JP3096699B2 - アルミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニウム合金スパッタリングターゲット - Google Patents
アルミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニウム合金スパッタリングターゲットInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、大規模集積回路に用いることのできるアル
ミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニ
ウム合金配線層を製造するために用いられるアルミニウ
ム合金スパッタリングターゲットに関する。
ミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニ
ウム合金配線層を製造するために用いられるアルミニウ
ム合金スパッタリングターゲットに関する。
背景技術 マイクロプロセッサーを初めとする半導体ロジック素
子、DRAMに代表される半導体メモリー素子は、コンピュ
ーター等の中央演算処理部、および内部メモリーや外部
メモリーとして必要不可欠のものである。このような大
規模集積回路の製造工程においては、１チップ内の数百
万個から数千万個の半導体トランジスタを結線する高信
頼性配線技術開発が極めて重要である。
子、DRAMに代表される半導体メモリー素子は、コンピュ
ーター等の中央演算処理部、および内部メモリーや外部
メモリーとして必要不可欠のものである。このような大
規模集積回路の製造工程においては、１チップ内の数百
万個から数千万個の半導体トランジスタを結線する高信
頼性配線技術開発が極めて重要である。
現在は、アルミニウム（Al）に微量のシリコン（S
i）、あるいはアルミニウムに微量のシリコンと銅（C
u）を添加したアルミニウム合金材料からなる、0.8〜0.
7μｍ幅の配線層を用いた16メガビットDRAMが本格的な
量産時期を迎えようとしている。
i）、あるいはアルミニウムに微量のシリコンと銅（C
u）を添加したアルミニウム合金材料からなる、0.8〜0.
7μｍ幅の配線層を用いた16メガビットDRAMが本格的な
量産時期を迎えようとしている。
これらの配線層は、シリコンウエハー上に、スパッタ
リング法により厚さ１μｍ程度の薄膜を形成し、これを
リソグラフィーにより微細な配線パターンに形成する方
法により製造されている。そして、これらの配線層の製
造には、Si含有量が１重量％程度のAl−Si合金ターゲッ
ト、あるいはSi含有量が１重量％程度、Cu含有量が0.5
重量％程度のAl−Si−Cu合金ターゲットが使用されてい
る。
リング法により厚さ１μｍ程度の薄膜を形成し、これを
リソグラフィーにより微細な配線パターンに形成する方
法により製造されている。そして、これらの配線層の製
造には、Si含有量が１重量％程度のAl−Si合金ターゲッ
ト、あるいはSi含有量が１重量％程度、Cu含有量が0.5
重量％程度のAl−Si−Cu合金ターゲットが使用されてい
る。
近年、更に64メガビットDRAM以降の次世代大規模集積
回路の開発が進み、半導体集積回路の高密度化、高性能
化のために配線層幅が益々狭くなるにつれて（例えば、
0.6〜0.3μｍ）より信頼性の高い配線技術が求められて
いる。
回路の開発が進み、半導体集積回路の高密度化、高性能
化のために配線層幅が益々狭くなるにつれて（例えば、
0.6〜0.3μｍ）より信頼性の高い配線技術が求められて
いる。
しかしながら、現在用いられているAl−Si合金配線層
あるいはAl−Si−Cu合金配線層は、添加物のシリコン等
が製造工程で析出し、回路上に残ってしまったり、断線
する頻度が高いため信頼性が悪い。
あるいはAl−Si−Cu合金配線層は、添加物のシリコン等
が製造工程で析出し、回路上に残ってしまったり、断線
する頻度が高いため信頼性が悪い。
なお、アルミニウム配線の断線破壊の原因は、エレク
トロマイグレーションとストレスマイグレーションと呼
ばれる現象によるものとされており、エレクトロマイグ
レーションとは、配線中の電流により、配線中の金属イ
オンが電界に従って移動し、その結果、結晶粒界にボイ
ドが発生して断線に至る現象であり、ストレスマイグレ
ーションとは、アルミニウム配線は、その上に積層され
たSiNなどの絶縁膜との熱膨張差に応じて引張応力を受
けるが、この応力により結晶粒界にボイドが発生して断
線に至る現象である。
トロマイグレーションとストレスマイグレーションと呼
ばれる現象によるものとされており、エレクトロマイグ
レーションとは、配線中の電流により、配線中の金属イ
オンが電界に従って移動し、その結果、結晶粒界にボイ
ドが発生して断線に至る現象であり、ストレスマイグレ
ーションとは、アルミニウム配線は、その上に積層され
たSiNなどの絶縁膜との熱膨張差に応じて引張応力を受
けるが、この応力により結晶粒界にボイドが発生して断
線に至る現象である。
発明の開示 本発明者らは、上記実情に鑑み、断線破壊が少なく、
しかも電気抵抗の低い配線層の提供を目的として鋭意検
討を重ねた結果、次の知見を得た。
しかも電気抵抗の低い配線層の提供を目的として鋭意検
討を重ねた結果、次の知見を得た。
すなわち、スカンジウム（Sc）はAlと微細な金属間化
合物（ScAl3）を形成し、Al中に分散して配線の断線防
止効果を発揮する。しかも、ScAl3は、Cuの場合に形成
される金属間化合物（CuAl2）とは異なり、薄膜形成後
の不可避の熱処理（400〜450℃）において粗大化しな
い。
合物（ScAl3）を形成し、Al中に分散して配線の断線防
止効果を発揮する。しかも、ScAl3は、Cuの場合に形成
される金属間化合物（CuAl2）とは異なり、薄膜形成後
の不可避の熱処理（400〜450℃）において粗大化しな
い。
なお、上記の熱処理は、アモルファス薄膜の金属薄膜
化、密着性の向上などを目的でおこなわれるアニーリン
グ処理を指す。
化、密着性の向上などを目的でおこなわれるアニーリン
グ処理を指す。
本発明は、上記の知見に基づいて完成されたものであ
り、本発明の第１の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカン
ジウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウ
ムから成ることを特徴とするアルミニウム合金配線層に
存する。
り、本発明の第１の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカン
ジウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウ
ムから成ることを特徴とするアルミニウム合金配線層に
存する。
本発明の第２の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカンジ
ウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ
素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを
除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素と
を含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから
成ることを特徴とするアルミニウム合金配線層に存す
る。
ウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ
素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを
除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素と
を含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから
成ることを特徴とするアルミニウム合金配線層に存す
る。
本発明の第３の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカンジ
ウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウム
から成ることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリ
ングターゲットに存する。
ウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウム
から成ることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリ
ングターゲットに存する。
本発明の第４の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカンジ
ウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ
素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを
除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素と
を含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから
成ることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリング
ターゲットに存する。
ウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ
素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを
除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素と
を含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから
成ることを特徴とするアルミニウム合金スパッタリング
ターゲットに存する。
本発明の第５の要旨は、0.01〜1.0重量％のスカンジ
ウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウム
から成るアルミニウム合金ターゲット、または0.01〜1.
0重量％のスカンジウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、
チタン、銅、ホウ素、ハフニウム及び希土類元素（但
し、スカンジウムを除く）からなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素を含有し、残部が純度99.99％以上の
アルミニウムから成るアルミニウム合金ターゲットを用
いてスパッタリング法により形成することを特徴とする
アルミニウム合金配線層の製法に存する。
ウムを含有し、残部が純度99.99％以上のアルミニウム
から成るアルミニウム合金ターゲット、または0.01〜1.
0重量％のスカンジウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、
チタン、銅、ホウ素、ハフニウム及び希土類元素（但
し、スカンジウムを除く）からなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素を含有し、残部が純度99.99％以上の
アルミニウムから成るアルミニウム合金ターゲットを用
いてスパッタリング法により形成することを特徴とする
アルミニウム合金配線層の製法に存する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のアルミニウム合金スパッタリングターゲット
は、純度99.99％以上の高純度アルミニウムがベース金
属として使用される。このような高純度アルミニウム
は、例えば、電解精製、分別結晶、分留、晶析等の方法
により得ることができる。
は、純度99.99％以上の高純度アルミニウムがベース金
属として使用される。このような高純度アルミニウム
は、例えば、電解精製、分別結晶、分留、晶析等の方法
により得ることができる。
本発明においては、高純度アルミニウムに、0.01〜1.
