JP2001093862A - 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット - Google Patents
液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲットInfo
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- JP2001093862A JP2001093862A JP26770099A JP26770099A JP2001093862A JP 2001093862 A JP2001093862 A JP 2001093862A JP 26770099 A JP26770099 A JP 26770099A JP 26770099 A JP26770099 A JP 26770099A JP 2001093862 A JP2001093862 A JP 2001093862A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 抵抗値が低い（≦１０μΩ・ｃｍ）と共
にヒロックの発生も抑制された、液晶ディスプレイ用の
電極・配線材を提供すること、及びかかる液晶ディスプ
レイ用の電極・配線材を製作するために用いる、Ａｌ合
金中のＮｄ含有量の少ないスパッタリングターゲットを
提供すること 【解決手段】 合金成分として０．５〜１．０ａｔ％の
Ｎｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下で
あり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金か
らなる液晶ディスプレイ用の電極・配線材、及び該電極
・配線材を製作するための同じＡｌ合金からなるスパッ
タリングターゲット。
にヒロックの発生も抑制された、液晶ディスプレイ用の
電極・配線材を提供すること、及びかかる液晶ディスプ
レイ用の電極・配線材を製作するために用いる、Ａｌ合
金中のＮｄ含有量の少ないスパッタリングターゲットを
提供すること 【解決手段】 合金成分として０．５〜１．０ａｔ％の
Ｎｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下で
あり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金か
らなる液晶ディスプレイ用の電極・配線材、及び該電極
・配線材を製作するための同じＡｌ合金からなるスパッ
タリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
用の電極・配線材及びその製作に用いるスパッタリング
ターゲットに関する。
用の電極・配線材及びその製作に用いるスパッタリング
ターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイ用の電極や配線等に使
用されるＡｌ合金材料としては、耐ヒロック性を有する
ものとしてＡｌに対し合金成分としてＮｄ、Ｇｄ及びＤ
ｙから選ばれた少なくとも１種を１．０ａｔ％超〜１５
ａｔ％含有せしめたＡｌ合金が知られている（特許公報
第２７３３００６号参照）。
用されるＡｌ合金材料としては、耐ヒロック性を有する
ものとしてＡｌに対し合金成分としてＮｄ、Ｇｄ及びＤ
ｙから選ばれた少なくとも１種を１．０ａｔ％超〜１５
ａｔ％含有せしめたＡｌ合金が知られている（特許公報
第２７３３００６号参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術によれ
ば、Ａｌに対するＮｄの含有量が多くなる程、耐ヒロッ
ク性は向上するとされている。しかしながら、Ｎｄ含有
量が多いと、デバイス製作工程の条件にもよるが、成膜
された電極膜の比抵抗値が高くなり、また、このＡｌ合
金からなる電極膜形成用スパッタリングターゲット及び
このターゲットを用いて成膜された膜の硬度が高くなる
傾向にある。Ｎｄ含有量が多く、得られるターゲットの
硬度が高くなるにつれて、ターゲット製作途中で内部に
欠陥が発生する恐れもある。
ば、Ａｌに対するＮｄの含有量が多くなる程、耐ヒロッ
ク性は向上するとされている。しかしながら、Ｎｄ含有
量が多いと、デバイス製作工程の条件にもよるが、成膜
された電極膜の比抵抗値が高くなり、また、このＡｌ合
金からなる電極膜形成用スパッタリングターゲット及び
