JPS62240738A - 半導体配線材料用ｎ、ｃ含有アルミニウム合金 - Google Patents
半導体配線材料用ｎ、ｃ含有アルミニウム合金Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＭＯ８型半導体の各電極の接続配線などに用い
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
る半導体配線材料用アルミニウム合金に関する。
［従来の技術］
半導体集積回路は近年急速に発展し、その機能の拡大と
ともに，各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
ともに，各構成素子間を電気的に相互接続する薄膜金属
配線はさらに微細化、高密度化の傾向にある。
薄膜金属配線として現在ＡＩ蒸着膜が多く用いられてい
る．これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
る．これはＡｌが （ａ）シリコンとのオーミック接触が容易に得られる。
（ｂ）真空蒸着で導電性の良い膜となる。
（ｃ）シリコンの酸化膜（ＳｉＯ□）との密着性が良い
。
。
（ｄ）化学的に安定でＳｉｎ、と反応しない。
（ｅ）フ第１−レジストによる加工が容易である。
（ｆ） リードボンディング性が良い。
など総合的にみて有利であると考えられているからであ
る６蒸着用ＡＩ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
る６蒸着用ＡＩ合金としては通常Ａｌ−１ｗｔ％Ｓｉ合
金が用いられている。
［発明が解決しようとする問題点コ
一方、ＡＬ配線膜の欠点としては、
（ａ）エレクトロマイグレーションを起こし電流密度が
１０ ” Ａ ／ ｃ ｍ”以上になると断線する。ス
パッタリングや真空蒸着の際に特に段差のあるところで
は均一な厚さに成膜させることは難しく。
１０ ” Ａ ／ ｃ ｍ”以上になると断線する。ス
パッタリングや真空蒸着の際に特に段差のあるところで
は均一な厚さに成膜させることは難しく。
第１図に示すように部分的に薄い所３ができるとその部
分の電流密度が高くなるために上記のエレクトロマイク
レージョンが発生し、その部分から断線することがある
。
分の電流密度が高くなるために上記のエレクトロマイク
レージョンが発生し、その部分から断線することがある
。
（ｂ）ヒロックと呼ばれる突起が発生し、近接配線間（
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
多層配線間の場合は層間）での短絡を起こす。
などがある。
、［問題点を解決するための手段］
エレクトロマイグレーションとは、高電流密度下でＡｌ
原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得て
電子の動く方向に移動するために、ＡＬ原子の移動した
跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断面
積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱な
どによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます加
速され、ついには断線に至る現象である。このＡＩ原子
の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散によって
起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえば粒界拡
散が起こり難くなリエレクトロマイグレーションによる
ボイドの発生及び成長を防止することができる。
原子が電子と衝突することにより運動エネルギーを得て
電子の動く方向に移動するために、ＡＬ原子の移動した
跡に原子空孔（ボイド）が発生し、この結果配線の断面
積が減少し電流密度がさらに大きくなり、ジュール熱な
どによる温度上昇が生じて、ボイドの成長がますます加
速され、ついには断線に至る現象である。このＡＩ原子
の移動は通常Ａｌの結晶粒界を伝わる粒界拡散によって
起こり粒界を何らかの析出物でふさいでしまえば粒界拡
散が起こり難くなリエレクトロマイグレーションによる
ボイドの発生及び成長を防止することができる。
次にヒロックは上記エレクトロマイグレーションにより
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
移動したＡｌ原子が表面へ突起するものである。これを
防ぐにはボイドと同様、粒界を何らかの析出物でふさい
で粒界拡散が起こり難くすることが有効である。
以上のようにエレクトロマイグレーションによるボイド
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる６粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種
類又は２種類以上の合金元素ＭｓをＮ及びＣと一緒に添
加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来から知
られているエレクトロマイグレーションの防止に効果の
ある金属元素であるＣｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ
ｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２
種類以上の合金元素Ｍを少量添加すると粒界拡散抑止効
果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーション防止
効果が高まることを見いだし、この知見に基づいて本発
明をなすに至った。
やヒロックを防ぐには粒界に何らかの元素を析出させて
粒界拡散を抑制することが有効と考えられる６粒界への
析出を起こす合金元素はいくつかあるが、母相への溶解
度が大きい元素はＡｌ合金の電気抵抗を上げてしまうた
め使用できない。従って、本発明者らは合金元素につい
て鋭意研究を重ねた結果、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種
類又は２種類以上の合金元素ＭｓをＮ及びＣと一緒に添
加すると粒界拡散抑止効果が大きく、さらに従来から知
られているエレクトロマイグレーションの防止に効果の
ある金属元素であるＣｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ
ｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２