0重量％のスカンジウム、または0.01〜1.0重量％のスカ
ンジウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、
ホウ素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウ
ムを除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元
素とを含有させる。
0重量％のスカンジウム、または0.01〜1.0重量％のスカ
ンジウムと0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、
ホウ素、ハフニウム及び希土類元素（但し、スカンジウ
ムを除く）からなる群から選ばれた少なくとも一種の元
素とを含有させる。
希土類元素としては、イットリウム、ランタン、セリ
ウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリ
ウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム等が挙
げられる。スカンジウムの含有量およびこれと併用され
る上記の特定元素の含有量が前記の範囲外では、いずれ
も、本発明の目的は達成されない。スカンジウムの含有
量の特に好ましい範囲は、0.05〜0.6重量％である。
ウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリ
ウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム等が挙
げられる。スカンジウムの含有量およびこれと併用され
る上記の特定元素の含有量が前記の範囲外では、いずれ
も、本発明の目的は達成されない。スカンジウムの含有
量の特に好ましい範囲は、0.05〜0.6重量％である。
本発明においては、上記のアルミニウム合金は、高純
度アルミニウムに所定量のスカンジウム、またはスカン
ジウムと上記の特定元素とを配合溶解したのち鋳造し、
不可避不純物含有量が10ppm以下の鋳塊となし、これ
に、熱処理、圧延処理、再熱処理を順次施し、均一微細
な結晶を有する素材に加工することにより得られる。
度アルミニウムに所定量のスカンジウム、またはスカン
ジウムと上記の特定元素とを配合溶解したのち鋳造し、
不可避不純物含有量が10ppm以下の鋳塊となし、これ
に、熱処理、圧延処理、再熱処理を順次施し、均一微細
な結晶を有する素材に加工することにより得られる。
上記の各処理の条件は、特に制限はないが、通常、熱
処理は、500〜550℃で10〜15時間、圧延処理は、圧延率
50〜90％、再熱処理は、400〜450℃で30〜60分の各条件
が採用される。
処理は、500〜550℃で10〜15時間、圧延処理は、圧延率
50〜90％、再熱処理は、400〜450℃で30〜60分の各条件
が採用される。
本発明においては、上記のようにして得られたアルミ
ニウム合金素材を使用するスパッタ装置に応じた形状
（例えば、円形、長方形、これらの中央部をくり抜いた
ドーナツ形など）に切り出してスパッタリング用ターゲ
ットとする。
ニウム合金素材を使用するスパッタ装置に応じた形状
（例えば、円形、長方形、これらの中央部をくり抜いた
ドーナツ形など）に切り出してスパッタリング用ターゲ
ットとする。
上記のようにして得られた、0.01〜1.0重量％、好ま
しくは0.05〜0.6重量％のスカンジウムを含有し、残部
が純度99.99％以上のアルミニウムから成るアルミニウ
ム合金スパッタリング用ターゲット、あるいは0.01〜1.
0重量％、好ましくは0.05〜0.6重量％のスカンジウムと
0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ素、ハ
フニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを除く）
からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素とを含有
し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るア
ルミニウム合金スパッタリング用ターゲットを用いて、
スパッタリング法により形成することによって本発明の
アルミニウム合金配線層を製造することができる。スパ
ッタリング法としては、公知のスパッタ装置、スパツタ
条件を採用することができる。
しくは0.05〜0.6重量％のスカンジウムを含有し、残部
が純度99.99％以上のアルミニウムから成るアルミニウ
ム合金スパッタリング用ターゲット、あるいは0.01〜1.