このターゲットを用いて成膜された膜の硬度が高くなる
傾向にある。Ｎｄ含有量が多く、得られるターゲットの
硬度が高くなるにつれて、ターゲット製作途中で内部に
欠陥が発生する恐れもある。
【０００４】本発明は、上記従来技術の問題点を解消す
るものであり、抵抗値が低い（≦１０μΩ・ｃｍ）と共
にヒロックの発生も抑制された、液晶ディスプレイ用の
導電部（電極・配線材）を提供すること、及びかかる液
晶ディスプレイ用の電極・配線材を製作するために用い
る、Ａｌ合金中のＮｄ含有量の少ないスパッタリングタ
ーゲットを提供することを課題としている。
るものであり、抵抗値が低い（≦１０μΩ・ｃｍ）と共
にヒロックの発生も抑制された、液晶ディスプレイ用の
導電部（電極・配線材）を提供すること、及びかかる液
晶ディスプレイ用の電極・配線材を製作するために用い
る、Ａｌ合金中のＮｄ含有量の少ないスパッタリングタ
ーゲットを提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶ディスプレ
イ用の電極・配線材は、合金成分として０．５〜１．０
ａｔ％のＮｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐ
ｍ以下であり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡ
ｌ合金からなるものである。
イ用の電極・配線材は、合金成分として０．５〜１．０
ａｔ％のＮｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐ
ｍ以下であり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡ
ｌ合金からなるものである。
【０００６】また、本発明の液晶ディスプレイ用の電極
・配線材を製作するために用いるスパッタリングターゲ
ットは、合金成分として０．５〜１．０ａｔ％のＮｄを
含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であり、
残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金からなる
ものである。
・配線材を製作するために用いるスパッタリングターゲ
ットは、合金成分として０．５〜１．０ａｔ％のＮｄを
含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であり、
残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金からなる
ものである。
【０００７】前記Ｎｄ含有量（組成値）が０．５ａｔ％
未満であり、且つ酸素含有量が１００ｐｐｍを超える
と、ヒロック発生数が多すぎて実用的ではなく、また、
Ｎｄ組成値が１．０ａｔ％を超え、且つ酸素含有量が１
００ｐｐｍを超えると、比抵抗値が高いという問題があ
ると共に、製作工程上の欠陥も不可避となる。
未満であり、且つ酸素含有量が１００ｐｐｍを超える
と、ヒロック発生数が多すぎて実用的ではなく、また、
Ｎｄ組成値が１．０ａｔ％を超え、且つ酸素含有量が１
００ｐｐｍを超えると、比抵抗値が高いという問題があ
ると共に、製作工程上の欠陥も不可避となる。
【０００８】前記合金成分として、前記Ｎｄに加えて、
高融点金属、例えばＴｉ、Ｚｒ及びＷから選ばれた少な
くとも１種を含有していてもよい。これら高融点金属の
含有量は、（Ａｌ−Ｎｄ）成分に対して０．１〜１．０
ａｔ％である。含有量が０．１ａｔ％未満だと、Ｎｄの
助長効果がなく、１．０ａｔ％を超えると、比抵抗の著
しい増加を起こす。
高融点金属、例えばＴｉ、Ｚｒ及びＷから選ばれた少な
くとも１種を含有していてもよい。これら高融点金属の
含有量は、（Ａｌ−Ｎｄ）成分に対して０．１〜１．０
ａｔ％である。含有量が０．１ａｔ％未満だと、Ｎｄの
助長効果がなく、１．０ａｔ％を超えると、比抵抗の著
しい増加を起こす。
【０００９】本発明のＡｌ−Ｎｄ合金（０．５ａｔ％≦
Ｎｄ≦１．０ａｔ％）からなるスパッタリングターゲッ
トによれば、ターゲット中に含まれる酸素量を１００ｐ
ｐｍ以下とすることにより、本ターゲットを使用して電
極・配線材を製作する際にスパッタリングにより成膜し
た薄膜をアニール処理（熱処理）すれば、ヒロックの発
生がおさえられる。酸素含有量は少なければ少ないほど
よい。スパッタリングターゲット中の酸素含有量を１０
０ｐｐｍ以下にするには、例えば、水素還元又はＣＯ還
