JP2000063971A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2000063971A JP2000063971A JP10233158A JP23315898A JP2000063971A JP 2000063971 A JP2000063971 A JP 2000063971A JP 10233158 A JP10233158 A JP 10233158A JP 23315898 A JP23315898 A JP 23315898A JP 2000063971 A JP2000063971 A JP 2000063971A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングにおいて、薄膜形成の際に生
じるヒロック発生が少なく、エッチングによるパターン
の加工性に優れるとともに、バリアメタルを必要としな
いＭｏ又はＷを添加したＡｌ合金からなるスパッタリン
グターゲットとその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）に、３〜１０質量
％のＭｏ又はＷを添加した高融点金属アルミニウム合金
からなるスパッタリングターゲットであって、前記高融
点金属アルミニウム合金は、Ｍｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａ
ｌ合金からなり、酸素含有量１００ｐｐｍ以下であり、
前記Ｍｏ−Ａｌは、ＭｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，及びＭｏ
Ａｌ4 金属間化合物の内の少なくとも一種の化合物を有
し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，及びＷ
Ａｌ4 の内の少なくとも一種の化合物を有し、前記化合
物は、ガラス破片状に均一に分散し、質量密度比９９％
以上である。
じるヒロック発生が少なく、エッチングによるパターン
の加工性に優れるとともに、バリアメタルを必要としな
いＭｏ又はＷを添加したＡｌ合金からなるスパッタリン
グターゲットとその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 アルミニウム（Ａｌ）に、３〜１０質量
％のＭｏ又はＷを添加した高融点金属アルミニウム合金
からなるスパッタリングターゲットであって、前記高融
点金属アルミニウム合金は、Ｍｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａ
ｌ合金からなり、酸素含有量１００ｐｐｍ以下であり、
前記Ｍｏ−Ａｌは、ＭｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，及びＭｏ
Ａｌ4 金属間化合物の内の少なくとも一種の化合物を有
し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，及びＷ
Ａｌ4 の内の少なくとも一種の化合物を有し、前記化合
物は、ガラス破片状に均一に分散し、質量密度比９９％
以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス及
び液晶表示デバイスの配線材料として、アルミニウム
（Ａｌ）にモリブデン（Ｍｏ）またはＷ（タングステ
ン）等の高融点金属を３質量％以上１０質量％以下添加
したＭｏ−Ａｌ又はＷ−Ａｌ合金からなるのスパッタリ
ングターゲットとその製造方法に関する。
び液晶表示デバイスの配線材料として、アルミニウム
（Ａｌ）にモリブデン（Ｍｏ）またはＷ（タングステ
ン）等の高融点金属を３質量％以上１０質量％以下添加
したＭｏ−Ａｌ又はＷ−Ａｌ合金からなるのスパッタリ
ングターゲットとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子デバイス等において、例え
ば、半導体デバイスの高集積化及び液晶表示デバイスの
大型化に伴う配線幅は、細線化になる傾向にある。これ
まで配線材料には、主にＡｌ（アルミニウム）合金が用
いられている。
ば、半導体デバイスの高集積化及び液晶表示デバイスの
大型化に伴う配線幅は、細線化になる傾向にある。これ
まで配線材料には、主にＡｌ（アルミニウム）合金が用
いられている。
【０００３】しかし、配線内の電流密度の増加（配線温
度の上昇）により配線寿命の劣化が生じる問題やＡｌ配
線内には常に応力が存在し、電流が流れなくても４００
Ｋ程度の温度で長時間保持するだけでＡｌの結晶粒界を
通じた拡散によりボイドまたはヒロックが生じる問題が
指摘されている。この不良対策としては銅（Ｃｕ）を始
めチタン（Ｔｉ），マグネシウム（Ｍｇ），錫（Ｓ
ｎ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属添加が提案されてい
る。このうち、Ｃｕ配線の実用化にはエッチング困難で
Ｃｕが酸化しやすく、さらに酸化膜への拡散係数が大き
いためバリアメタルが必要となる等課題が多く、その他
の添加金属についても上述した不良対策として問題解決
までには、達していないことが現状である。
度の上昇）により配線寿命の劣化が生じる問題やＡｌ配
線内には常に応力が存在し、電流が流れなくても４００
Ｋ程度の温度で長時間保持するだけでＡｌの結晶粒界を