0重量％、好ましくは0.05〜0.6重量％のスカンジウムと
0.01〜3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ素、ハ
フニウム及び希土類元素（但し、スカンジウムを除く）
からなる群から選ばれた少なくとも一種の元素とを含有
し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るア
ルミニウム合金スパッタリング用ターゲットを用いて、
スパッタリング法により形成することによって本発明の
アルミニウム合金配線層を製造することができる。スパ
ッタリング法としては、公知のスパッタ装置、スパツタ
条件を採用することができる。
図面の簡単な説明 図１は、本発明の実施例および比較例で得られた薄膜
の比抵抗の測定結果を示すグラフであり、縦軸は比抵抗
（μΩｍ）、横軸はウエハー温度（℃）を表す。図中、
（１）〜（４）は本発明の実施例（試料１〜４）、（1
1）〜（12）は比較例（試料11〜12）を表す（以下の図
２および図３においても同じ）。
の比抵抗の測定結果を示すグラフであり、縦軸は比抵抗
（μΩｍ）、横軸はウエハー温度（℃）を表す。図中、
（１）〜（４）は本発明の実施例（試料１〜４）、（1
1）〜（12）は比較例（試料11〜12）を表す（以下の図
２および図３においても同じ）。
図２は、本発明の実施例および比較例で得られた薄膜
のエレクトロマイグレーション試験の結果を示すグラフ
であり、縦軸は断線時間（時間）、横軸はウエハー温度
（℃）を表す 図３は、本発明の実施例および比較例で得られた薄膜
のストレスマイグレーション試験の各結果を示すグラフ
であり、縦軸はボイド数（個）、横軸はウエハー温度
（℃）を表す。
のエレクトロマイグレーション試験の結果を示すグラフ
であり、縦軸は断線時間（時間）、横軸はウエハー温度
（℃）を表す 図３は、本発明の実施例および比較例で得られた薄膜
のストレスマイグレーション試験の各結果を示すグラフ
であり、縦軸はボイド数（個）、横軸はウエハー温度
（℃）を表す。
図４は、エレクトロマイグレーション試験用配線パタ
ーンの全体説明図である。
ーンの全体説明図である。
図５は、図４に示したエレクトロマイグレーション試
験用配線パターンの要部の拡大説明図である。
験用配線パターンの要部の拡大説明図である。
図６は、ストレスマイグレーション試験用配線パター
ンの説明図である。
ンの説明図である。
図７は、ストレスマイグレーション試験用配線パター
ンの説明図である。
ンの説明図である。
図８は、ストレスマイグレーション試験用加熱板の説
明図である。
明図である。
図７および図８中の各符号の意義は次の通りである。
（Ｂ）：クサビ状のボイド （１）：加熱基板 （２）：押え板 （３）：ヒーター （４）：ウエハー 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明を実施例により、更に詳細に説明する
が、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されるものではない。
が、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されるものではない。
なお、以下の例において、電気抵抗の測定、エレクト
ロマイグレーション試験およびストレスマイグレーショ
ン試験は、次の方法によった。
ロマイグレーション試験およびストレスマイグレーショ
ン試験は、次の方法によった。
＜電気抵抗の測定＞ 電気抵抗計によりシート抵抗を測定し、次いで、薄膜
の一部をエッチングにより溶脱した後、段差計により薄
膜の厚さを測定した。次式により比抵抗を求め、これを
電気抵抗とした。
の一部をエッチングにより溶脱した後、段差計により薄
膜の厚さを測定した。次式により比抵抗を求め、これを
電気抵抗とした。
比抵抗＝シート抵抗×薄膜の厚さ ＜エレクトロマイグレーション試験＞ 配線パターンを形成したウエハーを加熱板上に密着さ
せて200℃に加熱した後、図４及び図５に示す配線パタ
ーンのおよび間に電極を取り付け、及び間に電
気抵抗計を接続し、上記電極間に電流密度２×10-7A/cm
2の直流電流を流しながら断線を検出し、断線するまで
の時間を測定した。
せて200℃に加熱した後、図４及び図５に示す配線パタ
ーンのおよび間に電極を取り付け、及び間に電
気抵抗計を接続し、上記電極間に電流密度２×10-7A/cm
2の直流電流を流しながら断線を検出し、断線するまで
の時間を測定した。
なお、図４は、エレクトロマイグレーション試験用配
線パターンの全体説明図、図５は、その要部の拡大説明
図である。
線パターンの全体説明図、図５は、その要部の拡大説明
図である。
＜ストレスマイグレーション試験＞ 配線パターンを形成したウエハーを中心部が周辺部よ
り0.2mm凸に湾曲した図８に示す加熱板（１）上に密着
させることにより、ウエハー（４）を湾曲させて配線に
引張応力を加えた後、400℃で５分加熱した。次いで、
図６に示す配線パターンＥで示される部分に発生したボ
イドの数を計測した。ボイド（Ｂ）は図７に示すよう
に、配線側面よりクサビ状に発生し、その長さが１μｍ
以上のものを計測した。