元で脱酸素を行って通常の方法でターゲットを製作すれ
ばよい。
Ｎｄ≦１．０ａｔ％）からなるスパッタリングターゲッ
トによれば、ターゲット中に含まれる酸素量を１００ｐ
ｐｍ以下とすることにより、本ターゲットを使用して電
極・配線材を製作する際にスパッタリングにより成膜し
た薄膜をアニール処理（熱処理）すれば、ヒロックの発
生がおさえられる。酸素含有量は少なければ少ないほど
よい。スパッタリングターゲット中の酸素含有量を１０
０ｐｐｍ以下にするには、例えば、水素還元又はＣＯ還
元で脱酸素を行って通常の方法でターゲットを製作すれ
ばよい。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について実施例及び比較例に基
づき説明する。本発明はこれらの例に何ら限定されるも
のではない。 （実施例１）酸素含有量１５ｐｐｍでＮｄ組成値１．０
ａｔ％のＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）からなるスパッタ
リングターゲットを製作した。すなわち、このようなＡ
ｌ合金組成物を不活性ガスに水素を混合した雰囲気中で
溶解し、その後圧力を下げてＣＯ還元し、鋳造したイン
ゴットを加工してスパッタリングターゲットを製作し
た。
づき説明する。本発明はこれらの例に何ら限定されるも
のではない。 （実施例１）酸素含有量１５ｐｐｍでＮｄ組成値１．０
ａｔ％のＡｌ合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）からなるスパッタ
リングターゲットを製作した。すなわち、このようなＡ
ｌ合金組成物を不活性ガスに水素を混合した雰囲気中で
溶解し、その後圧力を下げてＣＯ還元し、鋳造したイン
ゴットを加工してスパッタリングターゲットを製作し
た。
【００１１】かくして得られたスパッタリングターゲッ
トを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタ法（スパッタ電
力：約９Ｗ／ｃｍ2、Ａｒ雰囲気中）により平坦度の良
いウェハ上に、成膜時ウェハ温度１００℃で約３０００
オングストロームの薄膜を形成した。かくして得られた
Ａｌ−Ｎｄ合金膜に対し真空中、２５０〜４５０℃で、
３０分間アニール処理を行い、その後徐冷して、液晶デ
ィスプレイ用の電極・配線材として利用できる薄膜を得
た。得られた薄膜の比抵抗値（μΩ・ｃｍ）を室温で測
定した。アニール処理温度とＡｌ−Ｎｄ合金膜の比抵抗
値との関係を図１に示す。比抵抗値は、四探針法による
シート抵抗値を測定し、その値と膜厚から計算した。 （比較例１）実施例１記載の方法に従って、酸素含有量
約３００ｐｐｍでＮｄ組成値１．０ａｔ％のＡｌ−Ｎｄ
合金からなるスパッタリングターゲット及び酸素含有量
１５ｐｐｍでＮｄ組成値２．０ａｔ％のＡｌ−Ｎｄ合金
からなるスパッタリングターゲットを製作した。このス
パッタリングターゲットを使用して、実施例１の場合と
同様の条件で成膜し、アニール処理を行い、得られた薄
膜の比抵抗値を測定した。アニール処理温度とＡｌ−Ｎ
ｄ合金膜の比抵抗値との関係を図１に示す。図１中、
「通常」とは、酸素含有量が約３００ｐｐｍであり、ま
た、「低酸素」とは、酸素含有量が１５ｐｐｍであるこ
とを意味する。
トを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタ法（スパッタ電
力：約９Ｗ／ｃｍ2、Ａｒ雰囲気中）により平坦度の良
いウェハ上に、成膜時ウェハ温度１００℃で約３０００
オングストロームの薄膜を形成した。かくして得られた
Ａｌ−Ｎｄ合金膜に対し真空中、２５０〜４５０℃で、
３０分間アニール処理を行い、その後徐冷して、液晶デ
ィスプレイ用の電極・配線材として利用できる薄膜を得
た。得られた薄膜の比抵抗値（μΩ・ｃｍ）を室温で測
定した。アニール処理温度とＡｌ−Ｎｄ合金膜の比抵抗
値との関係を図１に示す。比抵抗値は、四探針法による
シート抵抗値を測定し、その値と膜厚から計算した。 （比較例１）実施例１記載の方法に従って、酸素含有量
約３００ｐｐｍでＮｄ組成値１．０ａｔ％のＡｌ−Ｎｄ
合金からなるスパッタリングターゲット及び酸素含有量
１５ｐｐｍでＮｄ組成値２．０ａｔ％のＡｌ−Ｎｄ合金
からなるスパッタリングターゲットを製作した。このス
パッタリングターゲットを使用して、実施例１の場合と
同様の条件で成膜し、アニール処理を行い、得られた薄
膜の比抵抗値を測定した。アニール処理温度とＡｌ−Ｎ