通じた拡散によりボイドまたはヒロックが生じる問題が
指摘されている。この不良対策としては銅（Ｃｕ）を始
めチタン（Ｔｉ），マグネシウム（Ｍｇ），錫（Ｓ
ｎ），パラジウム（Ｐｄ）等の金属添加が提案されてい
る。このうち、Ｃｕ配線の実用化にはエッチング困難で
Ｃｕが酸化しやすく、さらに酸化膜への拡散係数が大き
いためバリアメタルが必要となる等課題が多く、その他
の添加金属についても上述した不良対策として問題解決
までには、達していないことが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、バリアメタルを
必要としない配線材料としては、熱処理で粒界に均一に
凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固定されて
エレクトロマイグレーションによる電子流によっても容
易に拡散しない特性を持つＭｏやＷをＡｌに添加するこ
とが有効であることの知見を得た。
必要としない配線材料としては、熱処理で粒界に均一に
凝集しやすく、一旦粒界に凝集したらそこに固定されて
エレクトロマイグレーションによる電子流によっても容
易に拡散しない特性を持つＭｏやＷをＡｌに添加するこ
とが有効であることの知見を得た。
【０００５】そこで、本発明の一般的な技術的課題は、
上記問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金ス
パッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供する
ことにある。
上記問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金ス
パッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供する
ことにある。
【０００６】また、本発明の特別の技術的課題は、スパ
ッタリングにおいて、薄膜形成の際に生じるヒロック発
生が少なく、エッチングによるパターンの加工性に優れ
るとともに、バリアメタルを必要としないＭｏ又はＷを
添加したＡｌ合金からなるスパッタリングターゲットと
その製造方法とを提供することにある。
ッタリングにおいて、薄膜形成の際に生じるヒロック発
生が少なく、エッチングによるパターンの加工性に優れ
るとともに、バリアメタルを必要としないＭｏ又はＷを
添加したＡｌ合金からなるスパッタリングターゲットと
その製造方法とを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、バリアメ
タルを必要としない配線材料として、ＭｏまたはＷをど
の程度範囲に添加すれば良いか検討した結果、まず配線
の電気抵抗値は１０μΩｃｍ程度であれば良いという知
見を得た。電気抵抗値１０μΩｃｍ程度にするにはＭｏ
またはＷを３〜１０質量％（重量％）添加すればよいこ
とがわかった。
タルを必要としない配線材料として、ＭｏまたはＷをど
の程度範囲に添加すれば良いか検討した結果、まず配線
の電気抵抗値は１０μΩｃｍ程度であれば良いという知
見を得た。電気抵抗値１０μΩｃｍ程度にするにはＭｏ
またはＷを３〜１０質量％（重量％）添加すればよいこ
とがわかった。
【０００８】高融点金属であるＭｏあるいはＷは、Ａｌ
との金属間化合物を生成しやすく、硬くて脆い性質があ
るが、熱に対して安定である。微細なＡｌ配線内にＭｏ
またはＷと、Ａｌとの金属間化合物が生成、分散するこ
とによってＡｌのエレクトロマイグレーションに対する
バリア役割を果たすことができれば、ボイドまたはヒロ
ックといった配線の不良対策として期待がよせられる。
また、エッチングによるパターンの加工性に優れている
ことの知見を得た。
との金属間化合物を生成しやすく、硬くて脆い性質があ
るが、熱に対して安定である。微細なＡｌ配線内にＭｏ
またはＷと、Ａｌとの金属間化合物が生成、分散するこ
とによってＡｌのエレクトロマイグレーションに対する
バリア役割を果たすことができれば、ボイドまたはヒロ
ックといった配線の不良対策として期待がよせられる。
また、エッチングによるパターンの加工性に優れている
ことの知見を得た。
【０００９】これらの知見に基づいて、本発明者は、Ｍ
ｏまたはＷを添加金属としたＭｏ−ＡｌあるいはＷ−Ａ
ｌ合金からなるスパッタリングターゲットを用い、薄膜
形成の際のボイドやヒロックの発生が少なく、エッチン
グによるパターンの加工性に優れ、さらにターゲット中
の酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏ−Ａｌ及び
Ｗ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを得、本発明を
為すに至ったものである。
ｏまたはＷを添加金属としたＭｏ−ＡｌあるいはＷ−Ａ
ｌ合金からなるスパッタリングターゲットを用い、薄膜
形成の際のボイドやヒロックの発生が少なく、エッチン
グによるパターンの加工性に優れ、さらにターゲット中
の酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏ−Ａｌ及び
Ｗ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットを得、本発明を
為すに至ったものである。
【００１０】即ち、本発明によれば、アルミニウム（Ａ
ｌ）に、３〜１０質量％のＭｏ又はＷを添加した高融点