種類以上の合金元素Ｍを少量添加すると粒界拡散抑止効
果が一層大きくなり、エレクトロマイグレーション防止
効果が高まることを見いだし、この知見に基づいて本発
明をなすに至った。
［発明の構成］
すなわち、本発明は、
（１）Ｃｕ、Ｇｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉ ｎ、ＡＵ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ
、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ
、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
ＭＯ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
Ｎ Ｏ，００２〜０，５ｗｔ％、Ｇ Ｏ，００２〜
０．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる
半導体配線材料用Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金
及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉｅ Ｓｎ、Ｉｎ、ＡＵ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗし％＋ Ｔｉｎ
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
０．５ｗｔ％ 、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる
半導体配線材料用Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金
及び （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉｅ Ｓｎ、Ｉｎ、ＡＵ及
びＡｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の
合金元素を０．０００１〜０．０２ｗし％＋ Ｔｉｎ
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ及びＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
上の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％。
Ｎ Ｏ，００２〜０．５ｗｔ％、Ｇ Ｏ，００２〜
０．５ｗｔ％、Ｓｉ Ｏ，５−１，５ｗｔ％ 。
０．５ｗｔ％、Ｓｉ Ｏ，５−１，５ｗｔ％ 。
残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用
Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金を提供する。
［発明の効果］
本発明のＮ、Ｃ含有アルミニウム合金はエレクトロマイ
グレーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であ
り、半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料
である。
グレーションの防止、ヒロックの形成の防止に有効であ
り、半導体集積回路の配線材料として極めて優れた材料
である。
［発明の詳細な説明］
本発明の合金はスパッタリング又は真空蒸着により半導
体装置の配線材料として用いられる。
体装置の配線材料として用いられる。
本発明の合金組成のＮの添加量が０．００２ｗｔ％未満
の場合は前記配線材料であるＡＩ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｃの添加量が０．００２ｗｔ％未満の場合は前記配
線材料であるＡｌ又はＡ ｌ −Ｓ ｉ合金に完全に固
溶してしまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０、５ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とする。Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ＋ Ｖ＋ Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅの添加量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配線
材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してし
まいＭ ｅ Ｎ ｘ又はＭｅＣｘが析出せず、また０、
７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好まし
くないので添加量を０．００２〜０．７ｗｔ％とする。
の場合は前記配線材料であるＡＩ又はＡｌ−Ｓｉ合金に
完全に固溶してしまいＭ ｅ Ｎ ｘが析出せず、また
０、５ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とす
る。Ｃの添加量が０．００２ｗｔ％未満の場合は前記配
線材料であるＡｌ又はＡ ｌ −Ｓ ｉ合金に完全に固
溶してしまいＭ ｅ Ｃｘが析出せず、また０、５ｗｔ
％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくない
ので添加量を０．００２〜０．５ｗｔ％とする。Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ＋ Ｖ＋ Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷか
らなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素
Ｍｅの添加量が０．００２ｗｔ％未滴の場合は前記配線
材料であるＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金に完全に固溶してし
まいＭ ｅ Ｎ ｘ又はＭｅＣｘが析出せず、また０、
７ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好まし
くないので添加量を０．００２〜０．７ｗｔ％とする。
また、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素Ｍの添加量がＯ，０００１ｗｔ％未滴の場合は全
