JP4743645B2 - 金属薄膜配線 - Google Patents
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また、本発明は、Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Tiを10〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。
また、TiはAgと同様にIb族元素として共通するCuやAuとも固溶域を有する。このために、MoにTiを添加したMo−Ti合金膜はCu、AuやCu、Auを主体とする合金膜との密着性も向上するため、これらの膜の下地膜、カバ−膜として用いることが可能である。
まず、下記した各種の製造方法で純金属およびMo合金ターゲットを製造した。
[製法A]
真空度3×10−3Paの到達圧力の電子ビーム溶解装置を用いて直径150mmのインゴットを製造し、切り出してターゲットを製造する方法を(AE)、プラズマ溶解により直径100mmのインゴットを作製し、同様に製造にする方法を(AP)とする。
[製法B]
所定の組成になるよう粉末を混合し、焼結する方法である。うち、カーボンのモールド中に挿入し、ホットプレスにより製造した焼結体から切り出す方法を(BP)とする。なお、そのホットプレスの面圧は30MPaとし、その温度はMo合金においては1300℃とした。一方、軟鋼製のカプセルに封入し、HIP処理して製造した焼結体から切り出す方法を(BH)とする。なお、Mo合金においてそのHIP処理の圧力は120MPa、加熱温度は1000℃とした。また、粉末を冷間静水圧プレス(CIP)で加圧成形体としたものを焼結する方法を(BS)とする。なお、焼結の際には水素焼結炉を用いて、その加熱温度は1700℃とした。
以上の各種製造方法にて板状のターゲット素材を作製し、機械加工により所定の大きさのターゲットを製造した。
Claims (4)
- Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Tiを10〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなることを特徴とする金属薄膜配線。
- Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Tiを10〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなることを特徴とする金属薄膜配線。
- 前記下地膜が、Tiを30〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜であることを特徴とする請求項1に記載の金属薄膜配線。
- 前記カバー膜が、Tiを30〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜であることを特徴とする請求項2に記載の金属薄膜配線。
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Families Citing this family (3)
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284326A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2002250936A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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JP4432015B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2010-03-17 | 日立金属株式会社 | 薄膜配線形成用スパッタリングターゲット |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000284326A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2002250936A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2003036037A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Pioneer Electronic Corp | 銀若しくは銀合金配線及びその形成方法並びに表示パネル基板 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10106802B4 (de) * | 2000-02-14 | 2017-02-23 | Ntn Corp. | Einweg-Kupplung |
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