金属アルミニウム合金からなるスパッタリングターゲッ
トであって、前記高融点金属アルミニウム合金は、Ｍｏ
−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金からなり、酸素含有量１０
０ｐｐｍ以下であり、前記Ｍｏ−Ａｌは、ＭｏＡｌ12，
ＭｏＡｌ5 ，及びＭｏＡｌ4 金属間化合物の内の少なく
とも一種の化合物を有し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷＡｌ
12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4 の内の少なくとも一種の化
合物を有し、前記化合物は、ガラス破片状に均一に分散
し、質量密度比９９％以上であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットが得られる。
ｌ）に、３〜１０質量％のＭｏ又はＷを添加した高融点
金属アルミニウム合金からなるスパッタリングターゲッ
トであって、前記高融点金属アルミニウム合金は、Ｍｏ
−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金からなり、酸素含有量１０
０ｐｐｍ以下であり、前記Ｍｏ−Ａｌは、ＭｏＡｌ12，
ＭｏＡｌ5 ，及びＭｏＡｌ4 金属間化合物の内の少なく
とも一種の化合物を有し、前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷＡｌ
12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ4 の内の少なくとも一種の化
合物を有し、前記化合物は、ガラス破片状に均一に分散
し、質量密度比９９％以上であることを特徴とするスパ
ッタリングターゲットが得られる。
【００１１】また、本発明によれば、前記スパッタリン
グターゲットにおいて、半導体デバイス及び液晶表示デ
バイスのＭｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金の配線材料の
形成に用いられることを特徴とするスパッタリングター
ゲットが得られる。
グターゲットにおいて、半導体デバイス及び液晶表示デ
バイスのＭｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金の配線材料の
形成に用いられることを特徴とするスパッタリングター
ゲットが得られる。
【００１２】また、本発明によれば、前記スパッタリン
グターゲットを製造する方法であって、Ｍｏ又はＷの棒
材又はＭｏ又はＷの粉末からなる高融点金属材料とＡｌ
インゴットを用いて、真空溶解法によって前記スパッタ
リングターゲットを製造するスパッタリングターゲット
の製造方法が得られる。
グターゲットを製造する方法であって、Ｍｏ又はＷの棒
材又はＭｏ又はＷの粉末からなる高融点金属材料とＡｌ
インゴットを用いて、真空溶解法によって前記スパッタ
リングターゲットを製造するスパッタリングターゲット
の製造方法が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】本発明においては、Ａｌ合金ターゲットの
製造において、純度９９．９９％以上のＡｌインゴット
と、純度９９．９％以上のＭｏ又はＷの粉末又は棒を用
いた。
製造において、純度９９．９９％以上のＡｌインゴット
と、純度９９．９％以上のＭｏ又はＷの粉末又は棒を用
いた。
【００１５】また、電子デバイス等に悪影響を及ぼす放
射性元素，アルカリ金属等の不純物含有量を極力低減し
たものが好ましく、溶解過程で不純物として生ずる酸化
物は除去する必要がある。
射性元素，アルカリ金属等の不純物含有量を極力低減し
たものが好ましく、溶解過程で不純物として生ずる酸化
物は除去する必要がある。
【００１６】ターゲットの作製は、ＭｏあるいはＷ棒
と、Ａｌインゴットを原料とする場合とＭｏあるいはＷ
粉末とＡｌインゴットを原料とする場合がある。真空溶
解法で得たＭｏ−Ａｌ合金は冷間圧延，冷間鍛造，及び
熱処理を施すことによってガラス破片状の金属間化合物
を均一に分散させること、質量密度比９９％以上で、酸
素含有量は１００ｐｐｍ以下にすることが可能である。
と、Ａｌインゴットを原料とする場合とＭｏあるいはＷ
粉末とＡｌインゴットを原料とする場合がある。真空溶
解法で得たＭｏ−Ａｌ合金は冷間圧延，冷間鍛造，及び
熱処理を施すことによってガラス破片状の金属間化合物
を均一に分散させること、質量密度比９９％以上で、酸
素含有量は１００ｐｐｍ以下にすることが可能である。
【００１７】以下、本発明の実施の形態によるターゲッ
トの製造について具体的に説明する。
トの製造について具体的に説明する。
【００１８】（第１の実施の形態）水素雰囲気で還元し
たＭｏ棒、直径φ１ｍｍ×長さＬ５０ｍｍを８質量％に
なるよう金型の底面にセットし、減圧アルゴン雰囲気下
でＡｌインゴット（９９．９９％）を真空溶解しＭｏ−
Ａ１合金のバルクを得て熱処理を行った。
たＭｏ棒、直径φ１ｍｍ×長さＬ５０ｍｍを８質量％に
なるよう金型の底面にセットし、減圧アルゴン雰囲気下
でＡｌインゴット（９９．９９％）を真空溶解しＭｏ−
Ａ１合金のバルクを得て熱処理を行った。
【００１９】このＭｏ−Ａ１合金バルクを冷間鍛造後、
再度真空溶解を行って得たＭｏ−Ａ１バルクは冷間圧
