空蒸着材の組織の
均一性が向上する。これによって薄膜の均一性を向上さ
せることもできる。
次に実施例について説明する。
［実施例］
高純度（９９、９９９ｗ ｔ％）Ａｌ又は高純度Ａｌ−
５ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）の結晶Ｂ、高純
度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＣ及びＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
５ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）の結晶Ｂ、高純
度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＣ及びＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ、Ｗからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上
の高純度金＠ Ｍ ｅ及びｃｕ、ｃｏ、Ｍｎ。
の高純度金＠ Ｍ ｅ及びｃｕ、ｃｏ、Ｍｎ。
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、ΔＵ及びＡｇからなる群より選ばれ
た１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組
成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗
加熱炉で大気中で溶解した。
た１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組
成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗
加熱炉で大気中で溶解した。
溶解後、所定の鋳型へ鋳造した。Ｕ造林はそのまま機械
加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタリン
グ用ターゲッ１〜板とした。
加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタリン
グ用ターゲッ１〜板とした。
上記ターゲラ１〜板を用いてシリコン基板上に幅６ミク
ロン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着１漠を
形成した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃
で連続して電流密度ｌＸ１０’ Ａ ／ ｃ ｍ”の電
流を流した。その時の平均の故障発生に至る時間（平均
故障時間）を第１表に示す。
ロン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着１漠を
形成した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５℃
で連続して電流密度ｌＸ１０’ Ａ ／ ｃ ｍ”の電
流を流した。その時の平均の故障発生に至る時間（平均
故障時間）を第１表に示す。
同じく第１表には比較例として純Ａｌ、Ａｔ−ＣＵ介金
及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｆ合金についての試験結果
も示す。
及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｆ合金についての試験結果
も示す。
以上の第１表から明らかなように従来の純ＡＬ、Ａｌ−
Ｃ：ｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較し
て、本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｂ−Ｃ−Ｍ合金及びＡｌ−８
ｉ−ＭｅＡｌ−８ｉ−合金による蒸着配線膜の高温、連
続通電下における平均故障時間は大幅に改善され、Ａｌ
−Ｃｕ−８ｉ合金の２倍以上となっている。このように
本発明のＡｌ−Ｍ ｅ −Ｂ −Ｃ−Ｍ合金・及びＡ
１− Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｂ−Ｃ−Ｍ合金はエレクト
ロマイグレーションによるボイドやヒロックの形成の防
止に有効であり。
Ｃ：ｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較し
て、本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｂ−Ｃ−Ｍ合金及びＡｌ−８
ｉ−ＭｅＡｌ−８ｉ−合金による蒸着配線膜の高温、連
続通電下における平均故障時間は大幅に改善され、Ａｌ
−Ｃｕ−８ｉ合金の２倍以上となっている。このように
本発明のＡｌ−Ｍ ｅ −Ｂ −Ｃ−Ｍ合金・及びＡ
１− Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｂ−Ｃ−Ｍ合金はエレクト
ロマイグレーションによるボイドやヒロックの形成の防
止に有効であり。
半導体集積回路用配線材料として極めて優れた材料であ
ることがわかる。
ることがわかる。
第１図はシリコン基板上にＡＩ配線膜を蒸着した部分の
断面図である。 １：シリコン基板 上
断面図である。 １：シリコン基板 上
Claims (2)
- （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００
２〜０．７ｗｔ％Ｂ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｃ０．
００２〜０．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不可避的不純物か
らなる半導体配線材料用Ｂ、Ｃ含有アルミニウム合金。 - （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、ＣｒＭｏ及びＷからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００２
〜０．７ｗｔ％、Ｂ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｃ０．
００２〜０．５ｗｔ％、Ｓｉ０．５〜１．５ｗｔ％、残
部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用Ｂ
、Ｃ含有アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218486A JPS62240736A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｂ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218486A JPS62240736A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｂ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240736A true JPS62240736A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=13767355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218486A Pending JPS62240736A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｂ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62240736A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277757A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | アルミニウム合金タ−ゲット材料 |
| JPH0499171A (ja) * | 1990-01-11 | 1992-03-31 | Kobe Steel Ltd | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
| EP0606761A2 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-20 | Kawasaki Steel Corporation | Semiconductor device and process for production thereof |
| US5554889A (en) * | 1992-04-03 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Structure and method for metallization of semiconductor devices |
| US5851920A (en) * | 1996-01-22 | 1998-12-22 | Motorola, Inc. | Method of fabrication of metallization system |
| US6206985B1 (en) | 1991-03-07 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| US6264813B1 (en) | 1996-12-04 | 2001-07-24 | Aluminum Pechiney | Cathodic sputtering targets made of aluminum alloy |
| US6465376B2 (en) | 1999-08-18 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and structure for improving electromigration of chip interconnects |
| CN106086543A (zh) * | 2016-07-31 | 2016-11-09 | 余姚市婉珍五金厂 | 一种石墨烯增强铝合金材料及其制备方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP8218486A patent/JPS62240736A/ja active Pending
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63277757A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | アルミニウム合金タ−ゲット材料 |
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| CN106086543A (zh) * | 2016-07-31 | 2016-11-09 | 余姚市婉珍五金厂 | 一种石墨烯增强铝合金材料及其制备方法 |
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