り0.2mm凸に湾曲した図８に示す加熱板（１）上に密着
させることにより、ウエハー（４）を湾曲させて配線に
引張応力を加えた後、400℃で５分加熱した。次いで、
図６に示す配線パターンＥで示される部分に発生したボ
イドの数を計測した。ボイド（Ｂ）は図７に示すよう
に、配線側面よりクサビ状に発生し、その長さが１μｍ
以上のものを計測した。
なお、図８は、ストレスマイグレーション試験用加熱
板の説明図であり、図中、（１）は加熱基板、（２）は
押え板、（３）はヒーター、（４）はウエハーを示す。
また、図６及び図７は、ストレスマイグレーション試験
用配線パターンの説明図であり、図７中、（Ｂ）はクサ
ビ状のボイドを示す。
板の説明図であり、図中、（１）は加熱基板、（２）は
押え板、（３）はヒーター、（４）はウエハーを示す。
また、図６及び図７は、ストレスマイグレーション試験
用配線パターンの説明図であり、図７中、（Ｂ）はクサ
ビ状のボイドを示す。
実施例および比較例 精製した純度99.999％以上の高純度アルミニウムに、
表１に示す所定量の金属元素を配合溶解したのち鋳造し
た。
表１に示す所定量の金属元素を配合溶解したのち鋳造し
た。
得られた鋳塊に、525℃で12時間の熱処理、圧延率70
％の圧延、425℃で45分の熱処理を順次施し、均一微細
な結晶を有する素材に加工した。
％の圧延、425℃で45分の熱処理を順次施し、均一微細
な結晶を有する素材に加工した。
得られた素材に機械加工を施して、直径250mm、厚さ1
5mmの円盤状のスパッタリングターゲットに仕上げた。
5mmの円盤状のスパッタリングターゲットに仕上げた。
次いで、各スパッタリングターゲットをマグネトロン
スパッタ装置（日本真空技術製MLX3000）に装着し、約
0.2μｍのSiO2薄膜が形成された直径６インチのシリコ
ンウエハーの表面に１μｍの薄膜を形成した後、ランプ
加熱により450℃で15分の熱処理を施した。なお、マグ
ネトロンスパッタ装置の操作条件は以下の通りであり、
ウエハー加熱温度は、加速試験を行うために採用された
条件である。
スパッタ装置（日本真空技術製MLX3000）に装着し、約
0.2μｍのSiO2薄膜が形成された直径６インチのシリコ
ンウエハーの表面に１μｍの薄膜を形成した後、ランプ
加熱により450℃で15分の熱処理を施した。なお、マグ
ネトロンスパッタ装置の操作条件は以下の通りであり、
ウエハー加熱温度は、加速試験を行うために採用された
条件である。
到達真空度 :6×10-8トール Ar圧力 :4×10-3トール スパッタ電力 :5Kw ウエハー加熱温度 :150℃、200℃、250℃ 得られた各薄膜について電気抵抗の測定、エレクトロ
マイグレーション試験およびストレストマイグレーショ
ン試験を行った。
マイグレーション試験およびストレストマイグレーショ
ン試験を行った。
電気抵抗の測定結果、エレクトロマイグレーション試
験およびストレストマイグレーション試験の結果をそれ
ぞれ図１〜図３に示す。なお、図１は、電気抵抗の測定
結果を示すグラフ、図２は、エレクトロマイグレーショ
ン試験の結果を示すグラフ、図３は、ストレスマイグレ
ーション試験の結果を示すグラフである。これらの図
中、（１）〜（４）および（11）〜（12）は、表１の試
料番号に対応するものである。
験およびストレストマイグレーション試験の結果をそれ
ぞれ図１〜図３に示す。なお、図１は、電気抵抗の測定
結果を示すグラフ、図２は、エレクトロマイグレーショ
ン試験の結果を示すグラフ、図３は、ストレスマイグレ
ーション試験の結果を示すグラフである。これらの図
中、（１）〜（４）および（11）〜（12）は、表１の試
料番号に対応するものである。
また、ウエハー加熱温度が200℃の場合の電気抵抗の
測定結果、エレクトロマイグレーション試験およびスト
レスマイグレーション試験の結果をそれぞれ表１に示
す。
測定結果、エレクトロマイグレーション試験およびスト
レスマイグレーション試験の結果をそれぞれ表１に示
す。
産業上の利用可能性 本発明のアルミニウム合金スパッタリングターゲット
は、比抵抗が低く、断線までの時間が長く、ボイドの発
生数が少なく、配線材料として優れている。また、本発
明のアルミニウム合金スパッタリングターゲットを用い
て製造した配線層は、エレクトロマイグレーションおよ
びストレスマイグレーションが強く、信頼性が高いた
め、次世代大規模集積回路配線層として好適である。
は、比抵抗が低く、断線までの時間が長く、ボイドの発
生数が少なく、配線材料として優れている。また、本発
明のアルミニウム合金スパッタリングターゲットを用い
て製造した配線層は、エレクトロマイグレーションおよ
びストレスマイグレーションが強く、信頼性が高いた
め、次世代大規模集積回路配線層として好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/285 H01L 21/285 301 C23C 14/16 H01L 21/3205
Claims (9)
- 【請求項１】0.01〜1.0重量％のスカンジウムを含有
し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るこ