延、熱処理を施し一種類以上からなる金属間化合物がガ
ラス破片状に均一に分散し、質量密度比が９９．５％
で、酸素含有量が９１ｐｐｍであるＭｏ−Ａｌ合金ター
ゲット用素材を得た。
再度真空溶解を行って得たＭｏ−Ａ１バルクは冷間圧
延、熱処理を施し一種類以上からなる金属間化合物がガ
ラス破片状に均一に分散し、質量密度比が９９．５％
で、酸素含有量が９１ｐｐｍであるＭｏ−Ａｌ合金ター
ゲット用素材を得た。
【００２０】同Ｍｏ−Ａｌ合金はφ１０２（４''）ｍｍ
×Ｔ１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンス
パッタで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との
組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も８μΩ
ｃｍになった。
×Ｔ１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンス
パッタで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との
組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も８μΩ
ｃｍになった。
【００２１】（第２の実施の形態）水素雰囲気で還元し
たＭｏ粉末、粒径４μｍ（Ｆｓｓｓ）をＡｌインゴット
円板積層の間に８質量％になるよう装入セットし、減圧
アルゴン雰囲気下で真空溶解しＭｏ−Ａｌ合金のバルク
を得た。
たＭｏ粉末、粒径４μｍ（Ｆｓｓｓ）をＡｌインゴット
円板積層の間に８質量％になるよう装入セットし、減圧
アルゴン雰囲気下で真空溶解しＭｏ−Ａｌ合金のバルク
を得た。
【００２２】このＭｏ−Ａｌ合金バルクを冷間鍛造後、
再度真空溶解を行い、冷間圧延、熱処理を施し一種類以
上からなる金属間化合物がガラス破片状に均一に分散
し、質量密度比が９９．２％で、酸素含有量が８８ｐｐ
ｍであるＭｏ−Ａｌ合金ターゲット用素材を得た。
再度真空溶解を行い、冷間圧延、熱処理を施し一種類以
上からなる金属間化合物がガラス破片状に均一に分散
し、質量密度比が９９．２％で、酸素含有量が８８ｐｐ
ｍであるＭｏ−Ａｌ合金ターゲット用素材を得た。
【００２３】同Ｍｏ−Ａｌ合金はφ１０２（４''）×Ｔ
１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンスパッ
ターで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との組
成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も１０μΩ
ｃｍになった。
１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンスパッ
ターで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との組
成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も１０μΩ
ｃｍになった。
【００２４】（第３の実施の形態）水素雰囲気で還元し
たＷ棒、直径φ１ｍｍ×長さＬ５ｍｍ、を８質量％にな
るよう金型の底面にセットし、減圧アルゴン雰囲気下で
Ａｌインゴット（純度９９．９９％）を真空溶解しＷ−
Ａｌ合金バルクを得て熱処理を行った。
たＷ棒、直径φ１ｍｍ×長さＬ５ｍｍ、を８質量％にな
るよう金型の底面にセットし、減圧アルゴン雰囲気下で
Ａｌインゴット（純度９９．９９％）を真空溶解しＷ−
Ａｌ合金バルクを得て熱処理を行った。
【００２５】このＷ−Ａ１合金バルクを冷間鍛造後、再
度真空溶解を行って得たＷ−Ａｌ合金バルクは冷間圧
延、熱処理を施し一種類以上からなる金属問化合物がガ
ラス破月状に均一に分散し、質量密度比が９９．６％
で、酸素含有量が７５ｐｐｍであるＷ−Ａｌ合金ターゲ
ット用素材を得た。
度真空溶解を行って得たＷ−Ａｌ合金バルクは冷間圧
延、熱処理を施し一種類以上からなる金属問化合物がガ
ラス破月状に均一に分散し、質量密度比が９９．６％
で、酸素含有量が７５ｐｐｍであるＷ−Ａｌ合金ターゲ
ット用素材を得た。
【００２６】同Ｗ−Ａｌ合金はφ１０２（４''）ｍｍ×
Ｔ１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンスパ
ッターで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との
組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も１０μ
Ωｃｍになった。
Ｔ１０ｍｍに仕上げターゲットとし、マグネトロンスパ
ッターで基板に蒸着しターゲット組成とスパッタ膜との
組成比を調べたところ差異はなく、電気抵抗値も１０μ
Ωｃｍになった。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、半導体デバイス及び液晶表示デバイスのＡｌ配線内
にＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加することによ
って、主要製造工程であるエッチングによるパターンの
加工性に優れたＭｏ−ＡｌおよびＷ−ＡＩ合金スパッタ