ｄ合金膜の比抵抗値との関係を図１に示す。図１中、
「通常」とは、酸素含有量が約３００ｐｐｍであり、ま
た、「低酸素」とは、酸素含有量が１５ｐｐｍであるこ
とを意味する。
【００１２】図１から明らかなように、酸素含有量１５
ｐｐｍのスパッタリングターゲットを使用して成膜した
ものは、Ｎｄ組成値が１．０ａｔ％及び２．０ａｔ％の
場合とも、比抵抗値は３５０℃以上のアニール処理温度
で約４μΩ・ｃｍまで下がったが、２．０ａｔ％の場合
はアニール処理温度が３５０℃より低いと比抵抗値は１
０μΩ・ｃｍ前後とかなり高かった。また、酸素含有量
が約３００ｐｐｍ、Ｎｄ組成値１．０ａｔ％であるスパ
ッタリングターゲットを使用して成膜したものは、アニ
ール処理温度にかかわらず、酸素含有量が１５ｐｐｍの
場合と比べて比抵抗値は高かった。 （実施例２）実施例１記載の方法に従って、Ｎｄ組成値
１．０ａｔ％、酸素含有量１５、８５、１８０、及び３
１５ｐｐｍの場合について、Ａｌ−Ｎｄ合金からなるス
パッタリングターゲットを製作した。このスパッタリン
グターゲットを使用して、実施例１の場合と同様にウエ
ハ上に成膜し、アニール処理を行った。ウエハ表面をＳ
ＥＭ観察し、ヒロックの発生状況を観察した。酸素含有
量とヒロック数（ケ／ｍｍ2）との関係を図２に示す。
ｐｐｍのスパッタリングターゲットを使用して成膜した
ものは、Ｎｄ組成値が１．０ａｔ％及び２．０ａｔ％の
場合とも、比抵抗値は３５０℃以上のアニール処理温度
で約４μΩ・ｃｍまで下がったが、２．０ａｔ％の場合
はアニール処理温度が３５０℃より低いと比抵抗値は１
０μΩ・ｃｍ前後とかなり高かった。また、酸素含有量
が約３００ｐｐｍ、Ｎｄ組成値１．０ａｔ％であるスパ
ッタリングターゲットを使用して成膜したものは、アニ
ール処理温度にかかわらず、酸素含有量が１５ｐｐｍの
場合と比べて比抵抗値は高かった。 （実施例２）実施例１記載の方法に従って、Ｎｄ組成値
１．０ａｔ％、酸素含有量１５、８５、１８０、及び３
１５ｐｐｍの場合について、Ａｌ−Ｎｄ合金からなるス
パッタリングターゲットを製作した。このスパッタリン
グターゲットを使用して、実施例１の場合と同様にウエ
ハ上に成膜し、アニール処理を行った。ウエハ表面をＳ
ＥＭ観察し、ヒロックの発生状況を観察した。酸素含有
量とヒロック数（ケ／ｍｍ2）との関係を図２に示す。
【００１３】図２から明らかなように、酸素含有量が１
００ｐｐｍを超えるとヒロック数の発生が多くなること
がわかる。 （実施例３）実施例１記載の方法に従って、Ｎｄ組成値
を０．５、１．０、２．０ａｔ％と変え、酸素含有量１
５ｐｐｍ及び約３００ｐｐｍの場合について、Ａｌ−Ｎ
ｄ合金からなるスパッタリングターゲットを製作した。
このスパッタリングターゲットを使用して、実施例１の
場合と同様に成膜し、真空中において４００℃で３０分
間アニール処理を行い、得られた薄膜の比抵抗値を測定
した。Ｎｄ組成値と比抵抗値との関係を図３に示す。図
３中、「通常」とは、酸素含有量が約３００ｐｐｍであ
り、また、「低酸素」とは、酸素含有量が１５ｐｐｍで
あることを意味する。
００ｐｐｍを超えるとヒロック数の発生が多くなること
がわかる。 （実施例３）実施例１記載の方法に従って、Ｎｄ組成値
を０．５、１．０、２．０ａｔ％と変え、酸素含有量１
５ｐｐｍ及び約３００ｐｐｍの場合について、Ａｌ−Ｎ
ｄ合金からなるスパッタリングターゲットを製作した。
このスパッタリングターゲットを使用して、実施例１の
場合と同様に成膜し、真空中において４００℃で３０分
間アニール処理を行い、得られた薄膜の比抵抗値を測定
した。Ｎｄ組成値と比抵抗値との関係を図３に示す。図
３中、「通常」とは、酸素含有量が約３００ｐｐｍであ
り、また、「低酸素」とは、酸素含有量が１５ｐｐｍで
あることを意味する。
【００１４】図３から明らかなように、アニール処理を
行うことによりＮｄ組成値が変化しても比抵抗値は安定
しているが、酸素含有量が１５ｐｐｍであるスパッタリ
ングターゲットを使用して形成した薄膜は約４μΩ・ｃ
ｍ以下の比抵抗値を有し、酸素含有量が高いスパッタリ
ングターゲットの場合よりも低い。 （実施例４）実施例３記載の方法に従って、但しＮｄ組
成値を０．５、０．７５、１．０、２．０ａｔ％と変え
て、Ａｌ−Ｎｄ合金からなるスパッタリングターゲット
を製作した。このスパッタリングターゲットを使用し
て、実施例１の場合と同様に、成膜し、アニール処理を
行った。ウェハ表面をＳＥＭ観察し、ヒロックの発生状
