JP2009097085A - 配線膜用Cu合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる配線膜用Cu合金膜である。また、上記の配線膜用Cu合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。
【選択図】 図1
Description
また、最も一般的なFPDである駆動素子にアモルファスシリコン-TFTを用いる液晶ディスプレイ(LCD)では、透明なガラス基板上にデバイスを形成し、その製造工程中の加熱温度は250〜350℃程度であり、今後さらに低温化すると予想されている。このため、上記した課題である耐熱性を有しつつ、200〜250℃程度の製造プロセス温度域による加熱処理で、低抵抗化が実現できるFPDに最適なCu合金配線膜が要望されている。
すなわち、本発明は、添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる配線膜用Cu合金膜である。
また、本発明は上記組成の配線膜用Cu合金膜を得るための、添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる配線膜形成用スパッタリングターゲット材である。
まず、CuにBを添加する効果は、Cu合金膜をスパッタ成膜した後に、150〜250℃の低温域で加熱処理した場合でも、抵抗値を成膜時に比べて格段に低下させることができる点と加熱処理した時のヒロック耐性を向上できる点にある。その効果が得られる理由は明確ではないが、次のように推測される。スパッタリング法により基板上に薄膜を形成した際には、添加元素は非平衡状態で固溶される。Cuに対してBは固溶域がほとんどなく、また、Bは軽元素であるために、低い温度の加熱処理でもCuのマトリクスからBが粒界や膜表面に吐出されるため抵抗値が低減できるものと考えられる。また、加熱処理の際にCuのマトリクスからBが粒界や膜表面に吐出されることで膜の圧縮応力が緩和されるためヒロック耐性が向上するものと考えられる。
なお、上記の効果は0.1原子%以上のB添加で明確となり、1.0原子%を超えてBを添加すると膜が剥がれ易くなり望ましくないため、Bの添加量としては、0.1〜1.0原子%としている。
さらに、Cuに対して、BとMn、Niを組み合わせて複合添加することでヒロックやボイドの発生を抑制しつつ、150〜250℃の加熱処理で抵抗値が低下する効果を有するCu合金を得ることができる。その理由は明確ではないが、BはMn、Niと化合物を発現する元素であるため、加熱処理によってBと一部のMnやNiとが結合し化合物として、Cuのマトリクスから吐出されるためと考えられる。なお、以上の効果は、0.1原子%から現れるが、2.0原子%を超えて添加すると抵抗値が増加し、加熱後も低い抵抗値を得難くなるため、Mnおよび/またはNiの添加量としては、0.1〜2.0原子%としている。
まず、以下に述べる方法でCu合金タ−ゲット材を製造した。
Cuに各種の添加元素を加えたCu合金膜の目標組成と実質的に同一となるように原料を配合し真空溶解炉にて溶解した後、鋳造することでCu合金インゴットを作製した。次にCu合金インゴットを機械加工により直径100mm、厚さ5mmのスパッタリングターゲット材を作製した。
また、比較例として同一寸法の純Cuターゲットも同様の方法によりに作製した。
上記で作製した種々の組成のターゲット材を用いてスパッタリング法により、寸法100×100mmの平滑なガラス基板上に、膜厚200nmの純Cu膜およびCu合金膜を形成し、4探針法により比抵抗を測定した。測定結果を表1に示す。
また、試料1、2、7、8、9の加熱処理後の膜表面状況を観察したFE−SEM像について、図1から図5に示す。
図6からは、本発明のCu-Ni-B合金膜およびCu-Mn-B合金膜は、加熱温度の上昇とともに徐々に比抵抗が低下し、特に200℃以上の加熱処理で格段に比抵抗が低下することが分かる。
Claims (2)
- 添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなることを特徴とする配線膜用Cu合金膜。
- 添加元素としてBを0.1〜1.0原子%、さらにMnおよび/またはNiを0.1〜2.0原子%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなることを特徴とする配線膜形成用スパッタリングターゲット材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008243573A JP5263665B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-24 | 配線膜用Cu合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007246696 | 2007-09-25 | ||
JP2007246696 | 2007-09-25 | ||
JP2008243573A JP5263665B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-24 | 配線膜用Cu合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009097085A true JP2009097085A (ja) | 2009-05-07 |
JP5263665B2 JP5263665B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=40700361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008243573A Active JP5263665B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-24 | 配線膜用Cu合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5263665B2 (ja) |
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- 2008-09-24 JP JP2008243573A patent/JP5263665B2/ja active Active
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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