リングターゲットを製造することができ、今後のＡ１合
金ターゲットへの要求に対応することができる。
は、半導体デバイス及び液晶表示デバイスのＡｌ配線内
にＭｏまたはＷを３〜１０質量％以下添加することによ
って、主要製造工程であるエッチングによるパターンの
加工性に優れたＭｏ−ＡｌおよびＷ−ＡＩ合金スパッタ
リングターゲットを製造することができ、今後のＡ１合
金ターゲットへの要求に対応することができる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｒ
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウム（Ａｌ）に、３〜１０質量
％のＭｏ又はＷを添加した高融点金属アルミニウム合金
からなるスパッタリングターゲットであって、前記高融
点金属アルミニウム合金は、Ｍｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａ
ｌ合金からなり、酸素含有量１００ｐｐｍ以下であり、 前記Ｍｏ−Ａｌは、ＭｏＡｌ12，ＭｏＡｌ5 ，及びＭｏ
Ａｌ4 金属間化合物の内の少なくとも一種の化合物を有
し、 前記Ｗ−Ａｌ合金は、ＷＡｌ12，ＷＡｌ5 ，及びＷＡｌ
4 の内の少なくとも一種の化合物を有し、 前記化合物は、ガラス破片状に均一に分散し、質量密度
比９９％以上であることを特徴とするスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トにおいて、半導体デバイス及び液晶表示デバイスのＭ
ｏ−Ａｌ合金又はＷ−Ａｌ合金の配線材料の形成に用い
られることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 請求項１記載のスパッタリングターゲッ
トを製造する方法であって、Ｍｏ又はＷの棒材又はＭｏ
又はＷの粉末からなる高融点金属材料とＡｌインゴット
を用いて、真空溶解法によって前記スパッタリングター
ゲットを製造するスパッタリングターゲットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233158A JP2000063971A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10233158A JP2000063971A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000063971A true JP2000063971A (ja) | 2000-02-29 |
Family
ID=16950638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10233158A Pending JP2000063971A (ja) | 1998-08-19 | 1998-08-19 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000063971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8458811B2 (en) | 2010-03-25 | 2013-06-04 | The Governors Of The University Of Alberta | Micro/nano devices fabricated from Cu-Hf thin films |
| WO2016025968A1 (de) | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Plansee Se | Metallisierung für ein dünnschichtbauelement, verfahren zu deren herstellung und sputtering target |
-
1998
- 1998-08-19 JP JP10233158A patent/JP2000063971A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8458811B2 (en) | 2010-03-25 | 2013-06-04 | The Governors Of The University Of Alberta | Micro/nano devices fabricated from Cu-Hf thin films |
| WO2016025968A1 (de) | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Plansee Se | Metallisierung für ein dünnschichtbauelement, verfahren zu deren herstellung und sputtering target |
| US11047038B2 (en) | 2014-08-20 | 2021-06-29 | Plansee Se | Metallization for a thin-film component, process for the production thereof and sputtering target |
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