況を観察した。Ｎｄ組成値とヒロック数（ケ／ｍｍ2）
との関係を図４に示す。図４中、「通常」とは、酸素含
有量が約３００ｐｐｍであり、また、「低酸素」とは、
酸素含有量が１５ｐｐｍであることを意味する。
行うことによりＮｄ組成値が変化しても比抵抗値は安定
しているが、酸素含有量が１５ｐｐｍであるスパッタリ
ングターゲットを使用して形成した薄膜は約４μΩ・ｃ
ｍ以下の比抵抗値を有し、酸素含有量が高いスパッタリ
ングターゲットの場合よりも低い。 （実施例４）実施例３記載の方法に従って、但しＮｄ組
成値を０．５、０．７５、１．０、２．０ａｔ％と変え
て、Ａｌ−Ｎｄ合金からなるスパッタリングターゲット
を製作した。このスパッタリングターゲットを使用し
て、実施例１の場合と同様に、成膜し、アニール処理を
行った。ウェハ表面をＳＥＭ観察し、ヒロックの発生状
況を観察した。Ｎｄ組成値とヒロック数（ケ／ｍｍ2）
との関係を図４に示す。図４中、「通常」とは、酸素含
有量が約３００ｐｐｍであり、また、「低酸素」とは、
酸素含有量が１５ｐｐｍであることを意味する。
【００１５】図４から明らかなように、酸素含有量が１
５ｐｐｍであるスパッタリングターゲットを使用して成
膜したものは、Ｎｄ組成値が増えるにつれてヒロック数
は減少し、０．７５ａｔ％以上でヒロックはほとんど発
生していなかった。しかし、酸素含有量が高いとヒロッ
ク数はかなり高く、Ｎｄ組成値が増えても、酸素含有量
が低い場合と比べてヒロック数はそれほど減少しなかっ
た。 （実施例５）実施例１記載の方法に従って、但しＡｌ合
金組成としてＡｌに対し０．７ａｔ％のＮｄを混合した
Ａｌ−Ｎｄ合金成分に対し、高融点金属としてＴｉを、
０．１、０．５、０．８、１．０、及び１．１５ａｔ％
添加した合金組成物を用いてスパッタリングターゲット
を製作した。このスパッタリングターゲットを使用し
て、実施例１の場合と同様に１００℃で成膜し、真空中
において４００℃でアニール処理を行った。得られた薄
膜の比抵抗値を測定すると共に、ウェハ表面をＳＥＭ観
察し、ヒロックの発生状況を観察した。高融点金属添加
量と比抵抗値及びヒロック数との関係を図５に示す。
５ｐｐｍであるスパッタリングターゲットを使用して成
膜したものは、Ｎｄ組成値が増えるにつれてヒロック数
は減少し、０．７５ａｔ％以上でヒロックはほとんど発
生していなかった。しかし、酸素含有量が高いとヒロッ
ク数はかなり高く、Ｎｄ組成値が増えても、酸素含有量
が低い場合と比べてヒロック数はそれほど減少しなかっ
た。 （実施例５）実施例１記載の方法に従って、但しＡｌ合
金組成としてＡｌに対し０．７ａｔ％のＮｄを混合した
Ａｌ−Ｎｄ合金成分に対し、高融点金属としてＴｉを、
０．１、０．５、０．８、１．０、及び１．１５ａｔ％
添加した合金組成物を用いてスパッタリングターゲット
を製作した。このスパッタリングターゲットを使用し
て、実施例１の場合と同様に１００℃で成膜し、真空中
において４００℃でアニール処理を行った。得られた薄
膜の比抵抗値を測定すると共に、ウェハ表面をＳＥＭ観
察し、ヒロックの発生状況を観察した。高融点金属添加
量と比抵抗値及びヒロック数との関係を図５に示す。
【００１６】図５から明らかなように、高融点金属の添
加量が０．１ａｔ％未満だとヒロックに対するＮｄへの
助長効果がなく、また、１．０ａｔ％を超えると比抵抗
の著しい増加が起こる。
加量が０．１ａｔ％未満だとヒロックに対するＮｄへの
助長効果がなく、また、１．０ａｔ％を超えると比抵抗
の著しい増加が起こる。
【００１７】また、高融点金属として、Ｔｉの代わりに
Ｚｒ、Ｗを用いて、上記と同様に成膜し、比抵抗値及び
ヒロック数を求めたところ、同様の傾向を示した。
Ｚｒ、Ｗを用いて、上記と同様に成膜し、比抵抗値及び
ヒロック数を求めたところ、同様の傾向を示した。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリングターゲ
ット中の酸素含有量を１００ｐｐｍ以下にし、かつ、合
金成分としてのＮｄ組成値を０．５〜１．０ａｔ％とす
ることにより、又は合金成分としてさらに高融点金属を
添加することにより、このターゲットを用いて成膜した
場合、得られる薄膜の比抵抗値が低く、また、ヒロック
の発生が抑制されるという効果を奏すると共に、製造難
易度の面からターゲット及び該薄膜の製作コストも安く
なる。
ット中の酸素含有量を１００ｐｐｍ以下にし、かつ、合
金成分としてのＮｄ組成値を０．５〜１．０ａｔ％とす