くエレクトロマイグレーションの防止に効果がなく、０
．０２ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％
とする。さらに好ましくは本発明のＡ Ｉ −Ｍ ｅ
−Ｎ −Ｃ−Ｍ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌ
の相互拡散を抑制することができる。Ｓｉの添加量が０
．５％未満の場合はＡＬ−Ｓｉコンタクト部でのＳｉと
Ａｌの相互拡散の防止効果が小さく、又、１．５ｗｔ％
を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないの
で添加量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素Ｍの添加量がＯ，０００１ｗｔ％未滴の場合は全
くエレクトロマイグレーションの防止に効果がなく、０
．０２ｗｔ％を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好
ましくないので添加量を０．０００１〜０．０２ｗｔ％
とする。さらに好ましくは本発明のＡ Ｉ −Ｍ ｅ
−Ｎ −Ｃ−Ｍ合金にＳｉを添加して半導体ＳｉとＡｌ
の相互拡散を抑制することができる。Ｓｉの添加量が０
．５％未満の場合はＡＬ−Ｓｉコンタクト部でのＳｉと
Ａｌの相互拡散の防止効果が小さく、又、１．５ｗｔ％
を超えると配線の電気抵抗が大きくなり好ましくないの
で添加量を０．５〜１．５ｗｔ％とする。
以上の半導体配線材料用アルミニウム合金は通常高純度
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと
、ＮをＡｌＮ、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、
Ｃｕ、Ｇｏ。
（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ或いは高純度（９９，９９
９ｗｔ％）Ｓｉを溶解したＡｌ−Ｓｉ合金に、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる
群より選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍｅと
、ＮをＡｌＮ、ＳｉＮ及びＭ ｅ Ｎ ｘなどとして、
Ｃｕ、Ｇｏ。
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍと、ＣをＡ
ＩＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃ−ｘなどとして、大気中で
溶解鋳造し、次にこの鋳造材をそのまま機械加工して真
空蒸着材又はスパッタリング用ターゲッ１〜板とするこ
とができる。このようにして作成されたターゲツト板は
上記の鋳造の際にＭｅ、Ｎ及びＣの一部がＭ ｅ Ｎ
ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとなって、このＭ ｅ Ｎ ｘ及び
Ｍ ｅ Ｃｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化する
とともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｎ及びＣが多いために
スパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に非常
に優れており、さらにまた、この薄膜において前記のＭ
ｅ、Ｎ及びＣがＭ ｅ Ｎ ｘ及びＭ ｅ ＣＸとなっ
て結晶粒界に析出し、エレクトロマイグレーションの防
止に効果のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレクト
ロマイグレーションによるボイドやヒロック形成の防止
に極めて有効に作用する。なお、鋳造材のかわりにｇ造
後所定の形状に加工しそれをさらに熱処理してスパッタ
リング又は真空蒸着材とすることもできる。この場合熱
処理によって再結晶化するとＭ ｅ Ｎ ｘ及びＭ ｅ
Ｃｘが析出して核効果により結晶が微細化し、スパッ
タリング又は真空蒸着材の組織の均一性が向上する。こ
れによって簿膜の均一性を向上させることもできる。
選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素Ｍと、ＣをＡ
ＩＣ，ＳｉＣ及びＭ ｅ Ｃ−ｘなどとして、大気中で
溶解鋳造し、次にこの鋳造材をそのまま機械加工して真
空蒸着材又はスパッタリング用ターゲッ１〜板とするこ
とができる。このようにして作成されたターゲツト板は
上記の鋳造の際にＭｅ、Ｎ及びＣの一部がＭ ｅ Ｎ
ｘ及びＭ ｅ Ｃｘとなって、このＭ ｅ Ｎ ｘ及び
Ｍ ｅ Ｃｘが核効果を起こし、鋳造組織を微細化する
とともに鋳造材に残存するＭｅ、Ｎ及びＣが多いために
スパッタリング又は真空蒸着による薄膜の均一性に非常
に優れており、さらにまた、この薄膜において前記のＭ
ｅ、Ｎ及びＣがＭ ｅ Ｎ ｘ及びＭ ｅ ＣＸとなっ
て結晶粒界に析出し、エレクトロマイグレーションの防
止に効果のある金属元素Ｍの効果と相まって、エレクト
ロマイグレーションによるボイドやヒロック形成の防止
に極めて有効に作用する。なお、鋳造材のかわりにｇ造
後所定の形状に加工しそれをさらに熱処理してスパッタ
リング又は真空蒸着材とすることもできる。この場合熱
処理によって再結晶化するとＭ ｅ Ｎ ｘ及びＭ ｅ
Ｃｘが析出して核効果により結晶が微細化し、スパッ
タリング又は真空蒸着材の組織の均一性が向上する。こ
れによって簿膜の均一性を向上させることもできる。
次に実施例について説明する。
［実施例］
高純度（９９，９９９ｗｔ％）Ａｌ又は高純度Ａｌ−３
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＮ、高純度
（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＣ及びＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
ｉ合金、高純度（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＮ、高純度
（９９，９５ｗｔ％）のＡＩＣ及びＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。
Ｍｏ、Ｗからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上
