JP2006077295A - Cu合金配線材料及びCu合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【課題】350℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する
【解決手段】希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金、又は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。
【選択図】 選択図なし
【解決手段】希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金、又は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を含有するCu合金を用いることにより耐熱性に優れた低抵抗の配線材料が得られる。
【選択図】 選択図なし
Description
本発明は半導体デバイスやフラットパネルディスプレイに使用されるCu合金配線材料、及び、そのCu合金配線材料からなる電極や配線の形成に使用されるCu合金スパッタリングターゲットに関するものである。
半導体電子デバイスに用いられる配線材料には、従来からAl、Cuなどの純金属や、Al−Cu、Al−Cu−Si、Al−Ndなどの合金材料が用いられている。しかし、最近では特に高集積回路半導体デバイス(VLSI)や薄型テレビとして需要の高いTFT液晶ディスプレイ(TFT−LCD)の配線材料では、高密度化・高集積化による配線幅の減少や配線長の増大などによる信号遅延や、高温多層膜工程による配線材料の熱欠陥(ヒロックやボイドなど)などが大きな問題となってきている。そのため低抵抗で高熱安定性の配線材料の開発が強く要求されている。
これらの問題を解決するために、古くはVLSI半導体回路ではAl−Cu(例えば、非特許文献1参照)、Al−Cu−Si(例えば、非特許文献2参照)の利用が報告されており、最近では純Cu膜(例えば、非特許文献3参照)が利用されている。また、液晶の薄膜半導体(TFT)ではAl−Ta(例えば、非特許文献4参照)、Al−Zr(例えば、非特許文献5参照)、Al−Nd(例えば、特許文献1参照)などのようにAlの合金化が図られており、Al−Nd合金等が実用化されている。しかし、将来のデバイスの高速化、高集積化に対しては電気抵抗がまだ高く、また350℃以上のデバイス作製工程での熱によるストレスマイグレーションや高電流密度によるエレクトロマイグレーションによるヒロックやボイドなどの欠陥発生などの問題があった。
F.d'Huerle:Metall.Trans.,vol.2,p.683
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日本金属学会会報、32巻、第4号(1993)p.232
SID,94Digest(1994)p.142
特開平7−45555号公報
これら従来技術の問題点を解決するために、本発明は、350℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化や液晶ディスプレイ等の平面表示装置の高精細化等に適した配線材料、及び、そのような配線材料からなる電極や配線の作製に用いられるスパッタリングターゲットを提供することを目的とするものである。
本発明者らは低抵抗が得られ、Alよりも比較的熱安定性が高く、安価なCuに注目し、この純金属Cu膜の配線材料としての欠点を解決するために希土類元素や遷移元素を添加することを試みた。その中で希土類元素又は周期表第四族元素を添加することにより、中でもSc又はTiを添加することにより優れた配線材料が得られることを見出した。また、Scに代表される希土類元素の添加に加えて、Ti、Zr等の周期表第四族元素をさらに加える事により、さらに優れた電極配線材料が得られる事を見出し本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料、及び、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料に関する。
また、本発明は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料に関する。
さらに、本発明は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット、及び、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲットに関する。
また、本発明は、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲットに関する。
なお、希土類元素から選ばれる元素としてはScが最も好ましく、元素周期表の第四族元素から選ばれる元素としてはTiが最も好ましい。また、希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金がさらに含有する元素周期表の第四族元素から選ばれる元素としてはZrが最も好ましい。さらに、希土類金属から選ばれる元素をScとし、かつ、元素周期表の第四族元素から選ばれる元素をZrとすることが最も好ましい。
すなわち、以下のようなCu合金からなるCu合金配線材料及びCu合金スパッタリングターゲットとすることが好ましい。
(1)Scを0.1〜10原子%含有するCu合金、(2)Tiを0.1〜10原子%含有するCu合金、(3)希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、Zrを0.01〜10原子%さらに含有するCu合金、(4)Scを0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金、(5)Scを0.1〜10原子%含有し、かつ、Zrを0.01〜10原子%含有するCu合金。