ることにより、又は合金成分としてさらに高融点金属を
添加することにより、このターゲットを用いて成膜した
場合、得られる薄膜の比抵抗値が低く、また、ヒロック
の発生が抑制されるという効果を奏すると共に、製造難
易度の面からターゲット及び該薄膜の製作コストも安く
なる。
【図１】 アニール処理温度（℃）と薄膜の比抵抗値
（μΩ・ｃｍ）との関係を示すグラフ。
（μΩ・ｃｍ）との関係を示すグラフ。
【図２】 酸素含有量（ｐｐｍ）とヒロック数（ケ／ｍ
ｍ2）との関係を示すグラフ。
ｍ2）との関係を示すグラフ。
【図３】 Ｎｄ組成値（ａｔ％）と薄膜の比抵抗値（μ
Ω・ｃｍ）との関係を示すグラフ。
Ω・ｃｍ）との関係を示すグラフ。
【図４】 Ｎｄ組成値（ａｔ％）と薄膜のヒロック数
（ケ／ｍｍ2）との関係を示すグラフ。
（ケ／ｍｍ2）との関係を示すグラフ。
【図５】 高融点金属添加量（ａｔ％）と比抵抗値（μ
Ω・ｃｍ）及びヒロック数（ケ／ｍｍ2）との関係を示
すグラフ。
Ω・ｃｍ）及びヒロック数（ケ／ｍｍ2）との関係を示
すグラフ。
フロントページの続き (72)発明者 筒井 努 鹿児島県姶良郡横川町上ノ3313 ユーマッ ト株式会社九州工場内 Ｆターム(参考） 2H092 KA16 KA18 MA05 MA22 NA25 NA28 NA29 4K029 BA23 BD00 DC04 4M104 AA09 BB02 BB38 BB39 DD37 DD40 DD78 GG08 GG20 HH03 HH16
Claims (4)
- 【請求項１】 合金成分として０．５〜１．０ａｔ％の
Ｎｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下で
あり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金か
らなることを特徴とする液晶ディスプレイ用の電極・配
線材。 - 【請求項２】 前記合金成分として、前記Ｎｄに加え
て、Ｔｉ、Ｚｒ及びＷから選ばれた少なくとも１種の高
融点金属を含有し、該高融点金属の含有量が（Ａｌ−Ｎ
ｄ）成分に対して０．１〜１．０ａｔ％であることを特
徴とする請求項１記載の液晶ディスプレイ用の電極・配
線材。 - 【請求項３】 合金成分として０．５〜１．０ａｔ％の
Ｎｄを含有し、且つ、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下で
あり、残部がＡｌ及び不可避的不純物であるＡｌ合金か
らなることを特徴とする液晶ディスプレイ用電極・配線
材を製作するためのスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 前記合金成分として、前記Ｎｄに加え
て、Ｔｉ、Ｚｒ及びＷから選ばれた少なくとも１種の高
融点金属を含有し、該高融点金属の含有量が（Ａｌ−Ｎ
ｄ）成分に対して０．１〜１．０ａｔ％であることを特
徴とする請求項３記載の液晶ディスプレイ用電極・配線
材を製作するためのスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26770099A JP3634208B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26770099A JP3634208B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001093862A true JP2001093862A (ja) | 2001-04-06 |
| JP3634208B2 JP3634208B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=17448336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26770099A Expired - Lifetime JP3634208B2 (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 液晶ディスプレイ用の電極・配線材及びスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3634208B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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