の高純度金属Ｍｅ及びＣｕ、Ｇｏ、Ｍｎ。
の高純度金属Ｍｅ及びＣｕ、Ｇｏ、Ｍｎ。
Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれ
た１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組
成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗
加熱炉で大気中で溶解した。
た１種類又は２種類以上の合金元素Ｍを第１表に示す組
成に調整した後、高純度アルミするつぼ内へ装入し抵抗
加熱炉で大気中で溶解した。
溶解後、所定の訪型へＵ潰した。鋳造材はそのまま機械
加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタリン
グ用ターゲツト板とした。
加工により切削、研磨して所定の形状にしスパッタリン
グ用ターゲツト板とした。
上記ターゲツト板を用いてシリコン基板上に幅６ミクロ
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５°Ｃで
連続して電流密度ｌＸ１０’Ａ／ａｍ２の電流を流した
。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障時間）
を第１表に示す。
ン、長さ３８０ミクロンのスパッタリング蒸着膜を形成
した。この薄膜の特性を調べるために温度１７５°Ｃで
連続して電流密度ｌＸ１０’Ａ／ａｍ２の電流を流した
。その時の平均の故障発生に至る時間（平均故障時間）
を第１表に示す。
同じく第１表には比較例として純Ａｌ、Ａｌ−Ｃ１１合
金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結
果も示す。
金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金についての試験結
果も示す。
以上の第１表から明らかなように従来の純Ａｌ、Ａｌ−
Ｃｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較して
、本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ−Ｃ−Ｍ合金及びＡ ｌ −
Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｎ −Ｃ−Ｍ合金による蒸着配線
膜の高温、連続通電下における平均故障時間は大幅に改
善され、Ａｌ−Ｃｕ−３ｉ合金の２倍以上となっている
。このように本発明のＡｌ−Ｍ ｅ −Ｎ −Ｃ−Ｍ合
金及びＡ ｌ −Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｎ−’Ｃ−Ｍ合
金はエレクトロマイグレーションによるボイドやヒロッ
クの形成の防止に有効であり、半導体集積回路用配線材
料として極めて優れた材料であることがわかる。
Ｃｕ合金及びＡ ｌ −Ｃｕ −Ｓ ｉ合金に比較して
、本発明のＡｌ−Ｍｅ−Ｎ−Ｃ−Ｍ合金及びＡ ｌ −
Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｎ −Ｃ−Ｍ合金による蒸着配線
膜の高温、連続通電下における平均故障時間は大幅に改
善され、Ａｌ−Ｃｕ−３ｉ合金の２倍以上となっている
。このように本発明のＡｌ−Ｍ ｅ −Ｎ −Ｃ−Ｍ合
金及びＡ ｌ −Ｓ ｉ −Ｍ ｅ −Ｎ−’Ｃ−Ｍ合
金はエレクトロマイグレーションによるボイドやヒロッ
クの形成の防止に有効であり、半導体集積回路用配線材
料として極めて優れた材料であることがわかる。
第１図はシリコン基板上にＡｌ配線膜を蒸着した部分の
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
断面図である。 １：シリコン基板 ２：Ａｌ配線膜
Claims (2)
- （１）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００
２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｃ０
．００２〜０．５ｗｔ％、残部Ａｌ及び不可避的不純物
からなる半導体配線材料用Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金
。 - （２）Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｕ及び
Ａｇからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上の合
金元素を０．０００１〜０．０２ｗｔ％、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷからなる群よ
り選ばれた１種類又は２種類以上の合金元素を０．００
２〜０．７ｗｔ％、Ｎ０．００２〜０．５ｗｔ％、Ｃ０
．００２〜０．５ｗｔ％、Ｓｉ０．５〜１．５ｗｔ％、
残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる半導体配線材料用
Ｎ、Ｃ含有アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218686A JPS62240738A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218686A JPS62240738A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240738A true JPS62240738A (ja) | 1987-10-21 |
Family
ID=13767408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8218686A Pending JPS62240738A (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体配線材料用ｎ、ｃ含有アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62240738A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1986
- 1986-04-11 JP JP8218686A patent/JPS62240738A/ja active Pending
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