とを特徴とするアルミニウム合金配線層。 - 【請求項２】0.01〜1.0重量％のスカンジウムと0.01〜
3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ素、ハフニウ
ム及び希土類元素（但し、スカンジウムを除く）からな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素とを含有し、残
部が純度99.99％以上のアルミニウムから成ることを特
徴とするアルミニウム合金配線層。 - 【請求項３】スカンジウムの含有量が、0.05〜0.6重量
％である請求の範囲第１項ないし第２項記載のアルミニ
ウム合金配線層。 - 【請求項４】0.01〜1.0重量％のスカンジウムを含有
し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るア
ルミニウム合金ターゲットを用いて、スパッタリング法
により形成することを特徴とするアルミニウム合金配線
層の製法。 - 【請求項５】0.01〜1.0重量％のスカンジウムと0.01〜
3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ素、ハフニウ
ム及び希土類元素（但し、スカンジウムを除く）からな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素とを含有し、残
部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るアルミニ
ウム合金ターゲットを用いて、スパッタリング法により
形成することを特徴とするアルミニウム合金配線層の製
法。 - 【請求項６】アルミニウム合金ターゲットのスカンジウ
ムの含有量が、0.05〜0.6重量％である請求の範囲第４
項ないし第５項記載のアルミニウム合金配線層の製法。 - 【請求項７】0.01〜1.0重量％のスカンジウムを含有
し、残部が純度99.99％以上のアルミニウムから成るこ
とを特徴とするアルミニウム合金スパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項８】0.01〜1.0重量％のスカンジウムと0.01〜
3.0重量％のシリコン、チタン、銅、ホウ素、ハフニウ
ム及び希土類元素（但し、スカンジウムを除く）からな
る群から選ばれた少なくとも一種の元素とを含有し、残
部が純度99.99％以上のアルミニウムから成ることを特
徴とするアルミニウム合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項９】スカンジウムの含有量が、0.05〜0.6重量
％である請求の範囲第７項ないし第８項記載のアルミニ
ウム合金スパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1710991 | 1991-01-17 | ||
| PCT/JP1992/000034 WO1992013360A1 (en) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | Aluminum alloy wiring layer, manufacturing thereof, and aluminum alloy sputtering target |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3096699B2 true JP3096699B2 (ja) | 2000-10-10 |
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ID=11934867
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP04503599A Expired - Fee Related JP3096699B2 (ja) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | アルミニウム合金配線層およびその製法、ならびにアルミニウム合金スパッタリングターゲット |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5541007A (ja) |
| EP (1) | EP0521163B1 (ja) |
| JP (1) | JP3096699B2 (ja) |
| KR (1) | KR100228414B1 (ja) |
| DE (1) | DE69219952T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992013360A1 (ja) |
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- 1992-01-17 JP JP04503599A patent/JP3096699B2/ja not_active Expired - Fee Related
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