なお、本発明のCu合金は、抵抗値低減の観点から、添加元素である希土類元素及び元素周期表の第四族元素以外の元素については、不可避的不純物以外の元素を含まないものであることが好ましいが、例えば、耐蝕性を向上させる等の本発明とは異なる目的のために、希土類元素又は元素周期表の第四族元素以外の元素を添加したものであっても良い。
また、本発明における配線材料は、LSIなどの半導体素子に用いられる配線やインターコネクト、あるいは、フラットパネルディスプレイに用いられるバスライン、又は、TFT素子のゲート、ソース、ドレイン電極等として用いられるものである。
以下において、本発明の配線材料についてさらに詳細に説明する。
本発明のCu合金配線材料はCuを主成分とし、従来のAl膜やAl合金薄膜、およびCu膜よりも高温度で熱欠陥を発生せず高熱安定性を得るために、先ずCuと中間化合物を容易に形成する元素を添加して、Cuの粒界拡散を抑制し、ヒロックやボイドの熱欠陥を抑制することを試みた。その結果、希土類元素や元素周期表の第四属元素の添加により、これらの効果が得られる事を見出した。中でもSc、Tiの添加が特に効果的であることを見出した。次に高熱安定性でしかも従来の配線材料と比べてより低抵抗を得るために添加量の最適化を測り、これらの特性を同時に満足する組成範囲として、添加量が0.1原子%以上必要であり、また低比抵抗の観点から添加量を10原子%以下にすることが好ましく、現行のAl合金配線材料を考慮すると5原子%以下にする事がさらに好ましいことを見出した。
さらに、Sc等の希土類元素と共に、Ti、Zr、Hf等の第四族元素を併せて添加することにより、より低抵抗の配線材料が得られることを見出した。なお、第四族元素は希土類元素に比べて低コストであるので、第四族元素の添加により希土類元素の添加量を低減できることは、材料の低コスト化の観点からも好ましく、この点では特にZrが最適であることを見出した。Zr等の第四族元素の添加量は0.01〜10原子%に設定することが好ましく、低比抵抗の観点から添加量は5原子%以下である事が特に好ましい。
上記の配線材料からなる配線や電極を形成するためには、純CuからなるCuターゲットと添加元素からなるターゲットとを用いたコスパッタリングでも良いが、得られる薄膜の均一性や成膜の安定性等から、目的とする配線材料と同一組成のCu合金からなるCu合金スパッタリングターゲットを用いることが好ましい。すなわち、例えば、希土類元素を0.1〜10原子%含有し、残部がCu及び不可避的不純物であるCu合金、希土類元素を0.1〜10原子%、Zrを0.01〜10原子%含有し、残部がCu及び不可避的不純物であるCu合金、Scを0.1〜10原子%含有するCu合金、Tiを0.1〜10原子%含有するCu合金、Scを0.1〜10原子%、Zrを0.01〜10原子%含有するCu合金等からなるCu合金スパッタリングターゲットを用いることが好ましい。
スパッタリングターゲットは、純度が4N以上で粒径が1〜100μm程度の原料粉末を所定の組成比で混合し、ホットプレス法(HP法)や熱間静水圧法(HIP法)などの粉末冶金技術を使用して製造したり、また、所定の組成比で混合した原料粉を溶解して鋳造法で作製したりする事ができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、放電安定性などの観点から相対密度が98%以上であることが好ましく、また、酸素含有量は100ppm以下が好ましく、より好ましくは50ppm以下である。
本発明の配線材料、および、スパッタリングターゲットによれば、ヒロックやボイドなどの熱欠陥が高温度でも発生せず、高熱安定性に優れており、しかも比抵抗が低く、安価な電極や配線の形成が可能となる。また、第四族元素は希土類元素に比べて低コストであるので、第四族元素の添加により希土類元素の添加量を低減できるため、より低コストで同等以上の性能を有する配線材料を提供することが可能となる。
以下に実施例を示して本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順、製造方法などは本発明の趣旨を逸脱しない限り変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものでない。
(実施例1、比較例1)
純度4NのCu円板状ターゲット(100mm径)の上に純度3NのScチップや純度4NのZrチップ、または、純度4NのTiチップを所定の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、DCマグネトロンスパッタ装置を用いて、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製した(実施例1)。表1に作製したCu合金薄膜の組成と、それらのCu合金薄膜に400℃にて30分間真空中(1×10−6Torr以下)に保持する熱処理を施した後の比抵抗とヒロック発生の有無を示す。比較のため、同一条件で形成した純Al薄膜、Al−Nd合金薄膜(Nd含有量3原子%)及び純Cu薄膜(比較例1)に同一条件で熱処理を施した後の比抵抗とヒロック発生の有無を表1に併せて示す。なお、Cu合金薄膜の合金組成はICP法を用いて測定した値である。
純度4NのCu円板状ターゲット(100mm径)の上に純度3NのScチップや純度4NのZrチップ、または、純度4NのTiチップを所定の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、DCマグネトロンスパッタ装置を用いて、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製した(実施例1)。表1に作製したCu合金薄膜の組成と、それらのCu合金薄膜に400℃にて30分間真空中(1×10−6Torr以下)に保持する熱処理を施した後の比抵抗とヒロック発生の有無を示す。比較のため、同一条件で形成した純Al薄膜、Al−Nd合金薄膜(Nd含有量3原子%)及び純Cu薄膜(比較例1)に同一条件で熱処理を施した後の比抵抗とヒロック発生の有無を表1に併せて示す。なお、Cu合金薄膜の合金組成はICP法を用いて測定した値である。
(実施例2)
実施例1と同様にして、Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にSc、ZrチップをCu98−xSc2Zrx(x=0.1〜10)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、実施例1と同様の方法でDCスパッタ法にてガラス基板上に、厚さ300nmのCu合金薄膜を作製した。それらのCu合金薄膜に実施例1と同様に400℃にて、30分間真空中(1×10−6Torr以下)に保持する熱処理を施した後の比抵抗を測定した。比抵抗とZr組成の関係を図2に示す。なお、図2には、比較のため、Zr含有量12原子%のCu合金薄膜及び実施例1で作製したZrを含まないCu合金薄膜(Sc含有量2原子%)の比抵抗を併せて示してある。
実施例1と同様にして、Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にSc、ZrチップをCu98−xSc2Zrx(x=0.1〜10)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、実施例1と同様の方法でDCスパッタ法にてガラス基板上に、厚さ300nmのCu合金薄膜を作製した。それらのCu合金薄膜に実施例1と同様に400℃にて、30分間真空中(1×10−6Torr以下)に保持する熱処理を施した後の比抵抗を測定した。比抵抗とZr組成の関係を図2に示す。なお、図2には、比較のため、Zr含有量12原子%のCu合金薄膜及び実施例1で作製したZrを含まないCu合金薄膜(Sc含有量2原子%)の比抵抗を併せて示してある。
表1と図1、2から明らかなように、本発明のCuSc合金薄膜あるいはCuScZr合金薄膜は高温度でもヒロックなどの熱欠陥の発生が無く、しかも添加量10原子%以下で比抵抗が極めて低く優れた配線材料の性能を示す。
(実施例3)
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にのせるチップ材料を希土類元素とした事以外は実施例2と同様な方法で、15種類の希土類元素の各々についてCu1−xRx(R:希土類元素)の組成を有するCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様な方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の評価から、希土類元素の添加量が0.1原子%以上でヒロックの発生がなく、かつ、添加量10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にのせるチップ材料を希土類元素とした事以外は実施例2と同様な方法で、15種類の希土類元素の各々についてCu1−xRx(R:希土類元素)の組成を有するCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様な方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の評価から、希土類元素の添加量が0.1原子%以上でヒロックの発生がなく、かつ、添加量10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
(実施例4)
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にSc、Ti、HfチップをCu99−xSc1Mx(M:Ti、Hf)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、実施例2と同様の方法でDCスパッタ法にて厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様の方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の比抵抗とTi含有量及びHf含有量との関係を図3に示す。なお、図3には、比較のため、Ti又はHf含有量12原子%のCu合金薄膜及びTi、Hfを含まないCu合金薄膜(Sc含有量1原子%)の比抵抗を併せて示してある。作製されたどのCu合金薄膜にもヒロックは観察されず、Ti、あるいは、Hfの添加量が10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上にSc、Ti、HfチップをCu99−xSc1Mx(M:Ti、Hf)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、実施例2と同様の方法でDCスパッタ法にて厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様の方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の比抵抗とTi含有量及びHf含有量との関係を図3に示す。なお、図3には、比較のため、Ti又はHf含有量12原子%のCu合金薄膜及びTi、Hfを含まないCu合金薄膜(Sc含有量1原子%)の比抵抗を併せて示してある。作製されたどのCu合金薄膜にもヒロックは観察されず、Ti、あるいは、Hfの添加量が10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
(実施例5)
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上に希土類元素及びZrチップをCu99−xMxZr1(M:希土類元素)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、15種類の希土類元素の各々について、実施例2と同様の方法でDCスパッタ法にて厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様の方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の評価から、希土類元素の添加量が0.1原子%以上でヒロックの発生がなく、かつ、添加量10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
Cu円板状ターゲット(100mm径)の上に希土類元素及びZrチップをCu99−xMxZr1(M:希土類元素)の組成になるように配設した複合ターゲットを用いることにより、15種類の希土類元素の各々について、実施例2と同様の方法でDCスパッタ法にて厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例2と同様の方法で熱処理を行なった。得られたCu合金薄膜の評価から、希土類元素の添加量が0.1原子%以上でヒロックの発生がなく、かつ、添加量10原子%以下で10μΩcmの低比抵抗が得られた。
(実施例6)
純度4Nの原材料をCu98Sc2の組成となるように調合、溶解し、鋳造法にてCuScインゴットを作製した。この後、圧延、加工を施し、100mm径×5mmtのターゲット材を完成させた。この後、バッキングプレートにボンディングを施し、スパッタリングターゲットを作製した。本ターゲットの相対密度は99.9%(アルキメデス法)であり、酸素含有量(LECO)は80ppmであった。実施例1と同じDCマグネトロンスッパタ装置を用い、前記で作製したスパッタリングターゲットを使用して、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例1と同様の熱処理を施した後、比抵抗とヒロックを評価したところ、実施例1と同様、比抵抗は2.5μΩcmで、ヒロックの発生は認められなかった。
純度4Nの原材料をCu98Sc2の組成となるように調合、溶解し、鋳造法にてCuScインゴットを作製した。この後、圧延、加工を施し、100mm径×5mmtのターゲット材を完成させた。この後、バッキングプレートにボンディングを施し、スパッタリングターゲットを作製した。本ターゲットの相対密度は99.9%(アルキメデス法)であり、酸素含有量(LECO)は80ppmであった。実施例1と同じDCマグネトロンスッパタ装置を用い、前記で作製したスパッタリングターゲットを使用して、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例1と同様の熱処理を施した後、比抵抗とヒロックを評価したところ、実施例1と同様、比抵抗は2.5μΩcmで、ヒロックの発生は認められなかった。
(実施例7)
純度4Nで粒径50μmのCu粉末とSc粉末とをCu98Sc2の組成となるようにボールミルで混合し、以下の条件でホットプレス焼結を行なった。
純度4Nで粒径50μmのCu粉末とSc粉末とをCu98Sc2の組成となるようにボールミルで混合し、以下の条件でホットプレス焼結を行なった。
・焼結温度:750℃
・保持時間:2時間
・圧力: 200kg/cm2
・昇温速度:100℃/h
降温は温度制御せず、放冷とした。得られたインゴットを加工し、100mm径×5mmtのターゲット材を完成させた。この後、バッキングプレートにボンディングを施し、スパッタリングターゲットを作製した。本ターゲットの相対密度は99.9%(アルキメデス法)であった。実施例1と同じDCマグネトロンスッパタ装置を用い、前記で作製したスパッタリングターゲットを使用して、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例1と同様の熱処理を施した後、比抵抗とヒロックを評価したところ、実施例1と同様、比抵抗は2.5μΩcmで、ヒロックの発生は認められなかった。
・保持時間:2時間
・圧力: 200kg/cm2
・昇温速度:100℃/h
降温は温度制御せず、放冷とした。得られたインゴットを加工し、100mm径×5mmtのターゲット材を完成させた。この後、バッキングプレートにボンディングを施し、スパッタリングターゲットを作製した。本ターゲットの相対密度は99.9%(アルキメデス法)であった。実施例1と同じDCマグネトロンスッパタ装置を用い、前記で作製したスパッタリングターゲットを使用して、ガラス基板上に厚さ300nmのCu合金薄膜を作製し、実施例1と同様の熱処理を施した後、比抵抗とヒロックを評価したところ、実施例1と同様、比抵抗は2.5μΩcmで、ヒロックの発生は認められなかった。
Claims (14)
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- 元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- Scを0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、Zrを0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- Scを0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- Scを0.1〜10原子%、Zrを0.01〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金配線材料。
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- 元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- Scを0.1〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- 希土類元素から選ばれる1種又は2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%含有するとともに、Zrを0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- Scを0.1〜10原子%含有するとともに、元素周期表の第四族元素から選ばれる1種又は2種以上の元素をそれらの元素の総量で0.01〜10原子%さらに含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
- Scを0.1〜10原子%、Zrを0.01〜10原子%含有するCu合金からなることを特徴とするCu合金スパッタリングターゲット。
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